JP6387602B2 - 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
JP6387602B2
JP6387602B2 JP2013236110A JP2013236110A JP6387602B2 JP 6387602 B2 JP6387602 B2 JP 6387602B2 JP 2013236110 A JP2013236110 A JP 2013236110A JP 2013236110 A JP2013236110 A JP 2013236110A JP 6387602 B2 JP6387602 B2 JP 6387602B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
functional layer
layer
transparent
transparent electrode
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013236110A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015095438A (ja
Inventor
宏一 増岡
宏一 増岡
貴志 木津
貴志 木津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Inc filed Critical Toppan Inc
Priority to JP2013236110A priority Critical patent/JP6387602B2/ja
Publication of JP2015095438A publication Critical patent/JP2015095438A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6387602B2 publication Critical patent/JP6387602B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、塗布や印刷法を用いた透明電極の製造方法に関するものである。
近年、液晶表示素子(LCD)に続く次世代表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と記載する場合がある)等、自発光素子を二次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた発光装置の研究開発が行われている。
有機EL素子は、陽極と、陰極と、これらの一対の電極間に形成される、例えば、有機発光層、正孔注入層等を有する有機EL層(発光機能層)を備える。また、有機EL素子は、有機発光層において正孔と電子が再結合することによって発生するエネルギーにより発光する。
このような有機EL素子の光を取り出す側の透明電極としては、一般的には、錫ドープ酸化インジウム(Indium Thin Oxide:ITO)や、亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Zinc Oxide:IZO)等を用いて形成されるが、低抵抗を得るためには、厚く均一な膜を形成しなければならない。このため、光透過率の減少、価格の高騰、形成プロセスにおける高温処理の手間等が発生するため、特に、フィルム上での低抵抗化には限界があった(例えば、特許文献1を参照)。
そのため、近年では、ITOを用いない透明電極の技術が開示されており、例えば、一様な網目状、櫛形、または、グリッド型等の金属及び合金のうち少なくとも一方の細線構造部を配置した導電性面を作製し、その上に、例えば、導電性高分子材料を適当な溶媒に溶解または分散したインクを、塗布法や印刷法を用いて透明導電層を形成することによって、透明電極を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献2や特許文献3を参照)。
特開平10−162961号公報 特開2005−302508号公報 特開2006−93123号公報
ところで、上述した透明導電層の形成方法では、例えば、導電性高分子材料を分散したインクの塗布法や印刷法を用いた場合、基材上にインクを吐出または転写した後、インクに含まれる溶剤が蒸発することにより、乾燥固化して塗膜となる。しかしながら、塗膜の下部に配置される金属及び合金のうち少なくとも一方からなる細線構造部の導電性面の形状の影響を受けるため、インクの乾燥過程において、導電性高分子材料の流動が均一にならず、形成される透明導電層が不均一になり、透明電極の表面平滑性が低下するという問題を有していた。
また、透明電極の表面形状が不均一になってしまうと、例えば、有機EL素子の透明電極として用いた場合、有機EL層に印加する電界強度が不均一になるため、発光動作時における発光開始電圧や、有機EL層から放射される光の波長(すなわち、発光時の色度)が設計値からずれて、所望の発光色が得られなくなるとともに、電界が集中する領域では、有機EL層(有機EL素子)の劣化が著しくなり、発光の信頼性や寿命が低下するという問題を有していた。
本発明は、このような問題点を解決しようとするものであり、透明導電層の不均一による透明電極の表面平滑性の低下を抑制することが可能な、透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機EL素子を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の一態様は、透明基材と、当該透明基材上に配置され、且つ導電材料で形成された細線構造部と、前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に配置した機能層と、前記細線構造部及び前記機能層上に配置した透明導電層と、を有し、
前記機能層は、導電率を有する高分子化合物と、シリカ粒子と、を含んで形成され、
前記機能層の導電率は、前記透明導電層の導電率以下であり、
前記機能層の屈折率は、1.4以上1.65未満の範囲内であり、
前記透明導電層の導電率は、10 −5 S/cm以上10 S/cm以下の範囲内であることを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、前記機能層の高さは、前記細線構造部の高さよりも低いことを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、前記機能層は、光散乱機能を備えていることを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、前記機能層は、蛍光色素が含有され、且つ光吸収発光機能を備えていることを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、前記機能層は、金属酸化物粒子が含有され、且つ吸湿機能を備えていることを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、前記機能層は、粒径が0.5μm以上1.5μm以下の範囲内の金属酸化物粒子が含有されていることを特徴とする透明電極である。
また、本発明の一態様は、上述した透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、本発明の一態様は、透明基材と、当該透明基材上に配置され、且つ導電材料で形成された細線構造部と、前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に配置した機能層と、前記細線構造部及び前記機能層上に配置した透明導電層と、を有することを特徴とする透明電極の製造方法であって、
前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に前記機能層の材料を含む溶液を塗布して機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層形成工程の後工程であり、前記細線構造部及び前記機能層上に前記透明導電層の材料を含む溶液を塗布して、前記機能層の導電率が前記透明導電層の導電率以下となるように透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、を含み、
前記機能層形成工程では、前記機能層の屈折率が1.4以上1.65未満の範囲内となるように、導電率を有する高分子化合物と、シリカ粒子と、を含んで前記機能層を形成し、
前記透明導電層形成工程では、前記透明導電層の導電率が10 −5 S/cm以上10 S/cm以下の範囲内となるように前記透明導電層を形成することを特徴とする透明電極の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記機能層形成工程では、前記透明基材を加熱して前記機能層の材料を含む溶液を加熱乾燥させて、前記機能層を形成することを特徴とする透明電極の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記透明導電層形成工程は、材料を含む溶液の塗布方法が前記機能層形成工程と異なることを特徴とする透明電極の製造方法である。
また、本発明の一態様は、上述した透明電極の製造方法によって製造された透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
本発明の一態様であれば、透明導電層の不均一による透明電極の表面平滑性の低下を抑制することが可能となる。
本発明の第一実施形態の透明電極の構成を示す図である。 図1のII‐II線断面図である。 機能層形成工程の説明図である。 透明導電層形成工程の説明図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
(第一実施形態)
以下、本発明の第一実施形態(以下、本実施形態と記載する)について、図面を参照しつつ説明する。
(透明電極の構成)
図1は、本実施形態の透明電極1の構成を示す図であり、図2は、図1のII‐II線断面図である。
図1及び図2中に示すように、透明電極1は、透明基材12と、細線構造部13と、機能層21と、透明導電層23を備えている。なお、図2中では、細線構造部13を形成した透明基材12を、符号「10」で示している。
また、透明電極1は、透明基材12、細線構造部13、機能層21、透明導電層23が透明基材12側からこの順に形成されて構成されている。
透明電極1の構成理由は、高い表面平滑性が得られることである。これは、機能層21を除く細線構造部13と透明導電層23のみを形成した場合、透明導電層23が細線構造部13の側面にせり上がった状態で成膜され、表面形状が凹凸のある不均一な透明電極1が形成されるためである。この状態は、一般的に、透明基材12上のうち、構造体(本実施形態での細線構造部13)を含む部分に塗布する際に、塗布された透明導電層23の材料を含む溶液が乾燥する過程において、細線構造部13と透明基材12との接点において、毛細管現象により乾燥過程の溶液を特に引き付けることで発生する状態である。
これに対し、機能層21を設けることにより、細線構造部13の側面には、機能層21で形成されたせり上がった塗膜が存在するため、透明基材12の上面に突き出す細線構造部13と透明基材12との接点において、その角度は緩和しており、毛細管現象による、乾燥過程の透明導電層23の材料を含む溶液を引き付ける引力も低下していると考えられる。このため、機能層21を設けることにより、透明電極1の表面均一化を実現することが可能となる。
また、本実施形態の透明電極1は、有機EL素子に用いた場合に輝度を向上させる観点から、透明電極1の導電性面の表面抵抗率は、0.01Ω/□以上100Ω/□以下の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、0.1Ω/□以上10Ω/□以下の範囲内である。
また、本実施形態の透明電極1は、LCD、エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、電子ペーパー、電磁波遮蔽材等に用いることが可能であるが、導電性、透明性に優れ、また、平滑性も高いため、有機EL素子に用いることが好ましい。
(透明基材12の構成)
次に、透明基材12の詳細な構成について説明する。
透明基材12としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラス等を用いることが可能である。
透明基材12に用いるプラスチックフィルム及びプラチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン、EVA等のポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリサルホン(PSF)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)等を用いることが可能である。
また、透明基材12は、表面平滑性に優れているものが好ましい。具体的には、透明基材12の表面の平滑性は、算術平均粗さRaが5nm以下であるとともに、最大高さRyが50nm以下であることが好ましく、さらに好ましくは、算術平均粗さRaが1nm以下であるとともに、最大高さRyが20nm以下である。
また、透明基材12の表面は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を付与して平滑化してもよいし、研磨等の機械加工によって平滑にしてもよい。また、透明基材12の表面は、透明導電層の塗布、接着性を向上させるために、コロナ、プラズマ、UV/オゾンによる表面処理をしてもよい。ここで、透明基材12の表面の平滑性は、原子間力顕微鏡(AFM)等による測定から算出することが可能である。
また、透明基材12には、大気中の酸素や水分を遮断する目的で、ガスバリア層を設けることが好ましい。
この場合、ガスバリア層の形成材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物、金属窒化物等を用いることが可能である。これらの材料は、水蒸気バリア機能の他に、酸素バリア機能も有する。特に、バリア性、耐溶剤性、透明性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。
また、ガスバリア層は、必要に応じて多層構成にすることも可能である。その場合、無機層のみで構成してもよいし、無機層と有機層で構成してもよい。
また、ガスバリア層の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。また、ガスバリア層の厚みに関しては、特に限定されないが、1層あたり5nm以上500nm以下の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、1層あたり10nm以上200nm以下の範囲内である。
また、ガスバリア層は、透明基材12の少なくとも一方の面に設けられ、透明基材12の両面に設けられるのがさらに好ましい。
(細線構造部13)
次に、細線構造部13の詳細な構成について説明する。
細線構造部13としては、電気抵抗が低いことが好ましく、その材料としては、例えば、10S/cm以上の電気伝導度を有する導電材料を用いることが可能である。
