JP2001237065A - 高分子ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の有機ＥＬ素子の欠陥の発生や短寿命の問
題を解決し、素子の生産性を向上させ、安価な有機ＥＬ
素子を提供する。 【解決手段】透明基材１上に透明または半透明の導電層
２、高分子発光層３、陰極層４が順次積層されてなる高
分子ＥＬ基板５と二つ以上の端子用電極１３とが、少な
くとも透明ガスバリア性フィルムとシーラントとからな
る第１の多層封止フィルム８と少なくとも金属箔とシー
ラントとからなる第２の多層封止フィルム１２とからな
る封止用包装体中に真空封止されており、該端子用電極
の一端が高分子ＥＬ基板の該導電層または陰極層のいず
れか一つにそれぞれ接触し、他の一端が該真空封止のシ
ール部よりも外部に露出されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜のエレク
トロルミネセンス（以下単にＥＬという）現象を利用し
た有機薄膜ＥＬ素子、特に有機発光層が高分子蛍光体か
らなる高分子ＥＬ素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機薄膜ＥＬ素子は、一般的には陽極、
有機発光層、陰極とが積層されてなる。また、有機発光
層は、正孔注入層、正孔輸送層、蛍光体層、電子注入層
などが積層された多層構造とすることもできる。この陽
極、陰極間に電流を流すことにより有機蛍光体層で発光
が生じ、一方の電極を透明にすることで外部に光を取り
出すことができる。

【０００３】有機発光層の典型的な例としては、正孔注
入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にＮ，Ｎ’−ジ
（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、蛍光体層にトリス
（８−キノリノール）アルミニウムをそれぞれ用いた用
いたものが挙げられる。これらの有機発光層はいずれも
低分子の化合物であり、各層は０．０１〜０．１μｍ程
度の厚みで抵抗加熱方式などの真空蒸着法などによって
積層される。このため、低分子材料を用いる有機薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造のためには、複数の蒸着釜を連結した真空
蒸着装置を必要とし、蒸着時の加熱による材料劣化のた
めに生じる発光特性の低下や生産性が低い、製造コスト
が高いなどの問題点があった。

【０００４】さらに有機発光層は低分子の蒸着物である
ため膜の強度が弱く、そのため陰極となるアルミニウ
ム、マグネシウム、銀などの金属材料も真空蒸着または
スパッタリングなどの真空製膜装置を必要とし、装置面
から生産性、コスト面で実用化の障害となっていた。ま
た、真空製膜では陰極層にピンホールなどの欠陥が発生
しやすく、このピンホールから水分や酸素などが侵入し
素子の劣化が生じるなど、素子の寿命低下の一因となっ
ていた。

【０００５】これに対し、近年、有機層として高分子を
用いた高分子ＥＬ素子が提案されてきている。有機層と
して高分子を用いるもので、ポリスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリビニルカルバゾールなどの高分子
中に低分子の蛍光色素を溶解させたものや、ポリフェニ
レンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリアルキルフルオレ
ン誘導体（ＰＡＦ）などの高分子蛍光体が用いられる。
これら高分子発光体は、溶液に可溶とすることでスピン
コート、フレキソ印刷などの湿式法で製膜することがで
きる。しかしながら、陰極として用いる金属は、真空蒸
着、スパッタなどの方法により真空製膜されており、前
述の低分子の有機ＥＬ素子の場合と同様に、陰極層のピ
ンホールなどの問題や生産性、コストの問題を生じてい
た。

【０００６】また、上述の如く、陰極を真空製膜により
行う場合、その蒸着層は実質的に高々１μｍ程度の厚み
のため、素子の水蒸気、酸素などの侵入を防ぐことがで
きず、金属蓋、ガラス蓋などの封止を行う必要があり、
素子全体が厚くなる、重くなるなどの問題点があり、特
にプラスチックフィルムを基材として用いる場合にはこ
れらの方法も実質的に採用することができなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のとお
り、従来の有機ＥＬ素子の欠陥の発生や短寿命の問題を
解決し、素子の生産性を向上させ、安価な有機ＥＬ素子
を提供することを目的としてなされたものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題に
鑑みてなされたものであって、請求項１は、透明基材上
に透明または半透明導電層、高分子発光層、陰極層が順
次積層されてなる高分子ＥＬ基板と二つ以上の端子用電
極とが、少なくとも透明ガスバリア性フィルムとシーラ
ントとからなる第１の多層封止フィルムと少なくとも金
属箔とシーラントとからなる第２の多層封止フィルムと
からなる封止用包装体中に真空封止されており、該端子
用電極の一端が高分子ＥＬ基板の該導電層または陰極層
のいずれか一つにそれぞれ接触し、他の一端が該真空封
止のシール部よりも外部に露出していることを特徴とす
る高分子ＥＬ素子であり、請求項２は、透明基材上に透
明または半透明導電層、高分子発光層が順次積層されて
なる高分子ＥＬ基板と二つ以上の端子用電極とが、少な
くとも透明ガスバリア性フィルムとシーラントとからな
る第１の多層封止フィルムと少なくとも金属箔とシーラ
ントとからなる第２の多層封止フィルムとからなる封止
用包装体中に真空封止されており、該端子用電極の一端
が高分子ＥＬ基板の該導電層または高分子発光層のいず
れか一つにそれぞれ接触し、他の一端が該真空封止のシ
ール部よりも外部に露出していることを特徴とする高分
子ＥＬ素子であり、請求項３は、第１の多層封止フィル
ムおよび第２の多層封止フィルムのシーラントが、ポリ
エチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピ
レンのいずれかの酸変性樹脂を含むことを特徴とする請
求項１乃至２に記載の高分子ＥＬ素子であり、請求項４
は、第１の多層封止フィルムおよび第２の多層封止フィ
ルムのシーラントが、エチレン−アクリル酸共重合体、
エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメ
タクリレート共重合体のいずれかを含むことを特徴とす
る請求項１乃至２に記載の高分子ＥＬ素子であり、請求
項５は、第１の多層封止フィルムの透明ガスバリア性フ
ィルムが、セラミック蒸着された延伸フィルムであるこ
とを特徴とする請求項１乃至４に記載の高分子ＥＬ素子
であり、請求項６は、第２の多層封止フィルムを構成す
る金属箔がアルミ箔であることを特徴とする請求項１乃
至５に記載の高分子ＥＬ素子である。

【０００９】また、請求項７は、透明または半透明導電
層付き透明基材の導電層側に高分子発光層をコーティン
グし、次いで該高分子発光層上に真空製膜により陰極層
を形成した高分子ＥＬ基板を作製し、少なくとも透明ガ
スバリア性フィルムとシーラントとからなる第１の封止
フィルムと、少なくとも金属箔とシーラントとからなる
第２の多層封止フィルムとを、端子用電極を配置した前
記高分子ＥＬ基板の両面より巻き取り状または枚葉状に
て供給する工程と、前記第１の封止フィルムと前記第２
の封止フィルムとをヒートシールにより真空封止する工
程とからなることを特徴とする高分子ＥＬ素子の製造方
法であり、請求項８は、透明または半透明導電層付き透
明基材の導電層側に高分子発光層をコーティングして高
分子ＥＬ基板を作製し、少なくとも透明ガスバリア性フ
ィルムとシーラントとからなる第１の封止フィルムと、
少なくとも金属箔とシーラントとからなる第２の多層封
止フィルムとを、端子用電極を配置した前記高分子ＥＬ
基板の両面より巻き取り状または枚葉状にて供給する工
程と、前記第１の封止フィルムと前記第２の封止フィル
ムとをヒートシールにより真空封止する工程とからなる
ことを特徴とする高分子ＥＬ素子の製造方法である。

【００１０】本発明における基材としては、ガラス基板
やプラスチック製のフィルムまたはシートを用いること
ができる。プラスチック製のフィルムを用いれば、巻き
取りにより高分子ＥＬ素子の製造が可能となり、安価に
素子を提供することができる。プラスチックフィルムと
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマ
ー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネートなどを用いることが
できる。また、導電層を製膜しない側にセラミック蒸着
フィルムやポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体鹸化物などの他のガスバリア
性フィルムを積層したり、カラーフィルター層を印刷に
より設けたりしても良い。

【００１１】基材上には透明または半透明の導電層を設
ける。透明な導電層形成材料としては、インジウムと錫
の複合酸化物（以下ＩＴＯという）を用いることがで
き、前記基板上に蒸着またはスパッタリング法により製
膜することができる。また、オクチル酸インジウムやア
セトンインジウムなどの前駆体を基材上に塗布後、熱分
解により酸化物を形成する塗布熱分解法などにより形成
することもできる。また、透明導電層としてインジウム
と亜鉛との複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物な
どを用いることができる。あるいは、アルミニウム、
金、銀などの金属が半透明状に蒸着されたものを用いる
ことができる。

【００１２】上記、透明または半透明の導電層が積層さ
れたガラスまたはプラスチック基材は、本発明のために
特別に製造する必要はなく、導電層の抵抗率や光線透過
率に合わせて市販の基材を用いることができる。

【００１３】透明または半透明の導電層は、必要に応じ
てエッチングによりパターニングを行ったり、ＵＶ処
理、プラズマ処理などにより表面の活性化を行ってもよ
い。また、エッチングの代わりにニトロセルロース、ポ
リアミド、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、ウレタン樹脂な
どを絶縁層として印刷してもよい。

【００１４】本発明に用いることのできる高分子発光層
は、高分子蛍光体の単層であっても、正孔輸送層、高分
子蛍光体層などからなる多層構造であってもよい。正孔
輸送層を設ける場合は、銅フタロシアニンやその誘導
体、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン等の芳香族アミン系などの低分子も用い
ることができるが、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポ
リビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキ
シチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物な
どが、湿式法による製膜が可能であり、より好ましい。

【００１５】高分子蛍光体層としては、クマリン系、ペ
リレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、
キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリド
ン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピ
ロロピロール系などの蛍光性色素をポリスチレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾールなどの
高分子中に溶解させたものや、ポリアリールビニレン系
やポリフルオレン系などの高分子蛍光体を用いることが
できる。

【００１６】これらの高分子蛍光体層は、トルエン、キ
シレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、水などの単独または混合溶媒に高分子蛍光体材料を
溶解させ、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、
グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコ
ーティング、印刷方法を用いて製膜することができる。

【００１７】高分子ＥＬ基板としてあらかじめ陰極層を
設ける場合には、リチウム、マグネシウム、カルシウ
ム、アルミニウム、銀、金などの金属単体または合金を
真空蒸着あるいはスパッタリングなどの真空製膜法によ
って設けることができる。あるいは、炭素材料を蒸着し
て陰極層とすることができる。これらの陰極層は、蒸着
時に蒸着マスクを介在させることにより所定のパターン
に形成することができる。また、蒸着によらず、アルミ
ニウム、ニッケル、銅、リチウム、ステンレスなどの金
属箔や蒸着あるいはメッキによって作製した金属同士の
複合箔を所定の形状に加工したものを高分子発光層と圧
着または熱圧着などでラミネートしても良い。あるい
は、前記複合箔の代わりに、複合箔とプラスチックフィ
ルムとをラミネートした積層体やプラスチックフィルム
に前記金属を蒸着またはスパッタした蒸着フィルムなど
の金属層を所定の形状にエッチングするなどして用いて
もよい。その際には複数の陰極を同一のフィルム上に形
成してもよい。あるいは、金属箔上に炭素材料をコーテ
ィングしたものを用いるなどしても良い。

