CN105917736B - 发光装置及发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具备由细线结构部、透明导电层的构成所构成的透明电极的发光装置中可以确保发光功能可靠性的发光装置。其具有：透明基材(11)；在透明基材(11)上形成为条纹状或格子状且具有由导电材料构成的多个细线的细线结构部(12)；在透明基材(11)及细线结构部(12)上依次层叠的透明导电层(13)、发光功能层、电极；按照在俯视下将形成发光功能层、电极的发光区域(14)包围的方式沿着粘接剂形成区域(16)形成的粘接剂；以及介由粘接剂与透明基材相贴合的密封基材。通过使透明导电层(13)不存在于粘接剂与透明基材(11)之间，可获得可靠性优异的发光装置。

Description

发光装置及发光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置及发光装置的制造方法。特别是涉及适于有机电致发光装置的发光装置的技术。
背景技术
近年来，作为继液晶显示元件(LCD)之后的新一代显示设备，进行了具备2维排列有机电致发光元件(以下也简记为“有机EL元件”)等自发光元件而成的发光元件型显示面板的发光装置的研究开发。
有机EL元件具备阳极、阴极和形成于这一对电极间的有机EL层(发光功能层)。有机EL层例如具有有机发光层、空穴注入层等。有机EL元件中，通过由有机EL层中空穴与电子进行再结合所产生的能量来发光。
这种有机EL元件的光取出一侧的透明电极一般来说使用锡掺杂氧化铟(IndiumThin Oxide；ITO，铟锡氧化物)或锌掺杂氧化铟(Indium Zinc Oxide；IZO，铟锌氧化物)等形成。此时，透明电极为了获得低电阻必须是形成厚且均匀的膜，由于透光率减少、或变得昂贵、或形成工艺中需要高温处理，因此特别是膜上的低电阻化是有限的(例如参照专利文献1)。
因此，近年来公开了不使用ITO的透明电极的技术。利用该技术例如制作配置有一样的网眼状、条纹型或栅极型等的金属和/或合金的细线结构部的导电性面。进而根据该技术提出了如下方法：在导电性面上例如使用涂布法或印刷法将把导电性高分子材料溶解或分散在适当的溶剂中而成的油墨形成透明导电层，从而形成透明电极(例如参照专利文献2、3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-162961号公报
专利文献2：日本特开2005-302508号公报
专利文献3：日本特开2006-93123号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
上述透明导电层例如使用涂布法或印刷法用导电性高分子材料油墨形成。此时，喷吐或转印到基材上之后，通过油墨中含有的溶剂蒸发而进行干燥固化，成为作为透明导电层的涂膜。所形成的透明导电层同样地担当有机EL元件的透明电极面。因此，透明电极需要具有在形成有细线结构部的透明基材上的成膜性、作为有机EL元件电极的注入性、电阻值以及与密封结构中的粘接剂的密合性等多种功能。
由于上述透明电极的弯曲性优异，因此具备该透明电极的有机EL元件适于挠性设备用途。为有机EL元件时，在形成有粘接剂的区域中，透明导电层需要一方面与透明基材相密合、另一方面与粘接剂也密合。就这些密合性而言，当透明导电层的两面侧有差异时，具有在密合性弱的界面处易发生剥离、可靠性降低的问题。另外，由于在密封所形成的密闭结构的边界处存在透明导电层，因此还具有透明导电层需要具有优异的低透湿性能等问题。
本发明鉴于上述事实而作出，其目的在于提供对于具备由细线结构部及透明导电层的构成而成的透明电极的发光装置可以确保发光功能的可靠性的发光装置及其制造方法。
用于解决技术问题的方法
为了达成上述目的，本发明一个方式的发光装置的特征在于，其具备：透明基材；在所述透明基材上将由导电材料构成的多个细线配置成条纹状或格子状而形成的细线结构部；形成在形成有所述细线结构部的所述透明基材上的透明导电层；在所述透明导电层上依次层叠的发光功能层及电极；按照在俯视下将形成有所述发光功能层及电极的区域即发光区域包围的方式配置的粘接剂；以及介由所述粘接剂与所述透明基材相接合的密封基材，其中，所述透明导电层不存在于所述粘接剂与所述透明基材之间。
另外，本发明一个方式的发光装置的制造方法的特征在于，在透明基材上将由导电材料构成的多个细线配置成条纹状或格子状而形成细线结构部，在形成有所述细线结构部的所述透明基材上形成透明导电层，在所述 透明导电层上依次层叠发光功能层及电极，按照在俯视下将形成有所述发光功能层及电极的区域即发光区域包围的方式配置粘接剂，介由所述粘接剂将密封基材与所述透明基材相接合，所述透明导电层不存在于所述粘接剂与所述透明基材之间。
发明效果
根据本发明，形成有由细线结构部及透明导电层构成的透明电极的透明基材与粘接剂的密合性提高。因此，在制成贴合有密封基材的结构时，可获得发光功能的可靠性优异的发光装置。结果，可获得弯曲性及长期可靠性优异的发光装置。
附图说明
图1为表示第1实施方式的透明电极的构成的概略俯视图。
图2为具体示例了具备第1实施方式的透明电极的有机电致发光元件的要部的概略截面图，(a)为图1的A-A截面图、(b)为B-B截面图。
图3为表示第1实施方式的透明电极的不同构成的概略俯视图。
图4为表示第1实施方式的透明电极的又一个不同构成的概略俯视图。
图5为表示第2实施方式的透明电极的构成的概略俯视图。
图6为表示第2实施方式的透明电极的不同构成的概略俯视图。
具体实施方式
以下对本发明实施方式的发光装置的制造方法、发光装置进行说明。
以下说明中，作为发光装置以使用了有机EL元件的有机EL发光装置为例进行说明。此外，发光功能并不限于利用有机EL元件的发光功能。
本实施方式的有机EL发光装置成为如下结构：有机EL元件形成在透明基材上，有机EL元件的发光区域被透明基材、粘接剂及密封基材密封。另外，透明电极具备细线结构部和透明导电层。本实施方式中，如后所述成为透明导电层不存在于粘接剂与透明基材之间的结构。
[第1实施方式]
对第1实施方式的透明电极的构成、透明电极的制造方法进行说明。
＜透明电极的构成＞
本实施方式的透明电极具有由金属和/或合金构成的细线结构部、及使用涂布法或印刷法形成的透明导电层。透明电极设置在透明基材上，例如细线结构部和透明导电层从透明基材侧起依次层叠而构成。
本实施方式的透明电极从在用于有机EL元件中时提高亮度的观点出发，透明电极的导电性面的表面电阻率优选为0.01Ω/□以上且100Ω/□以下、更优选为0.1Ω/□以上且10Ω/□以下。
本实施方式的透明电极可以在LCD、电致发光元件、等离子体显示器、电致发光显示器、太阳能电池、触摸面板等的透明电极、电子纸以及电磁波屏蔽材料等中使用。特别是本实施方式的透明电极由于导电性、透明性优异，且平滑性也高，因此优选用于有机EL元件。
(透明基材)
本实施方式的透明电极中，作为透明基材，可以使用塑料膜、塑料板、玻璃等。
作为塑料膜及塑料板的原料，例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类，聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、EVA等聚烯烃类，聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系树脂，聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、三醋酸纤维素(TAC)等。
透明基材优选表面平滑性优异。透明基材的表面的平滑性优选算术平均粗糙度Ra为5nm以下且最大高度Ry为50nm以下，更优选Ra为1nm以下且Ry为20nm以下。透明基材的表面可以赋予热固化性树脂、紫外线固化性树脂、电子束固化性树脂、放射线固化性树脂等底涂层以进行平滑化，也可通过研磨等机械加工变得平滑。另外，为了提高透明导电层的涂布、粘合性，还可对透明基材实施利用电晕、等离子体、UV/臭氧进行的表面处理。这里，表面的平滑性可以由利用原子力显微镜(AFM)等的测定来求出。
另外，优选对本实施方式的透明电极以阻断大气中的氧、水分为目的而设置阻气层。作为阻气层的形成材料，可以使用氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅、氮化铝、氧化铝等金属氧化物、金属氮化物。这些材料除了水蒸汽阻隔功能之外还具有氧阻隔功能。特别是，阻气层的形成材料优选是阻 隔性、耐溶剂性、透明性良好的氮化硅、氧化氮化硅。另外，阻气层还可以根据需要制成多层构成。此时，阻气层可以仅由无机层构成，也可由无机层和有机层构成。阻气层的形成方法可以根据材料使用电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、反应性蒸镀法、离子镀法、溅射法。另外，阻气层的厚度并无特别限定，阻气层的厚度典型地优选每1层为5nm～500nm的范围内、更优选每1层为10nm～200nm。阻气层设置在透明基材的至少一个面上。阻气层优选设置在透明基材的两面上。
(细线结构部)
作为本实施方式的细线结构部，优选电阻低，其材料通常使用具有107S/cm以上导电率的材料。作为该导电材料的具体例，可举出铝、银、铬、金、铜、钽、钼等金属和/或其合金。其中，从导电率高和材料的处理容易性的观点出发，优选铝、铬、铜、银及其合金。
本实施方式中，将由上述导电材料构成的多个细线在透明基材的表面上配置成一样的网眼状、条纹型或栅极型等，构成细线结构部。如此，本实施方式中通过配置多个细线来制作导电性面，提高了透明电极的通电性。由金属或合金构成的细线的宽度并无特别限定，优选为0.1μm～1000μm之间。相邻的细线优选以50μm～5cm间隔的间距进行配置，特别优选为100μm以上且1cm以下的间距。
透明基材由于配置细线结构部而光的透过率减少。该减少尽量地小是重要的。因此，在不过分地减小细线的间隔或者过分地增大细线宽度的情况下、优选按照可确保80％以上的光的透过率的方式来设定细线的间隔或细线宽度是重要的。关于细线宽度与细线间隔的关系，细线宽度在其平面配置上根据目的决定即可，优选为细线间隔的1/10000以上且1/5以下、更优选为1/100以上且1/10以下。
细线结构部的高度(厚度)优选为0.05μm以上且10μm以下、更优选为0.1μm以上且1μm以下。关于细线宽度与细线高度的关系，细线高度根据所希望的导电性决定即可，优选在细线宽度的1/10000以上且10倍以下的范围内进行使用。另外，细线结构部还可根据需要制成多层构成。此时，可以仅由相同的导电材料构成，也可由不同的导电材料构成。
(透明导电层)
利用涂布法形成透明导电层时所使用的溶液含有成为透明导电层的材料和溶剂。透明导电层优选含有显示导电性的高分子化合物。该高分子化合物还可以含有掺杂剂。该高分子化合物的导电性通常以导电率计为10-5S/cm～105S/cm、优选为10-3S/cm～105S/cm。另外，透明导电层优选实质上由显示导电性的高分子化合物构成。作为透明导电层的构成材料，可以举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等。作为掺杂剂，可以使用公知的掺杂剂，作为其例子，可举出聚苯乙烯磺酸、十二烷基苯磺酸等有机磺酸、PF5、AsF5、SbF5等路易斯酸。另外，显示导电性的高分子化合物还可以是掺杂剂直接键合在高分子化合物上的自掺杂型高分子化合物。
