JP2525221B2 - マスク修正装置 - Google Patents
マスク修正装置Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体集積回路等の製造において、パターン
が形成されたマスクを検査し、これを修正するマスク修
正装置に関する。
が形成されたマスクを検査し、これを修正するマスク修
正装置に関する。
［従来の技術］ 集積回路パターンの高密度化に伴ないパターン転写用
マスクの検査修正が重要な課題となっている。特にサブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクの検査では分解能
の高い電子ビームを用いた検査方式が提案されている
（電子通信学会論文誌80/12 Vol J63−Ｃ No12 P81
7）。
マスクの検査修正が重要な課題となっている。特にサブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクの検査では分解能
の高い電子ビームを用いた検査方式が提案されている
（電子通信学会論文誌80/12 Vol J63−Ｃ No12 P81
7）。
従来のマスク検査装置を第２図に示す。１はマスクフ
レーム、２はマスク基板、３はマスクパターン、４はＸ
線マスク、６は電子ビーム（荷電粒子）、７は２次電子
検出器であり電子ビーム６の照射により被検査パターン
（以後検査パターンと称す）から放出される２次電子を
検出するものである。８はエミッタ、９は電子レンズ、
12は２次電子検出器７で得られた信号から比較検査する
ための検査パターンデータに変換する２次電子信号処理
回路、15は上記検査パターンデータを保持する検査パタ
ーンデータ記憶回路、13は検出しようとしているパター
ンの設計データ等から作成される基準パターンデータを
保持する基準パターンデータ保持回路、14は検査パター
ンデータと基準パターンデータを比較しパターンの欠陥
を検出するパターン欠陥検出回路、16は装置全体を制御
する計算機である。
レーム、２はマスク基板、３はマスクパターン、４はＸ
線マスク、６は電子ビーム（荷電粒子）、７は２次電子
検出器であり電子ビーム６の照射により被検査パターン
（以後検査パターンと称す）から放出される２次電子を
検出するものである。８はエミッタ、９は電子レンズ、
12は２次電子検出器７で得られた信号から比較検査する
ための検査パターンデータに変換する２次電子信号処理
回路、15は上記検査パターンデータを保持する検査パタ
ーンデータ記憶回路、13は検出しようとしているパター
ンの設計データ等から作成される基準パターンデータを
保持する基準パターンデータ保持回路、14は検査パター
ンデータと基準パターンデータを比較しパターンの欠陥
を検出するパターン欠陥検出回路、16は装置全体を制御
する計算機である。
次に動作について説明する。
エミッタ８から放出された、電子ビームはレンズ９で
集束され検査しようとするパターン上に照射される。上
記電子ビームの照射によって生成した２次電子は２次電
子検出器７によって検出され、該検出信号は２次電子信
号処理回路12で検査パターンデータに変換され、該デー
タは検査パターンデータ記憶回路15に保持される。そし
て上記検査パターンデータは基準パターンデータ記憶回
路13に保持されている基準パターンデータとパターン欠
陥検出回路14で比較されパターン欠陥が検出される。
集束され検査しようとするパターン上に照射される。上
記電子ビームの照射によって生成した２次電子は２次電
子検出器７によって検出され、該検出信号は２次電子信
号処理回路12で検査パターンデータに変換され、該デー
タは検査パターンデータ記憶回路15に保持される。そし
て上記検査パターンデータは基準パターンデータ記憶回
路13に保持されている基準パターンデータとパターン欠
陥検出回路14で比較されパターン欠陥が検出される。
以上説明した従来のマスク検査装置はマスク修正機能
を備えていなかった。
を備えていなかった。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の電子ビームを用いたマスク検査装置では、マス
クの修正を行なうことはできず、検査によって得られた
データを別のマスク修正装置に転送し、欠陥部の修正を
行なっていた。そのため以下の欠点が生じた。
クの修正を行なうことはできず、検査によって得られた
データを別のマスク修正装置に転送し、欠陥部の修正を
行なっていた。そのため以下の欠点が生じた。
マスク検査装置の他、マスク修正装置が必要となり
検査修正のための装置全体が大型化するとともに高価な
ものとなった。
検査修正のための装置全体が大型化するとともに高価な
ものとなった。
マスク修正装置では、転送されたデータをもとに、
新たに欠陥部を検出する必要があり修正に長時間を要し
ていた。
新たに欠陥部を検出する必要があり修正に長時間を要し
ていた。
［発明の目的］ 本発明は前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、マスク検査および修正の両機能を１つの装置に備
えることにより構成を簡素化し修正作業を効率良く行な
うとともに価格の低減を図ったマスク修正装置の提供を
目的とする。
って、マスク検査および修正の両機能を１つの装置に備
えることにより構成を簡素化し修正作業を効率良く行な
うとともに価格の低減を図ったマスク修正装置の提供を
目的とする。
［実施例］ 第１図に本発明の実施例を示す。前記第２図の構成に
対応する部分には同一番号を付してある。
対応する部分には同一番号を付してある。
１はマスクフレーム、２はマスク基板、３はマスクパ
ターン、４はＸ線マスク、５はマスクパターン３および
マスク基板２上に塗布された感光層、６は電子ビーム、
７は２次電子検出器、８はエミッタ、９は電子レンズ、
10は電子ビーム電流制御回路、11は偏向制御回路、12は
２次電子信号処理回路、13は基準パターンデータ保持回
路、14はパターン欠陥検出回路、15は検査パターンデー
タ記憶回路、16は計算機である。検査されるマスク４
は、マスクパターン３を有する側に感光層５が塗布され
ている。エミッタ８から放出された電子ビーム６は、電
子レンズ９で集束される偏向制御回路11によって偏向さ
れてマスク４上に照射される。このとき、感光層５を現
像したとき、実質上感光層５が膜減りを起こさない程度
に、電子ビーム電流量は電子ビーム電流制御回路10によ
って、調節されている。上記電子ビーム６の照射によっ
て生成された２次電子は２次電子検出器７によって検出
される。このように検出された信号は従来の方法と同様
に処理されたパターン欠陥が検出される。次に、基準パ
ターンデータ保持回路13に貯えられたデータを基に、欠
陥部が修正されるように、偏向制御回路11によって電子
ビーム６を偏向し、感光層５を描画（露光）する。この
とき、電子ビーム電流量は電子ビーム電流制御回路10に
よって、パターン欠陥検出の際の電流量より大きい値に
制御されている。
ターン、４はＸ線マスク、５はマスクパターン３および
マスク基板２上に塗布された感光層、６は電子ビーム、
７は２次電子検出器、８はエミッタ、９は電子レンズ、
10は電子ビーム電流制御回路、11は偏向制御回路、12は
２次電子信号処理回路、13は基準パターンデータ保持回
路、14はパターン欠陥検出回路、15は検査パターンデー
タ記憶回路、16は計算機である。検査されるマスク４
は、マスクパターン３を有する側に感光層５が塗布され
ている。エミッタ８から放出された電子ビーム６は、電
子レンズ９で集束される偏向制御回路11によって偏向さ
れてマスク４上に照射される。このとき、感光層５を現
像したとき、実質上感光層５が膜減りを起こさない程度
に、電子ビーム電流量は電子ビーム電流制御回路10によ
って、調節されている。上記電子ビーム６の照射によっ
て生成された２次電子は２次電子検出器７によって検出
される。このように検出された信号は従来の方法と同様
に処理されたパターン欠陥が検出される。次に、基準パ
ターンデータ保持回路13に貯えられたデータを基に、欠
陥部が修正されるように、偏向制御回路11によって電子
ビーム６を偏向し、感光層５を描画（露光）する。この
とき、電子ビーム電流量は電子ビーム電流制御回路10に
よって、パターン欠陥検出の際の電流量より大きい値に
制御されている。
このようにして描画されたマスク４は感光層５を現像
した後、エッチングまたはメッキ、リフトオフ等の工程
によりパターンが修正される。
した後、エッチングまたはメッキ、リフトオフ等の工程
によりパターンが修正される。
上記実施例においては、マスク欠陥検出時の電子ビー
ム露光量とマスク修正時の露光量とを電流量を変化させ
ることにより変化させていた。このような電子ビーム電
流量制御に代えて、電子ビームの走査速度を遅くするこ
とによりあるいは走査回数を増加させることにより、ま
たは加速電圧を変えることによりマスク修正時に欠陥部
の感光層５の露光量（電子ビーム照射量）を増加させて
もよい。加速電圧を変化させることによりパターン検査
時の感光層５への影響を小さくできる。
ム露光量とマスク修正時の露光量とを電流量を変化させ
ることにより変化させていた。このような電子ビーム電
流量制御に代えて、電子ビームの走査速度を遅くするこ
とによりあるいは走査回数を増加させることにより、ま
たは加速電圧を変えることによりマスク修正時に欠陥部
の感光層５の露光量（電子ビーム照射量）を増加させて
もよい。加速電圧を変化させることによりパターン検査
時の感光層５への影響を小さくできる。
以上、マスク表面からの２次電子信号を用いる方法に
ついて述べたが、マスクからの検出信号は２次電子に限
るものではない。例えば、マスクの透過電子信号や、オ
ージェ電子、さらに螢光Ｘ線等でもよい。
ついて述べたが、マスクからの検出信号は２次電子に限
るものではない。例えば、マスクの透過電子信号や、オ
ージェ電子、さらに螢光Ｘ線等でもよい。
