JP4078813B2 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子(以下、有機EL(electro luminescence)素子という。)を用いた表示装置における有機層を成膜するのに好適な成膜装置および成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機EL素子は、有機材料からなる有機層を陽極および陰極からなる電極間に挟み込む構造をもつ。この電極間に電圧を印加すると、有機EL素子の有機層には、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入され、これらの電子と正孔が再結合し発光が生じることが知られている。
このような有機EL素子は、10ボルト以下の駆動電圧で、たとえば、数百〜数万cd/m2 の輝度が得られる。また、有機EL素子は、発光材料である蛍光物質を適宜選択することにより適当な色彩に発光させることができる。これらのことから、有機EL素子を用いた表示装置は、CRT(cathode ray tube)に代わるマルチカラーまたはフルカラーの表示装置として有望視されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述した有機層は、たとえば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電荷注入層等の3〜5層の有機材料層を積層したものが一般的である。各有機材料層は処理室内で有機材料を蒸着させることにより形成される。
従来における成膜方法においては、各有機材料層の蒸着は、同一の処理室内で行っていた。具体的には、処理室内に設けられた表示装置の各画素に対応して開口する成膜用マスクを処理室内に搬入された基板に対してアライメントしたのち、各有機材料層に対応して処理室内に設けられた複数の加熱容器にそれぞれ異なる蒸着材料を収容しこれらを加熱して蒸発させることにより行われる。
【0004】
しかしながら、上記のように、同一の処理室内で複数の有機材料層からなる有機層の形成を行うと、有機層の形成工程のタクトタイムが非常に長くなり、有機EL素子を用いた表示装置の量産化が困難であるという不利益が存在した。
すなわち、同一の処理室内で複数の有機材料層からなる有機層の形成を行った場合には、各蒸着材料を蒸着毎に加熱する必要があり、所望の温度に達するまでに比較的長時間を要し、さらに、蒸着源の蒸発レートが安定化するまでに比較的長時間を要するため、各有機材料層の蒸着を開始する前の待ち時間が長時間化し、結果として、有機層の形成に要する時間が非常に長くかかる。
一方、蒸着材料を常時所定の温度まで加熱して蒸発レートを安定化しておくことにより、各有機材料層の蒸着を開始する前の待ち時間を短縮化することができる。しかしながら、一の蒸着源を用いて対応する有機材料層を蒸着中においては、他の蒸着源からも蒸着材料が蒸発するため、無駄な材料の消費が避けられない。有機EL素子に用いられる有機材料は非常に高価であるため、有機層の製造コストが嵩み、結果として有機EL素子を用いた表示装置の量産化が困難となる。
【0005】
同一の処理室内で有機層を形成することによる不利益を解消するための技術が、たとえば、特開平8−111285号公報に開示されている。
上記の刊行物は、各有機材料層毎に蒸着のための処理室を真空を中心に設け、各処理室間での基板の搬送を真空を通じて行う技術を開示している。
各有機材料層の蒸着を異なる処理室に分散化することにより、蒸着源の加熱および蒸着レートの安定化のための待ち時間を大幅に短縮化できる。
しかしながら、各有機材料層の蒸着を異なる処理室に分散化すると、各処理室毎に基板とマスクとのアライメント作業が必要である。このため、有機層の形成工程のタクトタイムを充分に短縮することができない。また、アライメント作業が行われている間は、蒸着材料は無駄に消費されてしまう。
【0006】
本発明は、上述の問題に鑑みて成されたものであって、有機EL表示装置の有機層の形成工程のタクトタイムを短縮でき、かつ、有機層の形成に用いられる有機材料の無駄な消費を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。
【0007】
上記の目的を達成するため、本発明は、複数の有機材料層からなり発光色が異なる複数種類の有機層を基板に成膜する成膜装置であって、前記基板に対し、各有機層の形成に共通に使用可能な開口をもつ成膜用マスクを所定位置に結合させるアライメント室を備えた搬入部と、前記搬入部により搬入され、前記成膜用マスクが結合された前記基板に対し、複数種類の前記有機層を順次成膜する複数の有機層形成部とを有し、前記複数の有機層形成部はそれぞれ、前記成膜用マスクが結合された前記基板を搬送する搬送手段を備える真空搬送室と、前記真空搬送室の周囲に連結され、前記有機層を構成する各有機材料をそれぞれ蒸着する複数の蒸着処理室とを有し、一の前記有機層形成部の前記真空搬送室から次に成膜を行う前記有機層形成部の前記真空搬送室へのみ前記基板を搬送する搬送路に、前記有機層が形成された基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記基板に対する前記成膜用マスクの開口位置を変更し、再び結合させるアライメント室が設置されている。
【0008】
好適には、前記成膜用マスクは磁性体で形成されており、マグネットを備える結合治具と前記成膜用マスクとの間に前記基板を挟み、前記成膜用マスクと前記マグネットの吸着力により、当該成膜用マスクと前記基板とを結合する。
好適には、複数種類の前記有機層が成膜された前記基板に対し、電極を形成する電極形成部をさらに有し、前記電極形成部は、前記基板と前記成膜用マスクとを分離する分離室と、前記成膜用マスクと分離された前記基板に電極を形成する電極形成室とを有する。
【0009】
上記の目的を達成するため、本発明は、複数の有機材料層からなり発光色が異なる複数種類の有機層を基板に成膜する成膜方法であって、各有機層の形成に共通に使用可能な開口をもつ成膜用マスクが結合された前記基板に対し、複数の有機層形成部による有機層形成処理を順に施し、前記有機層形成部は、前記成膜用マスクが結合された前記基板を搬送する搬送手段を備える真空搬送室と、前記真空搬送室の周囲に連結され、前記有機層を構成する各有機材料をそれぞれ蒸着する複数の蒸着処理室とを有し、前記真空搬送室を通して、前記マスクが結合された前記基板に対し複数の蒸着処理室による蒸着処理を施すことにより、複数の有機材料からなる前記有機層を形成し、一の前記有機層形成部の前記真空搬送室から次に成膜を行う前記有機層形成部の前記真空搬送室へのみ前記基板を搬送する搬送路に設置されたアライメント室において、前記有機層が形成された前記基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記基板に対する前記成膜用マスクの開口位置を変更して再び結合させ、次の前記有機層形成部に供給可能な状態にしておく。
【0010】
好適には、各前記蒸着処理室は、有機材料を供給する蒸着源をそれぞれ有し、当該各蒸着処理室内に前記成膜用マスクが結合された前記基板が搬入された際に、当該各蒸着源から所定の蒸発レートで有機材料を供給可能な状態にしておく。
好適には、前記成膜用マスクは磁性体で形成されており、マグネットを備える結合治具と前記成膜用マスクとの間に前記基板を挟み、前記成膜用マスクと前記マグネットの吸着力により、当該成膜用マスクと基板とを結合する。
好適には、複数種類の前記有機層が成膜された前記基板に対し、電極を形成する電極形成部をさらに有し、前記電極形成部において、前記基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記成膜用マスクと分離された前記基板に電極を形成する。
【0011】
本発明では、成膜用マスクと基板とがアライメントされ、かつ結合されると、両者が結合された状態で複数の真空処理装置の一つに搬入される。この成膜用マスクと基板とが搬入された真空処理装置は、有機層を構成する複数の有機材料層の少なくとも一層を形成可能な状態となっており、搬入が完了すると有機材料層が形成される。
有機材料層の少なくとも一層が形成されたのち、成膜用マスクと基板とは結合された状態で搬出され、他の真空処理装置に搬入され、さらなる有機材料層が積層される。同様な有機材料層の形成および成膜用マスクおよび基板の搬送が有機層が形成されるまで繰り返し行われる。
このように、本発明では、有機層を構成する複数の有機材料層の形成を複数の真空処理装置で分担して行うとともに、複数の真空処理装置間の基板の搬送を成膜用マスクと基板とが結合された状態で行う。このため、各真空処理装置間において成膜用マスクと基板とのアライメントを行う必要がなく、アライメントに要する時間を省略できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1および図2は、本発明が適用される有機EL表示装置の一例を示す図であって、図1は当該有機EL表示装置の表示エリアの概略構成を示す要部断面図であり、図2は要部平面図である。なお、図1は図2のA−A’線方向の断面図である。また、図1および図2に示す有機EL表示装置は、いわゆるアクティブマトリックス型のカラー表示装置である。
