JP2658971B2 - フォトマスク欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスク欠陥修正方法Info
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- JP2658971B2 JP2658971B2 JP12352895A JP12352895A JP2658971B2 JP 2658971 B2 JP2658971 B2 JP 2658971B2 JP 12352895 A JP12352895 A JP 12352895A JP 12352895 A JP12352895 A JP 12352895A JP 2658971 B2 JP2658971 B2 JP 2658971B2
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- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- photomask
- ion beam
- focused ion
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク欠陥修正
方法に関し、特に集束イオンビームを用いたＬＳＩ用フ
ォトマスク修正方法に関する。
方法に関し、特に集束イオンビームを用いたＬＳＩ用フ
ォトマスク修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ用フォトマスクは、石英などのガ
ラス基板に遮光膜パターンを形成することにより製造さ
れるが、この遮光膜パターンに欠落欠陥が生じている場
合がある。このような遮光膜の欠落欠陥の修正プロセス
は、集束イオンビームを用いた修正方法が主流となって
いる。
ラス基板に遮光膜パターンを形成することにより製造さ
れるが、この遮光膜パターンに欠落欠陥が生じている場
合がある。このような遮光膜の欠落欠陥の修正プロセス
は、集束イオンビームを用いた修正方法が主流となって
いる。
【０００３】図２は、ガラス基板２０上に形成された遮
光膜２３に遮光膜欠落欠陥２１が存在するフォトマスク
の部分平面図である。このようなフォトマスクの欠落欠
陥部２１の従来の修正方法について、図２のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である図３を用いて説明する。図３に示さ
れるように、被修正部に有機ガス２６を吹き付け吸着さ
せながら集束イオンビーム２２を走査することで、有機
ガスを重合反応させ、カーボン膜からなる修正膜を徐々
に形成するというものである。
光膜２３に遮光膜欠落欠陥２１が存在するフォトマスク
の部分平面図である。このようなフォトマスクの欠落欠
陥部２１の従来の修正方法について、図２のＸ−Ｘ線に
沿った断面図である図３を用いて説明する。図３に示さ
れるように、被修正部に有機ガス２６を吹き付け吸着さ
せながら集束イオンビーム２２を走査することで、有機
ガスを重合反応させ、カーボン膜からなる修正膜を徐々
に形成するというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】形成されたカーボン膜
は、一般的なクロムの遮光膜２３と同等の光学濃度、す
なわち遮光性、を得る場合、クロムの遮光膜に比較して
３倍程度（約３０００オングストローム）の膜厚が必要
となる。このため、従来の修正方法では、修正を完了し
た時の修正跡形状は図４に断面図で示すように修正膜２
７が遮光膜パターンの表面から突出した状態となってし
まう。
は、一般的なクロムの遮光膜２３と同等の光学濃度、す
なわち遮光性、を得る場合、クロムの遮光膜に比較して
３倍程度（約３０００オングストローム）の膜厚が必要
となる。このため、従来の修正方法では、修正を完了し
た時の修正跡形状は図４に断面図で示すように修正膜２
７が遮光膜パターンの表面から突出した状態となってし
まう。
【０００５】半導体製造プロセスでフォトマスクの回路
パターンの転写を行う際には、マスク上の異物までが転
写されることのない様に、事前に表面のゴミ検査及び必
要に応じて洗浄を実施する。ゴミ検査は、レーザ光を走
査して表面から得られる散乱光で異物を検出するレーザ
ゴミ検査機が一般に用いられている。ところが０．５μ
ｍ程度の異物をレーザゴミ検査機で検出しようとする場
合には、従来問題のなかったカーボン膜２７による修正
跡がその遮光膜２３の表面から突出した状態となってい
るため、検出されるという問題が生じてきた。この場合
に異物か修正跡かの判別を即行うことは困難である。判
別を即座に行うためには事前に修正を実施した部分の位
置情報等を得る必要があり、ゴミ検査作業が煩雑になる
という不都合があった。
パターンの転写を行う際には、マスク上の異物までが転
写されることのない様に、事前に表面のゴミ検査及び必
要に応じて洗浄を実施する。ゴミ検査は、レーザ光を走
査して表面から得られる散乱光で異物を検出するレーザ
ゴミ検査機が一般に用いられている。ところが０．５μ
ｍ程度の異物をレーザゴミ検査機で検出しようとする場
合には、従来問題のなかったカーボン膜２７による修正
跡がその遮光膜２３の表面から突出した状態となってい
るため、検出されるという問題が生じてきた。この場合
に異物か修正跡かの判別を即行うことは困難である。判
別を即座に行うためには事前に修正を実施した部分の位
置情報等を得る必要があり、ゴミ検査作業が煩雑になる
という不都合があった。
【０００６】したがって、本発明の目的は、遮光膜と同
等の遮光性を有しながらゴミ検査機で誤検出されること
のない修正膜を形成できるフォトマスク欠陥修正方法を
提供することにある。
等の遮光性を有しながらゴミ検査機で誤検出されること
のない修正膜を形成できるフォトマスク欠陥修正方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク欠
陥修正方法は、ガラス基板上の遮光膜に存在する遮光膜
欠陥部に位置する上記ガラス基板に溝部を形成する工程
と、上記溝部に対して有機ガスを吹き付けながら集束イ
オンビームを走査することによって上記溝部を埋め込む
修正膜を堆積させる工程を有することを特徴としてい
る。
陥修正方法は、ガラス基板上の遮光膜に存在する遮光膜
欠陥部に位置する上記ガラス基板に溝部を形成する工程
と、上記溝部に対して有機ガスを吹き付けながら集束イ
オンビームを走査することによって上記溝部を埋め込む
修正膜を堆積させる工程を有することを特徴としてい
る。
【０００８】
【作用】遮光膜欠陥部に対応してガラス基板に形成され
た溝部を埋め込むように修正膜は形成されるので、十分
な遮光性を持つような厚さを確保しながら遮光膜の表面
と実質的に同じ高さにすることができる。
た溝部を埋め込むように修正膜は形成されるので、十分
な遮光性を持つような厚さを確保しながら遮光膜の表面
と実質的に同じ高さにすることができる。
【０００９】
【実施例】本発明の上記及びその他の目的、特徴及び効
果を明瞭にすべく、以下図面を参照して本発明の実施例
について説明する。
果を明瞭にすべく、以下図面を参照して本発明の実施例
について説明する。
【００１０】図１は、本発明のフォトマスク欠陥修正方
法の一実施例を説明するための工程順の断面図である。
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板４上にクロ
ム（Ｃｒ）等からなる遮光膜３を形成しフォトマスクを
形成する。このフォトマスクの遮光膜３に存在する遮光
膜欠落欠陥部１を囲む領域に集束イオンビーム２を走査
しながら照射しスパッタエッチングを行う。このような
集束イオンビーム２の走査によるスパッタエッチング
で、図１（ｂ）に示されるように、ガラス基板４の表面
部分に掘り込みを行い溝部５を形成する。ここで、ガラ
ス基板４の厚さが２．２〜２．３ｍｍで、遮光膜３とし
て厚さ１０００オングストロームのクロム（Ｃｒ）を用
いたフォトマスクの場合、溝部５の深さは、遮光膜３の
厚さの倍になる２０００オングストローム程度とし、集
束イオンビーム２の電流値と走査回数の制御によりこの
ような深さに掘り下げる。具体的には、例えばガリウム
（Ｇａ）のような液体金属イオン源よりイオンを放出さ
せ加速しフォトマスクに電流値２００〜３００ｐＡで数
分間照射することによって掘り込みを行うことができ
る。
法の一実施例を説明するための工程順の断面図である。
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板４上にクロ
ム（Ｃｒ）等からなる遮光膜３を形成しフォトマスクを
形成する。このフォトマスクの遮光膜３に存在する遮光
膜欠落欠陥部１を囲む領域に集束イオンビーム２を走査
しながら照射しスパッタエッチングを行う。このような
集束イオンビーム２の走査によるスパッタエッチング
で、図１（ｂ）に示されるように、ガラス基板４の表面
部分に掘り込みを行い溝部５を形成する。ここで、ガラ
ス基板４の厚さが２．２〜２．３ｍｍで、遮光膜３とし
て厚さ１０００オングストロームのクロム（Ｃｒ）を用
いたフォトマスクの場合、溝部５の深さは、遮光膜３の
厚さの倍になる２０００オングストローム程度とし、集
束イオンビーム２の電流値と走査回数の制御によりこの
ような深さに掘り下げる。具体的には、例えばガリウム
（Ｇａ）のような液体金属イオン源よりイオンを放出さ
