JPS60208754A - 転写方法 - Google Patents
転写方法Info
- Publication number
- JPS60208754A JPS60208754A JP59065259A JP6525984A JPS60208754A JP S60208754 A JPS60208754 A JP S60208754A JP 59065259 A JP59065259 A JP 59065259A JP 6525984 A JP6525984 A JP 6525984A JP S60208754 A JPS60208754 A JP S60208754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- exposure
- light
- mask
- wafer
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、転写方法に関し、特に半導体製造工程におい
てマスクのパターンをウェー・に位置合わせして露光す
る転写方法に関する。
てマスクのパターンをウェー・に位置合わせして露光す
る転写方法に関する。
半導体製造における微細加工技術は近年急速に進み、サ
ブミクロン領域の回路・ξターンの加工が要求されてい
る。
ブミクロン領域の回路・ξターンの加工が要求されてい
る。
０．５ミクロン以下の回路パターンを重ね合せて転写す
るには高精度のアライメント機構、高い分解能に高いス
ループットが要求されるが、従来のアライメント法とし
てはレーザ光等の遠紫外より長い波長域の光を用いた方
法と、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子を用いた
方法がある。
るには高精度のアライメント機構、高い分解能に高いス
ループットが要求されるが、従来のアライメント法とし
てはレーザ光等の遠紫外より長い波長域の光を用いた方
法と、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子を用いた
方法がある。
前者の光を用いたアライメント方式は、光の反射や干渉
現象を利用しており、従ってウエノ・表面のうねりや、
Ａｄ蒸着膜の様に光反射率の高い条件の下では精密なア
ライメントが難しい。
現象を利用しており、従ってウエノ・表面のうねりや、
Ａｄ蒸着膜の様に光反射率の高い条件の下では精密なア
ライメントが難しい。
後者の荷電粒子を用いたアライメント法は高精度の分解
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して万能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージ・アップがアライメント精
度を悪くする。
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して万能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージ・アップがアライメント精
度を悪くする。
他方、微細な回路パターンをシリコンウェハ上に転写す
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法はスループットの点で特に優れている。
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法はスループットの点で特に優れている。
露光分解能の面では、光露光はスループットの面では良
いが、０．５ミクロン以下の微細１露光が難しく、逆に
Ｘ線露光では微細な露光には適しているが、スループッ
トの点で問題があった。また半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
いが、０．５ミクロン以下の微細１露光が難しく、逆に
Ｘ線露光では微細な露光には適しているが、スループッ
トの点で問題があった。また半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、各半導体製造プロ
セスにおいて最適のアライメント法及び露光法を選択す
る転写方法を提供することを目的とする。
セスにおいて最適のアライメント法及び露光法を選択す
る転写方法を提供することを目的とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の説明図である１、ウェハＷ
は一１＝ｆレジストベークなどの前工程１からアライメ
ント室Ａに搬入されると、ステップＣ，［おいて荷電粒
子によるアライメント工程４即ち、走査型電子顕微鏡の
電子線又はＸ線によるマスクとウェハの位置ずれ検出と
それに続く位置整合（特公昭５ｌ−４２４７Ｃ１ｆｌ１
２）に進むか或いは光によるアライメント工程５、即ち
例えばレーザー光によ名マスクとウェハの相対誤差検出
と位置整合（特開昭５６＝９１７５４他）Ｋ進むか選択
される。
は一１＝ｆレジストベークなどの前工程１からアライメ
ント室Ａに搬入されると、ステップＣ，［おいて荷電粒
子によるアライメント工程４即ち、走査型電子顕微鏡の
電子線又はＸ線によるマスクとウェハの位置ずれ検出と
それに続く位置整合（特公昭５ｌ−４２４７Ｃ１ｆｌ１
２）に進むか或いは光によるアライメント工程５、即ち
例えばレーザー光によ名マスクとウェハの相対誤差検出
と位置整合（特開昭５６＝９１７５４他）Ｋ進むか選択
される。
この選択は、搬入されるウェハＷ上の光反射率の程度や
、酸化膜、レジストの厚み等を考慮して光学的に検出し
た信号を自動判別するか操作者の判断で搬走路を切換え
て行なわれる。
、酸化膜、レジストの厚み等を考慮して光学的に検出し
た信号を自動判別するか操作者の判断で搬走路を切換え
て行なわれる。
次いでウェハＷは、選択された工程４又は５においてマ
スク２又はマスク６との位置合わせが行なわれる。ここ
でマスク２はＸ線露光用のものを用い、マスク６は光露
光用のものを用いてもよいが、一般にＸ線露光用のマス
ク基板は光に対しても透過性が良いので、光アライメン
ト工程５ておいてもマスク３をＸ線用マスク２と共通し
て用いることができる。この場合アライメント機構を一
層単純化することができる。
スク２又はマスク６との位置合わせが行なわれる。ここ
でマスク２はＸ線露光用のものを用い、マスク６は光露
光用のものを用いてもよいが、一般にＸ線露光用のマス
ク基板は光に対しても透過性が良いので、光アライメン
ト工程５ておいてもマスク３をＸ線用マスク２と共通し
て用いることができる。この場合アライメント機構を一
層単純化することができる。
アライメント室Ａ［おいて位置合わせが終了すると、ウ
ェハＷとマスク２又３は、露光室Ｂに搬入され、ステッ
プＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光による
露光工程７か選択される。
ェハＷとマスク２又３は、露光室Ｂに搬入され、ステッ
プＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光による
露光工程７か選択される。
この選択は、転写されるマスクパターンの露光分解能や
スループット等を考慮して自動判別又は手動あるいは両
者の混合で行なわれる。
スループット等を考慮して自動判別又は手動あるいは両
者の混合で行なわれる。
露光工程６においては光源としてＸ線が用いられ、露光
工程７においては遠紫外線などが用いられる。その際、
軟Ｘ線管又は軟Ｘ線とソーラスリットを具えた照明ユニ
ットあるいは水銀灯及びコンデンサ、光インテグレータ
、コリメータレンズを装置した照明ユニットの下へ搬入
しても良いし、照明ユニットの方を交換しても良く、寸
だマスク２（又は３）とウェハＷの配置位置は、機構の
簡略化のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミテ
イ（近接）方式が望ましい。尚工程６．７のいずれにお
いても、点光源からの発散光でマスクパターンをウェハ
Ｗに一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光
源を用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
工程７においては遠紫外線などが用いられる。その際、
軟Ｘ線管又は軟Ｘ線とソーラスリットを具えた照明ユニ
ットあるいは水銀灯及びコンデンサ、光インテグレータ
、コリメータレンズを装置した照明ユニットの下へ搬入
しても良いし、照明ユニットの方を交換しても良く、寸
だマスク２（又は３）とウェハＷの配置位置は、機構の
簡略化のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミテ
イ（近接）方式が望ましい。尚工程６．７のいずれにお
いても、点光源からの発散光でマスクパターンをウェハ
Ｗに一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光
源を用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
次にステップＣ３において露光完了が確認されると、ウ
ェハＷは現像などの次の行程８に搬出される。
ェハＷは現像などの次の行程８に搬出される。
以上説明したように本発明は２つのアライメント方式と
２つの露光方式の複合化により、露光の微細化、スルー
プットと、重ね合せ精度等の総合性能の優れた露光法が
実現する。
２つの露光方式の複合化により、露光の微細化、スルー
プットと、重ね合せ精度等の総合性能の優れた露光法が
実現する。
又紫外線を使ったプロキシミテイ露光装置、！： Ｘ線
を使ったプロキシミテイ露光装置とを一台の装置とする
ことができるため、設置面積、コストの低減等を図るこ
とができる。
を使ったプロキシミテイ露光装置とを一台の装置とする
ことができるため、設置面積、コストの低減等を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の説明図である１ 前工程
２ マスク
６ マスク
４ 荷電粒子・アライメント工程
５ 光アライメント工程
６ Ｘ線露光工程
７ 光露光工程
８ 後工程
Ｗ ウエハ
Ｃトアライメント選択工程
Ｃ２・露光選択工程
Ｃ３露光完了確認工程
Claims (1)
- 荷電粒子を用いた位置合わせと光を用いた位置合わせの
いずれかを選択して位置合わせを行う工程と、Ｘ線によ
る露光と光による露光のいずれかを選択して露光を行う
工程を有する転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065259A JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065259A JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208754A true JPS60208754A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0574207B2 JPH0574207B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=13281734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065259A Granted JPS60208754A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208754A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065259A patent/JPS60208754A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100972A (ja) * | 1972-07-17 | 1974-09-24 | ||
| JPS58125830A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPS5919324A (ja) * | 1982-07-24 | 1984-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574207B2 (ja) | 1993-10-18 |
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