JPH0675363A - ホトマスクの欠損部の修正方法 - Google Patents
ホトマスクの欠損部の修正方法Info
- Publication number
- JPH0675363A JPH0675363A JP3353893A JP3353893A JPH0675363A JP H0675363 A JPH0675363 A JP H0675363A JP 3353893 A JP3353893 A JP 3353893A JP 3353893 A JP3353893 A JP 3353893A JP H0675363 A JPH0675363 A JP H0675363A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ホトマスクのパターン層の欠損部
を修正する方法に関するもので、その修正時間を短縮す
るとともに、形成した修正膜が洗浄などで剥れる問題点
を解消することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、欠損部５を修正する方法として、
まず、欠損部５に収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により
間隙のある形状のカーボン薄膜１を形成し、その後、レ
ーザー照射法により間隙をＣｒ薄膜２で埋めるようにし
たものである。
を修正する方法に関するもので、その修正時間を短縮す
るとともに、形成した修正膜が洗浄などで剥れる問題点
を解消することを目的とするものである。 【構成】 本発明は、欠損部５を修正する方法として、
まず、欠損部５に収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により
間隙のある形状のカーボン薄膜１を形成し、その後、レ
ーザー照射法により間隙をＣｒ薄膜２で埋めるようにし
たものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの製
造におけるリソグラフィ工程の露光装置に用いられるホ
トマスクの遮光パターン層の欠損部の修正方法に関する
ものである。
造におけるリソグラフィ工程の露光装置に用いられるホ
トマスクの遮光パターン層の欠損部の修正方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ホトマスク（以下、単にマスクと称
す。）は周知のように、半導体装置などの製造におい
て、リソグラフィ工程で基板上にパターンを形成する
際、露光装置で使用されるパターンの原版になるもので
ある。
す。）は周知のように、半導体装置などの製造におい
て、リソグラフィ工程で基板上にパターンを形成する
際、露光装置で使用されるパターンの原版になるもので
ある。
【０００３】このマスクは通常、図３に示すように、ガ
ラス基板（ＳｉＯ2 ）３の上に遮光パターン層４が形成
されている。この遮光パターン層４の形成工程は、ガラ
ス基板３の上に遮光パターン層４としてクローム（Ｃ
ｒ）薄膜を塗布する工程と、その後このＣｒ薄膜をパタ
ーニングする工程とからなる。
ラス基板（ＳｉＯ2 ）３の上に遮光パターン層４が形成
されている。この遮光パターン層４の形成工程は、ガラ
ス基板３の上に遮光パターン層４としてクローム（Ｃ
ｒ）薄膜を塗布する工程と、その後このＣｒ薄膜をパタ
ーニングする工程とからなる。
【０００４】この遮光パターン層４に図３に示すような
穴が開いた欠損欠陥（以下、欠損部と称す。）５があ
り、この欠損部５から下地のガラス基板３が露出してい
る場合、この欠損部５を修正、すなわち埋めなければな
らない。
穴が開いた欠損欠陥（以下、欠損部と称す。）５があ
り、この欠損部５から下地のガラス基板３が露出してい
る場合、この欠損部５を修正、すなわち埋めなければな
らない。
【０００５】従来、このような修正方法としては以下に
述べる方法がある。なお、図３で示した、ガラス基板３
は、省略する。
述べる方法がある。なお、図３で示した、ガラス基板３
は、省略する。
【０００６】一つの方法としては、図４に示すＦＩＢ
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビー
ム）法である。
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：収束イオンビー
ム）法である。
【０００７】この方法は、ガス銃１１からプロセスガス
１２を上述の遮光パターン層の欠損部５近傍に放出す
る。放出されたプロセスガス１２は、イオンソース１３
から照射されるイオンビーム１４により、分解、重合さ
れ欠損部５にカーボン薄膜が形成され、欠損部５が埋め
られる。このカーボン薄膜の膜厚は、遮光パターン層の
透過率と同じ透過率となるように設定される。
１２を上述の遮光パターン層の欠損部５近傍に放出す