せ加速しフォトマスクに電流値２００〜３００ｐＡで数
分間照射することによって掘り込みを行うことができ
る。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように、溝部５に
有機ガス５を吹き付け吸着させながら集束イオンビーム
を走査することによって有機ガス６を重合反応させカー
ボン膜からなる修正膜７を堆積させる。有機ガス５とし
ては、炭素を多く含んでいるものが好ましく、一例とし
て、常温では固体のピレンを気化させて用いることが考
えられる。集束イオンビームは溝部２の形成に用いた集
束イオンビーム２と同じ集束イオンビーム装置を用いる
ことができ、カーボン膜堆積のためのその電流値は例え
ば１００〜１５０ｐＡとする。カーボン膜を遮光膜３と
同じ高さ迄堆積させたところで修正を停止させると修正
跡形状は、図１（ｄ）に示すようになる。直径２μｍ程
度の遮光膜欠落欠陥部１に対しては、例えば３〜５分間
程度の堆積時間で遮光膜３と同じ高さ迄堆積され修正膜
３が形成される。
有機ガス５を吹き付け吸着させながら集束イオンビーム
を走査することによって有機ガス６を重合反応させカー
ボン膜からなる修正膜７を堆積させる。有機ガス５とし
ては、炭素を多く含んでいるものが好ましく、一例とし
て、常温では固体のピレンを気化させて用いることが考
えられる。集束イオンビームは溝部２の形成に用いた集
束イオンビーム２と同じ集束イオンビーム装置を用いる
ことができ、カーボン膜堆積のためのその電流値は例え
ば１００〜１５０ｐＡとする。カーボン膜を遮光膜３と
同じ高さ迄堆積させたところで修正を停止させると修正
跡形状は、図１（ｄ）に示すようになる。直径２μｍ程
度の遮光膜欠落欠陥部１に対しては、例えば３〜５分間
程度の堆積時間で遮光膜３と同じ高さ迄堆積され修正膜
３が形成される。
【００１２】本実施例によって形成した修正膜７は、掘
り込んだ溝部５の深さと遮光膜３の厚さを足した厚さ
が、ここでは３０００オングストロームとなり、１００
０オングストロームの遮光膜３と比較しても十分な遮光
性を持っている。しかも、遮光膜３と比べて遮光膜パタ
ーン表面に突出することは皆無となる。したがって、従
来０．５μｍ感度のゴミ検査で１００％誤検出されてい
たものが、本発明の本実施例によれば、０．３μｍ感度
のゴミ検査でも誤検出率が０％となる。その結果、６４
Ｍ、２５６ＭＤＲＡＭ等の最先端デバイスの製造に対応
可能となる。
り込んだ溝部５の深さと遮光膜３の厚さを足した厚さ
が、ここでは３０００オングストロームとなり、１００
０オングストロームの遮光膜３と比較しても十分な遮光
性を持っている。しかも、遮光膜３と比べて遮光膜パタ
ーン表面に突出することは皆無となる。したがって、従
来０．５μｍ感度のゴミ検査で１００％誤検出されてい
たものが、本発明の本実施例によれば、０．３μｍ感度
のゴミ検査でも誤検出率が０％となる。その結果、６４
Ｍ、２５６ＭＤＲＡＭ等の最先端デバイスの製造に対応
可能となる。
【００１３】なお、上述した実施例では、遮光膜欠落欠
陥部１を含む領域に集束イオンビーム２を走査しながら
照射しスパッタエッチングを行ったが、真空中で塩素な
どの反応性ガスを併用したガスアシストエッチングを用
いることもできる。このようなガスアシストエッチング
を用いると、集束イオンビームが照射されている部分に
おいて反応性ガスによる化学的エッチングも同時に起き
るので、エッチング速度が向上して２割程度エッチング
時間を短縮できる。よって、より短時間で基板掘り込み
加工を完了することができる。
陥部１を含む領域に集束イオンビーム２を走査しながら
照射しスパッタエッチングを行ったが、真空中で塩素な
どの反応性ガスを併用したガスアシストエッチングを用
いることもできる。このようなガスアシストエッチング
を用いると、集束イオンビームが照射されている部分に
おいて反応性ガスによる化学的エッチングも同時に起き
るので、エッチング速度が向上して２割程度エッチング
時間を短縮できる。よって、より短時間で基板掘り込み
加工を完了することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の集束イオン
ビームを用いたフォトマスク欠陥修正方法は、遮光膜欠
落欠陥部の修正において、一旦遮光膜欠落部を含む領域
について遮光膜下のガラス基板の掘り込みを行った後、
カーボン膜の堆積修正を行うことにより表面の凹凸のな
い欠陥修正形状が得られる。その結果、レーザゴミ検査
機によるフォトマスクの異物検査実行時の欠陥修正跡の
誤検出をなくすことができる。
ビームを用いたフォトマスク欠陥修正方法は、遮光膜欠
落欠陥部の修正において、一旦遮光膜欠落部を含む領域
について遮光膜下のガラス基板の掘り込みを行った後、
