JP4523892B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
12 真空容器
14 永久磁石
16 上蓋
18 ガス導入口
20 排気ポンプ
22 電極
24 試料ステージ
26 アンテナ
28 基板取付部
30 被エッチング材料
32 高周波電源
Claims (6)
- 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極を備え、前記真空容器にマイクロ波を放射し、前記真空容器を共振器としてその真空容器内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置を設け、前記真空容器内の一方の電極側に設けられ所定のマスクが施された被エッチング材料を前記プラズマによりドライエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記一対の電極は、前記真空容器内での前記マイクロ波の管内波長のn/2(nは自然数)倍の間隔を隔てて配置され、前記一対の電極のうち前記一方の電極が試料ステージと兼ねて設けられ、他方の電極は前記真空容器の蓋の内側に設けられており、
前記真空容器にマイクロ波を放射するアンテナは、前記電極が設けられた前記上蓋から前記マイクロ波の管内波長の1/4の長さ離れた位置に固定され、
前記アンテナの位置は、前記真空容器内の前記マイクロ波の電磁界モードのうち、TE01モードでの電界強度の値がほぼ最大となる位置であり、
前記被エッチング材料をポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を0.01Pa以上0.2Pa以下の条件で、前記プラズマ処理装置の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、前記ポリマー材料に平滑加工面を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記試料ステージの電力密度を0.3W/cm 2 以上5W/cm 2 以下にし、前記試料ステージに供給する電力の周波数を、1.0MHz以上13.56MHz以下にする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極を備え、前記真空容器にマイクロ波を放射し、前記真空容器を共振器としてその真空容器内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置を設け、前記真空容器内の一方の電極側に設けられ所定のマスクが施された被エッチング材料を前記プラズマによりドライエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記一対の電極は、前記真空容器内での前記マイクロ波の管内波長のn/2(nは自然数)倍の間隔を隔てて配置され、前記一対の電極のうち前記一方の電極が試料ステージと兼ねて設けられ、他方の電極は前記真空容器の蓋の内側に設けられており、
前記真空容器にマイクロ波を放射するアンテナは、前記電極が設けられた前記上蓋から前記マイクロ波の管内波長の1/4の長さ離れた位置に固定され、
前記アンテナの位置は、前記真空容器内の前記マイクロ波の電磁界モードのうち、TE01モードでの電界強度の値がほぼ最大となる位置であり、
前記被エッチング材料をポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を0.7Pa以上2.0Pa以下の条件で、前記プラズマ処理装置の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、微細な柱状構造を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記試料ステージの電力密度を0.3W/cm 2 以上5W/cm 2 以下にし、前記試料ステージに供給する電力の周波数を、1.0MHz以上13.56MHz以下にする請求項3記載のプラズマエッチング方法。
- 前記マスクの材料を、金属もしくは酸化シリコン、またはカーボンナイトライドによるアモルファス材料で構成して、前記ポリマー材料の一部をエッチングする請求項1又は3記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ポリマー材料は、厚み0.3〜3mmのシート材である請求項5記載のプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237475A JP4523892B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237475A JP4523892B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007051218A JP2007051218A (ja) | 2007-03-01 |
JP4523892B2 true JP4523892B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=37915880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237475A Expired - Fee Related JP4523892B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4523892B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102653390A (zh) * | 2012-04-18 | 2012-09-05 | 北京大学 | 使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5190571B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-04-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置 |
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WO2022124002A1 (ja) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | 東洋合成工業株式会社 | インプリント成型物の製造方法、パターン形成方法及び部品の製造方法 |
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-
2005
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Publication number | Publication date |
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JP2007051218A (ja) | 2007-03-01 |
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