【0013】
図1に示す表示装置は、基板1と、基板1上に形成された複数の薄膜トランジスタ2と、層間絶縁膜7を介して各薄膜トランジスタ2上に形成されたアノード電極10と、各アノード電極10上に形成された発光色がそれぞれ緑(G)、赤(R)、青(B)の有機層11G,11R,11Bと、有機層11G,11R,11B上に形成されたカソード電極12と、カソード電極12上に形成された透明導電膜16と、透明導電膜16に上に紫外線硬化樹脂層17を介して固着された基板18とを有する。
なお、アノード電極10、有機層11G,11R,11Bおよびカソード電極12によって各発光色を自ら発光する有機EL素子が構成されており、これら有機EL素子および各薄膜トランジスタ2によって各画素aが構成される。各有機EL素子の有機層11G,11R,11Bで発光した光はカソード電極12側を透過して基板18を通じて出射される。
また、各画素aは、図2に示すように、マトリックス状に配列されているとともに、有機層11G,11R,11Bはそれぞれ規則的な順序で配列されている。
【0014】
基板1は、絶縁性の材料から形成されている。たとえば、ガラス基板のような硬質部材やポリアミドフィルム等のプラスチック基板のような可撓性部材が用いられる。なお、上記した有機EL素子の発光した光の透過方向がカソード電極12側であるので、基板1は透明材料でなくてもよい。
【0015】
薄膜トランジスタ2では、基板1上にゲート電極3が所定パターンで形成され、このゲート電極3の上にゲート絶縁膜5を介してポリシリコン層20が形成され、さらに、このポリシリコン層20を被覆するように層間絶縁膜4が形成されている。
また、ゲート電極3の側方のゲート絶縁膜5上には、ソース領域21およびドレイン領域22が形成され、当該ソース領域21およびドレイン領域22は、層間絶縁膜4に形成された図示しない接続孔を通じて配線6が電気的に接続されている。
この配線6を被覆するように層間絶縁膜7が形成されている。
【0016】
アノード電極10は、層間絶縁膜7上に各画素aに対応して形成されている。
このアノード電極10は、層間絶縁膜7の配線6上に形成された接続孔8を通じて配線6と電気的に接続されている。アノード電極10の形成材料としては、たとえば、クロム(Cr)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、プラチナ(Pt)、金(Au)等のように仕事関数が大きく、かつ、反射率の高い導電性材料が用いられる。
【0017】
アノード電極10上には、有機層11G,11R,11Bが形成されているとともに、アノード電極10の周縁部を被覆し、かつ、有機層11G,11R,11Bの周囲を包囲するように絶縁膜13が形成されている。絶縁膜13は、たとえば、酸化シリコンで形成されている。
【0018】
この絶縁膜13上には、リブ14が形成されている。リブ14は、図2に示すように、各画素a間に行列状に配置されており、側壁が順テーパ形状に形成されている。リブ14は、有機層11G,11R,11Bをアノード電極10上に蒸着形成する際に用いられる成膜用マスクのスペーサとして機能する。すなわち、成膜用マスクとアノード電極10との距離を規定する役割を果たす。
また、リブ14は、絶縁膜13から突出した絶縁性材料層14aと、この絶縁性材料層14aの頂部に形成された導電性材料層14bとから構成されている。絶縁性材料層14aは、たとえば、ポリイミド等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料で形成される。
導電性材料層14bはカソード電極12に接続された補助電極であり、アルミニウム(Al)やクロム(Cr)のような比較的低抵抗の導電性材料で形成されている。
【0019】
図3は、有機層11G、11R,11Bの構造の一例を示す断面図である。
図3に示すように、有機層11G、11R,11Bは、たとえば、アノード電極10の上に形成された正孔注入層11aと、この正孔注入層11aの上に積層された正孔輸送層11bと、正孔輸送層11bの上に積層された電子輸送層を兼ねる発光層11cから構成される。発光層11cは、カソード電極12によって被覆されている。
【0020】
正孔注入層11a、正孔輸送層11bおよび発光層11cは、それぞれ発光色に応じた有機材料を蒸着によって所定の膜厚に形成される。
正孔注入層11aの有機材料としては、たとえば、m−MTDATA[4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine] 等が用いられる。正孔注入層11aの厚さは、たとえば、30nm程度である。
正孔輸送層11bの有機材料としては、たとえば、α−NPD[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl] 等が用いられる。正孔輸送層11bの厚さは、たとえば、20nm程度である。
発光層11cの有機材料としては、たとえば、Alq3[tris(8-quinolinolato)aluminium(III)] 等が用いられる。発光層11cの厚さは、たとえば、50nm程度である。
【0021】
カソード電極12は、各画素aに共通に形成されており、リブ14の表面を被覆し、リブ14の頂部を構成する導電性材料層14bと接続されている。また、カソード電極12は、有機層11G、11R,11Bおよび絶縁膜13によってアノード電極10と絶縁されている。
このカソード電極12は、たとえば、マグネシウム(Mg)−銀(Ag)合金等の仕事関数が小さく透過率の高い金属薄膜が共蒸着によって所定の膜厚に形成される。カソード電極12の厚さは、たとえば、10nm程度である。
【0022】
透明導電膜16は、カソード電極12を被覆するように形成されている。この透明導電膜16は、たとえば、スパッタリングによって所定の厚さに形成される。形成材料としては、たとえば、常温における成膜によって良好な導電性を示すインジウム(In)−亜鉛(Zn)−酸素(O)系の材料等を用いることができる。透明導電膜16の厚さは、たとえば、200nm程度である。
【0023】
基板18は、透明な材料で形成される。有機層11G、11R,11Bの発光層11cから発光され、透明導電膜16を通じて入射する光を透過させるためにある。たとえば、ガラス基板のような硬質部材やポリアミドフィルム等のプラスチック基板のような可撓性部材が用いられる。
【0024】
図4は、本発明の一実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。
図4に示す成膜装置40は、上記した有機層11G、11R,11B、カソード電極12および透明導電膜16を形成する。
図4に示すように、成膜装置40は、搬入部50と、緑有機層形成部60と、赤有機層形成部70と、青有機層形成部80と、電極形成部90とから構成される。
【0025】
搬入部50は、基板搬入室51と、前処理室52と、マスク搬入室53と、アライメント室54と、搬送作業室55と、搬送室56と、治具搬入室57とを有する。
基板搬入室51、前処理室52、マスク搬入室53、アライメント室54、搬送作業室55、治具搬入室57および搬送室56は、内部を排気して実質的に真空雰囲気にすることが可能な真空室で構成されている。また、基板搬入室51、前処理室52、マスク搬入室53、アライメント室54、治具搬入室57および搬送室56は、搬送作業室55の周囲にゲートgtを介して連結されている。ゲートgtは、図示しないゲートバルブによって開閉される。また、これらのゲートバルブは、搬送ロボット45の動作に応じて開閉が行われるように制御される。
【0026】
基板搬入室51は、有機層11G、11R,11B、カソード電極12および透明導電膜16を形成すべき基板1が搬入される。基板搬入室51は、いわゆるロードロックチャンバである。
図5は、基板搬入室51に搬入される基板1の構成を示す要部断面図である。図5に示すように、基板1上には、スペーサとして機能するリブ14が突出した状態となっている。
また、リブ14で囲まれたアノード電極10は表面に露出した状態となっている。
【0027】
前処理室52は、図5に示した状態の基板1のアノード電極10やリブ14の表面処理を行う。たとえば、基板1の表面に酸素プラズマ処理を施す。また、UVオゾン処理等でも構わない。
【0028】
マスク搬入室53は、基板1に対してアライメントされ、かつ結合され(一体化される)成膜用マスクが搬入される。マスク搬入室53はいわゆるロードロックチャンバである。
図6は、成膜用マスクおよびこの成膜用マスクと基板1とを結合させる結合治具の構造の一例を示す斜視図である。
図6に示すように、成膜用マスク200は、矩形状の外形を有する板状の部材からなり、成膜用マスク200の形成材料は、鉄、ニッケル等の磁性体で形成されている。
