JPH0574207B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0574207B2 JPH0574207B2 JP59065259A JP6525984A JPH0574207B2 JP H0574207 B2 JPH0574207 B2 JP H0574207B2 JP 59065259 A JP59065259 A JP 59065259A JP 6525984 A JP6525984 A JP 6525984A JP H0574207 B2 JPH0574207 B2 JP H0574207B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- alignment
- wafer
- mask
- light
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、転写方法に関し、特に半導体製造工
程においてマスクのパターンをウエハに位置合わ
せして露光する転写方法に関する。
程においてマスクのパターンをウエハに位置合わ
せして露光する転写方法に関する。
半導体製造における微細加工技術は近年急速に
進み、サブミクロン領域の回路パターンの加工が
要求されている。
進み、サブミクロン領域の回路パターンの加工が
要求されている。
0.5ミクロン以下の回路パターンを重ね合せて
転写するには高精度のアライメント機構、高い分
解能に高いスループツトが要求されるが、従来の
アライメント法としてはレーザ光等の遠紫外より
長い波長域の光を用いた方法と、電子ビームやイ
オンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
転写するには高精度のアライメント機構、高い分
解能に高いスループツトが要求されるが、従来の
アライメント法としてはレーザ光等の遠紫外より
長い波長域の光を用いた方法と、電子ビームやイ
オンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
前者の光を用いたアライメント方式は、光の反
射や干渉現象を利用しており、従つてウエハ表面
のうねりや、Al蒸着膜の様に光反射率の高い条
件の下では精密なアライメントが難しい。
射や干渉現象を利用しており、従つてウエハ表面
のうねりや、Al蒸着膜の様に光反射率の高い条
件の下では精密なアライメントが難しい。
後者の荷電粒子を用いたアライメント法は高精
度の分解能の点で特徴があるが、全ての条件に対
して万能ではなく、例えば厚い酸化膜の上の厚い
レジストの上に荷電粒子を照射してアライメント
マークを検出する場合、レジスト内や酸化膜内の
チヤージ・アツプがアライメント精度を悪くす
る。
度の分解能の点で特徴があるが、全ての条件に対
して万能ではなく、例えば厚い酸化膜の上の厚い
レジストの上に荷電粒子を照射してアライメント
マークを検出する場合、レジスト内や酸化膜内の
チヤージ・アツプがアライメント精度を悪くす
る。
他方、微細な回路パターンをシリコンウエハ上
に転写する技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子
線やイオンを用いた露光技術がそれぞれ開発され
ているが、マスクを用いた転写露光法はスループ
ツトの点で特に優れている。
に転写する技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子
線やイオンを用いた露光技術がそれぞれ開発され
ているが、マスクを用いた転写露光法はスループ
ツトの点で特に優れている。
露光分解能の面では、光露光はスループツトの
面では良いが、0.5ミクロン以下の微細露光が難
しく、逆にＸ線露光では微細な露光には適してい
るが、スループツトの点で問題があつた。また半
導体プロセスの中にはＸ線に対するダメージでＸ
線が使うことができない場合や、特に高分解能の
露光を必要としない場合がある。
面では良いが、0.5ミクロン以下の微細露光が難
しく、逆にＸ線露光では微細な露光には適してい
るが、スループツトの点で問題があつた。また半
導体プロセスの中にはＸ線に対するダメージでＸ
線が使うことができない場合や、特に高分解能の
露光を必要としない場合がある。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、各半導体
製造プロセスにおいて最適のアライメント法及び
露光法を選択する転写方法を提供することを目的
とする。
製造プロセスにおいて最適のアライメント法及び
露光法を選択する転写方法を提供することを目的
とする。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第１図は本発明の一実施例の説明図である。
る。第１図は本発明の一実施例の説明図である。
ウエハＷはまずレジストベークなどの前工程１
からアライメント室Ａに搬入されると、ステツプ
C1において荷電粒子によるアライメント工程４
即ち、走査型電子顕微鏡の電子線又はＸ線による
マスクとウエハの位置ずれ検出とそれに続く位置
整合（特公昭51−42470他）に進むか或いは光に
よるアライメント工程５、即ち例えばレーザー光
によるマスクとウエハの相対誤差検出と位置整合
（特開昭53−91754他）に進むか選択される。この
選択は、搬入されるウエハＷ上の光反射率の程度
や、酸化膜、レジストの厚み等を考慮して光学的
に検出した信号を自動判別するか操作者の判断で
搬走路を切換えて行なわれる。
からアライメント室Ａに搬入されると、ステツプ
C1において荷電粒子によるアライメント工程４
即ち、走査型電子顕微鏡の電子線又はＸ線による
マスクとウエハの位置ずれ検出とそれに続く位置
整合（特公昭51−42470他）に進むか或いは光に
よるアライメント工程５、即ち例えばレーザー光
によるマスクとウエハの相対誤差検出と位置整合
（特開昭53−91754他）に進むか選択される。この
選択は、搬入されるウエハＷ上の光反射率の程度
や、酸化膜、レジストの厚み等を考慮して光学的
に検出した信号を自動判別するか操作者の判断で
搬走路を切換えて行なわれる。
次いでウエハＷは、選択された工程４又は５に
おいてマスク２又はマスク３との位置合わせが行
なわれる。ここでマスク２はＸ線露光用のものを
用い、マスク３は光露光用のものを用いてもよい