【００１８】端子用電極は、導電性のある金属材料であ
れば特に限定されるものではなく、アルミニウム、銅な
どの箔、板を用いることができ、また、金属の複合箔や
プラスチックフィルム上に金属層が形成された積層体で
も良い。端子用電極の厚さは、真空封止のシールの際に
ピンホールなどを防止するためには、０．５ｍｍ以下、
好ましくは０．２ｍｍ以下とするのがよい。また、第１
および第２の多層封止フィルムのシーラントとの接着性
を向上させるために、端子用電極の一部にポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など
のコーティングを行っても良い。

【００１９】本発明に用いる第１の多層封止フィルム
は、少なくとも透明ガスバリア性フィルムとシーラント
との積層フィルムからなる。該積層フィルムの水蒸気透
過度は、１０ｇ／ｍ² ／ｄａｙ以下がよく、好ましくは
１ｇ／ｍ² ／ｄａｙ、さらに好ましくは０．１ｇ／ｍ²
／ｄａｙがよい。また、該積層フィルムの酸素透過度
は、１０ｃｃ／ｍ² ／ｄａｙ／ａｔｍがよく、好ましく
は１ｃｃ／ｍ² ／ｄａｙ／ａｔｍ、さらに好ましくは
０．１ｃｃ／ｍ² ／ｄａｙ／ａｔｍがよい。

【００２０】第１の多層封止フィルムに用いることので
きる透明ガスバリア性フィルムとしては、ポリ塩化ビニ
リデン、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリビ
ニルアルコールなどからなるフィルムやこれらとナイロ
ン、ポリプロピレン、ポリエステルなどとの共押し出し
フィルムを用いることができる。また、ポリプロピレ
ン、ポリエステル、ナイロンなどの２軸延伸フィルムに
ポリ塩化ビニリデンがコーティングされたものを用いる
ことができる。さらに、前記２軸延伸フィルムにアルミ
ニウム酸化物、珪素酸化物、マグネシウム酸化物、ＩＴ
Ｏなどの金属酸化物が透明に蒸着されたフィルムやアル
ミニウム、銀、金などの金属が半透明状に蒸着されたも
のを用いてもよい。特に２軸延伸フィルム上にアルミニ
ウム酸化物、珪素酸化物、マグネシウム酸化物、ＩＴＯ
などのセラミックが蒸着された延伸フィルムは、水、酸
素の透過度が低く、透明性も良好であるので、本発明に
おいて好適に使用できる。

【００２１】また、第１の多層封止フィルムにカラーフ
ィルターやＮＤフィルターを印刷したり、偏光フィルム
をさらに積層したりしてもよい。

【００２２】本発明に用いる第２の多層封止フィルム
は、少なくとも金属箔とシーラントの積層フィルムから
なる。金属箔としては、アルミニウム、ステンレス、
銅、ニッケルなどを用いることができるが、アルミニウ
ムが加工性、コストなどの点から好適である。金属箔の
厚みは５μｍ以上であればよいが、ピンホールによるガ
スバリア性の低下を防止するために１５μｍ以上がよ
く、２０μｍがより好ましい。取り扱いをよくするため
にポリエステル、ポリプロピレン、ナイロンなどの延伸
フィルムとさらに積層してもよい。特に、金属箔とシー
ラントとの間に前記延伸フィルムを積層すると、前記金
属箔が端子用電極や陰極層、導電層などと接して短絡す
ることがなくなり、好適である。

【００２３】本発明に用いる第１および第２の多層封止
フィルムに用いるシーラントとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリエステルや、こ
れらの酸変性樹脂を用いることができる。また、エチレ
ン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重
合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体および
エチレン−エチルアクリレート−無水マレイン酸３元共
重合体なども用いることができる。ポリエチレン、ポリ
プロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリエステルなどをシーラ
ントとして用いる場合には、真空封止の際の端子用電極
との接着については接着剤を用いればよいが、前記酸変
性樹脂やエチレン−アクリル系共重合体などの接着性樹
脂をシーラントとして用いる場合にはそのままヒートシ
ールにより封止ができるので、好適である。

【００２４】透明ガスバリア性フィルムとシーラントか
らなる第１の多層封止フィルムおよび少なくともアルミ
箔とシーラントとからなる第２の多層封止フィルムは、
ドライラミネート、押し出しラミネートなど通常の方法
によって、積層することができる。ドライラミネートの
場合には、それぞれのフィルムをウレタン系、アクリル
系、エポキシ系などの接着剤によりラミネートすること
ができる。押し出しラミネートの場合には、前記シーラ
ント樹脂を基材上に押し出しラミネートしてよく、ま
た、シーラントフィルムと基材とをポリエチレン、ポリ
プロピレンや前記接着性樹脂とでサンドラミネートして
も良い。

【００２５】本発明における高分子ＥＬ基板は、透明ま
たは半透明の導電層が積層された基材上に高分子発光層
をコーティングする。基材がガラスの場合は、スピンコ
ート、ロールコート、スプレーコート、スロットコー
ト、フレキソ、オフセット、凹版オフセットなどの方法
を用いることができる。基材として巻き取りのフィルム
を用いる場合には、フレキソ、グラビア、グラビアオフ
セット、マイクログラビア、フレキソ、ダイコート、ロ
ールコートなどの各種コーティング方法を用いることが
できる。特に、フレキソ、オフセット、凹版オフセッ
ト、グラビアなどのパターニングがコーティングと同時
に可能な方法が好ましい。また、高分子発光層を２層以
上の複数層とする場合には、各層を構成する材料の溶解
性を鑑み、例えば、水溶性と油溶性の樹脂を選択するな
どの溶解性の差を利用したり、コーティングから乾燥ま
での時間を短くして、実質的に下層に影響を与えないよ
うにコーティング条件を選定しても良い。コーティング
の厚みは、素子の構造によるが０．０１から１０μｍ、
好ましくは０．０５から０．５μｍが好適である。さら
に、必要に応じて前述の陰極層を形成して高分子ＥＬ基
板とすることができる。

【００２６】本発明における高分子ＥＬ素子は、前記高
分子ＥＬ基板を枚葉またはロール状で供給し、陽極用お
よび陰極用の端子用電極をそれぞれ少なくとも一つ高分
子ＥＬ基板の所定の位置に配置する。陽極用端子用電極
の一端は高分子ＥＬ基板の透明または半透明導電層に接
するように配置する。高分子ＥＬ基板に陰極層を形成し
ている場合には、陰極用端子用電極の一端が該陰極層に
接するようにする。高分子ＥＬ基板に陰極層を形成しな
い場合には、陰極用端子電極が少なくとも発光パターン
を含む形状に加工して、高分子ＥＬ基板の高分子発光層
上に配置される。

【００２７】次いで、前記端子用電極が配置された高分
子ＥＬ基板を第１の多層封止フィルムと第２の多層封止
フィルムとで４方シールにて真空封止する。第１及び第
２の多層封止フィルムは、巻き取り状であっても枚葉状
であってもよく、第１の封止フィルムを透明基材側に、
第２の封止フィルムを陰極側とする。真空封止の工程の
前に、乾燥窒素、乾燥アルゴンなどの不活性ガスによる
ガス置換を行っても良い。また、シールは、前記多層封
止フィルムの厚みとシーラントの材質にあわせた適当な
温度にて熱板によるヒートシールをすればよいが、必要
に応じてエポキシ系、アクリル系、ゴム系などの接着剤
を併用したり、誘電加熱、超音波加熱を行っても良い。
巻き取り状で多層封止フィルムなどを供給する場合は、
真空封止工程の前、あるいは同時あるいは後工程で行っ
て良い。また、それぞれの端子用電極の一端が真空封止
のシール部よりも外部に露出させることにより、外部電
源からの電力供給を行うことができる。

【００２８】以下、実施例により本発明を具体的に述べ
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２９】

【実施例】（実施例１）以下、図１を用いて説明する。
ガラスからなる透明基材（１）上のＩＴＯからなる導電
層（２）を所定のパターンにエッチングを行った後、高
分子発光層（３）としてＭＥＨ−ＰＰＶ（化１）を用
い、スピンコート法により厚み０．１μｍのコーティン
グを行った。さらに、この高分子発光層上に蒸着マスク
を用いて真空蒸着により厚さ０．０１μｍの陰極層
（４）を設け、本発明からなる高分子ＥＬ基板（５）を
作製した。

【００３０】

【化１】

【００３１】また、第１の多層封止フィルム（８）とし
てＫコート（ポリ塩化ビニリデンのコーティング）され
たポリエステルフィルム（１２μｍ）（６）にシーラン
ト（７）としてポリプロピレンの酸変性樹脂を厚み５０
μｍで押し出しラミネートした。また、第２の多層封止
フィルム（１２）としてポリエステルフィルム（９）と
アルミニウム箔（１０）２０μｍをドライラミネートし
た多層フィルムのアルミニウム箔面に前記ポリプロピレ
ンの酸変性樹脂を同様にラミネートしてシーラント（１
１）とした。また、アルミニウム箔（１００μｍ) を所
定の形状に切り出し端子用電極（１３）とし、前記高分
子ＥＬ基板上に重ね、前記第１の多層封止フィルムと前
記第２の多層封止フィルムとにより真空封止し、高分子
ＥＬ素子を作製した。高分子ＥＬ素子に５Ｖの電圧を印
加したところ７０ｃｄ／ｍ² の均一な発光を得ることが
できた。

【００３２】（実施例２)ＩＴＯ付きポリエステルシー
ト（１５）のＩＴＯ面にウレタン樹脂を絶縁層（１６）
としてダイレクトグラビアにて厚さ２μｍでパターン印
刷し、さらに発光層（３）としてＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ
［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキ
シ）−１，４−フェニレン ビニレン］）をダイレクト
グラビアにて０．１μｍでパターン印刷した。また、ア
ルミ蒸着ポリエステルフィルム（１７）をエッチングに
より所定のパターンとし、前記ＭＥＨ−ＰＰＶ面に圧着
した。次いで実施例１における第１の多層封止フィルム
のＫコートされたポリエステルフィルムを酸化アルミニ
ウムが蒸着されたポリエステルフィルム（１８）に代え
た他は同様にして、第１および第２の多層封止フィルム
を作製し、以下実施例と同様にして、図２に示す高分子
ＥＬ素子を作製した。高分子ＥＬ素子に５Ｖの電圧を印
加したところ４０ｃｄ／ｍ² の均一な発光を得ることが
できた。

【００３３】

【発明の効果】本発明により金属箔を陰極として用いる
ことにより、より簡便に高分子ＥＬ素子を製造すること
が可能となり、また、陰極の金属箔が水分、酸素などの
バリア層となることで素子の封止工程を省略または簡便
化することが可能となった。

【００３４】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高分子ＥＬ素子の一実施例を示す説明
図である。

【図２】本発明の高分子ＥＬ素子の他の実施例を示す説
明図である。

【符号の説明】

１ 透明基材 ２ 導電層 ３ 高分子発光層 ４ 陰極層 ５ 高分子ＥＬ基板 ６ Ｋコートポリエステルフィルム ７ シーラント ８ 第１の多層封止フィルム ９ ポリエステルフィルム １０ アルミニウム箔 １１ シーラント １２ 第２の多層封止フィルム １３ 端子用電極 １５ ＩＴＯ付きポリエステルシート １６ 絶縁層 １７ アルミ蒸着ポリエステルフィルム １８ 酸化アルミニウム蒸着ポリエステルフィルム

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 AB15 AB18 BB01 BB04 CA01 CA06 CB01 CC01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基材上に透明または半透明の導電層、
   高分子発光層、陰極層が順次積層されてなる高分子ＥＬ
   基板と二つ以上の端子用電極とが、少なくとも透明ガス
   バリア性フィルムとシーラントとからなる第１の多層封
   止フィルムと少なくとも金属箔とシーラントとからなる
   第２の多層封止フィルムとからなる封止用包装体中に真
   空封止されており、該端子用電極の一端が高分子ＥＬ基
   板の該導電層または陰極層のいずれか一つにそれぞれ接
   触し、他の一端が該真空封止のシール部よりも外部に露
   出していることを特徴とする高分子ＥＬ素子。
2. 【請求項２】透明基材上に透明または半透明の導電層、
   高分子発光層が順次積層されてなる高分子ＥＬ基板と二
   つ以上の端子用電極とが、少なくとも透明ガスバリア性
   フィルムとシーラントとからなる第１の多層封止フィル
   ムと少なくとも金属箔とシーラントとからなる第２の多
   層封止フィルムとからなる封止用包装体中に真空封止さ
   れており、該端子用電極の一端が高分子ＥＬ基板の該導
   電層または高分子発光層のいずれか一つにそれぞれ接触
   し、他の一端が該真空封止のシール部よりも外部に露出
   していることを特徴とする高分子ＥＬ素子。
3. 【請求項３】第１の多層封止フィルムおよび第２の多層
   封止フィルムのシーラントが、ポリエチレン、エチレン
   −酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレンのいずれかの酸
   変性樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至２に記載
   の高分子ＥＬ素子。
4. 【請求項４】第１の多層封止フィルムおよび第２の多層
   封止フィルムのシーラントが、エチレン−アクリル酸共
   重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−
   メチルメタクリレート共重合体のいずれかを含むことを
   特徴とする請求項１乃至２に記載の高分子ＥＬ素子。
5. 【請求項５】第１の多層封止フィルムの透明ガスバリア
   性フィルムが、セラミック蒸着された延伸フィルムであ
   ることを特徴とする請求項１乃至４に記載の高分子ＥＬ
   素子。
6. 【請求項６】第２の多層封止フィルムを構成する金属箔
   がアルミ箔であることを特徴とする請求項１乃至５に記
   載の高分子ＥＬ素子。
7. 【請求項７】透明または半透明の導電層付き透明基材の
   導電層側に高分子発光層をコーティングし、次いで該高
   分子発光層上に真空製膜により陰極層を形成した高分子
   ＥＬ基板を作製し、少なくとも透明ガスバリア性フィル
   ムとシーラントとからなる第１の封止フィルムと、少な
   くとも金属箔とシーラントとからなる第２の多層封止フ
   ィルムとを、端子用電極を配置した前記高分子ＥＬ基板
   の両面より巻き取り状または枚葉状にて供給する工程
   と、前記第１の封止フィルムと前記第２の封止フィルム
   とをヒートシールにより真空封止する工程とからなるこ
   とを特徴とする高分子ＥＬ素子の製造方法。
8. 【請求項８】透明または半透明の導電層付き透明基材の
   導電層側に高分子発光層をコーティングして高分子ＥＬ
   基板を作製し、少なくとも透明ガスバリア性フィルムと
   シーラントとからなる第１の封止フィルムと、少なくと
   も金属箔とシーラントとからなる第２の多層封止フィル
   ムとを、端子用電極を配置した前記高分子ＥＬ基板の両
   面より巻き取り状または枚葉状にて供給する工程と、前
   記第１の封止フィルムと前記第２の封止フィルムとをヒ
   ートシールにより真空封止する工程とからなることを特
   徴とする高分子ＥＬ素子の製造方法。