この成膜用マスク200は、基板1よりも大きな寸法を有し、外枠部202で囲まれたマスク部201には、上記した有機層11R,11G,11Bのパターンに対応した複数の開口が形成されており、成膜用マスク200は有機層11R,11G,11Bの形成に共通に使用可能となっている。
すなわち、有機層11R,11G,11Bは、基板1上にそれぞれ規則的に配列されていることから、基板1と成膜用マスク200とのアライメントを調整することにより、成膜用マスク200の開口を基板1の有機層11R,11G,11Bの形成位置にそれぞれ合わせることができる。
【0029】
結合治具100は、基板1の外形と略同じ寸法をもつマグネットプレート部101と、このマグネットプレート部101の両端部に連結された把手部102とを有する。
把手部102は、マグネットプレート部101の両端部から一部が側方に突出するように伸びており、この把手部102が後述する搬送ロボットのアーム等により保持される。
マグネットプレート部101は、磁力によって成膜用マスク200を吸着可能となっている。
図6において、マグネットプレート部101の基板1の非成膜面1a側に対向する面は、基板1の非成膜面1aに全面的に接触する接触面101aとなっている。
【0030】
基板1と成形用マスク200との結合(一体化)は、基板1の成膜面1bを成形用マスク200に対向させ両者をアライメントした状態でマグネットプレート部101の接触面101aを基板1の非成膜面1aに接触させることにより行われる。
マグネットプレート部101の接触面101aを基板1の非成膜面1aに接触させると、磁性体からなる成形用マスク200は、基板1を介してマグネットプレート部101に吸着される。
また、成形用マスク200のマスク部201は、磁力によって基板1の成膜面1bに引きつけられ、マスク部201に弛みが発生しない。
【0031】
治具搬入室57は、上記した結合治具100が搬入される。治具搬入室57は、ロードロックチャンバである。
【0032】
搬送作業室55は、内部に搬送ロボット45を備えている。この搬送ロボット45は、水平方向に旋回可能に連結された複数のアーム45a,45b,45cを備えている。また、アーム45aの先端部には、上記の基板1、成形用マスク200および結合治具100を保持可能な保持部45dを備えている。また、搬送ロボット45は、複数のアーム45a,45b,45cを鉛直方向に昇降可能な構造を有する。
この搬送ロボット45を制御することにより、基板1、成形用マスク200および結合治具100の搬送を行う。
【0033】
アライメント室54は、上記した基板1と成形用マスク200とのアライメントおよび結合治具100を用いた基板1と成形用マスク200との結合を行うためのアライメント機構を備えている。
図7は、アライメント室54の構造を示す図である。なお、後述するアライメント室71および81と基板/マスク分離室93も図7に示すアライメント機構と同様のアライメント機構を有する。
【0034】
図7に示すように、アライメント室54は、隔壁300内の上部に設置された治具ホルダ310と、この治具ホルダ310の下方に設置された基板ホルダ314と、基板ホルダ314の両側に設置されたマスクホルダ320とを備える。
【0035】
治具ホルダ310は、下端部に保持部310aを備えており、この保持部310aにより結合治具100の把手部102を保持する。この治具ホルダ310は、連結ロッド311を介して、隔壁300の外側上部に設けられた昇降機構330と連結されている。
この昇降機構330は、鉛直方向(Z方向)に治具ホルダ310を昇降させる。この昇降機構330は、たとえば、サーボモータ、伝達機構等から構成される。
【0036】
基板ホルダ314は、回転軸317に連結された連結部材315と、この連結部材315の両端部に立設された複数の支持部316を備えており、支持部316の先端部により基板1の成膜面1bの周辺部を支持可能となっている。なお、この支持部316は、図6に示した成膜用マスク200のマスク部201の四隅に形成された貫通孔202aに挿入される。
【0037】
基板ホルダ314に連結された回転軸317は、隔壁300内の下部の外側に設置された移動回転機構340に接続されている。
この移動回転機構340は、基板ホルダ314を回転軸317を中心とする回転方向θに回転可能に保持し、また、Z方向およびこのZ方向に直交するX方向およびY方向に基板ホルダ314を移動可能に保持している。移動回転機構340は、たとえば、サーボモータ、伝達機構等から構成される。
【0038】
マスクホルダ320は、上記の成膜用マスク200の下面の両端部を支持可能となっており、各マスクホルダ320は連結ロッド321を介して昇降機構350に接続されている。昇降機構350は、マスクホルダ320をZ方向に昇降可能保持している。なお、昇降機構350は、図7において、分離して記載されているが、実際には一体の機構であり、各マスクホルダ320を同時に昇降させる。
【0039】
搬送室56は、アライメント室54において結合治具100によって結合された状態の基板1および成膜用マスク200を緑有機層形成部60に搬入するための搬入路を構成している。
【0040】
緑有機層形成部60は、有機層11Gの形成を行う。この緑有機層形成部60は、搬送作業室61と、複数の蒸着処理室62,63および64とを有する。搬送作業室61と蒸着処理室62,63および64は、内部を排気して実質的に真空雰囲気にすることが可能な真空室で構成されている。また、蒸着処理室62,63および64は、搬送作業室61の周囲にゲートgtを介して連結されている。
【0041】
搬送作業室61内には、上記構成の搬送ロボット45が設置されている。この搬送ロボット45により、各蒸着処理室62,63および64間および赤有機層形成部70への基板1および成膜用マスク200の搬送が行われる。
【0042】
蒸着処理室62は、有機層11Gの正孔注入層11aの形成を行う。
蒸着処理室63は、有機層11Gの正孔輸送層11bの形成を行う。
蒸着処理室64は、有機層11Gの発光層11cの形成を行う。
【0043】
図8は、各蒸着処理室62,63および64の構成の一例を示す断面図である。
なお、後述する赤有機層形成部70における蒸着処理室73,74および75と青有機層形成部80の蒸着処理室83,84および85も図8に示す構成と基本的に同一の構成となっている。
【0044】
図8に示すように、隔壁400内の上方には、基板1および成膜用マスク200を結合する結合治具100を保持可能な治具ホルダ401が設置されている。この治具ホルダ401は、結合治具100の把手部102を保持する保持部401aを下端部に備えている。
また、治具ホルダ401は、回転軸402と連結されており、回転軸402は隔壁400の外側の上部に設置された回転機構430と接続されている。
【0045】
回転機構430は、蒸着の際に、回転軸402を所定の回転数で回転させる。回転機構430は、たとえば、サーボモータおよび伝達機構等から構成される。回転機構430によって回転軸402が回転されると、治具ホルダ401に保持された基板1および成膜用マスク200も回転軸402を中心に回転する。
【0046】
隔壁400の下部には、上記した有機材料からなる蒸着材料Vsを内部に収容する加熱容器420が設置されている。
この加熱容器420は、上端側に開口部420aを備えており、この開口部420aの上に当該開口部420aを開閉するシャッター440が設置されている。シャッター440は、図示しない移動機構により、開閉方向C1およびC2方向に駆動される。このシャッター440は、蒸着を行わないときに、開口部420aを閉じることにより、無駄な有機材料の消費を防ぐために設けられている。
【0047】
加熱容器420には、誘導コイル421が内蔵されており、この誘導コイル421は交流電源422と接続されている。
交流電源422から交流電流を誘導コイル421に供給することにより、誘導コイル421の発生する電磁界によって加熱容器420自体が加熱される。これにより、加熱容器420内に収容された蒸着材料Vsが蒸発する。
なお、交流電源422は、供給電流を調整することによって、加熱容器420の温度を制御可能となっている。
【0048】
赤有機層形成部70は、有機層11Rの形成を行う。この赤有機層形成部70は、アライメント室71と、搬送作業室72と、複数の蒸着処理室73,74および75とを有する。搬送作業室72と蒸着処理室73,74および75は、内部を排気して実質的に真空雰囲気にすることが可能な真空室で構成されている。また、蒸着処理室73,74および75は搬送作業室72の周囲にゲートgtを介して連結されている。
【0049】
アライメント室71は、搬入部50のアライメント室54と同様のアライメント機構を有する。このアライメント室71は、アライメント室54において結合された基板1と成膜用マスク200とを一旦分離し、有機層11Rの形成を行う位置に基板1と成膜用マスク200とをアライメントし直し、結合治具100で基板1と成膜用マスク200とを再び結合させる。