導電材料としては、例えば、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル、モリブデン等の金属や、これらの金属の合金を用いることが可能である。これらの中でも、特に、電気導電度の高さ及び材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀及びその合金が好ましい。
本実施形態では、上述の導電材料を用いて形成した、一様な網目状、櫛型またはグリッド型等の細線構造部13を配置して、導電性面を作製して通電性を向上させている。この金属や合金の細線の幅は、任意であるが、0.1μm以上1000μm以下の範囲内程度が好ましい。また、金属や合金の細線は、50μm以上5cm以下の範囲内の間隔のピッチで配置されていることが好ましく、特に、100μm以上1cm以下の範囲内の間隔のピッチが好ましい。
金属及び金属の合金のうち少なくとも一方からなる細線構造部13を配置することで、光の透過率が減少するが、減少は可能な限り小さいことが重要であるため、細線の間隔を狭くしすぎたり、細線幅を大きく取りすぎたりすることなく、好ましくは、80%以上の光の透過率を確保することが重要である。
また、細線幅と細線間隔の関係については、細線幅は、その平面配置上、目的に応じて決めればよいが、細線間隔の1/10000以上1/5以下の範囲内が好ましく、さらに好ましくは、1/100以上1/10以下の範囲内である。
金属及び金属の合金のうち少なくとも一方からなる細線構造部13の高さ(厚み)は、0.05μm以上10μm以下の範囲内が好ましく、さらに好ましくは、0.1μm以上1μm以下の範囲内である。
また、細線幅と細線高さの関係については、細線高さは所望の導電性に応じて決めればよいが、細線幅の1/10000以上10倍以下の範囲内で、好ましく用いられる。また、細線構造部13は、必要に応じて多層構成にすることも可能である。その場合、細線構造部13は、同一導電材料のみで構成してもよいし、異なる導電材料で構成してもよい。
(機能層21の構成)
次に、機能層21の詳細な構成について説明する。
機能層21は、透明基材12上の、細線構造部13を形成した領域を除く部分(以下、「細線構造部非形成領域14」と記載する場合がある)に配置し、透明電極12の平滑性を高める役割を備えている。
機能層21の高さは、細線構造部13よりも低いことが好ましく、この位置関係により、機能層21よりも上層に形成する導電性の高い透明導電層23と細線構造部13が直接コンタクトする。このため、透明電極12の低抵抗化が可能になると共に、機能層21に求められる導電率は透明導電層23の導電率以下で構わなくなり、絶縁性の材料を選択してもよい。
また、塗布法により形成する機能層21に用いられる溶液は、機能層21となる材料と溶媒とを含む。
機能層21の材料は、透明導電層23よりも導電性が低く、導電性の高分子化合物、または、絶縁性の高分子化合物を含むことが好ましい。ここで、導電性の高分子化合物としては、例えば、以下の透明導電層23で記述する材料構成を用いることが可能である。また、絶縁性の高分子化合物の材料としては、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子樹脂膜等を用いることが可能である。
ここで、本実施形態の透明電極1が備える機能層21は、例えば、光散乱機能、光吸収発光機能、吸湿機能を備えている。
光散乱機能は、透明導電層23と透明基材12との屈折率差により全反射が起こり、透明基材12から取り出される光の発光効率が低下することを抑制するため、機能層21に散乱性を持たせることを目的としている。
この場合、機能層21の材料構成は、高分子化合物中に0.1μm以上1.5μm以下の範囲内から成る金属酸化物の粒子を含有する。さらに、後述する透明導電層23の材料は、屈折率が1.6以上1.8以下の範囲内であり、透明基材12は、屈折率が1.4以上1.6以下の範囲内とされるので、間に挿入する機能層21は、全反射が起きないように、屈折率が1.4以上1.8以下の範囲内であることが好ましい。そのため、機能層21に含有する金属酸化物粒子も、シリカ(SiO)粒子(屈折率1.47)、アルミナ(Al)粒子(屈折率1.76)、リン酸ジルコニウム((ZrO))粒子(屈折率1.66)といった材料を選択することが好ましい。
光吸収発光機能は、有機発光層にて発生した光が機能層21に含有した蛍光色素で吸収され、色変換した光を外部に取り出すことが可能な補色機能を目的としている。
この場合、機能層21の材料構成は、高分子化合物中に蛍光色素を含有する。
蛍光色素としては、例えば、青色のEL光を励起光として緑色に変換する場合は、2,3,5.6−LH,4H−テト2ジヒドロ−8−トリフロルメチルキノリジノ(9゜9a、I−gh)クマリン(クマリン153)等のクマリン色素を用いることが可能である。また、例えば、青色から緑色にかけての波長の励起光を吸収し、橙色から赤色にかけての色へ変換する色素としては、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(pジメチルアミノスチルリン)−4H−ビラン(DCM)等のシアニン系色素、1−エチル−2−(4−(p−ジメチルアミノフェニル)−1,3−ブタジェニル)−ピリジウム−パーコラレイト(ピリジン1)等のピリジン系色素、ローダミンB、ローダミン6G等のキサンチン系色素、他にオキサジン系を用いることが可能である。ただし、機能層21の材料は、これらに限定されるものではない。
吸湿機能は、透明基材12より浸入する水分によって、特に、有機発光層が劣化することを防ぐために、機能層21に含有した金属酸化物粒子によって水を吸湿させることを目的としている。
この場合、機能層21の材料構成は、高分子化合物中に、金属酸化物粒子としてアルミナ(Al)粒子、酸化珪素(NOx)粒子、酸化ガリウム(Ga)粒子、酸化錫(SnO)粒子、酸化チタン(Tio)粒子、酸化ジルコニウム(ZrO)粒子、酸化バリウム(BaO)粒子、酸化モリブデン(MoOx)粒子等を含有する。
(透明導電層23の構成)
次に、透明導電層23の詳細な構成について説明する。
透明導電層23は、機能層21と同様に、塗布法により形成する。
透明導電層23に用いられる溶液は、透明導電層23となる材料と溶媒とを含む。
透明導電層23の材料は、導電性を示す高分子化合物を含むことが好ましい。高分子化合物は、ドーパントを含有していてもよい。高分子化合物の導電性は、導電率で10−5以上10S/cm以下の範囲内であり、好ましくは10−3以上10S/cm以下の範囲内である。また、透明導電層23は、実質的に導電性を示す高分子化合物から成ることが好ましい。
透明導電層23を構成する材料としては、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を用いることが可能である。ドーパントとしては、公知のドーパントを用いることが可能であり、その例としては、ポリスチレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸、PF、AsF、SbF等のルイス酸が挙げられる。また、導電性を示す高分子化合物は、ドーパントが高分子化合物に直接結合した自己ドープ型の高分子化合物であってもよい。
また、透明導電層23は、ポリチオフェン及びポリチオフェンのうち少なくとも一方の誘導体を含んで構成されることが好ましく、実質的には、ポリチオフェン及びポリチオフェンのうち少なくとも一方の誘導体から成ることが好ましい。なお、ポリチオフェン及びポリチオフェンのうち少なくとも一方の誘導体は、ドーパントを含有していてもよい。
ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、水及びアルコール等の水系溶媒に溶解、もしくは分散しやすいため、塗布法に用いられる塗布液の溶質として、好適に用いられる。また、これらは、導電性が高く、電極材料として好適に用いられる。さらに、これらは、HOMOエネルギーが5.0eV程度であり、通常の有機EL素子に用いられる有機発光層のHOMOエネルギーとの差が1eV程度と低く、有機発光層に正孔を効率的に注入することが可能であるため、特に、陽極の材料として好適に用いることが可能である。また、これらは、透明性が高く、有機EL素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
また、透明導電層23は、ポリアニリン及びポリアニリンのうち少なくとも一方の誘導体を含んで構成されることが好ましく、実質的には、ポリアニリン及びポリアニリンのうち少なくとも一方の誘導体から成ることが好ましい。なお、ポリアニリン及びポリアニリンのうち少なくとも一方の誘導体は、ドーパントを含有していてもよい。
ポリアニリン及びポリアニリンのうち少なくとも一方の誘導体は、導電性及び安定性に優れるために、電極材料として好適に用いられる。また、透明性が高く、有機EL素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
(透明電極1の製造方法)
以下、透明電極1の製造方法について、図1及び図2を参照しつつ、図3及び図4を用いて説明する。なお、図3及び図4中では、図2中と同様、細線構造部13を形成した透明基材12を、符号「10」で示している。
透明電極1は、透明基材12上に、細線構造部13、機能層21、透明導電層23を、それぞれ、透明基材12側からこの順に形成して製造する。すなわち、透明電極1の製造方法は、細線構造部13を形成する細線構造部形成工程と、細線構造部形成工程の後工程であり、機能層21を形成する機能層形成工程と、機能層形成工程の後工程であり、透明導電層23を形成する透明導電層形成工程を含む。
(細線構造部形成工程)
細線構造部13を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、または、金属薄膜を熱圧縮するラミネート法等により、細線構造部13の構成材料から成る膜を形成した後に、フォトレジストを用いたエッチング法により前述したパターンを形成する方法を用いることが可能である。
また、細線構造部13を形成する方法としては、例えば、細線構造部13となる材料を含む溶液からの成膜を用いることが可能である。この場合、溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、細線構造部13となる材料を溶解させるものであれば、特に制限はない。また、溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法を用いることが可能である。特に、前述したパターンを直接形成することが可能な成膜方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の吐出による塗布法が好適である。その後、乾燥固化させて、細線構造部13を形成する。
(機能層形成工程)
機能層形成工程では、細線構造部非形成領域14に機能層21をパターニング形成する。
機能層21となる材料を含む溶液の成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法を用いることが可能である。特に、前述したパターンを直接形成可能な成膜方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の吐出による塗布法が好適である。
ここで、図3を用いて、機能層形成工程を説明する。なお、図3は、機能層形成工程の説明図である。
図3(a)は、機能層21の材料を含む溶液20が塗布された直後の状態を示す。
なお、図3(a)中に示す状態のままで、透明導電層23の塗布成膜を行うと、下層の機能層21を溶解してしまい、機能層21の塗膜まで溶液状態となるため、機能層21が担う透明電極1の平坦化効果が減少してしまうおそれがある。そのため、予め加熱処理を実施して、塗膜を固化しておくことが望ましい。
また、機能層21の材料を含む溶液20を乾燥させ、溶媒を気化させるため、加熱処理を行った後の機能層21の形状を、図3(b)に示す。
図3(b)に示す状態では、透明基材12のうち透明電極1を形成する領域である透明電極形成領域11のうち、細線構造部非形成領域14の透明基材12上に、機能層21を形成する。この時点では、機能層21の高さは細線構造部13よりも低く、細線構造部13の表面は露出している。
なお、本実施形態の透明電極1は、上述したように、機能層21が、光散乱機能、光吸収発光機能、吸湿機能を備えている。
このため、本実施形態では、機能層21をパターニング形成する過程で、機能層21の材料へ金属酸化物粒子や蛍光色素の含有物31を添加した溶液にて、上述した成膜方法を用いて、機能層21を形成する。
なお、機能層21の構成は、機能層21の材料へ含有物31を添加した構成に限定するものではなく、機能層21の材料へ含有物31を添加しない構成としてもよい。
(透明導電層形成工程)
ここで、図4を用いて、機能層形成工程を説明する。なお、図4は、透明導電層形成工程の説明図である。
透明導電層形成工程では、図4(a)に示すように、透明電極形成領域11の全面に亘り、透明導電層23の材料を含む溶液22を、細線構造部13上を含む透明基材12に塗布される。さらに、透明電極形成領域11に塗布導電材料を塗布して、透明導電層23を成膜する。
透明導電層23の成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法を用いることが可能である。特に、透明電極形成領域11を全面に亘って成膜するため、一様に塗布成膜する方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スピンコート法、バーコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、ロールコート法等の塗布法が好適である。
次に、透明電極形成領域11の全面に塗布導電材料が塗布された透明基材12を、乾燥処理室内で、例えば、100℃以上の温度条件で加熱処理する。これにより、図4(b)に示すように、塗布導電材料を含む溶液に含まれる溶媒を気化させて、透明基材12及び細線構造部13の上に塗布導電材料を固着させて、透明導電層23を形成する。
(有機EL素子の構成)
次に、有機EL素子の詳細な構成について説明する。
本実施形態における有機EL素子は、上述した構成の透明電極1を備える。
また、有機EL素子は、透明電極1を陽極として用い、有機発光層、陰極については、有機EL素子に一般的に使われている材料・構成等、任意のものを用いることが可能である。
有機EL素子の素子構成としては、例えば、以下に示す(A)〜(E)等、各種の構成のものを用いることが可能である。
(A)陽極/有機発光層/陰極
(B)陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極
(C)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極
(D)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(E)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子注入層/陰極
なお、上記の(A)〜(E)中に示す記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。これは、以降の説明に関しても同様である。
また、有機EL素子は、2層以上の有機発光層を有する構成としてもよい。2層以上の有機発光層を有する有機EL素子としては、例えば、以下の(F)に示す層構成を用いることが可能である。
(F)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電荷注入層/電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
また、3層以上の有機発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、(電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電荷注入層)を、一つの繰り返し単位として、以下の(G)に示す繰り返し単位を2つ以上含む層構成を用いることが可能である。
(G)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電荷注入層/(該繰り返し単位)/(該繰り返し単位)/・・・/陰極
なお、上記の層構成において、陽極、陰極、有機発光層以外の各層は、必要に応じて削除することが可能である。
ここで、電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば、酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデン等からなる薄膜を用いることが可能である。
以下、陽極と有機発光層との間に設けられる層、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、陰極と発光層との間に設けられる層、電子輸送層、電子注入層、陰極の各層について説明する。
(陰極と発光層との間に設けられる層)
必要に応じて陰極と有機発光層の間に設けられる層としては、例えば、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。また、陰極と有機発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。
電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。
なお、電子注入層及び電子輸送層のうち少なくとも一方の層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
(正孔注入層)
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または、陽極と有機発光層との間に設けることが可能である。
正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることが可能であり、特に制限はない。したがって、正孔注入層を構成する材料としては、例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化モリブデン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等を用いることが可能である。
正孔注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層となる材料(正孔注入材料)を含む溶液からの成膜を用いることが可能である。
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、水を用いることが可能である。
溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法を用いることが可能である。
また、正孔注入層の厚さとしては、5nm以上300nm以下の範囲内程度であることが好ましい。これは、正孔注入層の厚さが5nm未満では、製造が困難になる傾向があるためである。一方、正孔注入層の厚さが300nmを越えると、駆動電圧や、正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となるためである。
(正孔輸送層)
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリシランまたはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリアリールアミンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)またはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)またはその誘導体等を用いることが可能である。
また、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、上述した材料の中でも、ポリビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリシランまたはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体ポリアニリン、またはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリアリールアミンまたはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)またはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)またはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましい。なお、低分子の正孔輸送材料の場合は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を用いることが可能であり、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を用いることが可能である。
また、溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒を、その一例として用いることが可能である。また、溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を用いることが可能である。
正孔輸送層の厚さは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することが可能であり、例えば、1nm以上1000nm以下の範囲内程度であることが好ましい。これは、正孔輸送層の厚さが1nm未満となると、製造が困難になる傾向や、正孔輸送の効果が十分に得られない等の傾向があるためである。一方、正孔輸送層の厚さが1000nmを超えると、駆動電圧及び正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向があるためである。したがって、正孔輸送層の厚さは、好ましくは、1nm以上1000nm以下の範囲内であるが、より好ましくは、2nm以上500nm以下の範囲内であり、さらに好ましくは、5nm以上200nm以下の範囲内である。
(有機発光層)
有機発光層は、主として蛍光または燐光を発光する有機物(低分子化合物及び高分子化合物)を有する。なお、有機発光層は、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。
有機発光層を形成する材料としては、例えば、以下のものを用いることが可能である。
・色素系材料
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることが可能である。