が、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に対して
も透過性が良いので、光アライメント工程５にお
いてもマスク３をＸ線用マスク２と共通して用い
ることができる。この場合アライメント機構を一
層単純化することができる。
おいてマスク２又はマスク３との位置合わせが行
なわれる。ここでマスク２はＸ線露光用のものを
用い、マスク３は光露光用のものを用いてもよい
が、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に対して
も透過性が良いので、光アライメント工程５にお
いてもマスク３をＸ線用マスク２と共通して用い
ることができる。この場合アライメント機構を一
層単純化することができる。
アライメント室Ａにおいて位置合わせが終了す
ると、ウエハＷとマスク２又３は、露光室Ｂに搬
入され、ステツプC2においてＸ線による露光工
程６か或いは光による露光工程７か選択される。
この選択は、転写されるマスクパターンの露光分
解能やスループツト等を考慮して自動判別又は手
動あるいは両者の混合で行なわれる。
ると、ウエハＷとマスク２又３は、露光室Ｂに搬
入され、ステツプC2においてＸ線による露光工
程６か或いは光による露光工程７か選択される。
この選択は、転写されるマスクパターンの露光分
解能やスループツト等を考慮して自動判別又は手
動あるいは両者の混合で行なわれる。
露光工程６においては光源としてＸ線が用いら
れ、露光工程７においては遠紫外線などが用いら
れる。その際、軟Ｘ線管又は軟Ｘ線とソーラスリ
ツトを具えた照明ユニツトあるいは水銀灯及びコ
ンデンサ、光インテグレータ、コリメータレンズ
を順置した照明ユニツトの下へ搬入しても良い
し、照明ユニツトの方を交換しても良く、またマ
スク２（又は３）とウエハＷの配置位置は、機構
の簡略化のためにコンタクト（密着）方式やプロ
キシミテイ（近接）方式が望ましい。尚工程６，
７のいずれにおいても、点光源からの発散光でマ
スクパターンをウエハＷに一括転写する方式や、
又平行性の良い帯状にした光源を用いてマスクと
ウエハが一体でその下を通過する走査露光方式を
用いることができる。
れ、露光工程７においては遠紫外線などが用いら
れる。その際、軟Ｘ線管又は軟Ｘ線とソーラスリ
ツトを具えた照明ユニツトあるいは水銀灯及びコ
ンデンサ、光インテグレータ、コリメータレンズ
を順置した照明ユニツトの下へ搬入しても良い
し、照明ユニツトの方を交換しても良く、またマ
スク２（又は３）とウエハＷの配置位置は、機構
の簡略化のためにコンタクト（密着）方式やプロ
キシミテイ（近接）方式が望ましい。尚工程６，
７のいずれにおいても、点光源からの発散光でマ
スクパターンをウエハＷに一括転写する方式や、
又平行性の良い帯状にした光源を用いてマスクと
ウエハが一体でその下を通過する走査露光方式を
用いることができる。
次にステツプC3において露光完了が確認され
ると、ウエハＷは現像などの次の工程８に搬出さ
れる。
ると、ウエハＷは現像などの次の工程８に搬出さ
れる。
以上説明したように本発明は２つのアライメン
ト方式と２つの露光方式の複合化により、露光の
微細化、スループツトと、重ね合せ精度等の総合
性能の優れた露光法が実現する。
ト方式と２つの露光方式の複合化により、露光の
微細化、スループツトと、重ね合せ精度等の総合
性能の優れた露光法が実現する。
又紫外線を使つたプロキシミテイ露光装置とＸ
線を使つたプロキシミテイ露光装置とを一台の装
置とすることができるため、設置面積、コストの
低減等を図ることができる。
線を使つたプロキシミテイ露光装置とを一台の装
置とすることができるため、設置面積、コストの
低減等を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の説明図である、
１…前工程、２…マスク、３…マスク、４…荷
電粒子・アライメント工程、５…光アライメント
工程、６…Ｘ線露光工程、７…光露光工程、８…
後工程、Ｗ…ウエハ、C1…アライメント選択工
程、C2…露光選択工程、C3…露光完了確認工程。
電粒子・アライメント工程、５…光アライメント
工程、６…Ｘ線露光工程、７…光露光工程、８…
後工程、Ｗ…ウエハ、C1…アライメント選択工
程、C2…露光選択工程、C3…露光完了確認工程。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 荷電粒子を用いたアライメントと光を用いた
アライメントのいずれかを選択する第１選択工程
と、 該選択したアライメント方法によつてウエハの
位置合わせを行なうアライメント工程と、 Ｘ線による露光と光による露光のいずれかを選
択する第２選択工程と、 該選択した露光方法によつて前記位置合わせさ
れたウエハにパターンを露光転写する転写工程
と、 を有することを特徴とする転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065259A JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065259A JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208754A JPS60208754A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0574207B2 true JPH0574207B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=13281734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065259A Granted JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208754A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065259A patent/JPS60208754A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60208754A (ja) | 1985-10-21 |
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