透明导电层优选含有聚噻吩和/或聚噻吩的衍生物来构成，优选实质上由聚噻吩和/或聚噻吩的衍生物构成。聚噻吩和/或聚噻吩的衍生物还可含有掺杂剂。聚噻吩、聚噻吩衍生物、或者聚噻吩与聚噻吩衍生物的混合物由于易于溶解或分散在水和醇等水系溶剂中，因此适合作为涂布法中使用的涂布液的溶质来使用。另外，它们的导电性高、作为电极材料优选使用。进而，这些物质的HOMO能量为5.0eV左右、与通常的有机EL元件中使用的有机发光层的HOMO能量之差低达1eV左右，能够有效地将空穴注入到有机发光层中，因此特别适合作为阳极的材料来使用。另外，它们的透明性高，适合作为有机EL元件的发光取出侧的电极来使用。
透明导电层优选含有聚苯胺和/或聚苯胺的衍生物来构成，优选实质上由聚苯胺和/或聚苯胺的衍生物构成。聚苯胺和/或聚苯胺的衍生物还可含有掺杂剂。聚苯胺和/或聚苯胺的衍生物由于导电性和稳定性优异，因此适合作为电极材料使用。另外，它们的透明性高，适合作为有机EL元件的发光取出侧的电极来使用。
＜透明电极的制造方法＞
对本实施方式的透明电极的制造方法进行说明。
本实施方式中，将透明电极设置在透明基材上，透明电极通过在透明基材上依次形成细线结构部、透明导电层来制造。
这里，在俯视下，透明基材上的区域具有中央侧的发光区域14、包围该发光区域14的粘接剂形成区域16、比粘接剂形成区域16更靠外侧的外周区域(参照图1)。
本实施方式的透明电极的制造方法中，首先在上述透明基材的一个面侧上形成上述结构的细线结构部。细线结构部在形成于发光区域上的同时、使其一部分延伸至外周区域。
作为形成细线结构部的方法并无特别限定，例如可举出以下的方法：利用电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、溅射法或对金属薄膜进行热压缩的层压法等形成由细线结构部的构成材料构成的膜之后，利用使用了光致抗蚀剂的刻蚀法形成上述图案。
另外，可举出使用了含有成为细线结构部的材料的溶液的成膜。作为用于形成成膜所使用的溶剂，只要是使成为细线结构部的材料溶解则无特别限定。作为由溶液成膜的方法，可举出旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、丝网印刷法、挠性印刷法、胶版印刷法、狭缝涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法等涂布法。特别是，由溶液成膜的方法优选能够直接形成上述图案的成膜方法。成膜方法可以适当选择，优选丝网印刷法、挠性印刷法、胶版印刷法等印刷法，喷墨印刷法、喷嘴印刷法等利用喷吐进行的涂布法。之后，进行干燥固化而形成细线结构部。
接着，本实施方式的制造方法中，将涂布导电材料涂布在形成有细线结构部的透明基材上的透明电极的形成区域上，在透明基材上对透明导电层进行成膜。此时，按照将与透明基材相贴合的密封基材(详细内容在后叙述)的要形成粘接剂的粘接剂形成区域排除的方式来形成透明导电层。作为成膜方法，可举出旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、丝网印刷法、挠性印刷法、胶版印刷法、狭缝涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法等涂布法。特别是，由于在整个面上对透明电极的形成区域进行成膜，因此优选一样地进行涂布成膜的方法。由此观点出发，成膜方法优选旋涂法、棒涂法、丝棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、狭缝涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、辊涂法等涂布法。
接着，在本实施方式的制造方法中，在干燥处理室内、在例如100℃以上的温度条件下对涂布有成为透明电极的涂布导电材料的透明基材进行加热处理。由此，通过使涂布导电材料溶液中含有的溶剂气化，使涂布导电 材料固定在形成有细线结构部的透明基材上，形成透明导电层。
＜有机EL元件的构成＞
本实施方式的有机EL元件具有由上述构成而成的透明电极。本实施方式的有机EL元件作为阳极使用透明电极，对于有机发光层、阴极、密封结构，可以使用有机EL元件中通常使用的材料、构成等任意的材料或构成。作为有机EL元件的电极及发光功能层的层构成，例如可例示出以下构成。
阳极/有机发光层/阴极、
阳极/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/阴极、
阳极/空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/阴极、
阳极/空穴注入层/有机发光层/电子输送层/电子注入层/阴极、
阳极/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/阴极，
这里，符号“/”表示夹着“/”的各层相邻地层叠。以下的说明中也同样。
本实施方式的有机EL元件还可以具有2层以上的有机发光层(发光功能层)，作为具有2层有机发光层的有机EL元件，可举出以下所示的层构成。
阳极/电荷注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电荷注入层/电荷产生层/电荷注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
另外，作为具有3层以上有机发光层的有机EL元件，具体地可举出以(电荷产生层/电荷注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电荷注入层)作为一个重复单元、以下所示的含有2个以上上述重复单元的层构成。