・金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be等、または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を用いることが可能である。
・高分子系材料
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を用いることが可能である。
上述した発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を用いることが可能である。
また、上述した発光性材料のうち、緑色に発光する材料としては、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を用いることが可能である。
また、上述した発光性材料のうち、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体等を用いることが可能である。
・ドーパント材料
発光効率の向上や発光波長を変化させる目的で、有機発光層中にドーパントを添加することが可能である。
ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクドリン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を用いることが可能である。なお、有機発光層の厚さは、通常では、約2nm以上200nm以下の範囲内である。
有機発光層の成膜方法としては、有機発光材料を含む溶液からの成膜を用いることが可能である。また、溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、有機発光材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒を、その一例として用いることが可能である。また、溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を用いることが可能である。
(陰極と発光層との間に設けられる層)
必要に応じて陰極と有機発光層の間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極と有機発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。
電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。
なお、電子注入層及び電子輸送層のうち少なくとも一方が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
(電子輸送層)
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを用いることが可能であり、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンまたはその誘導体、ベンゾキノンまたはその誘導体、ナフトキノンまたはその誘導体、アントラキノンまたはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンまたはその誘導体、フルオレノンまたはその誘導体、ジフェニルジシアノエチレンまたはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンまたはその誘導体、ポリキノキサリンまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体等を用いることが可能である。
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンまたはその誘導体、アントラキノンまたはその誘導体、8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンまたはその誘導体、ポリキノキサリンまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、高分子バインダーと電子輸送材料とを含む混合液からの成膜を用いることが可能であり、高分子の電子輸送材料では、電子輸送材料を含む溶液からの成膜を用いることが可能である。
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、電子輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒を、その一例として用いることが可能である。また、溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を用いることが可能である。
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、目的とする設計に応じて適宜変更することが可能であるが、少なくとも、ピンホールが発しないような膜厚が必要である。したがって、電子輸送層の膜厚としては、例えば、1nm以上1000nm以下の範囲内程度であることが好ましく、より好ましくは、2nm以上500nm以下の範囲内であり、さらに好ましくは、5nm以上200nm以下の範囲内である。
(電子注入層)
電子注入層を構成する材料としては、有機発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一つを含む合金、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、または、これらの物質の混合物等を用いることが可能である。
アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルブジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等を用いることが可能である。
また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物としては、例えば、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等を用いることが可能である。
なお、電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。この場合、電子注入層を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム/カルシウム等を用いることが可能である。
また、電子注入層は、各種蒸着法、スパッタリング法、各種塗布法等により形成される。
また、電子注入層の膜厚としては、1nm以上1000nm以下の範囲内程度が好ましい。
(陰極)
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、有機発光層への電子注入が容易な材料、電気導電度が高い材料、可視光反射率の高い材料のうち、少なくとも一つの材料を用いることが好ましい。具体的には、陰極の材料としては、例えば、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛等の無機半導体等を用いることが可能である。
また、陰極の材料として用いる金属としては、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やIII−b属金属等を用いることが可能である。これらの金属の具体的な例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることが可能である。