【0050】
搬送作業室72内には、上記構成の搬送ロボット45が設置されている。この搬送ロボット45により、各蒸着処理室73,74および75間および青有機層形成部80への基板1および成膜用マスク200の搬送が行われる。
【0051】
蒸着処理室73は、有機層11Rの正孔注入層11aの形成を行う。
蒸着処理室74は、有機層11Rの正孔輸送層11bの形成を行う。
蒸着処理室75は、有機層11Rの発光層11cの形成を行う。
【0052】
青有機層形成部80は、有機層11Bの形成を行う。この青有機層形成部80は、アライメント室81と、搬送作業室82と、複数の蒸着処理室83,84および85とを有する。
【0053】
アライメント室81は、赤有機層形成部70のアライメント室71と同様のアライメント機構を有する。このアライメント室81は、アライメント室71において結合された基板1と成膜用マスク200とを一旦分離し、有機層11Bの形成を行う位置に基板1と成膜用マスク200とをアライメントし直し、結合治具100で基板1と成膜用マスク200とを再び結合させる。
【0054】
搬送作業室82内には、上記構成の搬送ロボット45が設置されている。この搬送ロボット45により、各蒸着処理室83,84および85間および電極形成部90への基板1および成膜用マスク200の搬送が行われる。
【0055】
蒸着処理室83は、有機層11Bの正孔注入層11aの形成を行う。
蒸着処理室84は、有機層11Bの正孔輸送層11bの形成を行う。
蒸着処理室85は、有機層11Bの発光層11cの形成を行う。
【0056】
電極形成部90は、搬入室91と、搬送作業室92と、基板/マスク分離室93と、電極形成室94と、スパッタ室95と、基板搬出室96と、治具/マスク搬出室97と有する。搬入室91、搬送作業室92、基板/マスク分離室93、電極形成室94、スパッタ室95、基板搬出室96および治具/マスク搬出室97は、内部を排気して実質的に真空雰囲気にすることが可能な真空室で構成されている。また、搬入室91、基板/マスク分離室93、電極形成室94、スパッタ室95、基板搬出室96および治具/マスク搬出室97は搬送作業室92の周囲にゲートgtを介して連結されている。
【0057】
搬入室91は、青有機層形成部80において有機層11Bの形成が行われた後の基板1および成膜用マスク200を搬送作業室92に搬入するための搬送路を構成している。
【0058】
基板/マスク分離室93は、上記のアライメント室54,71および81と同様のアライメント機構を有する。この基板/マスク分離室93は、アライメント機構によって結合治具100によって結合された状態にある基板1と成膜用マスク200とを分離する。
【0059】
電極形成室94には、成膜用マスク200と分離された後の基板1に上記のカソード電極12を形成するための蒸着装置が設けられている。なお、この蒸着装置は、周知の蒸着装置であり、詳細説明を省略する。
【0060】
スパッタ室95は、カソード電極12が形成された後の基板1に、上記の透明導電膜16をスパッタリングによって形成する。スパッタ室95内には、たとえば、直流スパッタリング装置が設けられている。なお、直流スパッタリング装置は周知であり、詳細説明を省略する。
【0061】
基板搬出室96は、透明導電膜16が形成された後の基板1を電極形成部90から搬出するための真空室である。
治具/マスク搬出室97は、基板1から分離された後の成膜用マスク200および結合治具100を電極形成部90から搬出するための真空室である。
【0062】
搬送作業室92内には、上記構成の搬送ロボット45が設置されている。この搬送ロボット45により、基板1、成膜用マスク200および結合治具100の搬送が行われる。
【0063】
次に、上記した成膜装置40を用いた成膜方法について説明する。
まず、基板搬入室57に図5に示した状態の基板1を必要枚数だけ搬入しておく。また、マスク搬入室53にも必要枚数の成膜用マスク200を搬入しておく。さらに、治具搬入室57にも必要枚数の結合治具100を搬入しておく。
【0064】
一方、各有機層形成部60,70および80の各蒸着処理室の加熱容器420を加熱し、蒸着材料Vsが一定の蒸発レートで蒸発するように蒸着材料Vsの温度をコントロールしておく。なお、加熱容器420は、シャッタ440によって閉じた状態としておく。なお、各蒸着処理室における蒸発レートは、最も厚い層を成膜する蒸着処理室における成膜時間に合わせてコントロールすることが好ましい。すなわち、有機層形成工程におけるタクトタイムは、最も厚い層を成膜するのに要する時間に依存するからである。
【0065】
次に、基板搬入室57のゲートバルブを開いて、基板搬入室57内の基板1を搬送ロボット45により前処理室52に搬入する。
前処理室52において、基板1に、たとえば、400sccm、高周波パワー50W,処理時間120秒の条件下で酸素プラズマ処理を施す。
【0066】
一方、この酸素プラズマ処理が完了する前に、治具搬入室57にある結合治具100を、図9に示すように、搬送ロボット45の保持部45dにより保持し、アライメント室54に搬入する。
図9において、ゲートgtを通じてアライメント室54に搬入された結合治具100の把手部102は、治具ホルダ310の保持部310aによって保持可能な位置に位置決めされる。
さらに、図10に示すように、治具ホルダ310を昇降機構330によって所定の位置まで上昇させる。治具ホルダ310の上昇によって、結合治具100は搬送ロボット45の保持部45dから離れ、結合治具100が治具ホルダ310により保持される。
【0067】
また、搬送ロボット45は、結合治具100のアライメント室54への搬送完了後に、図10に示すように、マスク搬入室53にある成膜用マスク200をアライメント室54に搬入する。
成膜用マスク200の搬入位置は、結合治具100とマスクホルダ320との間である。
【0068】
この状態から、図11に示すように、マスクホルダ320を昇降機構350によって所定位置まで上昇させる。マスクホルダ320の上昇により、成膜用マスク200は搬送ロボット45の保持部45dから離れ、マスクホルダ320によて保持される。
【0069】
次いで、結合治具100が治具ホルダ310により保持され、成膜用マスク200がマスクホルダ320によって保持された状態で、前処理室52において表面処理が完了した基板1を、図12に示すように、搬送ロボット45によりアライメント室54に搬入する。
図12に示すように、基板1をアライメント室54に搬入する前に、マスクホルダ320を所定の位置まで下降させ、結合治具100と成膜用マスク200との間に基板1が干渉しないスペースを形成しておく。
【0070】
次いで、図13に示すように、基板ホルダ314を移動回転機構340によって所定の位置まで上昇させる。基板ホルダ314の上昇によって、基板1は搬送ロボット45の保持部45dから離れ、基板1は支持部316によって保持される。
これにより、結合治具100が治具ホルダ310により保持され、成膜用マスク200がマスクホルダ320によって保持され、基板1が基板ホルダ314によって保持された状態となる。
【0071】
次いで、上記の状態から移動回転機構340によって基板1のθ方向の回転位置およびX、Y方向の位置を調整し、基板1と成膜用マスク200とのアライメントを行う。このアライメント作業は、たとえば、図示しない撮像装置で撮像した成膜用マスク200および基板1の画像から画像処理により得た成膜用マスク200に対する基板1の位置および姿勢情報に基づいて行われる。
また、図14に示すように、これから基板1に形成する有機層11Gの形成位置に成膜用マスク200の開口200hが位置するようにアライメントを行う。
【0072】
基板1と成膜用マスク200とのアライメント作業が完了したのち、図15に示すように、マスクホルダ320を所定の位置まで上昇させ、基板1と成膜用マスク200とを接触させ、基板1が成膜用マスク200上に載置された状態にする。
【0073】
この状態から、図16に示すように、マスクホルダ320をさらに上昇させ、基板1と結合治具100とを接触させる。これにより、結合治具100のマグネットプレート101の磁力により、成膜用マスク200がマグネットプレート101に吸着され、成膜用マスク200と基板1とが結合し、アライメントされた状態が維持される。
また、成膜用マスク200および基板1の結合によって、図14に示したように、成膜用マスク200はリブ14の頂部に当接し、成膜用マスク200とアノード電極10との距離が一定に保たれる。
【0074】
次いで、図16に示すように、結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200がマスクホルダ320に保持された状態で、搬送ロボット45の保持部45dを成膜用マスク200の下方に挿入する。さらに、マスクホルダ320を下降させることにより、結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200が治具ホルダ310に保持された状態となる。この状態で、治具ホルダ310を所定位置まで下降させることにより、結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200が搬送ロボット45の保持部45dに置かれる。
【0075】
次いで、搬送ロボット45の保持部45dに置かれた結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200を搬送室56に搬送する。
【0076】
次いで、搬送室56に搬送された結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200を搬送作業室61に設置された搬送ロボット45によって蒸着処理室62に搬入する。
【0077】
図17に示すように、ゲートgtを通じて蒸着処理室62の隔壁400内に搬入された結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200は、搬送ロボット45の保持部45dを所定位置まで下降させることにより、治具ホルダ401によって保持される。
【0078】
基板1および成膜用マスク200が治具ホルダ401によって保持されたのち、図18に示すように、治具ホルダ401を所定の回転数で回転させるとともに、シャッタ440を開き蒸着を行い、有機層11Gの正孔注入層11aを所定の厚さに形成する。正孔注入層11aの成膜に要する時間は、蒸着レートによって決まる。
また、基板1および成膜用マスク200を回転させることにより、正孔注入層11aが均一な厚さで形成される。
【0079】
有機層11Gの正孔注入層11aの形成後、上記と同様な手順により、結合状態にある結合治具100、基板1および成膜用マスク200を搬送作業室61に設置された搬送ロボット45によって蒸着処理室63に搬入し、有機層11Gの正孔輸送層11bを形成する。
同様に、有機層11Gの発光層11cの形成を蒸着処理室64において行う。この結果、基板1のアノード電極10上に積層された正孔注入層11a、正孔輸送層11bおよび発光層11cからなる有機層11Gが形成される。
【0080】
次いで、有機層11Gが形成された基板1を成膜用マスク200と結合された状態で赤有機層形成部70のアライメント室71に搬送する。
図19に示すように、結合治具100によって結合された基板1および成膜用マスク200がアライメント室71へ搬送ロボット45の保持部45dによって搬入されたのち、マスクホルダ320を所定の位置まで上昇させ、保持部45dから成膜用マスク200を離隔させ、マスクホルダ320によって保持する。
【0081】
次いで、図20に示すように、治具ホルダ310を所定位置まで上昇させる。この治具ホルダ310の上昇により、結合治具100のみが基板1および成膜用マスク200から分離される。
結合治具100のみが基板1および成膜用マスク200から分離された状態から、基板ホルダ314を所定位置まで上昇させる。基板ホルダ314の上昇により、基板1と成膜用マスク200とが離隔する。
これにより、結合治具100が治具ホルダ310により保持され、成膜用マスク200がマスクホルダ320によって保持され、基板1が基板ホルダ314によって保持された状態となる。
【0082】
この状態から、図15および図16を参照して説明した動作と同様に、基板1と成膜用マスク200とを再びアライメントする。
アライメント室71においては、図21に示すように、これから基板1に形成する有機層11Rの形成位置に成膜用マスク200の開口200hが位置するようにアライメントを行う。
【0083】
アライメントの完了後、図15および図16を参照して説明した動作と同様に、基板1と成膜用マスク200とを結合治具100で再び結合し、基板1と成膜用マスク200とが結合された状態で蒸着処理室73、74および75に順次搬送して、有機層11Rの正孔注入層11a、正孔輸送層11bおよび発光層11cを形成する。
【0084】
有機層11Rの形成後、結合された状態の基板1および成膜用マスク200をアライメント室81に搬入し、アライメント室71における動作と同様に、基板1と成膜用マスク200とのアライメントおよび結合治具100による結合を再び行う。
アライメント室81においては、図21に示すように、これから基板1に形成する有機層11Bの形成位置に成膜用マスク200の開口200hが位置するようにアライメントを行う。
アライメントの完了後、図15および図16を参照して説明した動作と同様に、基板1と成膜用マスク200とを結合治具100で再び結合し、基板1と成膜用マスク200とが結合された状態で蒸着処理室83、84および85に順次搬送して、有機層11Bの正孔注入層11a、正孔輸送層11bおよび発光層11cを形成する。
【0085】
有機層11Bの形成後、結合治具100により結合状態にある基板1および成膜用マスク200を電極形成部90に搬送する。
電極形成部90において、結合状態にある基板1および成膜用マスク200を最初に基板/マスク分離室93に搬入する。
【0086】
基板/マスク分離室93においては、結合治具100により結合状態にある基板1および成膜用マスク200を分離する。なお、基板/マスク分離室93はアライメント室81等と同様のアライメント機構を備えており、このアライメント機構を所定の手順で動作させることにより、結合治具100と基板1と成膜用マスク200とを分離することができる。
【0087】
基板1および成膜用マスク200を分離したのち、基板1を電極形成室94に搬送し、結合治具100および成膜用マスク200を治具/マスク搬出室97に搬入する。
【0088】
電極形成室94では、カソード電極12を蒸着によって形成する。具体的には、たとえば、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)とを共蒸着することにより、Mg−Ag合金からなるカソード電極12を形成する。膜厚は、たとえば、10nm程度である。また、マグネシウムと銀との成膜速度比は、たとえば、9:1とする。
【0089】
次いで、基板1の有機層11G,11R,11B上にカソード電極12を形成後、基板1をスパッタ室95に搬入し、カソード電極12上に透明導電膜16を形成する。透明導電膜16の成膜条件は、たとえば、スパッタガスとしてアルゴン(Ar)と酸素(O2 )の混合ガス(体積比Ar/O2 =1000)を用い、圧力を約0.3Paとし、直流スパッタリング装置の出力を40Wとする。
【0090】
次いで、透明導電膜16を形成後、基板1を基板搬出室96に搬送する。基板搬出室96に搬送された基板1は、基板搬出室96から搬出されたのち、紫外線硬化樹脂層17を介して基板18が固着される。これにより、有機EL表示装置の組立が完了する。
【0091】
また、基板/マスク分離室93において分離された成膜用マスク200および結合治具100を治具/マスク搬出室97に搬送する。
治具/マスク搬出室97に搬送された成膜用マスク200および結合治具100は、治具/マスク搬出室97から搬出されたのち、再び使用される。
なお、成膜用マスク200を再び使用する前に欠陥がないかを検査することにより、欠陥の存在する成膜用マスク200の再使用を回避でき、不良品の有機EL表示装置が製造されるのを未然に防ぐことができる。
【0092】
以上のように、本実施形態によれば、複数の有機材料層からなる有機層11G,11R,11Bの各有機材料層を異なる蒸着処理室において分担して行うことにより、蒸着に用いる有機材料の無駄な消費を抑制することができる。
また、本実施形態によれば、基板1と成膜用マスク200とをアライメントし、かつ、結合した状態で搬送し複数の有機材料層の成膜を連続的に行うため、各蒸着処理室においてアライメントのための時間が不要となり、タクトタイムを短縮することができる。
また、本実施形態によれば、各蒸着処理室にアライメント機構が必要なく、設備コストを低減することが可能になる。
また、本実施形態によれば、基板1毎に成膜用マスク200を使用するため、仕様の異なる有機EL表示装置を同一ラインで製造することが可能となる。
【0093】
本発明は上述した実施形態に限定されない。
上述した実施形態では、蒸着処理室に単一の蒸着源を設け、ひとつの蒸着処理室において一つの有機材料層のみを形成する構成としたが、蒸着処理室に複数の蒸着源を設け、ひとつの蒸着処理室において複数の有機材料層を形成する構成とすることも可能である。
たとえば、成膜時間が非常に長い有機材料層が存在する場合に、この有機材料層には単一の蒸着源を設けてこの成膜時間が長い有機材料層のみを形成し、他の有機材料層に複数の蒸着源を設け成膜時間が短い有機材料層を複数形成する構成とすることにより、タクトタイムが長くなるのを防ぐことができる。
また、上述した実施形態では、有機層は、3層の有機材料層を積層した場合について説明したが、さらに多くの有機材料層を積層した有機層に本発明を適用することにより、生産性および有機材料の消費量の観点からさらに大きな効果が得られる。
また、上述した実施形態において各室における作業が他の室における作業に影響を及ぼさない場合においては、各室間をゲートgtによって隔てる必要はない。
また、各室の配置は図4に示したようなクラスター状配置に限られるものではなく、作業の順に従って直線状配置あるいはU字状配置その他好適な配置を選択できる。
【0094】
【発明の効果】
本発明によれば、有機EL表示装置の有機層の形成工程のタクトタイムを短縮することができ、有機EL表示装置の量産化が可能となる。
また、本発明によれば、有機層の形成に用いられる有機材料の無駄な消費を抑制することができ、有機EL表示装置の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される有機EL表示装置の一例を示す図であって、当該有機EL表示装置の表示エリアの概略構成を示す要部断面図である。
【図2】本発明が適用される有機EL表示装置の一例を示す図であって、当該有機EL表示装置の表示エリアの概略構成を示す要部平面図である。
【図3】有機層11G、11R,11Bの構造の一例を示す断面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。
【図5】有機層を形成前の基板の構成を示す断面図である。
【図6】成膜用マスクおよびこの成膜用マスクと基板1とを結合させる結合治具の構造の一例を示す斜視図である。
【図7】アライメント室の構造を示す図である。
【図8】蒸着処理室の構成の一例を示す断面図である。
【図9】アライメント室54におけるアライメント機構の動作手順の一例を説明するための図である。
【図10】図9に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図11】図10に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図12】図11に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図13】図12に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図14】基板1の有機層11Gの形成位置に成膜用マスク200をアライメントした状態を示す図である。
【図15】図13に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図16】図15に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図17】結合状態にある基板1と成膜用マスク200を蒸着処理室に搬入した状態を説明するための図である。
【図18】蒸着処理室において蒸着を行っている状態を説明するための図である。
【図19】アライメント室71におけるアライメント機構の動作手順の一例を説明するための図である。
【図20】図19に続くアライメント機構の動作手順を説明するための図である。
【図21】基板1の有機層11Rの形成位置に成膜用マスク200をアライメントした状態を示す図である。
【図22】基板1の有機層11Bの形成位置に成膜用マスク200をアライメントした状態を示す図である。
【符号の説明】
1…基板,40…成膜装置、45…搬送ロボット、50…搬入部、51…基板搬入室、52…前処理室、53…マスク搬入室、54…アライメント室、55…搬送作業室、56…搬送室、57…治具搬入室、60…緑有機層形成部、61…搬送作業室、62,63,64…蒸着処理室、70…赤有機層形成部、71…アライメント室、72…搬送作業室、73,74,75…蒸着処理室、80…青有機層形成部、81…アライメント室、82…搬送作業室、83,84,85…蒸着処理室、90…電極形成部、91…搬入室、92…搬送作業室、93…基板/マスク分離室、94…電極形成室、95…スパッタ室、96…基板搬出室、97…治具/マスク搬出室、100…結合治具、200…成膜用マスク200、300…隔壁、310…治具ホルダ、314…基板ホルダ、320…マスクホルダ、400…隔壁、401…治具ホルダ、402…回転軸、430…回転機構、420…加熱容器、Vs…蒸着材料。

Claims (7)

  1. 複数の有機材料層からなり発光色が異なる複数種類の有機層を基板に成膜する成膜装置であって、
    前記基板に対し、各有機層の形成に共通に使用可能な開口をもつ成膜用マスクを所定位置に結合させるアライメント室を備えた搬入部と、
    前記搬入部により搬入され、前記成膜用マスクが結合された前記基板に対し、複数種類の前記有機層を順次成膜する複数の有機層形成部と、
    を有し、
    前記複数の有機層形成部はそれぞれ、
    前記成膜用マスクが結合された前記基板を搬送する搬送手段を備える真空搬送室と、
    前記真空搬送室の周囲に連結され、前記有機層を構成する各有機材料をそれぞれ蒸着する複数の蒸着処理室と
    を有し、
    一の前記有機層形成部の前記真空搬送室から次に成膜を行う前記有機層形成部の前記真空搬送室へのみ前記基板を搬送する搬送路に、前記有機層が形成された基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記基板に対する前記成膜用マスクの開口位置を変更し、再び結合させるアライメント室が設置されている
    成膜装置。
  2. 前記成膜用マスクは磁性体で形成されており、
    マグネットを備える結合治具と前記成膜用マスクとの間に前記基板を挟み、前記成膜用マスクと前記マグネットの吸着力により、当該成膜用マスクと前記基板とを結合する
    請求項1に記載の成膜装置。
  3. 複数種類の前記有機層が成膜された前記基板に対し、電極を形成する電極形成部をさらに有し、
    前記電極形成部は、
    前記基板と前記成膜用マスクとを分離する分離室と、
    前記成膜用マスクと分離された前記基板に電極を形成する電極形成室と
    を有する請求項1に記載の成膜装置。
  4. 複数の有機材料層からなり発光色が異なる複数種類の有機層を基板に成膜する成膜方法であって、
    各有機層の形成に共通に使用可能な開口をもつ成膜用マスクが結合された前記基板に対し、複数の有機層形成部による有機層形成処理を順に施し、
    前記有機層形成部は、
    前記成膜用マスクが結合された前記基板を搬送する搬送手段を備える真空搬送室と、
    前記真空搬送室の周囲に連結され、前記有機層を構成する各有機材料をそれぞれ蒸着する複数の蒸着処理室とを有し、
    前記真空搬送室を通して、前記マスクが結合された前記基板に対し複数の蒸着処理室による蒸着処理を施すことにより、複数の有機材料からなる前記有機層を形成し、
    一の前記有機層形成部の前記真空搬送室から次に成膜を行う前記有機層形成部の前記真空搬送室へのみ前記基板を搬送する搬送路に設置されたアライメント室において、前記有機層が形成された前記基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記基板に対する前記成膜用マスクの開口位置を変更して再び結合させ、次の前記有機層形成部に供給可能な状態にしておく
    成膜方法。
  5. 各前記蒸着処理室は、有機材料を供給する蒸着源をそれぞれ有し、
    当該各蒸着処理室内に前記成膜用マスクが結合された前記基板が搬入された際に、当該各蒸着源から所定の蒸発レートで有機材料を供給可能な状態にしておく
    請求項に記載の成膜方法。
  6. 前記成膜用マスクは磁性体で形成されており、
    マグネットを備える結合治具と前記成膜用マスクとの間に前記基板を挟み、前記成膜用マスクと前記マグネットの吸着力により、当該成膜用マスクと基板とを結合する
    請求項に記載の成膜方法。
  7. 複数種類の前記有機層が成膜された前記基板に対し、電極を形成する電極形成部をさらに有し、
    前記電極形成部において、前記基板と前記成膜用マスクとを分離し、前記成膜用マスクと分離された前記基板に電極を形成する
    請求項に記載の成膜方法。
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KR1020020029287A KR20020095081A (ko) 2001-06-12 2002-05-27 유기 전계발광 표시장치를 제조하는 장치 및 방법
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003017254A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2003017255A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
SG113448A1 (en) 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
US7309269B2 (en) 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US7474045B2 (en) 2002-05-17 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having TFT with radiation-absorbing film
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10239163A1 (de) * 2002-08-23 2004-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung von Gradientenschichten auf Substraten in einer Vakuumkammer
KR101006938B1 (ko) 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
US20040185172A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 I-Ming Liu Method of forming film for organic electrified light emitting elements
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP4651918B2 (ja) * 2003-05-21 2011-03-16 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法
KR100863902B1 (ko) * 2003-12-02 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 마스크 프레임 조합체, 이를 이용한 기판 및 마스크 정렬방법
JP4549697B2 (ja) * 2004-03-04 2010-09-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP4494832B2 (ja) * 2004-03-11 2010-06-30 株式会社アルバック アライメント装置及び成膜装置
KR20050112456A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4538650B2 (ja) * 2004-06-18 2010-09-08 京セラ株式会社 蒸着装置
US20060066235A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Brody Thomas P Receptacles for inkjet deposited PLED/OLED devices and method of making the same
JP4331707B2 (ja) * 2004-12-16 2009-09-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置
DE502005003731D1 (de) 2005-04-20 2008-05-29 Applied Materials Gmbh & Co Kg Magnetische Maskenhalterung
JP2007049128A (ja) * 2005-07-12 2007-02-22 Seiko Epson Corp 製膜装置
US7534545B2 (en) * 2005-08-30 2009-05-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of making an organic light emitting display device
KR100727849B1 (ko) 2005-10-27 2007-06-14 세메스 주식회사 병렬 인라인 증착 시스템
JP2007220360A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tokyo Electron Ltd 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置
US20070262326A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Touchtek Corporation LED multi-layer metals primary electrodes manufacturing process & installation
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
KR100796618B1 (ko) * 2007-01-04 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100842020B1 (ko) 2007-03-16 2008-06-27 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치 및 방법
US8039052B2 (en) * 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
JP5297046B2 (ja) * 2008-01-16 2013-09-25 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
EP2098608A1 (en) 2008-03-05 2009-09-09 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
US9353436B2 (en) * 2008-03-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
WO2009109464A1 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Applied Materials Inc. Coating apparatus with rotation module
US20090226618A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
WO2009125472A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
EP2135970A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Applied Materials, Inc. Processing system and method for processing a substrate
US20090317562A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Processing system and method for processing a substrate
JP5173699B2 (ja) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機elデバイス製造装置
US20120027925A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Rainer Merz Method and device for producing serially connected solar cells
US9920418B1 (en) * 2010-09-27 2018-03-20 James Stabile Physical vapor deposition apparatus having a tapered chamber
WO2012053402A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR101810683B1 (ko) 2011-02-14 2017-12-20 삼성디스플레이 주식회사 자석 수단의 교체가 가능한 마스크 고정장치 및 이를 포함하는 증착장치
US20130156530A1 (en) * 2011-12-14 2013-06-20 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of substrate
EP2839052A4 (en) * 2012-04-19 2015-06-10 Intevac Inc DOUBLE MASK ARRANGEMENT FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
CN102629670B (zh) * 2012-04-20 2014-11-26 四川虹视显示技术有限公司 Oled基板封装方法
MY170824A (en) 2012-04-26 2019-09-04 Intevac Inc System architecture for vacuum processing
US10062600B2 (en) 2012-04-26 2018-08-28 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
KR101394368B1 (ko) * 2012-09-27 2014-05-27 주식회사 선익시스템 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6328766B2 (ja) * 2013-12-10 2018-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 有機材料用の蒸発源、真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
CN103996801B (zh) * 2014-06-12 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 基板前处理方法及装置
TWI662646B (zh) 2014-08-05 2019-06-11 美商因特瓦克公司 植入用遮罩及其對準
JP6487173B2 (ja) * 2014-10-08 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN105633301A (zh) * 2014-11-17 2016-06-01 上海和辉光电有限公司 一种降低oled混色缺陷的方法及oled显示面板
CN104733646B (zh) * 2015-02-10 2017-05-17 四川虹视显示技术有限公司 一种oled真空老化系统
JP6937549B2 (ja) * 2016-06-10 2021-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の製造装置
JP6830772B2 (ja) * 2016-08-04 2021-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 積層膜の製造装置、及び積層膜の製造方法
JP6785171B2 (ja) * 2017-03-08 2020-11-18 株式会社日本製鋼所 成膜方法および電子装置の製造方法並びにプラズマ原子層成長装置
JP6857522B2 (ja) * 2017-03-17 2021-04-14 株式会社日本製鋼所 成膜方法および電子装置の製造方法並びにマスク保持体
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4425871A (en) 1981-02-09 1984-01-17 Applied Magnetics Corporation Apparatus for sensing deposition of a thin film layer of a material
US4492180A (en) 1981-03-16 1985-01-08 Applied Magnetics Corporation Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor
US4495180A (en) * 1982-06-21 1985-01-22 Merck & Co., Inc. Prodrugs of Ara-A an antiviral agent
US4511599A (en) * 1983-03-01 1985-04-16 Sigmatron Associates Mask for vacuum depositing back metal electrodes on EL panel
US5259881A (en) 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JPS60208756A (ja) * 1984-04-03 1985-10-21 Canon Inc 転写方法
US4917556A (en) 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US5310410A (en) 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
US5451261A (en) 1992-09-11 1995-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal film deposition apparatus and metal film deposition method
TW276353B (ja) 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
KR960002534A (ko) 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
TW295677B (ja) 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JPH10214682A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
US6340501B1 (en) 1997-05-08 2002-01-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device and method for manufacturing an optical recording medium
JPH1161386A (ja) 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6592933B2 (en) * 1997-10-15 2003-07-15 Toray Industries, Inc. Process for manufacturing organic electroluminescent device
KR100517851B1 (ko) * 1997-10-15 2005-10-04 도레이 가부시끼가이샤 유기 전계 발광 장치
KR100265287B1 (ko) 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
JP2000256094A (ja) 1999-03-08 2000-09-19 Speedfam-Ipec Co Ltd シリコンエピタキシャル成長ウェーハ製造方法およびその装置
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US6579422B1 (en) 1999-07-07 2003-06-17 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible organic EL display
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP2001089841A (ja) 1999-09-22 2001-04-03 Sony Corp 表面加工用冶具及び表面加工方法
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6747638B2 (en) * 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
JP2001284046A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US7462372B2 (en) * 2000-09-08 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
CN101397649B (zh) 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
US7432116B2 (en) 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
JP4078813B2 (ja) 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
US6589382B2 (en) 2001-11-26 2003-07-08 Eastman Kodak Company Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices
US6821348B2 (en) 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication

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