一般に、マスクパターン３の欠陥は、基準データに対
して余分のパターンが付着している欠陥（以下不透明欠
陥と称す）とパターンが不足している欠陥（以下、透明
欠陥と称す）がある。これらの欠陥が混在しているマス
クの修正のための描画方法を以下に示す。
して余分のパターンが付着している欠陥（以下不透明欠
陥と称す）とパターンが不足している欠陥（以下、透明
欠陥と称す）がある。これらの欠陥が混在しているマス
クの修正のための描画方法を以下に示す。
前記実施例と同様にしてパターンの欠陥を検出した
後、欠陥部が修正されるように不透明欠陥部と透明欠陥
部の感光層５の照射量を変えて描画する。照射量を変え
る場合、電子ビーム電流量、走査速度、走査回数、加速
電圧等を変化させる方法があるが、いずれの方法を用い
てもよい。
後、欠陥部が修正されるように不透明欠陥部と透明欠陥
部の感光層５の照射量を変えて描画する。照射量を変え
る場合、電子ビーム電流量、走査速度、走査回数、加速
電圧等を変化させる方法があるが、いずれの方法を用い
てもよい。
例えばマスク基板２にメッキの下地層が形成されその
上にマスクパターン３が形成されているようなマスク４
を修正する場合電子ビーム電流量を変えて照射量を変化
させる工程では不透明欠陥部の照射量DBを透明欠陥部の
照射量DAより多くなるように電子ビーム電流量制御回路
10によって電子ビーム電流量を調節し、欠陥部の描画を
行なう。
上にマスクパターン３が形成されているようなマスク４
を修正する場合電子ビーム電流量を変えて照射量を変化
させる工程では不透明欠陥部の照射量DBを透明欠陥部の
照射量DAより多くなるように電子ビーム電流量制御回路
10によって電子ビーム電流量を調節し、欠陥部の描画を
行なう。
このようにして描画されたマスク４は不透明欠陥部の
感光層５のみがなくなるように現像を行ない、不透明欠
陥部をメッキの下地層と伴にエッチング等によって取り
除いた後、再度現像を行ない透明欠陥部の感光層５を取
り除きメッキの下地層を露出させる。次に、メッキ等に
より透明欠陥部にパターンを形成させて、マスク４の修
正を終える。
感光層５のみがなくなるように現像を行ない、不透明欠
陥部をメッキの下地層と伴にエッチング等によって取り
除いた後、再度現像を行ない透明欠陥部の感光層５を取
り除きメッキの下地層を露出させる。次に、メッキ等に
より透明欠陥部にパターンを形成させて、マスク４の修
正を終える。
以上説明したように、本発明に係るマスク修正装置
は、修正すべきマスク表面に感光層５を設け該マスク表
面を照射する走査ビーム発生手段（エミッタ８）と、該
走査ビームの露光量調整手段（例えば電子ビーム電流制
御回路10等）と、前記マスク表面から発生する２次電子
検出データと正常マスクのデータとを比較することによ
り欠陥部を検出するマスク欠陥検出手段（２次電子検出
器７、２次電子信号処理回路12、基準パターンデータ保
持回路13、パターン欠陥検出回路14等）と、該マスク欠
陥検出手段による欠陥部のデータに基づいて前記露光量
調整手段を制御して欠陥部の修正を行なう修正手段（検
査パターンデータ記憶回路15、計算機16等）とを具備し
ている。
は、修正すべきマスク表面に感光層５を設け該マスク表
面を照射する走査ビーム発生手段（エミッタ８）と、該
走査ビームの露光量調整手段（例えば電子ビーム電流制
御回路10等）と、前記マスク表面から発生する２次電子
検出データと正常マスクのデータとを比較することによ
り欠陥部を検出するマスク欠陥検出手段（２次電子検出
器７、２次電子信号処理回路12、基準パターンデータ保
持回路13、パターン欠陥検出回路14等）と、該マスク欠
陥検出手段による欠陥部のデータに基づいて前記露光量
調整手段を制御して欠陥部の修正を行なう修正手段（検
査パターンデータ記憶回路15、計算機16等）とを具備し
ている。
なお、前記実施例ではＸ線マスク修正について説明し
たが本発明はこれに限定されない。
たが本発明はこれに限定されない。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明では１つの走査装置によ
りマスク欠陥部検出と修正の両作用を行なうため検査修
正のための装置が簡素化され、また修正作業が効率良く
達成できるとともに装置全体の価格の低減が図られる。
また透明欠陥部（欠損パターン）と不透明欠陥部（不要
パターン）の修正が１度のビーム走査でできるためマス
ク修正時間が短縮されるとともに検査時のデータ保存が
不要となり修正用回路が簡素化する。
りマスク欠陥部検出と修正の両作用を行なうため検査修
正のための装置が簡素化され、また修正作業が効率良く
達成できるとともに装置全体の価格の低減が図られる。
また透明欠陥部（欠損パターン）と不透明欠陥部（不要
パターン）の修正が１度のビーム走査でできるためマス
ク修正時間が短縮されるとともに検査時のデータ保存が
不要となり修正用回路が簡素化する。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図は従来のマス
ク検査装置の構成図である。 1:マスクフレーム、 2:マスク基板、 3:マスクパターン、 4:マスク、 5:感光層、 6:電子ビーム、 7:2次電子検出器、 8:エミッタ、 10:電子ビーム電流制御回路、 11:偏向制御回路、 12:2次電子信号処理回路、 13:基準パターンデータ保持回路、 14:パターン欠陥検出回路、 15:検査パターンデータ記憶回路、 16:計算機。
ク検査装置の構成図である。 1:マスクフレーム、 2:マスク基板、 3:マスクパターン、 4:マスク、 5:感光層、 6:電子ビーム、 7:2次電子検出器、 8:エミッタ、 10:電子ビーム電流制御回路、 11:偏向制御回路、 12:2次電子信号処理回路、 13:基準パターンデータ保持回路、 14:パターン欠陥検出回路、 15:検査パターンデータ記憶回路、 16:計算機。
Claims (6)
- 【請求項１】表面に感光層を設けたマスクを照射する走
査ビーム発生手段と、該走査ビームの露光量調整手段
と、前記マスク表面から放出される検出データと正常マ
スクのデータとを比較することにより、欠陥部を検出す
るマスク欠陥検出手段と、該マスク欠陥検出手段による
欠陥部のデータに基づいて前記露光量調整手段を制御し
て欠陥部の修正を行なう修正手段とを具備したことを特
徴とするマスク修正装置。 - 【請求項２】前記露光量調整手段は、マスク欠陥検出時
には前記感光層が実質上感光しない程度の露光量とし、
マスク修正時には該感光層が感光する程度に露光量を増
加するように制御されることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のマスク修正装置。 - 【請求項３】前記走査ビームの電流量を変化することに
より露光量を変化させることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載のマスク修正装置。 - 【請求項４】前記走査ビームの走査速度を変化すること
により露光量を変化させることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のマスク修正装置。 - 【請求項５】前記走査ビームの走査回数を変化すること
により露光量を変化させることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のマスク修正装置。 - 【請求項６】前記修正手段は、マスク欠陥がパターンの
欠損および不要パターンの付着のいずれかに応じて前記
露光量調整手段を制御可能であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項記載の
マスク修正装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6975888A JP2525221B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正装置 |
| US07/328,459 US4906326A (en) | 1988-03-25 | 1989-03-24 | Mask repair system |
| EP89303016A EP0334680B1 (en) | 1988-03-25 | 1989-03-28 | Mask repair system |
| DE68923638T DE68923638T2 (de) | 1988-03-25 | 1989-03-28 | Korrekturverfahren für Maske. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6975888A JP2525221B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244461A JPH01244461A (ja) | 1989-09-28 |
| JP2525221B2 true JP2525221B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=13412017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6975888A Expired - Fee Related JP2525221B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525221B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6975888A patent/JP2525221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01244461A (ja) | 1989-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |