JPH03235949A - マスク検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細加工に用いるマスクの検査方法に関するも
のである。

［従来の技術およびその課題］ 従来、マスクの検査においては、マスク全面に光を照射
し、透過光による像からパターンの位置・形状を認識し
、原図情報または他のマスクに光を照射して得られる像
と比較することによりマスクの欠陥を検出していた。し
かし、パターン寸法が光の波長またはそれ以下に微細化
してくると、こうした方法で欠陥を検出するのは原理的
にも限界になった。

そこで近年では、マスク全面に電子線を走査し、検出器
により２次電子または反射電子を検出し、検出器出力信
号からパターンの位置・形状を認識し、原図情報または
他のマスク全面に電子線を走査して得られるパターン・
位置と比較することにより、マスクの欠陥を検出する方
法が行われている。

第２図はその方法を示したもので、電子線１によりマス
ク２全面に走査３を行い、検出器４によって信号波形５
を得、この信号波形５からマスク２上のパターン６と欠
陥７を判定する。

しかしこの方法では、マスク全面を電子線で走査するの
に時間がかかるうえに、信号波形５からパターン６と欠
陥７を区別するためには複雑な演算による判定が必要で
あるという問題点があった。

本発明の目的は、上記のような従来の課題を解決し、マ
スク検査に要する時間の短縮されたマスク検査方法を提
供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、マスク上に光または荷電粒子線を走査し、検
出器により反射光、透過光、２次電子、反射荷電粒子ま
たは透過荷電粒子を検出し、検出器出力信号からパター
ンの有無を検出するマスク検査方法において、原図情報
を基にマスク上のパターン部のみを走査し、検出器出力
の大小からパターンの有無を判定することを特徴とする
マスク検査方法である。

［作用］ 検査に用いる照射線には光または荷電粒子線があるが、
検査の原理は同じなので、以下、電子線を用いて説明す
る。

第１図は本発明の方法を示したもので、電子線１により
原図情報に基づき、マスク２のパターン６上のみに走査
３を行う。この結果、検出器４によって欠陥７の部分の
みを示す信号波形５を得ることができ、パターン６と欠
陥７を区別する演算は必要でなくなる。

［実施例］ 以下に本発明の実施例を示す。

２卯厚のシリコン窒化膜上に１卯厚のタンタルで形成さ
れたパターンを有する２ｃｍ角のマスク上を、加速電圧
２００　ｋＶの電子線により走査し、マスクを透過した
電子をシンチレータと光電子増倍管からなる検出器で検
出した。パターンはマスク全面の半分の面積を占めてい
た。走査に要した時間は２時間であり、走査終了と同時
に０．１１１ｍの欠陥の位置を得て、マスク検査を終了
した。このように、従来の方法によるマスク検査に比べ
て、検査時間が大巾に短縮した。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の方法によれば、マスク上
のパターンの部分のみを走査することにより、走査時間
を短縮できるうえに、欠陥判定演算処理が不要となるた
めにマスク検査時間を短縮できる効果を有するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるマスク検査方法の一例を示す説明
図、第２図は従来例によるマスク検査方法の一例を示す
説明図である。 １・・・電子線　　　　　２・・・マスク３・・・走査
　　　　　　４・・・検出器５・・・信号波形　　　　
６・・・パターン７・・・欠陥

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）マスク上に光または荷電粒子線を走査し、検出器
   により反射光、透過光、２次電子、反射荷電粒子または
   透過荷電粒子を検出し、検出器出力信号からパターンの
   有無を検出するマスク検査方法において、原図情報を基
   にマスク上のパターン部のみを走査し、検出器出力の大
   小からパターンの有無を判定することを特徴とするマス
   ク検査方法。