阳极/电荷注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电荷注入层/(该重复单元)/(该重复单元)/…/阴极
上述层构成中，除阳极、阴极、有机发光层以外的各层还可根据需要删除。
这里，电荷产生层是指通过施加电场而产生空穴和电子的层。作为电荷产生层，例如可举出由氧化钒、ITO、氧化钼等构成的薄膜。
以下对空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的各层及密封结构进行说明。
(设置在阳极与有机发光层之间的层)
作为根据需要设置在阳极与有机发光层之间的层，可举出空穴注入层、空穴输送层、电子阻断层等。空穴注入层是具有改善来自阳极的空穴注入效率的功能的层，空穴输送层是指具有对来自空穴注入层或更接近于阳极的层的空穴注入进行改善的功能的层。另外，当空穴注入层或空穴输送层具有对电子的输送进行拦阻的功能时，有时将这些层称作电子阻断层。具有对电子的输送进行拦阻的功能这一事项例如可通过制作仅流过电子电流的元件、由其电流值的减少来确认拦阻效果。
(空穴注入层)
空穴注入层可以设置在阳极与空穴输送层之间、或者阳极与有机发光层之间。作为构成空穴注入层的材料，可以适当使用公知的材料，并无特别限定。例如可举出苯基胺系、树枝型胺系、酞菁系、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有氨基的噁二唑衍生物，氧化钒、氧化钽、氧化钼等氧化物，无定形碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。
作为空穴注入层的成膜方法，例如可举出由含有成为空穴注入层的材料(空穴注入材料)的溶液的成膜。作为由溶液的成膜中使用的溶剂，只要是使空穴注入材料溶解则无特别限定，可举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲乙酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯系溶剂及水。
作为由溶液成膜的方法，可举出旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、丝网印刷法、挠性印刷法、胶版印刷法、狭缝涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法等涂布法。
另外，作为空穴注入层的厚度，优选为5～300nm左右。该厚度小于5nm时，有制造变难的倾向，而厚度超过300nm时，有驱动电压和施加于空穴注入层的电压增大的倾向。
(空穴输送层)
作为构成空穴输送层的材料并无特别限定，例如可例示出N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)4,4’-二氨基联苯(TPD)、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)等芳香族胺衍生物，聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚 硅烷或其衍生物，侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物，吡唑啉衍生物，芳基胺衍生物，茋衍生物，三苯基二胺衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳基胺或其衍生物，聚吡咯或其衍生物，聚(对苯撑乙烯撑)或其衍生物，或者聚(2,5-噻吩撑乙烯撑)或其衍生物等。
其中，作为空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(对苯撑乙烯撑)或其衍生物、或者聚(2,5-噻吩撑乙烯撑)或其衍生物等高分子空穴输送材料。为低分子的空穴输送材料时，优选使其分散在高分子粘合剂中进行使用。
作为空穴输送层的成膜方法并无特别限定，为低分子的空穴输送材料时，可举出由含有高分子粘合剂和空穴输送材料的混合液的成膜，为高分子的空穴输送材料时，可举出由含有空穴输送材料的溶液的成膜。作为由溶液的成膜中使用的溶剂，只要使空穴输送材料溶解则无特别限定，作为其一例可举出在空穴注入层的项中例示过的溶剂。作为由溶液的成膜方法，可举出与上述空穴注入层的成膜法相同的涂布法。
空穴输送层的厚度并无特别限定，可以根据目标设计适当地进行变更，优选为1～1000nm左右。该厚度小于上述下限值时，有制造变难或无法获得充分的空穴输送效果等倾向。另一方面，当超过上述上限值时，有驱动电压和施加于空穴输送层的电压增大的倾向。因此，空穴输送层的厚度优选为1～1000nm、更优选为2～500nm、进一步优选为5～200nm。
(有机发光层)
有机发光层主要具有发出荧光或磷光的有机物(低分子化合和高分子化合物)。另外，有机发光层也可进一步含有掺杂剂材料。作为形成本实施方式中能够使用的有机发光层的材料，例如可举出以下的材料。
“色素系材料”
作为色素系材料，例如可举出甲环戊丙胺衍生物、喹吖酮衍生物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳撑衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低 聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。
“金属络合物系材料”
作为金属络合物系材料，例如可举出铱络合物、铂络合物等具有自三重激态的发光的金属络合物，羟基喹啉铝络合物、苯并喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等中心金属具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土类金属且配位基具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物等。
“高分子系材料”
作为高分子系材料，例如可举出聚对苯撑乙烯撑衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、上述色素体或金属络合物系发光材料进行了高分子化的材料等。
上述发光性材料中，作为发蓝色光的材料，可举出二苯乙烯基芳撑衍生物、噁二唑衍生物及它们的聚合物，聚乙烯基咔唑衍生物、聚对苯撑衍生物、聚芴衍生物等。
另外，作为发绿色光的材料，可举出喹吖酮衍生物、香豆素衍生物及它们的聚合物、聚对苯撑乙烯撑衍生物、聚芴衍生物等。
另外，作为发红色光的材料，可举出香豆素衍生物、噻吩环化合物及它们的聚合物、聚对苯撑乙烯撑衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。
“掺杂剂材料”
有机发光层中以提高发光效率或改变发光波长为目的，可添加掺杂剂。作为这种掺杂剂，例如可举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖酮衍生物、方酸菁衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、酚噁嗪酮等。另外，有机发光层的厚度通常为约2nm～200nm。
作为有机发光层的成膜方法，可举出由含有有机发光材料的溶液的成膜。作为由溶液的成膜中使用的溶剂，只要使有机发光材料溶解则无特别限定，作为其一例可举出在空穴注入层的项中例示过的溶剂。作为由溶液的成膜方法，可举出与上述空穴注入层的成膜法相同的涂布法。
(设置在阴极与发光层之间的层)
作为根据需要设置在阴极与有机发光层之间的层，可举出电子注入层、电子输送层、空穴阻隔层等。当在阴极与有机发光层之间设置电子注入层和电子输送层这两个层时，将接触于阴极的层称作电子注入层、将除去该电子注入层的层称作电子输送层。
电子注入层是具有对来自阴极的电子注入效率进行改善的功能的层。电子输送层是具有对来自阴极、电子注入层或更接近于阴极的层的电子注入进行改善的功能的层。空穴阻隔层是具有对空穴的输送进行阻拦的功能的层。另外，电子注入层和/或电子输送层具有对空穴的输送进行阻拦的功能时，这些层有时兼作空穴阻隔层。
(电子输送层)
作为构成电子输送层的电子输送材料，可以使用公知的材料，可举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮或其衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
其中，作为电子输送材料，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜方法并无特别限定，为低分子的电子输送材料时，可举出由含有高分子粘合剂和电子输送材料的混合液的成膜，为高分子的电子输送材料时，可举出由含有电子输送材料的溶液的成膜。作为由溶液的成膜中使用的溶剂，只要使电子输送材料溶解则无特别限定，作为其一例可举出在空穴注入层的项中例示过的溶剂。作为由溶液的成膜方法，可举出与上述空穴注入层的成膜法相同的涂布法。
电子输送层的厚度随所用材料而最佳值不同，可以根据目标设计适当地变更，至少需要不会产生针孔那样的厚度。作为膜厚，例如优选为1～1000nm左右、更优选为2～500nm、进一步优选为5～200nm。
(电子注入层)
作为构成电子注入层的材料，根据有机发光层的种类适当选择最佳的材料，可举出碱金属、碱土类金属、含有碱金属及碱土类金属中的1种以上的合金、碱金属或碱土类金属的氧化物、卤化物、碳氧化物或者这些物质的混合物等。作为碱金属、碱金属的氧化物、卤化物及碳氧化物的例子，可举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。另外，作为碱土类金属、碱土类金属的氧化物、卤化物及碳氧化物的例子，可举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层也可以由层叠了2层以上的层叠体构成，例如可举出氟化锂/钙等。电子注入层利用各种蒸镀法、溅射法、各种涂布法等形成。作为电子注入层的膜厚，优选为1～1000nm左右。
(阴极)
作为阴极的材料，优选功函数小、对有机发光层中的电子注入容易的材料和/或导电率高的材料和/或可见光反射率高的材料。作为这样的阴极材料，具体地可举出金属、金属氧化物、合金、石墨或石墨层间化合物、氧化锌等无机半导体等。
作为上述金属，可以使用碱金属或碱土类金属、过渡金属或III-b属金属等。作为这些金属的具体例子，可举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等。
另外，作为合金，可举出含有上述金属的至少一种的合金，具体地可举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。
阴极根据需要制成透明电极，作为成为透明电极的阴极的材料，可举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、IZO等导电性氧化物，聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等导电性有机物。
另外，还可以将阴极制成2层以上的层叠结构。另外，电子注入层有时也作为阴极进行使用。
阴极的膜厚可以考虑导电率或耐久性适当地进行选择，例如为 10～10000nm、优选为20～1000nm、更优选为50～500nm。
(密封结构)
接着，本实施方式中，在使用粘接剂在密封基材上形成粘接层之后进行贴合，从而进行发光区域的密封。还可先在透明基材11侧形成粘接层。作为粘接层，还可以使用热固化型的粘接层，但考虑到对构成有机EL的材料的影响时，优选是光固化型的粘接剂。上述粘接剂例如可举出酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯等各种丙烯酸酯，使用了氨基甲酸酯聚酯等树脂的自由基系粘接剂，使用了环氧、乙烯基醚等树脂的阳离子系粘接剂，硫醇-烯加成型树脂系粘接剂等。作为上述粘接剂，其中优选没有氧造成的阻碍、光照射后聚合反应也会进行的阳离子系粘接剂。作为阳离子系固化型类型，优选紫外线固化型环氧树脂粘接剂，而且特别优选在照射100mW/cm2以上的紫外线时、在10～90秒以内发生固化的紫外线固化型粘接剂。通过在该时间内使其固化，可以在排除紫外线照射对其他构成要素造成的影响的同时、粘接剂充分地固化、从而具备适当的粘接强度。另外，从生产工序的效率的观点出发，也优选在上述时间范围内。另外，无论粘接剂的种类如何，优选低透湿性且高粘接性的粘接剂。作为在密封基材上形成粘接层的方法之一例，可举出分配法、挤出层压法、熔融-热熔法、压延法、喷嘴涂布法、丝网印刷法、真空层压法、热辊层压法等。作为粘接层的厚度并无特别限定，为薄的膜，优选为1～100μm，特别优选为5～50μm。
作为密封基材，在为需要透明性的顶部发射型有机EL元件时，可以使用玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等塑料膜，在为不特别需要透明性的底部发射型的有机EL元件时，除了上述材料之外，还可以使用不锈钢或铝等金属材料或不透明的玻璃、塑料材料。
由以上构成有机EL发光装置。
另外，本实施方式的有机EL发光装置可以用于自发光型显示器、液晶用背光、照明等中。
＜作用效果等＞
接着，对使用了上述透明电极的构成及其制造方法时的作用效果，参照图1、图2、图3及图4进行说明。
图1表示在透明基材11上形成到细线结构部12及透明导电层13的概略俯视图。图1中，为了易于理解，省略了有机EL层21、阴极层22、密封基材23，仅示出了密封基材配置区域15、粘接剂形成区域16及发光区域14的形成区域。图1所示的例子是在透明基材11上以栅极型配置有细线结构部12的例子，但并无特别限定。
另外，图2为使用本实施方式的透明电极制作的有机EL元件的概略截面图。这里，为了易于理解，记载为有机EL层21，但只要是上述有机EL元件的层构成，则可以是任何构成。
如图1所示，本实施方式的透明电极中，在透明基材11上的至少发光区域上形成细线结构部12。按照该细线结构部12的一部分延伸至密封基材配置区域15的外侧的方式形成。通过将细线结构部12形成至密封基材配置区域15的外侧，可以兼具密封基材外侧处的取出电极的功能。
之后，本实施方式中，按照除去粘接剂形成区域16的方式形成透明导电层13，制作透明电极。此时，在形成有延伸至粘接剂形成区域16外侧的细线结构部12的区域上也形成透明导电层13。由此，由于能够将密封基材23外侧的取出电极作为一样的面电极进行制作，因此在之后的与驱动电路的连接工序中，不需要很高的对位精度，具有可简化工序的效果。
进而，本实施方式的透明电极中，沿着包围发光区域14的粘接剂形成区域16配置粘接剂24，介由该粘接剂24将透明基材11与密封基材23粘贴，将两者11、23接合。
使用本实施方式的透明电极制作有机EL元件时，一部分如图2(b)所示，粘接剂24密合在细线结构部12上，但其他多个区域如图2(a)所示，粘接剂24密合在透明基材11上。如此，本实施方式的透明电极中，由于没有透明导电层13与粘接剂24相密合的区域，即粘接剂24不隔着透明导电层13地接合在透明基材11上，因而可以获得密合性强、难以发生剥离的有机EL元件。另外，本实施方式的透明电极中，由于不存在介由透明导电层13的水分等的侵入，因而可获得长期可靠性优异的有机EL元件。
这里，作为比较，使用细线结构部12的整个区域被透明导电层13覆盖的透明电极制作了有机EL元件。该比较的例子中，多个区域中粘接剂24密合在透明导电层13上，比密封基材23与粘接剂24的密合性弱，在透明导电层13与粘接剂24的界面上发生了剥离。另外，在比较的例子中观察到了可靠性差、长期保管导致亮度降低、形成了非发光区域。
在上述构成中，成为在抑制透明导电层13在粘接剂形成区域16上的形成的同时将透明导电层13也形成在粘接剂形成区域16外侧的构成。与此相对，也可以如图3所示，进一步限定透明导电层13的形成范围，仅在粘接剂形成区域16内侧的范围上形成透明导电层13。此时，与上述同样，没有透明导电层13与粘接剂24相密合的区域，可获得同样的效果。
另外，在形成了栅极型的细线结构部12时，当按其方向区别而定义为行方向(从正面观察附图时的图1、图3的左右方向)、列方向(从正面观察附图时的图1、图3的上下方向)时，仅形成在粘接剂24的下部与其正交的行方向的细线结构部12。此时，由于没有列方向的细线结构部12，因此粘接剂24密合在透明基材11上的区域有所增加，因而密合性进一步提高。
图3中图示了细线结构部12为栅极型的情况，但也可以如图4所示，通过将细线结构部12沿一个方向(行方向：从正面观察附图时的图4的左右方向)延伸、形成至密封基材配置区域15的外侧，由此形成为兼具比密封基材23更靠外侧的取出电极的功能的条纹型图案形状。之后，将透明导电层13仅形成在密封基材配置区域15的内侧，制作透明电极。此时也可获得与图3的栅极型细线结构部12同样的效果。
[第2实施方式]
接着，对第2实施方式的发光装置进行说明。
＜透明电极的构成＞
第2实施方式的发光装置的构成及制造方法与上述第1实施方式的基本构成相同。但是，第2实施方式中，在透明电极的构成中，细线结构部12的平面构成与第1实施方式不同。因此，参照图5和图6，在以下的说明中对透明电极的构成进行说明，对于其他则省略。
第1实施方式中，对形成一样的细线结构部12的构成进行了说明。与此相对，第2实施方式是细线结构部12的图案形状在发光区域14和非发光区域中有所不同的情况的例子。
图5表示在透明基材11上形成至细线结构部12及透明导电层13的概略俯视图。图5中，为了易于理解，有机EL层21、阴极层22、密封基材23省略，仅显示密封基材配置区域15、粘接剂形成区域16及发光区域14。
图5所示的例子中，仅在透明基材11上的发光区域中以栅极型配置细线结构部12。此时，作为透明电极的构成，细线结构部12的形状在发光区域14和非发光区域(比粘接剂形成区域16更靠外侧)中不同，在非发光区域中，按照细线结构部12在透明基材11上的密度减小的方式来形成。
另外，透明导电层13与第1实施方式同样地形成。
具体地说，透明导电层13的形成如图5所示，当细线结构部12为栅极型时，当按其方向区别而定义为行方向(从正面观察附图时的图5的左右方向)、列方向(从正面观察附图时的图5的上下方向)时，在非发光区域中不形成列方向的细线、仅形成行方向的细线结构部12，由此在非发光区域中按照细线结构部12在透明基材11上的密度减小的方式来形成。透明导电层13的形成通过仅在非发光区域中行方向的细线结构部12上进行，密度虽然随其细线结构的不同而不同，但变为1/2左右。当进一步减小细线结构部12的密度时，在非发光区域中通过减少行方向的细线结构的根数而成为可能。
另外，图6所示的例子是细线结构部12为一个方向(行方向：从正面观察附图时的图6的左右方向)的条纹型的情况的例子，此时，通过在非发光区域中减少条纹型的细线的根数，在非发光区域中按照细线结构部12在透明基材11上的密度减小的方式来形成。此时，非发光区域中行方向的细线结构的根数减少也没有关系。作为取出电极，根据所需的电阻值而有所限制，但考虑到使其减少的效果，则优选使相对于发光区域的非发光区域中的细线结构部12的根数为1/2以下的根数，更优选为1/3以下的根数。
＜作用效果等＞
这里，对使用了上述图5及图6例示的透明电极的构成时的作用效果进行说明。
通过如本实施方式那样在非发光区域中按照细线结构部12在透明基材11上的密度减小的方式来形成，第2实施方式的构成与第1实施方式的构成相比，特别是如图6所示细线结构部12为条纹型时，细线结构部12与 粘接剂24相密合的区域减少。因此，第2实施方式中，透明基材11与粘接剂24相密合的区域增加，因而密合性进一步提高。另外，第2实施方式中，无论细线结构部12的形状如何，形成在透明基材11上的细线结构部12的体积(或面积)减少，因此可以减少细线结构部12的材料使用量，因而更优选。
另外，对于其他的具体的细部结构等当然可以适当地变更。
以上，将本申请主张优先权的日本专利申请2014-006013(2014年1月16日提出申请)的全部内容作为引用例包含在此。这里虽然参照有限数目的实施方式进行了说明，但权利范围并非限定于这些，基于上述公开的各实施方式的改变对本领域技术人员是显而易见的。
符号说明
11 透明基材
12 细线结构部
13 透明导电层
14 发光区域
15 密封基材配置区域
16 粘接剂形成区域
21 有机EL层
22 阴极层
23 密封基材
24 粘接剂

Claims (9)

1.一种发光装置，其特征在于，其具备：
透明基材；
在所述透明基材上将由导电材料构成的多个细线配置成条纹状或格子状而形成的细线结构部；
形成在形成有所述细线结构部的所述透明基材上的透明导电层；
在所述透明导电层上依次层叠的发光功能层及电极；
按照在俯视下将形成有所述发光功能层及电极的区域即发光区域包围的方式配置的粘接剂；以及
介由所述粘接剂与所述透明基材相接合的密封基材，
其中，所述透明导电层不存在于所述粘接剂与所述透明基材之间，
所述粘接剂不隔着所述透明导电层地接合在所述透明基材上，
所述细线结构部在俯视下形成于所述发光区域中，并且延伸至被所述粘接剂包围的区域的外侧而形成。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述细线结构部中在俯视下与所述粘接剂重叠的部分仅是在与所述粘接剂的延伸方向交叉的方向上延伸的所述细线。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，位于被所述粘接剂包围的区域的外侧的细线结构部在俯视下与位于所述发光区域的细线结构部相比，细线的密度更小。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述透明导电层还形成在形成有位于被所述粘接剂包围的区域的外侧的细线结构部的透明基材上。
5.一种发光装置的制造方法，其特征在于，
在透明基材上将由导电材料构成的多个细线配置成条纹状或格子状而形成细线结构部，
在形成有所述细线结构部的所述透明基材上形成透明导电层，
在所述透明导电层上依次层叠发光功能层及电极，
按照在俯视下将形成有所述发光功能层及电极的区域即发光区域包围的方式配置粘接剂，
介由所述粘接剂将密封基材与所述透明基材相接合，
其中，所述透明导电层不存在于所述粘接剂与所述透明基材之间，
所述粘接剂不隔着所述透明导电层地接合在所述透明基材上，
所述细线结构部在俯视下形成于所述发光区域中，并且使其延伸至被所述粘接剂包围的区域的外侧。
6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述细线结构部中在俯视下与所述粘接剂重叠的部分仅是在与所述粘接剂的延伸方向交叉的方向上延伸的所述细线。
7.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，位于被所述粘接剂包围的区域的外侧的细线结构部按照在俯视下与位于所述发光区域的细线结构部相比、细线的密度更小的方式来形成。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述透明导电层还形成在形成有位于被所述粘接剂包围的区域的外侧的细线结构部的透明基材上。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在俯视下形成于被所述粘接剂包围的区域的外侧的所述透明导电层与形成于所述发光区域的透明导电层同时地形成。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6722992B2 (ja) * 2015-09-29 2020-07-15 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法及び封止部材の製造方法
KR102598926B1 (ko) * 2016-10-31 2023-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102636749B1 (ko) 2016-11-28 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
CN107452901A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的封装方法、显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232027A (zh) * 2001-02-19 2008-07-30 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
TW201246529A (en) * 2011-03-07 2012-11-16 Panasonic Corp Planar light emitting device
CN103155051A (zh) * 2010-10-25 2013-06-12 索尼公司 透明导电膜及其制造方法、光电转换装置及电子装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3702859B2 (ja) * 2001-04-16 2005-10-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4230170B2 (ja) * 2001-06-08 2009-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP3649238B2 (ja) * 2002-10-17 2005-05-18 旭硝子株式会社 積層体、配線付き基体、有機ｅｌ表示素子、有機ｅｌ表示素子の接続端子及びそれらの製造方法
JP2005203345A (ja) * 2003-12-18 2005-07-28 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌパネル用基板、有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2005183208A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Asahi Glass Co Ltd 表示装置及びその製造方法
KR101300683B1 (ko) * 2006-02-06 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20080114263A (ko) * 2007-06-27 2008-12-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
JP5433309B2 (ja) * 2009-06-03 2014-03-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN102222684B (zh) * 2011-06-30 2013-08-07 信利半导体有限公司 有机电致发光显示器制作方法和有机电致发光显示器
US8618550B2 (en) * 2011-07-29 2013-12-31 Lg Display Co., Ltd. Large area organic light emitting diode display
JP6042103B2 (ja) * 2012-05-30 2016-12-14 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
CN203365869U (zh) * 2013-08-12 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232027A (zh) * 2001-02-19 2008-07-30 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
CN103155051A (zh) * 2010-10-25 2013-06-12 索尼公司 透明导电膜及其制造方法、光电转换装置及电子装置
TW201246529A (en) * 2011-03-07 2012-11-16 Panasonic Corp Planar light emitting device

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