る。放出されたプロセスガス１２は、イオンソース１３
から照射されるイオンビーム１４により、分解、重合さ
れ欠損部５にカーボン薄膜が形成され、欠損部５が埋め
られる。このカーボン薄膜の膜厚は、遮光パターン層の
透過率と同じ透過率となるように設定される。
【０００８】もう一つの方法は、図５に示すレーザー
（Ｌａｓｅｒ）照射法である。
（Ｌａｓｅｒ）照射法である。
【０００９】この方法は、遮光パターン層の欠損部５に
プロセスガス１６を放出し、レーザー１７の照射により
欠損部５内にＣｒ薄膜２を形成して埋めるものである。
プロセスガス１６を放出し、レーザー１７の照射により
欠損部５内にＣｒ薄膜２を形成して埋めるものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホトマスクの欠損部の修正方法として、ＦＩＢ法では、
イオンビームの直径が微小（約０．１μｍφ）であるた
め、欠損部が大きくなるに従いカーボン薄膜の形成に時
間がかかる、つまりは欠損部の修正に時間がかかるとい
う問題点がある。また、レーザー照射法では、Ｃｒ薄膜
とガラス基板（ＳｉＯ2 ）との密着性が弱いため、欠損
部が大きくなるに従い欠損部に形成されたＣｒ薄膜が洗
浄等時に剥がれるという問題点がある。さらに、Ｃｒ薄
膜形成時において、ＳｉＯ2 の熱伝導率がＣｒ薄膜の熱
伝導率より低いため、Ｃｒ薄膜にクラックが発生する可
能性があるという問題点があった。
ホトマスクの欠損部の修正方法として、ＦＩＢ法では、
イオンビームの直径が微小（約０．１μｍφ）であるた
め、欠損部が大きくなるに従いカーボン薄膜の形成に時
間がかかる、つまりは欠損部の修正に時間がかかるとい
う問題点がある。また、レーザー照射法では、Ｃｒ薄膜
とガラス基板（ＳｉＯ2 ）との密着性が弱いため、欠損
部が大きくなるに従い欠損部に形成されたＣｒ薄膜が洗
浄等時に剥がれるという問題点がある。さらに、Ｃｒ薄
膜形成時において、ＳｉＯ2 の熱伝導率がＣｒ薄膜の熱
伝導率より低いため、Ｃｒ薄膜にクラックが発生する可
能性があるという問題点があった。
【００１１】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、Ｃｒ薄膜の剥がれがなく、欠損部の修正時間が
短縮でき、かつＣｒ薄膜にクラックが発生しないホトマ
スクの欠損部の修正方法を提供することを目的とする。
であり、Ｃｒ薄膜の剥がれがなく、欠損部の修正時間が
短縮でき、かつＣｒ薄膜にクラックが発生しないホトマ
スクの欠損部の修正方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、第１の発明のホトマスクの欠損部の修正方法は、
ＦＩＢ法により欠損部に間隙のあるカーボン薄膜を形成
し、その後、レーザー照射法により、この間隙をＣｒで
埋めるようにし欠損部を修正する。また、第２の発明の
ホトマスクの欠損部の修正方法は、ＦＩＢ法により欠損
部の全面に遮光パターン層の透過率以上の透過率となる
ように設定された膜厚でカーボン薄膜を形成し、その
後、レーザー照射法により、このカーボン薄膜上にＣｒ
薄膜を形成し欠損部を修正する。
めに、第１の発明のホトマスクの欠損部の修正方法は、
ＦＩＢ法により欠損部に間隙のあるカーボン薄膜を形成
し、その後、レーザー照射法により、この間隙をＣｒで
埋めるようにし欠損部を修正する。また、第２の発明の
ホトマスクの欠損部の修正方法は、ＦＩＢ法により欠損
部の全面に遮光パターン層の透過率以上の透過率となる
ように設定された膜厚でカーボン薄膜を形成し、その
後、レーザー照射法により、このカーボン薄膜上にＣｒ
薄膜を形成し欠損部を修正する。
【００１３】
【作用】上述した第１及び第２の発明では、ＦＩＢ法に
より遮光パターン層の欠損部にカーボン薄膜を部分的
に、または薄く形成するため、修正時間を短縮でき、か
つ、レーザー照射法により遮光パターン層の材料からな
る薄膜をカーボン薄膜に密着するように形成するため、
この遮光パターン層の材料からなる薄膜、例えば、Ｃｒ
薄膜の剥がれがなくなり、かつＣｒ薄膜は、ガラス基板
（ＳｉＯ2 ）と部分的または全く密着しないように形成
するため、ＳｉＯ2 の熱伝導率が低いことによるＣｒ薄
膜のクラック発生は防止できる。
より遮光パターン層の欠損部にカーボン薄膜を部分的
に、または薄く形成するため、修正時間を短縮でき、か
つ、レーザー照射法により遮光パターン層の材料からな
る薄膜をカーボン薄膜に密着するように形成するため、
この遮光パターン層の材料からなる薄膜、例えば、Ｃｒ
薄膜の剥がれがなくなり、かつＣｒ薄膜は、ガラス基板
（ＳｉＯ2 ）と部分的または全く密着しないように形成
するため、ＳｉＯ2 の熱伝導率が低いことによるＣｒ薄
膜のクラック発生は防止できる。
【００１４】
【実施例】第１の発明の実施例の工程を欠損部の斜視図
として図１に示し、以下に説明をする。
として図１に示し、以下に説明をする。
【００１５】図１（ａ）に示すように、従来技術同様、
遮光パターン層４として例えば、Ｃｒパターンに穴が開
いた欠損部５があり、この欠損部５から下地のガラス基
板３として、例えばＳｉＯ2 が露出している。なお、以
下、ガラス基板３の図示は省略する。
遮光パターン層４として例えば、Ｃｒパターンに穴が開
いた欠損部５があり、この欠損部５から下地のガラス基
板３として、例えばＳｉＯ2 が露出している。なお、以
下、ガラス基板３の図示は省略する。
【００１６】まず、図１（ｂ）に示すように、Ｃｒパタ
ーン４の欠損部５にＦＩＢ法により間隙のあるカーボン
薄膜１を形成する。本実施例では、そのカーボン薄膜１
を格子状としたが、この形状に限るものではなく、間隙
を有する形状ならば良い、その間隙は面積が小さいほど
後工程で形成するＣｒ薄膜２の密着性が良くなる。ただ
し、従来のようにこの膜の形成に長時間かからない程度
の形成量に設定することが肝要である。
ーン４の欠損部５にＦＩＢ法により間隙のあるカーボン
薄膜１を形成する。本実施例では、そのカーボン薄膜１
を格子状としたが、この形状に限るものではなく、間隙
を有する形状ならば良い、その間隙は面積が小さいほど
後工程で形成するＣｒ薄膜２の密着性が良くなる。ただ
し、従来のようにこの膜の形成に長時間かからない程度
の形成量に設定することが肝要である。
【００１７】その後、図１（ｃ）に示すように、次はレ
ーザー照射法により間隙にＣｒ薄膜２を蒸着して埋め
る。同図はその埋め込みの途中を表しているものであ
る。
ーザー照射法により間隙にＣｒ薄膜２を蒸着して埋め
る。同図はその埋め込みの途中を表しているものであ
る。
【００１８】図１（ｄ）は間隙へのＣｒ薄膜２の埋め込
みが完了した図である。すなわち、Ｃｒパターン４の欠
損部５は、カーボン薄膜１とＣｒ薄膜２が埋め込まれて
いる形となっている。
みが完了した図である。すなわち、Ｃｒパターン４の欠
損部５は、カーボン薄膜１とＣｒ薄膜２が埋め込まれて
いる形となっている。
【００１９】次に、第２の発明の実施例について図２を
用いて説明する。この第２の発明は第１の発明に比し
て、遮光パターンの欠損部におけるＣｒ薄膜の剥がれが
よりなくなるようにでき、かつ、ガラス基板（Ｓｉ
Ｏ2 ）の熱伝導率が低いことによるＣｒ薄膜のクラック
発生は、より防止できる。
用いて説明する。この第２の発明は第１の発明に比し
て、遮光パターンの欠損部におけるＣｒ薄膜の剥がれが
よりなくなるようにでき、かつ、ガラス基板（Ｓｉ
Ｏ2 ）の熱伝導率が低いことによるＣｒ薄膜のクラック
発生は、より防止できる。
【００２０】図２（ａ）に示すように、従来技術の説明
の項同様、遮光パターン層４として例えば、Ｃｒパター
ンに穴が開いた欠損部５があり、この欠損部５から下地
のガラス基板３として、例えばＳｉＯ2 が露出してい
る。なお、以下、ガラス基板３の図示は省略する。
の項同様、遮光パターン層４として例えば、Ｃｒパター
ンに穴が開いた欠損部５があり、この欠損部５から下地
のガラス基板３として、例えばＳｉＯ2 が露出してい
る。なお、以下、ガラス基板３の図示は省略する。
【００２１】この欠損部５の修正工程を図２（ｂ）及び
（ｃ）を用いて説明する。
（ｃ）を用いて説明する。
【００２２】まず、図２（ｂ）に示すように、ＦＩＢ法
によりＣｒパターン４の欠損部５に遮光パターン層の透
過率以上の透過率になるように設定された膜厚でカーボ
ン薄膜を全域に均一に蒸着する。この遮光パターン層の
透過率以上の透過率になるようにカーボン薄膜の膜厚を
設定するとは、本実施例のカーボン薄膜の膜厚を従来の
カーボン薄膜の膜厚に比して薄く形成することを意味す
る。なお、本実施例では、ＦＩＢ装置としてＳＩＲ−１
０００（セイコー電子工業製）を使用し、カーボン薄膜
１を例えば、８００〜１０００Å蒸着させた。
によりＣｒパターン４の欠損部５に遮光パターン層の透
過率以上の透過率になるように設定された膜厚でカーボ
ン薄膜を全域に均一に蒸着する。この遮光パターン層の
透過率以上の透過率になるようにカーボン薄膜の膜厚を
設定するとは、本実施例のカーボン薄膜の膜厚を従来の
カーボン薄膜の膜厚に比して薄く形成することを意味す
る。なお、本実施例では、ＦＩＢ装置としてＳＩＲ−１
０００（セイコー電子工業製）を使用し、カーボン薄膜
１を例えば、８００〜１０００Å蒸着させた。
【００２３】次に、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、カーボン薄膜１上にレーザー照射法により、Ｃｒ膜
２を蒸着させる。これによって、欠損部５の修正が終了
する。ここで、レーザー照射装置として、ＤＲＳ−II
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）を使用した。
に、カーボン薄膜１上にレーザー照射法により、Ｃｒ膜
２を蒸着させる。これによって、欠損部５の修正が終了
する。ここで、レーザー照射装置として、ＤＲＳ−II
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）を使用した。
【００２４】上述した遮光パターン層は、Ｃｒパターン
に限定されるものではなく、例えば、ＭｏＳｉ（モリブ
デンシリサイド）でも良い。
に限定されるものではなく、例えば、ＭｏＳｉ（モリブ
デンシリサイド）でも良い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、第１及び第２の発
明のホトマスクの欠損部の修正方法によれば、従来のよ
うにＦＩＢ法のみで遮光パターン層の欠損部を修正する
より修正時間が短くなると共に、従来のようにレーザー
照射法のみで遮光パターン層の欠損部を修正するより遮
光パターン層の材料からなる薄膜の密着性が向上し、洗
浄時等に剥がれるようなことはまず起こらない、また、
遮光パターン層の材料からなる薄膜のクラック発生も防
止できる。
明のホトマスクの欠損部の修正方法によれば、従来のよ
うにＦＩＢ法のみで遮光パターン層の欠損部を修正する
より修正時間が短くなると共に、従来のようにレーザー
照射法のみで遮光パターン層の欠損部を修正するより遮
光パターン層の材料からなる薄膜の密着性が向上し、洗
浄時等に剥がれるようなことはまず起こらない、また、
遮光パターン層の材料からなる薄膜のクラック発生も防
止できる。
【図１】第１の発明のホトマスクの欠損部の修正方法を
説明するための図。
説明するための図。
【図２】第２の発明のホトマスクの欠損部の修正方法を
説明するための図。
説明するための図。
【図３】欠損部を説明するための図。
【図４】従来のＦＩＢ法によるホトマスクの欠損部の修
正方法を説明するための図。
正方法を説明するための図。
【図５】従来のレーザー照射法によるホトマスクの欠損
部の修正方法を説明するための図。
部の修正方法を説明するための図。
１ 補助パターン ２ Ｃｒ薄膜 ３ ガラス基板 ４ Ｃｒパターン ５ 欠損部
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に設けられた遮光パターン
層に欠損がある場合の欠損部の修正方法において、 収束イオンビーム法により前記欠損部内に間隙を有する
カーボン薄膜を形成する工程と、 レーザー照射法により前記間隙をＣr で埋める工程とを
有することを特徴とするホトマスクの欠損部の修正方
法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に設けられた遮光パターン
層に欠損がある場合の欠損部の修正方法において、 収束イオンビーム法により前記欠損部内の全域に前記遮
光パターン層の透過率以上の透過率となるように設定さ
れた膜厚でカーボン薄膜を形成する工程と、 レーザー照射法により前記カーボン薄膜上にＣr 薄膜を
形成する工程とを有することを特徴とするホトマスクの
欠損部の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353893A JPH0675363A (ja) | 1992-07-03 | 1993-02-23 | ホトマスクの欠損部の修正方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-176808 | 1992-07-03 | ||
| JP17680892 | 1992-07-03 | ||
| JP3353893A JPH0675363A (ja) | 1992-07-03 | 1993-02-23 | ホトマスクの欠損部の修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675363A true JPH0675363A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26372247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353893A Pending JPH0675363A (ja) | 1992-07-03 | 1993-02-23 | ホトマスクの欠損部の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675363A (ja) |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3353893A patent/JPH0675363A/ja active Pending
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