カーボン膜の堆積修正を行うことにより表面の凹凸のな
い欠陥修正形状が得られる。その結果、レーザゴミ検査
機によるフォトマスクの異物検査実行時の欠陥修正跡の
誤検出をなくすことができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程順の断
面図。
面図。
【図２】遮光膜欠落欠陥部を有するフォトマスクの部分
平面図。
平面図。
【図３】従来の集束イオンビームによる修正方法を説明
するための図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図。
するための図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図。
【図４】従来の遮光膜欠落欠陥部の修正跡形状を示す断
面図。
面図。
１ 遮光膜欠落欠陥部 ２ 集束イオンビーム ３ 遮光膜 ４ ガラス基板 ５ 溝部 ６ 有機ガス ７ 修正膜
Claims (6)
- 【請求項１】 フォトマスクへの有機ガスの吸着と集束
イオンビームの走査を同時に行うことで修正膜を形成す
るフォトマスク欠陥修正方法において、フォトマスクの
被修正部分のガラス基板に所定の深さの掘り込みを行っ
た後に前記修正膜を形成することを特徴とするフォトマ
スク欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記所定深さの掘り込みを集束イオンビ
ームの走査により行うことを特徴とする請求項１記載の
フォトマスク欠陥修正方法。 - 【請求項３】 前記所定深さの掘り込みを反応性ガスを
併用したガスアシストエッチングにより行うことを特徴
とする請求項２記載のフォトマスク欠陥修正方法。 - 【請求項４】 ガラス基板上に遮光膜を形成する工程
と、前記遮光膜に存在する遮光膜欠陥部に位置する前記
ガラス基板に溝部を形成する工程と、前記溝部に対して
有機ガスを吹き付けながら集束イオンビームを走査する
ことによって前記溝部を埋め込み前記遮光膜の表面と実
質的に同じ高さまで修正膜を堆積させる工程とを有する
フォトマスク形成方法。 - 【請求項５】 集束イオンビームを走査することによっ
て前記溝部を形成することを特徴とする請求項４記載の
フォトマスク形成方法。 - 【請求項６】 反応性ガスを併用しながら前記集束イオ
ンビームを走査することによるガスアシストエッチング
によって前記溝部を形成することを特徴とする請求項４
又は請求項５記載のフォトマスク形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352895A JP2658971B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352895A JP2658971B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08314119A JPH08314119A (ja) | 1996-11-29 |
| JP2658971B2 true JP2658971B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=14862850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12352895A Expired - Lifetime JP2658971B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658971B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4364420B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2009-11-18 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法 |
| US10845699B2 (en) * | 2017-11-29 | 2020-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming photomask and photolithography method |
-
1995
- 1995-05-23 JP JP12352895A patent/JP2658971B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08314119A (ja) | 1996-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970506 |