JPS60211849A - 導電膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導電膜パタ−ンの形成方法Info
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- JPS60211849A JPS60211849A JP59067964A JP6796484A JPS60211849A JP S60211849 A JPS60211849 A JP S60211849A JP 59067964 A JP59067964 A JP 59067964A JP 6796484 A JP6796484 A JP 6796484A JP S60211849 A JPS60211849 A JP S60211849A
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- Japan
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- conductive film
- mask
- pattern
- film
- oxygen
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、例えば半導体基体の表面に配線パターンを形
成するように、基体上の導電膜のパターンを形成する方
法に関する。
成するように、基体上の導電膜のパターンを形成する方
法に関する。
基体上に導電膜パターンを形成するには、パターンに対
応する開口部を有するマスクを用いて蒸着法あるいはス
パッタリング法により所要の頌域のみ導電側斜を堆積さ
せる方法と、基体表面に蒸着法あるいはスパッタリング
法により導電膜を全面に被着した後、フォトリングラフ
ィ技術により不要部をエツチング除去する方法とが知ら
れている。しかし微細なパターンを形成するためＫは、
マスクを用いる方法では堆積粒子のマスク下側への廻り
込みなどが障害となシ、フォトエツチングによる方法で
はレジストへのパターン転写技術および導電膜のエツチ
ング技術に対する要求が尚度となり、困難が伴った。特
に導電膜のエツチングには、ガスプラズマ中のイオンを
利用したドライエツチング法が必須の技術となるが、そ
の管理の困難さが問題となっている。さらにこれらの方
法のもつ一つの大きな問題は、形成された導電膜のパタ
ーンとパターンの存在しない部分との間に基体表面に凹
凸が生じ、この上に別の層によシ第二のパターンを形成
するとき、凹凸部での段差被覆性が不充分なため、例え
は配線パターンの場合に断線が生ずることがあった。
応する開口部を有するマスクを用いて蒸着法あるいはス
パッタリング法により所要の頌域のみ導電側斜を堆積さ
せる方法と、基体表面に蒸着法あるいはスパッタリング
法により導電膜を全面に被着した後、フォトリングラフ
ィ技術により不要部をエツチング除去する方法とが知ら
れている。しかし微細なパターンを形成するためＫは、
マスクを用いる方法では堆積粒子のマスク下側への廻り
込みなどが障害となシ、フォトエツチングによる方法で
はレジストへのパターン転写技術および導電膜のエツチ
ング技術に対する要求が尚度となり、困難が伴った。特
に導電膜のエツチングには、ガスプラズマ中のイオンを
利用したドライエツチング法が必須の技術となるが、そ
の管理の困難さが問題となっている。さらにこれらの方
法のもつ一つの大きな問題は、形成された導電膜のパタ
ーンとパターンの存在しない部分との間に基体表面に凹
凸が生じ、この上に別の層によシ第二のパターンを形成
するとき、凹凸部での段差被覆性が不充分なため、例え
は配線パターンの場合に断線が生ずることがあった。
本発明は、上記の種々の問題点を解決し、基体上に凹凸
が生ずることの々いように導電膜パターンを形成し、し
妙・も微細なパターンも容易に得られるような方法を提
供する仁とを目的とする。
が生ずることの々いように導電膜パターンを形成し、し
妙・も微細なパターンも容易に得られるような方法を提
供する仁とを目的とする。
本発明によれば、基体上に導電膜を被着した後、その導
電膜に酸素を含む芽囲気を接触させ、導電膜直上に配置
され、所期のパターンと同一の遮光パターンを有するマ
スクを通し、て光を照射して雰囲気中に酸素イオンを生
成し、電界により酸素イオンを加速して導電膜に打ち当
て、導電膜を酸化して絶縁酸化膜に変換することによっ
て上記の目的が達成される。酸素のイオン化のための照
射光としては波長１０００Ａ以下の紫外光を用いること
が有効でおる。
電膜に酸素を含む芽囲気を接触させ、導電膜直上に配置
され、所期のパターンと同一の遮光パターンを有するマ
スクを通し、て光を照射して雰囲気中に酸素イオンを生
成し、電界により酸素イオンを加速して導電膜に打ち当
て、導電膜を酸化して絶縁酸化膜に変換することによっ
て上記の目的が達成される。酸素のイオン化のための照
射光としては波長１０００Ａ以下の紫外光を用いること
が有効でおる。
以下、本発明の実施のだめの装置を示す第１図を引用し
てシリコン基板上にアルミニウム膜パターンを形成する
実施例について説明する。蒸着法あるいはスパッタリン
グ法により上面にアルミニウム膜が堆積されたシリコン
基板１は反応室２の底部上の陽極板３の上に載置され、
陽極板３は底部に内蔵されるヒータ４により２００℃に
加熱されている。シリコン基板１の直上１鴎の位置にマ
スク５が対向し、さらにその上方に中央に開口部を有す
る陰極板６が配置されている。マスク５は、形成すべき
導電膜のパターンに対応する領域が、例えばクロムによ
って遮光パターン５１となっている石英板である。１ず
反応室２内を直壁ポンプ７によｐ排気して０．０１ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空にしたのチ、酸素ボンベ８よシマスフ
ロメータ９によって流量制御された酸素ガス全導入して
０．１Ｔｏｒｒの圧力に保つ。そこへ波長８００〜９０
０Ａに選択されたＳＯＲ光（シンクロトロン軌道輻射光
）１０をレンズ１１によシマスフ５を通して基板１上に
焦点を結ぶように入射させる。基板１直上で２ ＭＷ／
ｃｔＡのパワー密度を有する高密度遠紫外光により酸素
がイオン化され、生じた酸素イオンは陽極板３と陰極板
６に直流電源１２に、暫シ印加される直流バイアスによ
シ加速されて基板１上のアルミニウム膜に打込まれ、照
射時間１時間で５００ＯＡのアルミニウム膜は絶縁性酸
化アルミニウム膜に完全に変換される。この結果シリコ
ン基板１の表面はほぼ同じ厚さのアルミニウム導電膜２
１と酸化アルミニウム絶縁膜２２で覆われ、アルミニウ
ム導′ｒ４Ｌ膜２１はマスク５の遮光パターン５１に対
応するパターンを有する。
てシリコン基板上にアルミニウム膜パターンを形成する
実施例について説明する。蒸着法あるいはスパッタリン
グ法により上面にアルミニウム膜が堆積されたシリコン
基板１は反応室２の底部上の陽極板３の上に載置され、
陽極板３は底部に内蔵されるヒータ４により２００℃に
加熱されている。シリコン基板１の直上１鴎の位置にマ
スク５が対向し、さらにその上方に中央に開口部を有す
る陰極板６が配置されている。マスク５は、形成すべき
導電膜のパターンに対応する領域が、例えばクロムによ
って遮光パターン５１となっている石英板である。１ず
反応室２内を直壁ポンプ７によｐ排気して０．０１ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空にしたのチ、酸素ボンベ８よシマスフ
ロメータ９によって流量制御された酸素ガス全導入して
０．１Ｔｏｒｒの圧力に保つ。そこへ波長８００〜９０
０Ａに選択されたＳＯＲ光（シンクロトロン軌道輻射光
）１０をレンズ１１によシマスフ５を通して基板１上に
焦点を結ぶように入射させる。基板１直上で２ ＭＷ／
ｃｔＡのパワー密度を有する高密度遠紫外光により酸素
がイオン化され、生じた酸素イオンは陽極板３と陰極板
６に直流電源１２に、暫シ印加される直流バイアスによ
シ加速されて基板１上のアルミニウム膜に打込まれ、照
射時間１時間で５００ＯＡのアルミニウム膜は絶縁性酸
化アルミニウム膜に完全に変換される。この結果シリコ
ン基板１の表面はほぼ同じ厚さのアルミニウム導電膜２
１と酸化アルミニウム絶縁膜２２で覆われ、アルミニウ
ム導′ｒ４Ｌ膜２１はマスク５の遮光パターン５１に対
応するパターンを有する。
本発明は、上記のアルミニウム膜の実施例にとどまらず
、酸化により絶縁物を形成する材料からなる導電膜、例
えばＴｉ 、 Ｚｎ ＋Ｗ、Ｍｏ 、 Ｆｅ＋多結晶Ｓ
ｉ。
、酸化により絶縁物を形成する材料からなる導電膜、例
えばＴｉ 、 Ｚｎ ＋Ｗ、Ｍｏ 、 Ｆｅ＋多結晶Ｓ
ｉ。
多結晶Ｇｅなどの膜からなる導電膜パターンの形成にも
同様に実施できる。
同様に実施できる。
本発明は、所望パターンを遮光パターンとするマスクを
透過した光をイオン化光とする陽極酸化法により基体上
の光により照射された領域の導電膜を絶縁性の酸化膜に
変換し、変換されない導電膜によって所望パターンを形
成するもので、マスクパターンに忠実な微細の導電膜パ
ターンがフォトリングラフィ工程を必要とすることなく
形成でき、しかも基体表面は導電膜と絶縁膜により極め
て少ない凹凸でαわれているので、上層の形成に支障な
く、半導体工業はもちろん各種工業に極めて有効に適用
できる。
透過した光をイオン化光とする陽極酸化法により基体上
の光により照射された領域の導電膜を絶縁性の酸化膜に
変換し、変換されない導電膜によって所望パターンを形
成するもので、マスクパターンに忠実な微細の導電膜パ
ターンがフォトリングラフィ工程を必要とすることなく
形成でき、しかも基体表面は導電膜と絶縁膜により極め
て少ない凹凸でαわれているので、上層の形成に支障な
く、半導体工業はもちろん各種工業に極めて有効に適用
できる。
第１図は本発明の一実施例に用いる装置の断面図である
。 １・・・・・ シリコン基板、２・・・・・・反応室、
３・・・陽極板、５・・・・・マスク、５１・・・・・
・遮光パターン、６・・・・陰極板、８ ・・・・酸素
ボンベ、１０・・・・ ＳＯＲ光、２１・・・・・・導
電膜パターン、２２・・・・・絶縁膜。
。 １・・・・・ シリコン基板、２・・・・・・反応室、
３・・・陽極板、５・・・・・マスク、５１・・・・・
・遮光パターン、６・・・・陰極板、８ ・・・・酸素
ボンベ、１０・・・・ ＳＯＲ光、２１・・・・・・導
電膜パターン、２２・・・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体上に導電膜を被着した後、該導電膜に酸素を含
む昇囲気を接触させ、前記導電膜直上に配置され、所期
のパターンと同一の遮光パターンを有するマスクを通し
て光を照射して雰囲気中Ｋｍ素イオンを生成し、該酸素
イオンを電界により加速して前記導電膜に打ち轟て、導
電腕を酸化して絶縁酸化膜に髪換することを４！徴とす
る導電膜パターンの形成方法。 ２、特許請求の範囲記１項記載の方法において、照射さ
れる光が波長１０００Ａ以下の紫外光であることを特徴
とする導電膜パターンの形式方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067964A JPS60211849A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067964A JPS60211849A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211849A true JPS60211849A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13360155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067964A Pending JPS60211849A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277120A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59067964A patent/JPS60211849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277120A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
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