また、陰極の材料として用いる合金としては、上述した金属のうち少なくとも一種を含む合金を用いることが可能である。具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を用いることが可能である。
陰極は、必要に応じて透明電極とされるが、それらの材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ITO、IZO等の導電性酸化物、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体等の導電性有機物を用いることが可能である。
なお、陰極は、2層以上の積層構造としてもよい。また、電子注入層を陰極として用いてもよい。
陰極の膜厚は、電気導電度や耐久性を考慮して、適宜選択することが可能であるが、例えば、10nm以上10000nm以下の範囲内であり、好ましくは20nm以上1000nm以下の範囲内であり、さらに好ましくは、50nm以上500nm以下の範囲内である。
(有機EL素子の用途)
本実施形態の有機EL素子は、自発光型ディスプレイ、液晶用バックライト、照明等に用いることが可能である。また、本実施形態の有機EL素子は、均一にムラなく発光させることが可能であるため、照明用途で用いることが好ましい。
(第一実施形態の効果)
(1)透明電極形成領域11の全面にわたり、機能層21を、透明電極形成領域11のうち細線構造部非形成領域14に形成し、その後、透明電極形成領域11の全面にわたり、透明導電層23を形成する。
このため、機能層21の存在により、細線構造部13の形状の影響を緩和することが可能となり、透明導電層23の均一性が向上するため、透明電極1の表面平滑性の低下を抑制することが可能となる。
(2)透明基材12上に細線構造部13を形成し、細線構造部非形成領域14に機能層21を形成し、その後、透明電極形成領域11の全面に透明導電層23を形成する際に、機能層21の材料に金属酸化物粒子や蛍光色素の含有物31を添加して、機能層21が光散乱機能、吸湿機能、光吸収発光機能のうちいずれかを備える構成としている。
このため、透明電極1の表面平滑性の低下を抑制することが可能となるとともに、透明電極1を備える有機EL素子に対し、発光特性や安定性を向上させることが可能となる。
1 透明電極
10 細線構造部を形成した透明基材
11 透明電極形成領域
12 透明基材
13 細線構造部
14 細線構造部非形成領域
20 機能層の材料を含む溶液
21 機能層
22 透明導電層の材料を含む溶液
23 透明導電層
31 含有物

Claims (11)

  1. 透明基材と、当該透明基材上に配置され、且つ導電材料で形成された細線構造部と、前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に配置した機能層と、前記細線構造部及び前記機能層上に配置した透明導電層と、を有し、
    前記機能層は、導電率を有する高分子化合物と、シリカ粒子と、を含んで形成され、
    前記機能層の導電率は、前記透明導電層の導電率以下であり、
    前記機能層の屈折率は、1.4以上1.65未満の範囲内であり、
    前記透明導電層の導電率は、10 −5 S/cm以上10 S/cm以下の範囲内であることを特徴とする透明電極。
  2. 前記機能層の高さは、前記細線構造部の高さよりも低いことを特徴とする請求項1に記載した透明電極。
  3. 前記機能層は、光散乱機能を備えていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載した透明電極。
  4. 前記機能層は、蛍光色素が含有され、且つ光吸収発光機能を備えていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載した透明電極。
  5. 前記機能層は、金属酸化物粒子が含有され、且つ吸湿機能を備えていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載した透明電極。
  6. 前記機能層は、粒径が0.5μm以上1.5μm以下の範囲内の金属酸化物粒子が含有されていることを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載した透明電極。
  7. 請求項1から請求項6のうちいずれか1項に記載した透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 透明基材と、当該透明基材上に配置され、且つ導電材料で形成された細線構造部と、前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に配置した機能層と、前記細線構造部及び前記機能層上に配置した透明導電層と、を有することを特徴とする透明電極の製造方法であって、
    前記透明基材上の前記細線構造部を形成した領域を除く部分に前記機能層の材料を含む溶液を塗布して機能層を形成する機能層形成工程と、
    前記機能層形成工程の後工程であり、前記細線構造部及び前記機能層上に前記透明導電層の材料を含む溶液を塗布して、前記機能層の導電率が前記透明導電層の導電率以下となるように透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、を含み、
    前記機能層形成工程では、前記機能層の屈折率が1.4以上1.65未満の範囲内となるように、導電率を有する高分子化合物と、シリカ粒子と、を含んで前記機能層を形成し、
    前記透明導電層形成工程では、前記透明導電層の導電率が10 −5 S/cm以上10 S/cm以下の範囲内となるように前記透明導電層を形成することを特徴とする透明電極の製造方法。
  9. 前記機能層形成工程では、前記透明基材を加熱して前記機能層の材料を含む溶液を加熱乾燥させて、前記機能層を形成することを特徴とする請求項8に記載した透明電極の製造方法。
  10. 前記透明導電層形成工程は、材料を含む溶液の塗布方法が前記機能層形成工程と異なることを特徴とする請求項8または請求項9に記載した透明電極の製造方法。
  11. 請求項8から請求項10のうちいずれか1項に記載した透明電極の製造方法によって製造された透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2013236110A 2013-11-14 2013-11-14 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子 Expired - Fee Related JP6387602B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013236110A JP6387602B2 (ja) 2013-11-14 2013-11-14 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013236110A JP6387602B2 (ja) 2013-11-14 2013-11-14 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015095438A JP2015095438A (ja) 2015-05-18
JP6387602B2 true JP6387602B2 (ja) 2018-09-12

Family

ID=53197688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013236110A Expired - Fee Related JP6387602B2 (ja) 2013-11-14 2013-11-14 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6387602B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230061924A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic window color-conversion layers

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229271A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置およびその製造方法
KR100656496B1 (ko) * 2004-09-21 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
JP2009070816A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
FR2924274B1 (fr) * 2007-11-22 2012-11-30 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication
KR20110081968A (ko) * 2008-10-06 2011-07-15 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스용 기판, 그의 제조 방법, 이것을 이용한 전자 디바이스, 그의 제조 방법 및 유기 led 소자용 기판
JP2011216251A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置の製造方法
DE102011084276B4 (de) * 2011-10-11 2019-10-10 Osram Oled Gmbh Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung
US20150072159A1 (en) * 2012-04-09 2015-03-12 Konica Minolta, Inc. Conductive film and organic electroluminescent element
JPWO2013154133A1 (ja) * 2012-04-13 2015-12-17 シャープ株式会社 光散乱体、光散乱体膜、光散乱体基板、光散乱体デバイス、発光デバイス、表示装置、および照明装置
JP5888084B2 (ja) * 2012-04-19 2016-03-16 コニカミノルタ株式会社 有機電子素子用透明電極、有機電子素子用透明電極の製造方法、及び有機電子素子
JPWO2014034920A1 (ja) * 2012-09-03 2016-08-08 コニカミノルタ株式会社 透明電極およびその製造方法ならびに有機電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015095438A (ja) 2015-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5572942B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US8497497B2 (en) Organic electroluminescent element, method for manufacturing the organic electroluminescent element, and light emitting display device
JP2009181856A (ja) 透明導電膜付き透明板および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010067543A (ja) 印刷用のインキ
WO2009119558A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US20110315971A1 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent device
CN105917736B (zh) 发光装置及发光装置的制造方法
JP5249075B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100114108A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법, 면상 광원, 조명 장치, 및 표시 장치
US9923164B2 (en) Method for manufacturing transparent electrode, transparent electrode, and organic electroluminescence device provided with the same
JP2010146894A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6387602B2 (ja) 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010146893A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法
JP2017130408A (ja) 発光装置
JP5672789B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6781606B2 (ja) 有機el素子の製造方法
KR20110007110A (ko) 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법
WO2016139934A1 (ja) 透明電極、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5184938B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2017174598A (ja) 有機el素子
JP6945983B2 (ja) 有機elデバイス、表示素子及び有機elデバイスの製造方法
JP2017204403A (ja) 透明電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015064958A (ja) 透明電極、及びそれを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018045816A (ja) 透明電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2017098185A (ja) 透明電極、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161020

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180717

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180730

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6387602

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees