JPH0978000A - 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 - Google Patents
帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法Info
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- JPH0978000A JPH0978000A JP23423295A JP23423295A JPH0978000A JP H0978000 A JPH0978000 A JP H0978000A JP 23423295 A JP23423295 A JP 23423295A JP 23423295 A JP23423295 A JP 23423295A JP H0978000 A JPH0978000 A JP H0978000A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック材料やガラス材料の表面に耐久
性と光透過性に優れた帯電防止膜を形成し、静電気によ
る塵埃の付着や放電によって引き起こされる種々のトラ
ブルを防ぐ。 【解決手段】 少なくとも、一般式（Ｉ）、または（I
I） 【化１】 【化２】 で表される金属アルコキシドの加水分解重縮合物と水溶
性導電性性有機化合物を含有することを特徴とする帯電
防止膜形成用組成物、該組成物を基材上に塗布する工程
を含むことを特徴とする帯電防止膜の形成方法、及び表
面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び
波長７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ９
２％以上であり、厚さ１００Å以上の導電性膜を有する
ことを特徴とする基材。
性と光透過性に優れた帯電防止膜を形成し、静電気によ
る塵埃の付着や放電によって引き起こされる種々のトラ
ブルを防ぐ。 【解決手段】 少なくとも、一般式（Ｉ）、または（I
I） 【化１】 【化２】 で表される金属アルコキシドの加水分解重縮合物と水溶
性導電性性有機化合物を含有することを特徴とする帯電
防止膜形成用組成物、該組成物を基材上に塗布する工程
を含むことを特徴とする帯電防止膜の形成方法、及び表
面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び
波長７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ９
２％以上であり、厚さ１００Å以上の導電性膜を有する
ことを特徴とする基材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス材料やプラスチ
ック材料の表面の帯電防止に関し、より詳しくは、耐久
性や光透過性に優れた帯電防止膜を与える組成物及び帯
電防止膜の製造法に関する。
ック材料の表面の帯電防止に関し、より詳しくは、耐久
性や光透過性に優れた帯電防止膜を与える組成物及び帯
電防止膜の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリの高集積化、大容量
記録媒体や軽量な高性能フラットパネルディスプレイの
登場等を背景に情報機器の発展は目覚ましい。これらの
情報機器及び周辺機器に多く使用されているガラス材料
やプラスチック材料は高い絶縁性を示し帯電し易いた
め、それらの材料の帯電を原因とするトラブルが数多く
発生している。例えば、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク
等の大容量記録媒体に関するトラブルとしては、製造時
における塵埃の付着や静電気の放電による記録層の損
傷、保存もしくは使用時における塵埃の付着による記録
の読み出しや書き込みのエラーの発生等が挙げられる。
また、ディスプレイに関しては、ＣＲＴディスプレイや
液晶ディスプレイ表面の汚れ、液晶ディスプレイの駆動
中の帯電による表示不良等が挙げられる。
記録媒体や軽量な高性能フラットパネルディスプレイの
登場等を背景に情報機器の発展は目覚ましい。これらの
情報機器及び周辺機器に多く使用されているガラス材料
やプラスチック材料は高い絶縁性を示し帯電し易いた
め、それらの材料の帯電を原因とするトラブルが数多く
発生している。例えば、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク
等の大容量記録媒体に関するトラブルとしては、製造時
における塵埃の付着や静電気の放電による記録層の損
傷、保存もしくは使用時における塵埃の付着による記録
の読み出しや書き込みのエラーの発生等が挙げられる。
また、ディスプレイに関しては、ＣＲＴディスプレイや
液晶ディスプレイ表面の汚れ、液晶ディスプレイの駆動
中の帯電による表示不良等が挙げられる。
【０００３】これらのようなトラブルの対策としては、
基材表面を導電性膜で被覆する方法が有効であり、様々
な導電性膜形成用材料及び被膜の形成方法が提案されて
いる。最も単純には帯電防止成分としてイオン伝導性の
界面活性剤を含有する被膜で基材表面を被覆する方法が
知られているが、この方法には、帯電防止成分の界面活
性剤が表面にブリードしてしまってその性能が徐々に失
われるという問題があった。
基材表面を導電性膜で被覆する方法が有効であり、様々
な導電性膜形成用材料及び被膜の形成方法が提案されて
いる。最も単純には帯電防止成分としてイオン伝導性の
界面活性剤を含有する被膜で基材表面を被覆する方法が
知られているが、この方法には、帯電防止成分の界面活
性剤が表面にブリードしてしまってその性能が徐々に失
われるという問題があった。
【０００４】そこで、ブリードの問題を解決するための
方法が検討されており、例えば、帯電防止成分としてポ
リエチレングリコールジアクリレートを含有するアクリ
レート系紫外線硬化樹脂組成物を基材表面に塗布する方
法（特開昭５６−２２３０６号）、帯電防止剤としてア
ルカリ金属塩、アルカリ土類塩及びアンモニウム塩から
なる群から選ばれる一種以上の塩とイミダゾリン型界面
活性剤を含有する光硬化樹脂組成物からなる帯電防止性
ハードコート剤（特開平５−３３９３０６号）、シラン
化合物及びヘテロポリ酸またはその塩もしくは過塩素酸
化合物を含有する帯電防止被覆用組成物（特開平６−２
００１８５号）、水性シリカゾル、水性シリカゾルと反
応して化学複合体を形成する水性官能基含有重合体及び
界面活性剤で構成された静電防止用水性コーティング組
成物（特開平６−１７２６７８号）等が開示されてき
た。しかしながら、これらの方法で用いられている帯電
防止成分は、イオン伝導性であり、その性能が湿度の影
響を受けて変動し、乾燥状態では効果を失うという問題
があった。
方法が検討されており、例えば、帯電防止成分としてポ
リエチレングリコールジアクリレートを含有するアクリ
レート系紫外線硬化樹脂組成物を基材表面に塗布する方
法（特開昭５６−２２３０６号）、帯電防止剤としてア
ルカリ金属塩、アルカリ土類塩及びアンモニウム塩から
なる群から選ばれる一種以上の塩とイミダゾリン型界面
活性剤を含有する光硬化樹脂組成物からなる帯電防止性
ハードコート剤（特開平５−３３９３０６号）、シラン
化合物及びヘテロポリ酸またはその塩もしくは過塩素酸
化合物を含有する帯電防止被覆用組成物（特開平６−２
００１８５号）、水性シリカゾル、水性シリカゾルと反
応して化学複合体を形成する水性官能基含有重合体及び
界面活性剤で構成された静電防止用水性コーティング組
成物（特開平６−１７２６７８号）等が開示されてき
た。しかしながら、これらの方法で用いられている帯電
防止成分は、イオン伝導性であり、その性能が湿度の影
響を受けて変動し、乾燥状態では効果を失うという問題
があった。
【０００５】一方、湿度の影響を受けない帯電防止成分
として、電子伝導性のカーボン粉末、金属粉末や金属酸
化物を含有する被膜で被覆する方法も知られている。例
えば、特公昭６３−３３７７８号には、アンチモン含有
酸化錫からなる導電性微粉末を含有する透明合成樹脂塗
料組成物を塗布する方法が開示されている。また、ス
ズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも１
種の金属成分及びケイ素のアルコール性ゾルを含有する
帯電防止コーティング剤（特開平２−４７１６６号）、
スズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも
１種の導電性金属酸化物の水分散性ゾルと水性シリカゾ
ルから成る帯電防止用被膜組成物（特開平５−２７９５
９７号）が開示されている。
として、電子伝導性のカーボン粉末、金属粉末や金属酸
化物を含有する被膜で被覆する方法も知られている。例
えば、特公昭６３−３３７７８号には、アンチモン含有
酸化錫からなる導電性微粉末を含有する透明合成樹脂塗
料組成物を塗布する方法が開示されている。また、ス
ズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも１
種の金属成分及びケイ素のアルコール性ゾルを含有する
帯電防止コーティング剤（特開平２−４７１６６号）、
スズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも
１種の導電性金属酸化物の水分散性ゾルと水性シリカゾ
ルから成る帯電防止用被膜組成物（特開平５−２７９５
９７号）が開示されている。
【０００６】また、帯電防止成分としてπ共役系導電性
高分子を用いる方法も知られている。π共役系導電性高
分子は、一般には不融不溶であり、単独で基材との密着
性に優れた帯電防止被膜を形成することが困難であるた
め、種々の方法が提案されている。例えば、特開平６−
１４５３８４号や特開平６−１４５６５２号では、π共
役系を形成し得る複素環構造を有する重合性部分と、親
水基を有する基材表面と化学結合する結合基とを有する
化合物を基材表面に結合させた後、重合性部分を重合さ
せて帯電防止被膜を形成する方法が示されている。特開
平６−３０９６９９号では、基材表面にπ共役系導電性
高分子との結合性を有するアニオン性の基を導入した
後、基材表面に導電性高分子のモノマーを塗布して重合
処理を行い、耐久性に優れた帯電防止被膜を得る方法が
開示されている。
高分子を用いる方法も知られている。π共役系導電性高
分子は、一般には不融不溶であり、単独で基材との密着
性に優れた帯電防止被膜を形成することが困難であるた
め、種々の方法が提案されている。例えば、特開平６−
１４５３８４号や特開平６−１４５６５２号では、π共
役系を形成し得る複素環構造を有する重合性部分と、親
水基を有する基材表面と化学結合する結合基とを有する
化合物を基材表面に結合させた後、重合性部分を重合さ
せて帯電防止被膜を形成する方法が示されている。特開
平６−３０９６９９号では、基材表面にπ共役系導電性
高分子との結合性を有するアニオン性の基を導入した
後、基材表面に導電性高分子のモノマーを塗布して重合
処理を行い、耐久性に優れた帯電防止被膜を得る方法が
開示されている。
【０００７】特開平６−１２５５１９号では、有機溶剤
に可溶なπ共役系導電性高分子と耐摩耗性重合体との混
合物を含有する耐摩耗性帯電防止被膜形成用の導電性高
分子組成物が開示されている。一方、特開平１−１６７
２５４号では、ゾル−ゲル法等の化学的ガラス製法の過
程においてπ共役系導電性高分子のモノマーの重合を行
い、ガラス自体に導電性を付与する方法が示されてい
る。
に可溶なπ共役系導電性高分子と耐摩耗性重合体との混
合物を含有する耐摩耗性帯電防止被膜形成用の導電性高
分子組成物が開示されている。一方、特開平１−１６７
２５４号では、ゾル−ゲル法等の化学的ガラス製法の過
程においてπ共役系導電性高分子のモノマーの重合を行
い、ガラス自体に導電性を付与する方法が示されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ガラス材料表面やプラ
スチック材料表面を帯電防止成分としてイオン伝導性の
界面活性剤等を含有する帯電防止膜で被覆する帯電防止
方法は、帯電防止膜の帯電防止性能が湿度の影響を受け
て変動し、低湿度環境では性能が低下するという問題を
有していた。また、帯電防止成分として、湿度の影響を
受けない電子伝導性のカーボン、金属や金属酸化物の微
粒子を用いる方法では、帯電防止成分が帯電防止被膜中
に分散しているだけであって均一に相溶化しているので
はないため、帯電防止成分添加量の調節によって被膜の
帯電防止性能を精密にコントロールすることが困難であ
るという問題点があり、さらに帯電防止被膜中の微粒子
によって光が散乱されて透過率が低下するため光記録媒
体等の光の透過性が要求される用途に適用することが出
来なかった。
スチック材料表面を帯電防止成分としてイオン伝導性の
界面活性剤等を含有する帯電防止膜で被覆する帯電防止
方法は、帯電防止膜の帯電防止性能が湿度の影響を受け
て変動し、低湿度環境では性能が低下するという問題を
有していた。また、帯電防止成分として、湿度の影響を
受けない電子伝導性のカーボン、金属や金属酸化物の微
粒子を用いる方法では、帯電防止成分が帯電防止被膜中
に分散しているだけであって均一に相溶化しているので
はないため、帯電防止成分添加量の調節によって被膜の
帯電防止性能を精密にコントロールすることが困難であ
るという問題点があり、さらに帯電防止被膜中の微粒子
によって光が散乱されて透過率が低下するため光記録媒
体等の光の透過性が要求される用途に適用することが出
来なかった。
【０００９】また、帯電防止成分として、π共役導電性
高分子を用いる、特開平６−１４５３８４号、特開平６
−１４５６５２号及び特開平６−３０９６９９号に記載
の従来技術では、基材表面にπ共役系導電性高分子との
結合性を高めるための処理をした後に導電性高分子の重
合を行うため、工程が非常に複雑であるという問題点が
ある上に、導電性高分子層の膜厚をコントロールするこ
とが困難であり、帯電防止被膜の帯電防止性と光透過性
を調節することが難しかった。
高分子を用いる、特開平６−１４５３８４号、特開平６
−１４５６５２号及び特開平６−３０９６９９号に記載
の従来技術では、基材表面にπ共役系導電性高分子との
結合性を高めるための処理をした後に導電性高分子の重
合を行うため、工程が非常に複雑であるという問題点が
ある上に、導電性高分子層の膜厚をコントロールするこ
とが困難であり、帯電防止被膜の帯電防止性と光透過性
を調節することが難しかった。
【００１０】一般に、導電性高分子を導電化するために
は外部から酸化剤（ｐ型ドーパント）もしくは還元剤
（ｎ−型ドーパント）を添加する必要がある。上記及び
特開平６−１２５５１９号記載の従来技術では、何らか
のドーパントを添加する必要があるが、これらの外部ド
ーパントは脱離しやすいため、これらの従来技術の帯電
防止膜の帯電防止性は時間と共に低下するという問題点
があった。また、上記特開平１−１６７２５４号に記載
の従来技術では、化学的ガラス製法によりガラス状固体
を調製した後に導電性高分子と複合化するため、この技
術によりガラス材料やプラスチック材料を被覆するため
の帯電防止膜を形成することは不可能であった。本発明
の目的は、上記欠点を改善した帯電防止膜形成用組成物
及び該組成物による帯電防止膜の製造法を提供すること
である。
は外部から酸化剤（ｐ型ドーパント）もしくは還元剤
（ｎ−型ドーパント）を添加する必要がある。上記及び
特開平６−１２５５１９号記載の従来技術では、何らか
のドーパントを添加する必要があるが、これらの外部ド
ーパントは脱離しやすいため、これらの従来技術の帯電
防止膜の帯電防止性は時間と共に低下するという問題点
があった。また、上記特開平１−１６７２５４号に記載
の従来技術では、化学的ガラス製法によりガラス状固体
を調製した後に導電性高分子と複合化するため、この技
術によりガラス材料やプラスチック材料を被覆するため
の帯電防止膜を形成することは不可能であった。本発明
の目的は、上記欠点を改善した帯電防止膜形成用組成物
及び該組成物による帯電防止膜の製造法を提供すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成すべく鋭意検討してきた結果、特定の水溶性
導電性有機化合物と加水分解重縮合性の金属アルコキシ
ドを含有する溶液から金属アルコキシドを加水分解重縮
合して得られた組成物を用いることにより耐久性、透明
性及び帯電防止性能の長期安定性に優れた帯電防止膜が
得られ、しかも、水溶性導電性有機化合物の添加量を調
節することによって、帯電防止膜の帯電防止性を使用用
途に応じて容易にコントロールできることを見いだし、
本発明を完成するに至った。即ち、本発明は以下のもの
を提供するものである。
目的を達成すべく鋭意検討してきた結果、特定の水溶性
導電性有機化合物と加水分解重縮合性の金属アルコキシ
ドを含有する溶液から金属アルコキシドを加水分解重縮
合して得られた組成物を用いることにより耐久性、透明
性及び帯電防止性能の長期安定性に優れた帯電防止膜が
得られ、しかも、水溶性導電性有機化合物の添加量を調
節することによって、帯電防止膜の帯電防止性を使用用
途に応じて容易にコントロールできることを見いだし、
本発明を完成するに至った。即ち、本発明は以下のもの
を提供するものである。
【００１２】１） 金属アルコキシドの加水分解重縮合
物、及び水溶性導電性有機化合物を含有することを特徴
とする帯電防止膜形成用組成物。 ２） 金属アルコキシド及び水溶性導電性有機化合物を
含有する液状物を出発物質とし、水溶性導電性有機化合
物の存在下、金属アルコキシドを加水分解重縮合させて
製造したことを特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用
組成物。
物、及び水溶性導電性有機化合物を含有することを特徴
とする帯電防止膜形成用組成物。 ２） 金属アルコキシド及び水溶性導電性有機化合物を
含有する液状物を出発物質とし、水溶性導電性有機化合
物の存在下、金属アルコキシドを加水分解重縮合させて
製造したことを特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用
組成物。
【００１３】３） 金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、
または（II）
または（II）
【化９】
【化１０】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１４】４） 加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、
または（II）
または（II）
【化１１】
【化１２】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１５】５） 金属アルコキシドの加水分解重縮合
物の重縮合度が２乃至１００００であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ６） 水溶性導電性有機化合物がブレンステッド酸基を
有するπ共役系導電性高分子またはその塩であることを
特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ７） 水溶性導電性有機化合物が高分子電解質をドーパ
ントとするπ共役系導電性高分子であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ８） 水または水を含有する有機溶剤を溶媒とすること
を特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
物の重縮合度が２乃至１００００であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ６） 水溶性導電性有機化合物がブレンステッド酸基を
有するπ共役系導電性高分子またはその塩であることを
特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ７） 水溶性導電性有機化合物が高分子電解質をドーパ
ントとするπ共役系導電性高分子であることを特徴とす
る１）記載の帯電防止膜形成用組成物。 ８） 水または水を含有する有機溶剤を溶媒とすること
を特徴とする１）記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１６】９） 金属アルコキシドを有機溶剤に溶解
した溶液に、水溶性導電性有機化合物を含有する含水溶
液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解するこ
とを特徴とする１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組
成物の製造方法。 １０） 金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液
に、水溶性導電性有機化合物、水及び金属アルコキシド
の加水分解重縮合を促進する触媒を含有する溶液を加
え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特
徴とする１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の
製造方法。 １１） 水溶性導電性有機化合物水溶液または該化合物
の含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属ア
ルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする
１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方
法。 １２） 水溶性導電性有機化合物及び金属アルコキシド
の加水分解重縮合を促進する触媒を水に溶解した水溶液
または含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金
属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とす
る１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方
法。 １３） 基材上に１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用
組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする帯電防止
膜の製造方法。
した溶液に、水溶性導電性有機化合物を含有する含水溶
液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解するこ
とを特徴とする１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組
成物の製造方法。 １０） 金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液
に、水溶性導電性有機化合物、水及び金属アルコキシド
の加水分解重縮合を促進する触媒を含有する溶液を加
え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特
徴とする１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の
製造方法。 １１） 水溶性導電性有機化合物水溶液または該化合物
の含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属ア
ルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする
１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方
法。 １２） 水溶性導電性有機化合物及び金属アルコキシド
の加水分解重縮合を促進する触媒を水に溶解した水溶液
または含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金
属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とす
る１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方
法。 １３） 基材上に１）乃至８）記載の帯電防止膜形成用
組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする帯電防止
膜の製造方法。
【００１７】１４） 金属アルコキシドの加水分解重縮
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の帯電防止膜。
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の帯電防止膜。
【００１８】１５） 金属アルコキシドが一般式
（Ｉ）、または（II）
（Ｉ）、または（II）
【化１３】
【化１４】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る１４）記載の帯電防止膜。
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る１４）記載の帯電防止膜。
【００１９】１６） 加水分解重縮合物が一般式
（Ｉ）、または（II）
（Ｉ）、または（II）
【化１５】
【化１６】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る１４）記載の帯電防止膜。
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る１４）記載の帯電防止膜。
【００２０】１７） 金属アルコキシドの加水分解重縮
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の金属酸化物基材
用帯電防止膜。 １８） 金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶
性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０9 Ω
／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対
する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００
オングストローム以上の高分子基材用帯電防止膜。
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の金属酸化物基材
用帯電防止膜。 １８） 金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶
性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０9 Ω
／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対
する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００
オングストローム以上の高分子基材用帯電防止膜。
【００２１】１９） 金属アルコキシドの加水分解重縮
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の陰極線管用帯電
防止膜。 ２０） 金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶
性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０9 Ω
／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対
する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００
オングストローム以上の光記録媒体用帯電防止膜。
合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が
９×１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍ
の可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であ
り、厚さ１００オングストローム以上の陰極線管用帯電
防止膜。 ２０） 金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶
性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０9 Ω
／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対
する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００
オングストローム以上の光記録媒体用帯電防止膜。
【００２２】２１） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以
下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透
過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オン
グストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする
金属酸化物基材。 ２２） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５０
０ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それ
ぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム
以上の導電性膜を有することを特徴とする高分子基材。
下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透
過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オン
グストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする
金属酸化物基材。 ２２） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５０
０ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それ
ぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム
以上の導電性膜を有することを特徴とする高分子基材。
【００２３】２３） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以
下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透
過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オン
グストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする
陰極線管。 ２４） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５０
０ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それ
ぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム
以上の導電性膜を有することを特徴とする光記録媒体。
下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透
過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オン
グストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする
陰極線管。 ２４） 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、波長５０
０ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それ
ぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム
以上の導電性膜を有することを特徴とする光記録媒体。
【００２４】以下に本発明を詳細に説明する。前記一般
式（Ｉ）または（II）において、Ｌ1 として特に好まし
い具体例はＳｉ（珪素）、Ｔｉ（チタン）であり、Ｌ2
として特に好ましい具体例はＡｌ（アルミニウム）であ
る。Ａ1 〜Ａ7 の好ましい具体例として、Ｈ（水素）、
水酸基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ビニル基、１−プ
ロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−
ブテニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフ
チル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−ア
ミノプロピル基、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピル基、グリシジル基、グリシドキシメチル基、
２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル
基、メトキシ基、３−アクリロキシプロピル基、３−メ
タクリロキシプロピル基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基等が挙げられる。
式（Ｉ）または（II）において、Ｌ1 として特に好まし
い具体例はＳｉ（珪素）、Ｔｉ（チタン）であり、Ｌ2
として特に好ましい具体例はＡｌ（アルミニウム）であ
る。Ａ1 〜Ａ7 の好ましい具体例として、Ｈ（水素）、
水酸基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ビニル基、１−プ
ロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−
ブテニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフ
チル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−ア
ミノプロピル基、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピル基、グリシジル基、グリシドキシメチル基、
２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル
基、メトキシ基、３−アクリロキシプロピル基、３−メ
タクリロキシプロピル基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基等が挙げられる。
【００２５】一般式（Ｉ）または（II）で表される金属
アルコキシドの好ましい具体例は、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、
テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブト
キシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、メチルトリエトキシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロ
ピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシ
ラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−
プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−ブチ
ルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリエトキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブ
チルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−
ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリエトキ
シシラン、ｉｓｏ−ペンチルトリメトキシシラン、ｉｓ
ｏ−ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメ
トキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−
ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリエトキ
シシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オク
チルトリエトキシシラン、ｎ−ノニルトリメトキシシラ
ン、ｎ−ノニルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメ
トキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミン、３−
（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピ
ルアクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピル
アクリレート、３−（トリメトキシシリル）プロピルメ
タクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピルメ
タクリレート、３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラ
ン、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テ
トラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラ−ｉｓｏ−プロポ
キシチタン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシアルミニウム、
トリブトキシアルミニウム等である。
アルコキシドの好ましい具体例は、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、
テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブト
キシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、メチルトリエトキシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロ
ピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシ
ラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−
プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−ブチ
ルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリエトキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブ
チルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−
ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリエトキ
シシラン、ｉｓｏ−ペンチルトリメトキシシラン、ｉｓ
ｏ−ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメ
トキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−
ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリエトキ
シシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オク
チルトリエトキシシラン、ｎ−ノニルトリメトキシシラ
ン、ｎ−ノニルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメ
トキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミン、３−
（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピ
ルアクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピル
アクリレート、３−（トリメトキシシリル）プロピルメ
タクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピルメ
タクリレート、３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラ
ン、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テ
トラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラ−ｉｓｏ−プロポ
キシチタン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシアルミニウム、
トリブトキシアルミニウム等である。
【００２６】これらの一般式（Ｉ）または（II）で表さ
れる金属アルコキシドは、単独で用いてもよく、２種以
上を混合して用いてもよい。これらの中で、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメト
キシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミ
ン、３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）
プロピルメタクリレート、３−（トリエトキシシリル）
プロピルメタクリレート、３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン等のアルコキシシラン化合物が特に好まし
い。
れる金属アルコキシドは、単独で用いてもよく、２種以
上を混合して用いてもよい。これらの中で、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメト
キシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミ
ン、３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）
プロピルメタクリレート、３−（トリエトキシシリル）
プロピルメタクリレート、３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン等のアルコキシシラン化合物が特に好まし
い。
【００２７】また、これらの一般式（Ｉ）、または（I
I）で表される金属アルコキシドの部分加水分解重縮合
物を用いてもよい。本発明において、金属アルコキシド
の部分加水分解重縮合物とは、一般式（Ｉ）または（I
I）で表される金属アルコキシド１分子中の少なくとも
１個のアルコキシ基を加水分解することにより得られる
置換基である水酸基が、他の、同一あるいは異なる構造
を有する金属アルコキシド分子中の少なくとも１個のア
ルコキシ基を加水分解することにより得られる置換基で
ある水酸基と脱水縮合または脱水重縮合することにより
得られる金属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）を２個以上有する
構造を有する化合物、すなわち少なくとも２個以上の金
属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）がＯ原子を介して二次元的お
よび／または三次元的に結合し、かつ該化合物が少なく
とも２個のアルコキシ基および／または水酸基を有して
おり、さらに加水分解および／または縮合反応を行わせ
ることにより重縮合度を高めることができる化合物をい
う。ここで重縮合度とは該部分加水分解重縮合物あるい
は該化合物１分子中の金属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）の数
をいう。
I）で表される金属アルコキシドの部分加水分解重縮合
物を用いてもよい。本発明において、金属アルコキシド
の部分加水分解重縮合物とは、一般式（Ｉ）または（I
I）で表される金属アルコキシド１分子中の少なくとも
１個のアルコキシ基を加水分解することにより得られる
置換基である水酸基が、他の、同一あるいは異なる構造
を有する金属アルコキシド分子中の少なくとも１個のア
ルコキシ基を加水分解することにより得られる置換基で
ある水酸基と脱水縮合または脱水重縮合することにより
得られる金属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）を２個以上有する
構造を有する化合物、すなわち少なくとも２個以上の金
属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）がＯ原子を介して二次元的お
よび／または三次元的に結合し、かつ該化合物が少なく
とも２個のアルコキシ基および／または水酸基を有して
おり、さらに加水分解および／または縮合反応を行わせ
ることにより重縮合度を高めることができる化合物をい
う。ここで重縮合度とは該部分加水分解重縮合物あるい
は該化合物１分子中の金属原子（Ｌ1 またはＬ2 ）の数
をいう。
【００２８】本発明において好適に用いることができる
金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の重縮合度の
範囲は２乃至１００００である。重縮合度として３乃至
２０００の範囲のものが更に好ましく、４乃至１００の
範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの部分加
水分解重縮合物は、例えば、金属アルコキシドの溶液、
例えばアルコール溶液に、加水分解に必要な水、および
必要に応じて触媒を用いる場合には触媒としての酸また
は塩基を加えた後、必要に応じて、例えば１００℃程度
まで、加熱しながら撹拌することにより容易に得られ
る。金属アルコキシドの金属が珪素であるアルコキシシ
ラン化合物の場合、部分加水分解重縮合物が市販されて
おり、それらを使用しても良い。その具体例として、テ
トラメトキシシランの部分加水分解重縮合物である商品
名メチルシリケート５０（重縮合度３〜４）、メチルシ
リケート５２（重縮合度４〜５）（以上コルコート
（株）製）等、テトラエトキシシランの部分加水分解重
縮合物である商品名エチルシリケート４０（重縮合度４
〜５）（コルコート（株）製）等を挙げることができ
る。
金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の重縮合度の
範囲は２乃至１００００である。重縮合度として３乃至
２０００の範囲のものが更に好ましく、４乃至１００の
範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの部分加
水分解重縮合物は、例えば、金属アルコキシドの溶液、
例えばアルコール溶液に、加水分解に必要な水、および
必要に応じて触媒を用いる場合には触媒としての酸また
は塩基を加えた後、必要に応じて、例えば１００℃程度
まで、加熱しながら撹拌することにより容易に得られ
る。金属アルコキシドの金属が珪素であるアルコキシシ
ラン化合物の場合、部分加水分解重縮合物が市販されて
おり、それらを使用しても良い。その具体例として、テ
トラメトキシシランの部分加水分解重縮合物である商品
名メチルシリケート５０（重縮合度３〜４）、メチルシ
リケート５２（重縮合度４〜５）（以上コルコート
（株）製）等、テトラエトキシシランの部分加水分解重
縮合物である商品名エチルシリケート４０（重縮合度４
〜５）（コルコート（株）製）等を挙げることができ
る。
【００２９】本発明で用いる水溶性導電性有機化合物に
特に制限はなく、導電性を有する種々の水溶性有機化合
物を用いることができるが、製造された帯電防止膜の帯
電防止性能の点から、重合体主鎖中にπ電子共役系結合
を有する電子伝導性のπ共役系導電性高分子が好まし
く、とりわけ、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共
役系導電性高分子またはその塩、あるいは、高分子電解
質をドーパントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組
成物が好ましい。
特に制限はなく、導電性を有する種々の水溶性有機化合
物を用いることができるが、製造された帯電防止膜の帯
電防止性能の点から、重合体主鎖中にπ電子共役系結合
を有する電子伝導性のπ共役系導電性高分子が好まし
く、とりわけ、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共
役系導電性高分子またはその塩、あるいは、高分子電解
質をドーパントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組
成物が好ましい。
【００３０】ここで、ブレンステッド酸基とは、酸塩基
反応においてプロトンを放出する能力を有する官能基の
ことを言い、例えば、−ＳＯ3 Ｈ、−ＣＯ2 Ｈ等であ
る。また、高分子電解質とは、数平均分子量が１０００
〜１００００００、好ましくは５０００〜５０００００
であってπ共役系導電性高分子のドーパントとなり得る
物質のことを言い、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリビニル硫酸、ポリビニルスルホン酸、ポ
リスチレンスルホン酸、ポリα−メチルスチレンスルホ
ン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリグルタミン酸、ポ
リアスパラギン酸、ポリリン酸等の合成高分子電解質、
または寒天、カラゲナン、アルギン酸、ペクチン、ヒア
ルロン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、コン
ドロイチンポリ硫酸、デルマタン硫酸、ヘパリン、ヘパ
ラン硫酸、コロミン酸、タイクロン酸等の酸性多糖や核
酸等の天然高分子電解質である。
反応においてプロトンを放出する能力を有する官能基の
ことを言い、例えば、−ＳＯ3 Ｈ、−ＣＯ2 Ｈ等であ
る。また、高分子電解質とは、数平均分子量が１０００
〜１００００００、好ましくは５０００〜５０００００
であってπ共役系導電性高分子のドーパントとなり得る
物質のことを言い、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリビニル硫酸、ポリビニルスルホン酸、ポ
リスチレンスルホン酸、ポリα−メチルスチレンスルホ
ン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリグルタミン酸、ポ
リアスパラギン酸、ポリリン酸等の合成高分子電解質、
または寒天、カラゲナン、アルギン酸、ペクチン、ヒア
ルロン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、コン
ドロイチンポリ硫酸、デルマタン硫酸、ヘパリン、ヘパ
ラン硫酸、コロミン酸、タイクロン酸等の酸性多糖や核
酸等の天然高分子電解質である。
【００３１】ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役
系導電性高分子またはその塩の好ましい具体例として、
下記一般式（III ）〜（IX）で表される化学構造のうち
の少なくとも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙
げることができる。
系導電性高分子またはその塩の好ましい具体例として、
下記一般式（III ）〜（IX）で表される化学構造のうち
の少なくとも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙
げることができる。
【化１７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、それぞれ
独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の不飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状も
しくは分岐状の飽和アルコキシ基、炭素数１乃至１０の
直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルコキシ基、水酸基、
ハロゲン原子、またはＳＯ3 -Ｍ1 基を表し、Ｍ1 は、Ｈ
+ 、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイ
オンを表す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化
水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により
置換を受けている炭素原子と共に、少なくとも１つ以上
の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造
を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成してもよ
い。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 〜Ｒ3 を有するベン
ゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数値
である。また、Ｘ1 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ6
を表し、Ｒ6 はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状
もしくは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の
置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ1 は
炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または
不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテル
結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エス
テル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエー
テル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｄは０または
１である。）
独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の不飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状も
しくは分岐状の飽和アルコキシ基、炭素数１乃至１０の
直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルコキシ基、水酸基、
ハロゲン原子、またはＳＯ3 -Ｍ1 基を表し、Ｍ1 は、Ｈ
+ 、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイ
オンを表す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化
水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により
置換を受けている炭素原子と共に、少なくとも１つ以上
の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造
を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成してもよ
い。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 〜Ｒ3 を有するベン
ゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数値
である。また、Ｘ1 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ6
を表し、Ｒ6 はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状
もしくは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の
置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ1 は
炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または
不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテル
結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エス
テル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエー
テル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｄは０または
１である。）
【００３２】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】 （式中、Ｒ7 〜Ｒ12は、それぞれ独立にＨ、炭素数１乃
至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル
基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ア
ルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、またはアミノ基を表し、Ｍ2 〜Ｍ7 は、Ｈ+ 、アル
カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
す。また、Ｘ2 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ13を表
し、Ｒ13はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状もし
くは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の置換
もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ2 〜Ｂ7
は炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和また
は不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテ
ル結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エ
ステル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエ
ーテル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｅ、ｆ、
ｇ、ｐ、ｑ、ｔは０または１である。）
至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル
基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ア
ルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、またはアミノ基を表し、Ｍ2 〜Ｍ7 は、Ｈ+ 、アル
カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
す。また、Ｘ2 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ13を表
し、Ｒ13はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状もし
くは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の置換
もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ2 〜Ｂ7
は炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和また
は不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテ
ル結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エ
ステル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエ
ーテル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｅ、ｆ、
ｇ、ｐ、ｑ、ｔは０または１である。）
【００３３】前記一般式（III ）において、Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 の好ましい具体例としては、Ｈ
（水素）、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。また、カチオンであるＭ1 はＨ
+ 、Ｌｉ+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオン、Ｎ
Ｈ4 +または置換の第４級アンモニウムイオンである。好
ましい置換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ3 ）
3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ2
Ｈ5 ）4 +、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等が挙げられる。Ｘ1 の好
ましい具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、Ｎ−Ｃ
Ｈ3 である。
2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 の好ましい具体例としては、Ｈ
（水素）、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。また、カチオンであるＭ1 はＨ
+ 、Ｌｉ+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオン、Ｎ
Ｈ4 +または置換の第４級アンモニウムイオンである。好
ましい置換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ3 ）
3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ2
Ｈ5 ）4 +、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等が挙げられる。Ｘ1 の好
ましい具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、Ｎ−Ｃ
Ｈ3 である。
【００３４】Ｂ1 の好ましい具体例として、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，１−
ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘ
プチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、
−Ｏ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2
−、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2
−、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2
ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｃ（＝Ｏ）
（ＣＨ2 ）4 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5 −、−ＮＨ
Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2）2
−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＮＨＣ（＝
Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
2 ）2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＯＣ（＝
Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5 −、
−（ＣＨ2 ）2 −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）2−等が挙げ
られる。
基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，１−
ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘ
プチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、
−Ｏ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2
−、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2
−、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2
ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｃ（＝Ｏ）
（ＣＨ2 ）4 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5 −、−ＮＨ
Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2）2
−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＮＨＣ（＝
Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
2 ）2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＯＣ（＝
Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5 −、
−（ＣＨ2 ）2 −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）2−等が挙げ
られる。
【００３５】前記一般式（IV）〜（IX）において、Ｒ7
〜Ｒ12の好ましい具体例としては、Ｈ（水素）、メチル
基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げら
れる。また、カチオンであるＭ2 〜Ｍ7 はＨ+ 、Ｌｉ
+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオン、ＮＨ4 +また
は置換の第４級アンモニウムイオンである。好ましい置
換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ3 ）3 +、Ｎ
（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ2 Ｈ5）4 +
、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等が挙げられる。Ｘ2 の好ましい
具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、ＮＣＨ3 であ
る。
〜Ｒ12の好ましい具体例としては、Ｈ（水素）、メチル
基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げら
れる。また、カチオンであるＭ2 〜Ｍ7 はＨ+ 、Ｌｉ
+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオン、ＮＨ4 +また
は置換の第４級アンモニウムイオンである。好ましい置
換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ3 ）3 +、Ｎ
（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ2 Ｈ5）4 +
、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等が挙げられる。Ｘ2 の好ましい
具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、ＮＣＨ3 であ
る。
【００３６】Ｂ2 〜Ｂ7 の好ましい具体例として、メチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，
１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレ
ン基、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（Ｃ
Ｈ2）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ
（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ
（ＣＨ2 ）2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）
ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｃ
（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（Ｃ
Ｈ2 ）2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＮＨ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
2 ）5 −、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）
（ＣＨ2 ）2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｏ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2）4 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−（ＣＨ2 ）2 −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）2 −等
が挙げられる。
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，
１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレ
ン基、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ
2 ）2 −、−Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（Ｃ
Ｈ2）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ
（ＣＨ2 ）2 −、−Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ（ＣＨ2 ）2 Ｓ
（ＣＨ2 ）2 −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）
ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｃ
（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（Ｃ
Ｈ2 ）2 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−ＮＨ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）4 −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
2 ）5 −、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）
（ＣＨ2 ）2 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）3 −、−Ｏ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ2）4 −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）5
−、−（ＣＨ2 ）2 −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ2 ）2 −等
が挙げられる。
【００３７】一般式（III ）で表される化学構造の好ま
しい具体例としては、５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−スルホメチルイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−（２−スルホエチル）イソチアナ
フテン−１，３−ジイル、５−（３−スルホプロピル）
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（４−スルホ
ブチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（５
−スルホペンチル）イソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−（６−スルホヘキシル）イソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソチア
ナフテン−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチ
ル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（９−ス
ルホノニル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
（１０−スルホデシル）イソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５−スルホイソベンゾフラン−１，３−ジイル、
５−スルホメチルイソベンゾフラン−１，３−ジイル、
５−（２−スルホエチル）イソベンゾフラン−１，３−
ジイル、５−（３−スルホプロピル）イソベンゾフラン
−１，３−ジイル、５−（４−スルホブチル）イソベン
ゾフラン−１，３−ジイル、５−（５−スルホペンチ
ル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（６−ス
ルホヘキシル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５
−（７−スルホヘプチル）イソベンゾフラン−１，３−
ジイル、５−（８−スルホオクチル）イソベンゾフラン
−１，３−ジイル、５−（９−スルホノニル）イソベン
ゾフラン−１，３−ジイル、５−（１０−スルホデシ
ル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−スルホイ
ソインドール−１，３−ジイル、５−スルホメチルイソ
インドール−１，３−ジイル、５−（２−スルホエチ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（３−スル
ホプロピル）イソインドール−１，３−ジイル、５−
（４−スルホブチル）イソインドール−１，３−ジイ
ル、５−（５−スルホペンチル）イソインドール−１，
３−ジイル、５−（６−スルホヘキシル）イソインドー
ル−１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソ
インドール−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（９−スル
ホノニル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（１
０−スルホデシル）イソインドール−１，３−ジイル、
６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−
ジイル、６−スルホメチルナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−１，３−ジイル、６−（２−スルホエチル）ナフ
ト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−
（３−スルホプロピル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェ
ン−１，３−ジイル、６−（４−スルホブチル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（５
−スルホペンチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（６−スルホヘキシル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（７
−スルホヘプチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（８−スルホオクチル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（９
−スルホノニル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（１０−スルホデシル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等、もしく
はそれらのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジ
メチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリ
メチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テ
トラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム
塩を挙げることができる。
しい具体例としては、５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−スルホメチルイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−（２−スルホエチル）イソチアナ
フテン−１，３−ジイル、５−（３−スルホプロピル）
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（４−スルホ
ブチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（５
−スルホペンチル）イソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−（６−スルホヘキシル）イソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソチア
ナフテン−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチ
ル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（９−ス
ルホノニル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
（１０−スルホデシル）イソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５−スルホイソベンゾフラン−１，３−ジイル、
５−スルホメチルイソベンゾフラン−１，３−ジイル、
５−（２−スルホエチル）イソベンゾフラン−１，３−
ジイル、５−（３−スルホプロピル）イソベンゾフラン
−１，３−ジイル、５−（４−スルホブチル）イソベン
ゾフラン−１，３−ジイル、５−（５−スルホペンチ
ル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（６−ス
ルホヘキシル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５
−（７−スルホヘプチル）イソベンゾフラン−１，３−
ジイル、５−（８−スルホオクチル）イソベンゾフラン
−１，３−ジイル、５−（９−スルホノニル）イソベン
ゾフラン−１，３−ジイル、５−（１０−スルホデシ
ル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−スルホイ
ソインドール−１，３−ジイル、５−スルホメチルイソ
インドール−１，３−ジイル、５−（２−スルホエチ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（３−スル
ホプロピル）イソインドール−１，３−ジイル、５−
（４−スルホブチル）イソインドール−１，３−ジイ
ル、５−（５−スルホペンチル）イソインドール−１，
３−ジイル、５−（６−スルホヘキシル）イソインドー
ル−１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソ
インドール−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（９−スル
ホノニル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（１
０−スルホデシル）イソインドール−１，３−ジイル、
６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−
ジイル、６−スルホメチルナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−１，３−ジイル、６−（２−スルホエチル）ナフ
ト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−
（３−スルホプロピル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェ
ン−１，３−ジイル、６−（４−スルホブチル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（５
−スルホペンチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（６−スルホヘキシル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（７
−スルホヘプチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（８−スルホオクチル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（９
−スルホノニル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−
１，３−ジイル、６−（１０−スルホデシル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等、もしく
はそれらのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジ
メチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリ
メチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テ
トラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム
塩を挙げることができる。
【００３８】一般式（IV）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、３−スルホチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−メチルチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−エチルチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−プロピルチオフェン−２，５−
ジイル、３−スルホ−４−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル、３−スルホ−４−ペンチルチオフェン−２，５
−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルチオフェン−２，
５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシチオフェン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシチオフェン
−２，５−ジイル、３−スルホメチルチオフェン−２，
５−ジイル、３−（２−スルホエチル）チオフェン−
２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）チオフェ
ン−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）チオフ
ェン−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチル）チ
オフェン−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキシ
ル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘ
プチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（８−スル
ホオクチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（９−
スルホノニル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（１
０−スルホデシル）チオフェン−２，５−ジイル、３−
スルホフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メチ
ルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エチルフ
ラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−プロピルフラ
ン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ブチルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペンチルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシフラン−
２，５−ジイル、３−スルホメチルフラン−２，５−ジ
イル、３−（２−スルホエチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（３−スルホプロピル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（４−スルホブチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（５−スルホペンチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（６−スルホヘキシル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（７−スルホヘプチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（８−スルホオクチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（９−スルホノニル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（１０−スルホデシル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−スルホピロール−２，５−ジイル、１−メチル
−３−スルホピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−
４−メチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４
−エチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−
プロピルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−
ブチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペ
ンチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘ
キシルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メ
トキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エ
トキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホメチルピ
ロール−２，５−ジイル、３−（２−スルホエチル）ピ
ロール−２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）
ピロール−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）
ピロール−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチ
ル）ピロール−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキ
シル）ピロール−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘ
プチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（８−スルホ
オクチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（９−スル
ホノニル）ピロール−２，５−ジイル、３−（１０−ス
ルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそ
のリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチル
アンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアン
モニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアン
モニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチル
アンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げる
ことができる。
い具体例としては、３−スルホチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−メチルチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−エチルチオフェン−２，５−ジ
イル、３−スルホ−４−プロピルチオフェン−２，５−
ジイル、３−スルホ−４−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル、３−スルホ−４−ペンチルチオフェン−２，５
−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルチオフェン−２，
５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシチオフェン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシチオフェン
−２，５−ジイル、３−スルホメチルチオフェン−２，
５−ジイル、３−（２−スルホエチル）チオフェン−
２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）チオフェ
ン−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）チオフ
ェン−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチル）チ
オフェン−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキシ
ル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘ
プチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（８−スル
ホオクチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（９−
スルホノニル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（１
０−スルホデシル）チオフェン−２，５−ジイル、３−
スルホフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メチ
ルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エチルフ
ラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−プロピルフラ
ン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ブチルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペンチルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシフラン−
２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシフラン−
２，５−ジイル、３−スルホメチルフラン−２，５−ジ
イル、３−（２−スルホエチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（３−スルホプロピル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（４−スルホブチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（５−スルホペンチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（６−スルホヘキシル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（７−スルホヘプチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（８−スルホオクチル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（９−スルホノニル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−（１０−スルホデシル）フラン−２，５−ジイ
ル、３−スルホピロール−２，５−ジイル、１−メチル
−３−スルホピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−
４−メチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４
−エチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−
プロピルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−
ブチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペ
ンチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘ
キシルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メ
トキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エ
トキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホメチルピ
ロール−２，５−ジイル、３−（２−スルホエチル）ピ
ロール−２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）
ピロール−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）
ピロール−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチ
ル）ピロール−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキ
シル）ピロール−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘ
プチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（８−スルホ
オクチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（９−スル
ホノニル）ピロール−２，５−ジイル、３−（１０−ス
ルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそ
のリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチル
アンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアン
モニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアン
モニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチル
アンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げる
ことができる。
【００３９】一般式（Ｖ）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、２−スルホ−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−スルホメチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエチル）−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−フェニ
レンビニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，
４−フェニレンビニレン、２−（６−スルホヘキシル）
−１，４−フェニレンビニレン、２−（７−スルホヘプ
チル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（８−スル
ホオクチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（９
−スルホノニル）−１，４−フェニレンビニレン、２−
（１０−スルホデシル）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−スルホメトキシ−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエトキシ）−１，４−フェニレン
ビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−１，４
−フェニレンビニレン、２−（４−スルホブトキシ）−
１，４−フェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチ
ルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（６−
スルホヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（７−スルホヘプチルオキシ）−１，４−フェ
ニレンビニレン、２−（８−スルホオクチルオキシ）−
１，４−フェニレンビニレン、２−（９−スルホノニル
オキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（１０−
スルホデシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、
２−スルホ−３−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−スルホ−５−メチル−１，４−フェニレンビニ
レン、２−スルホ−６−メチル−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−スルホ−５−エチル−１，４−フェニレン
ビニレン、２−スルホ−５−ヘキシル−１，４−フェニ
レンビニレン、２−スルホ−５−メトキシ−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−スルホ−５−エトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−３
−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−ス
ルホエチル）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエチル）−３−メトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−５
−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−
スルホプロピル）−３−メチル−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−（３−スルホプロピル）−５−メチル−
１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピ
ル）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２
−（３−スルホプロピル）−５−メトキシ−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−３−
メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スル
ホエトキシ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエトキシ）−３−メトキシ−１，
４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）
−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−
（３−スルホプロピルオキシ）−３−メチル−１，４−
フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキ
シ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−
（３−スルホプロピルオキシ）−３−メトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキ
シ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン等、
もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジ
メチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリ
メチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テ
トラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム
塩を挙げることができる。
い具体例としては、２−スルホ−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−スルホメチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエチル）−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−フェニ
レンビニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，
４−フェニレンビニレン、２−（６−スルホヘキシル）
−１，４−フェニレンビニレン、２−（７−スルホヘプ
チル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（８−スル
ホオクチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（９
−スルホノニル）−１，４−フェニレンビニレン、２−
（１０−スルホデシル）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−スルホメトキシ−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエトキシ）−１，４−フェニレン
ビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−１，４
−フェニレンビニレン、２−（４−スルホブトキシ）−
１，４−フェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチ
ルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（６−
スルホヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（７−スルホヘプチルオキシ）−１，４−フェ
ニレンビニレン、２−（８−スルホオクチルオキシ）−
１，４−フェニレンビニレン、２−（９−スルホノニル
オキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（１０−
スルホデシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、
２−スルホ−３−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−スルホ−５−メチル−１，４−フェニレンビニ
レン、２−スルホ−６−メチル−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−スルホ−５−エチル−１，４−フェニレン
ビニレン、２−スルホ−５−ヘキシル−１，４−フェニ
レンビニレン、２−スルホ−５−メトキシ−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−スルホ−５−エトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−３
−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−ス
ルホエチル）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエチル）−３−メトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−５
−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−
スルホプロピル）−３−メチル−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−（３−スルホプロピル）−５−メチル−
１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピ
ル）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２
−（３−スルホプロピル）−５−メトキシ−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−３−
メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スル
ホエトキシ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２−スルホエトキシ）−３−メトキシ−１，
４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）
−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−
（３−スルホプロピルオキシ）−３−メチル−１，４−
フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキ
シ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−
（３−スルホプロピルオキシ）−３−メトキシ−１，４
−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキ
シ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン等、
もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジ
メチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリ
メチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テ
トラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム
塩を挙げることができる。
【００４０】一般式（VI）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、２−スルホ−１，４−イミノフェニ
レン、２−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、
２−（２−スルホエチル）−１，４−イミノフェニレ
ン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−イミノフェ
ニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−イミノフ
ェニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，４−イミ
ノフェニレン、２−（６−スルホヘキシル）−１，４−
イミノフェニレン、２−（７−スルホヘプチル）−１，
４−イミノフェニレン、２−（８−スルホオクチル）−
１，４−イミノフェニレン、２−（９−スルホノニル）
−１，４−イミノフェニレン、２−（１０−スルホデシ
ル）−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−３−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−６−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−エ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−ヘ
キシル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−
メトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５
−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−
Ｎ−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−
Ｎ−エチル−１，４−イミノフェニレン等、もしくはそ
のリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチル
アンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアン
モニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアン
モニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチル
アンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げる
ことができる。
い具体例としては、２−スルホ−１，４−イミノフェニ
レン、２−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、
２−（２−スルホエチル）−１，４−イミノフェニレ
ン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−イミノフェ
ニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−イミノフ
ェニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，４−イミ
ノフェニレン、２−（６−スルホヘキシル）−１，４−
イミノフェニレン、２−（７−スルホヘプチル）−１，
４−イミノフェニレン、２−（８−スルホオクチル）−
１，４−イミノフェニレン、２−（９−スルホノニル）
−１，４−イミノフェニレン、２−（１０−スルホデシ
ル）−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−３−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−６−メ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−エ
チル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−ヘ
キシル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−
メトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５
−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−
Ｎ−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−
Ｎ−エチル−１，４−イミノフェニレン等、もしくはそ
のリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチル
アンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアン
モニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアン
モニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチル
アンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げる
ことができる。
【００４１】一般式（VII ）で表される化学構造の好ま
しい具体例としては、Ｎ−スルホメチル−１，４−イミ
ノフェニレン、Ｎ−（２−スルホエチル）−１，４−イ
ミノフェニレン、Ｎ−（３−スルホプロピル）−１，４
−イミノフェニレン、Ｎ−（４−スルホブチル）−１，
４−イミノフェニレン、Ｎ−（５−スルホペンチル）−
１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（６−スルホヘキシ
ル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（７−スルホヘ
プチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（８−スル
ホオクチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（９−
スルホノニル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（１
０−スルホデシル）−１，４−イミノフェニレン、２−
メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、３−メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，３−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，
４−イミノフェニレン、２，５−ジメチル−Ｎ−スルホ
メチル−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジメチル
−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２−
メトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２，５−ジメトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−
イミノフェニレン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリ
ウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチ
ルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチル
アンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチ
ルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テト
ラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
しい具体例としては、Ｎ−スルホメチル−１，４−イミ
ノフェニレン、Ｎ−（２−スルホエチル）−１，４−イ
ミノフェニレン、Ｎ−（３−スルホプロピル）−１，４
−イミノフェニレン、Ｎ−（４−スルホブチル）−１，
４−イミノフェニレン、Ｎ−（５−スルホペンチル）−
１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（６−スルホヘキシ
ル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（７−スルホヘ
プチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（８−スル
ホオクチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（９−
スルホノニル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（１
０−スルホデシル）−１，４−イミノフェニレン、２−
メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、３−メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，３−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，
４−イミノフェニレン、２，５−ジメチル−Ｎ−スルホ
メチル−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジメチル
−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２−
メトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２，５−ジメトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−
イミノフェニレン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリ
ウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチ
ルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチル
アンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチ
ルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テト
ラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４２】一般式（VIII）で表される化学構造の好ま
しい具体例としては、１−スルホメチルピロール−２，
５−ジイル、１−（２−スルホエチル）ピロール−２，
５−ジイル、１−（３−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル、１−（４−スルホブチル）ピロール−
２，５−ジイル、１−（５−スルホペンチル）ピロール
−２，５−ジイル、１−（６−スルホヘキシル）ピロー
ル−２，５−ジイル、１−（７−スルホヘプチル）ピロ
ール−２，５−ジイル、１−（８−スルホオクチル）ピ
ロール−２，５−ジイル、１−（９−スルホノニル）ピ
ロール−２，５−ジイル、１−（１０−スルホデシル）
ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそのリチウム
塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウ
ム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム
塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニ
ウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることがで
きる。
しい具体例としては、１−スルホメチルピロール−２，
５−ジイル、１−（２−スルホエチル）ピロール−２，
５−ジイル、１−（３−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル、１−（４−スルホブチル）ピロール−
２，５−ジイル、１−（５−スルホペンチル）ピロール
−２，５−ジイル、１−（６−スルホヘキシル）ピロー
ル−２，５−ジイル、１−（７−スルホヘプチル）ピロ
ール−２，５−ジイル、１−（８−スルホオクチル）ピ
ロール−２，５−ジイル、１−（９−スルホノニル）ピ
ロール−２，５−ジイル、１−（１０−スルホデシル）
ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそのリチウム
塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウ
ム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム
塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニ
ウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることがで
きる。
【００４３】一般式（IX）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、９−スルホメチルカルバゾール−
２，７−ジイル、９−（２−スルホエチル）カルバゾー
ル−２，７−ジイル、９−（３−スルホプロピル）カル
バゾール−２，７−ジイル、９−（４−スルホブチル）
カルバゾール−２，７−ジイル、９−（５−スルホペン
チル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（６−スル
ホヘキシル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（７
−スルホヘプチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９
−（８−スルホオクチル）カルバゾール−２，７−ジイ
ル、９−（９−スルホノニル）カルバゾール−２，７−
ジイル、９−（１０−スルホデシル）カルバゾール−
２，７−ジイル等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチル
アンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルア
ンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチル
アンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラ
エチルアンモニウム塩を挙げることができる。
い具体例としては、９−スルホメチルカルバゾール−
２，７−ジイル、９−（２−スルホエチル）カルバゾー
ル−２，７−ジイル、９−（３−スルホプロピル）カル
バゾール−２，７−ジイル、９−（４−スルホブチル）
カルバゾール−２，７−ジイル、９−（５−スルホペン
チル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（６−スル
ホヘキシル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（７
−スルホヘプチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９
−（８−スルホオクチル）カルバゾール−２，７−ジイ
ル、９−（９−スルホノニル）カルバゾール−２，７−
ジイル、９−（１０−スルホデシル）カルバゾール−
２，７−ジイル等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチル
アンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルア
ンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチル
アンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラ
エチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４４】また、高分子電解質をドーパントとするπ
共役系導電性高分子の好ましい具体例として、下記一般
式（Ｘ）〜（XII ）で表される化学構造のうちの少なく
とも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙げること
ができる。
共役系導電性高分子の好ましい具体例として、下記一般
式（Ｘ）〜（XII ）で表される化学構造のうちの少なく
とも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙げること
ができる。
【化２４】
【化２５】
【化２６】 （式中、Ｒ13〜Ｒ23は、それぞれ独立にＨ、炭素数１乃
至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル
基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ア
ルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、または
ＳＯ3 -Ｍ1 基を表し、Ｍ1 は、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。Ｒ13〜Ｒ
23がアルキル基またはアルコキシ基である場合、各々の
化学構造において、互いに任意の位置で結合して、かか
る基により置換を受けている炭素原子と共に、少なくと
も１つ以上の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素
の環状構造を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成
してもよい。ｍはチオフェン環と置換基Ｒ14〜Ｒ16を有
するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３
の整数値である。また、Ｘ3 、Ｘ4 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔ
ｅもしくはＮＲ24を表し、Ｒ24はＨ、炭素数１乃至１０
の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃
至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、ま
たは炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭
化水素基を表す。）
至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル
基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ア
ルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、または
ＳＯ3 -Ｍ1 基を表し、Ｍ1 は、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。Ｒ13〜Ｒ
23がアルキル基またはアルコキシ基である場合、各々の
化学構造において、互いに任意の位置で結合して、かか
る基により置換を受けている炭素原子と共に、少なくと
も１つ以上の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素
の環状構造を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成
してもよい。ｍはチオフェン環と置換基Ｒ14〜Ｒ16を有
するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３
の整数値である。また、Ｘ3 、Ｘ4 はＳ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔ
ｅもしくはＮＲ24を表し、Ｒ24はＨ、炭素数１乃至１０
の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃
至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、ま
たは炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭
化水素基を表す。）
【００４５】一般式（Ｘ）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、イソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−メチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５
−エチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−
プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓ
ｏ−プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉ
ｓｏ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｓｅｃ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５
−ｔｅｒｔ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｎ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｉｓｏ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ヘキシルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ヘプチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−メトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５−エトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−プロピルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｉｓｏ−プロピルオキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−ｎ−ブトキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−ｔｅｒｔ−ブトキシイソチアナフ
テン−１，３−ジイル、５−ｎ−ペンチルオキシイソチ
アナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘキシルオキシ
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘプチル
オキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−オ
クチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５−ｎ−デシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジメチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジエチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジ−ｎ−プロピルイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブチルイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ペンチルイソチア
ナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシル
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−
ヘプチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−
ジ−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５，６−ジ−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５，６−ジ−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５，６−ジメトキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５，６−ジエトキシイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−プロピルオキシイ
ソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブ
トキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ
−ｎ−ペンチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシルオキシイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘプチルオキシイ
ソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−オ
クチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，
６−ジ−ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５，６−ジ−ｎ−デシルオキシイソチアナフテ
ン−１，３−ジイル、イソベンゾフラン−１，３−ジイ
ル、イソインドール−１，３−ジイル、ナフト［２，３
−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等を挙げることがで
きる。
い具体例としては、イソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−メチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５
−エチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−
プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓ
ｏ−プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉ
ｓｏ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｓｅｃ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５
−ｔｅｒｔ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｎ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｉｓｏ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ヘキシルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ヘプチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−メトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５−エトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−プロピルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５−ｉｓｏ−プロピルオキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−ｎ−ブトキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５−ｔｅｒｔ−ブトキシイソチアナフ
テン−１，３−ジイル、５−ｎ−ペンチルオキシイソチ
アナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘキシルオキシ
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘプチル
オキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−オ
クチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５−ｎ−デシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジメチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジエチルイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジ−ｎ−プロピルイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブチルイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ペンチルイソチア
ナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシル
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−
ヘプチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−
ジ−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、
５，６−ジ−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５，６−ジ−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５，６−ジメトキシイソチアナフテン−
１，３−ジイル、５，６−ジエトキシイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−プロピルオキシイ
ソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブ
トキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ
−ｎ−ペンチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシルオキシイソチアナフテン
−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘプチルオキシイ
ソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−オ
クチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，
６−ジ−ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−
ジイル、５，６−ジ−ｎ−デシルオキシイソチアナフテ
ン−１，３−ジイル、イソベンゾフラン−１，３−ジイ
ル、イソインドール−１，３−ジイル、ナフト［２，３
−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等を挙げることがで
きる。
【００４６】一般式（XI）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、チオフェン−２，５−ジイル、３−
メチルチオフェン−２，５−ジイル、 ３−エチルチオ
フェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルチオフェン
−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルチオフェン−
２，５−ジイル、３−ｎ−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルチオフェン−２，５−ジイ
ル、３−ｓｅｃ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、
３−ｔｅｒｔ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３
−ｎ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓ
ｏ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘ
キシルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチル
チオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルチオフ
ェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルチオフェン−
２，５−ジイル、３−ｎ−デシルチオフェン−２，５−
ジイル、３−メトキシチオフェン−２，５−ジイル、３
−エトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロ
ピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−
プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−
ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブ
トキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオ
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニル
オキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオ
キシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメチルチ
オフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエチルチオフェ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルチオフ
ェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピル
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチル
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチ
ルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキ
シルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘ
プチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−
オクチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−ノニルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−デシルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエトキシ
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉ
ｓｏ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｎ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイ
ル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシチオフェン−２，
５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシチオフェ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシ
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−ノニルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−
ジ−ｎ−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、
３，４−メチレンジオキシチオフェン−２，５−ジイ
ル、３，４−エチレンジオキシチオフェン−２，５−ジ
イル、３，４−プロピレンジオキシチオフェン−２，５
−ジイル、フラン−２，５−ジイル、３−メチルフラン
−２，５−ジイル、 ３−エチルフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブチ
ルフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルフラン
−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブチルフラン−２，５
−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブチルフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキ
シルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルフラン
−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルフラン−２，５−
ジイル、３−ｎ−ノニルフラン−２，５−ジイル、３−
ｎ−デシルフラン−２，５−ジイル、３−メトキシフラ
ン−２，５−ジイル、３−エトキシフラン−２，５−ジ
イル、３−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−
ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブト
キシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルオキシフラ
ン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルオキシフラン−
２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルオキシフラン−２，
５−ジイル、３−ｎ−ノニルオキシフラン−２，５−ジ
イル、３−ｎ−デシルオキシフラン−２，５−ジイル、
３，４−ジメチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ
エチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロ
ピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プ
ロピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチ
ルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチル
フラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルフ
ラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルフラ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルフラン
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルフラン−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルフラン−２，
５−ジイル、３，４−ジメトキシフラン−２，５−ジイ
ル、３，４−ジエトキシフラン−２，５−ジイル、３，
４−ジ−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−
ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジ
イル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシフラン−２，５
−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフラン−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシフラ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルオキ
シフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルオ
キシフラン−２，５−ジイル、３，４−メチレンジオキ
シフラン−２，５−ジイル、３，４−エチレンジオキシ
フラン−２，５−ジイル、３，４−プロピレンジオキシ
フラン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、
３−メチルピロール−２，５−ジイル、 ３−エチルピ
ロール−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルピロール−
２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルピロール−２，
５−ジイル、３−ｎ−ブチルピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３
−ｓｅｃ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｔｅ
ｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ペン
チルピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチル
ピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルピロール
−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−オクチルピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−デシルピロール−２，５−ジイル、３−メトキシピロ
ール−２，５−ジイル、３−エトキシピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５−
ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−ブトキシピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、
３−ｓｅｃ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−
ｔｅｒｔ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓ
ｏ−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−ヘキシルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−
ヘプチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−オ
クチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニ
ルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオ
キシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジメチルピロ
ール−２，５−ジイル、３，４−ジエチルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジメトキシピロール−２，５
−ジイル、３，４−ジエトキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−ジ−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５
−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシ
ピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシル
オキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘ
プチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−
ｎ−オクチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４
−ジ−ｎ−ノニルオキシピロール−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｎ−デシルオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−メチレンジオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−エチレンジオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−プロピレンジオキシピロール−２，５−ジ
イル、Ｎ−メチルピロール−２，５−ジイル、 Ｎ−エ
チルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−プロピルピロ
ール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルピロール
−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ブチルピロール−２，５−
ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイ
ル、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ
−ｔｅｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ
−ペンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ペ
ンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘキシルピ
ロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘプチルピロール−
２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−オクチルピロール−２，５−
ジイル、Ｎ−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、Ｎ
−ｎ−デシルピロール−２，５−ジイル等を挙げること
ができる。
い具体例としては、チオフェン−２，５−ジイル、３−
メチルチオフェン−２，５−ジイル、 ３−エチルチオ
フェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルチオフェン
−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルチオフェン−
２，５−ジイル、３−ｎ−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルチオフェン−２，５−ジイ
ル、３−ｓｅｃ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、
３−ｔｅｒｔ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３
−ｎ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓ
ｏ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘ
キシルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチル
チオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルチオフ
ェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルチオフェン−
２，５−ジイル、３−ｎ−デシルチオフェン−２，５−
ジイル、３−メトキシチオフェン−２，５−ジイル、３
−エトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロ
ピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−
プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−
ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブ
トキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオ
キシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニル
オキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオ
キシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメチルチ
オフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエチルチオフェ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルチオフ
ェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピル
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチル
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチ
ルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキ
シルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘ
プチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−
オクチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−ノニルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−デシルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメト
キシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエトキシ
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉ
ｓｏ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｎ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイ
ル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシチオフェン−２，
５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシチオフェ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシ
チオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチ
ルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ
−ノニルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−
ジ−ｎ−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、
３，４−メチレンジオキシチオフェン−２，５−ジイ
ル、３，４−エチレンジオキシチオフェン−２，５−ジ
イル、３，４−プロピレンジオキシチオフェン−２，５
−ジイル、フラン−２，５−ジイル、３−メチルフラン
−２，５−ジイル、 ３−エチルフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブチ
ルフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルフラン
−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブチルフラン−２，５
−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブチルフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキ
シルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルフラン
−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルフラン−２，５−
ジイル、３−ｎ−ノニルフラン−２，５−ジイル、３−
ｎ−デシルフラン−２，５−ジイル、３−メトキシフラ
ン−２，５−ジイル、３−エトキシフラン−２，５−ジ
イル、３−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｉ
ｓｏ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−
ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブト
キシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルオキシフラ
ン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルオキシフラン−
２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルオキシフラン−２，
５−ジイル、３−ｎ−ノニルオキシフラン−２，５−ジ
イル、３−ｎ−デシルオキシフラン−２，５−ジイル、
３，４−ジメチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ
エチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロ
ピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プ
ロピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチ
ルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチル
フラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルフ
ラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルフラ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルフラン
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルフラン−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルフラン−２，
５−ジイル、３，４−ジメトキシフラン−２，５−ジイ
ル、３，４−ジエトキシフラン−２，５−ジイル、３，
４−ジ−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−
ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジ
イル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシフラン−２，５
−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフラン−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシフラ
ン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシ
フラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルオキ
シフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルオ
キシフラン−２，５−ジイル、３，４−メチレンジオキ
シフラン−２，５−ジイル、３，４−エチレンジオキシ
フラン−２，５−ジイル、３，４−プロピレンジオキシ
フラン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、
３−メチルピロール−２，５−ジイル、 ３−エチルピ
ロール−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルピロール−
２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルピロール−２，
５−ジイル、３−ｎ−ブチルピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３
−ｓｅｃ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｔｅ
ｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ペン
チルピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチル
ピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルピロール
−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−オクチルピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−デシルピロール−２，５−ジイル、３−メトキシピロ
ール−２，５−ジイル、３−エトキシピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５−
ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシピロール−２，５
−ジイル、３−ｎ−ブトキシピロール−２，５−ジイ
ル、３−ｉｓｏ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、
３−ｓｅｃ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−
ｔｅｒｔ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓ
ｏ−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ
−ヘキシルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−
ヘプチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−オ
クチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニ
ルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオ
キシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジメチルピロ
ール−２，５−ジイル、３，４−ジエチルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルピロール
−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルピロール−
２，５−ジイル、３，４−ジメトキシピロール−２，５
−ジイル、３，４−ジエトキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−ジ−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５
−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシピロー
ル−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシ
ピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシル
オキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘ
プチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−
ｎ−オクチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４
−ジ−ｎ−ノニルオキシピロール−２，５−ジイル、
３，４−ジ−ｎ−デシルオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−メチレンジオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−エチレンジオキシピロール−２，５−ジイ
ル、３，４−プロピレンジオキシピロール−２，５−ジ
イル、Ｎ−メチルピロール−２，５−ジイル、 Ｎ−エ
チルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−プロピルピロ
ール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルピロール
−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ブチルピロール−２，５−
ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイ
ル、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ
−ｔｅｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ
−ペンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ペ
ンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘキシルピ
ロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘプチルピロール−
２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−オクチルピロール−２，５−
ジイル、Ｎ−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、Ｎ
−ｎ−デシルピロール−２，５−ジイル等を挙げること
ができる。
【００４７】一般式（XII ）で表される化学構造の好ま
しい具体例としては、１，４−イミノフェニレン、２−
メチル−１，４−イミノフェニレン、２−エチル−１，
４−イミノフェニレン、２，３−ジメチル−１，４−イ
ミノフェニレン、２，５−ジメチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，６−ジメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２−メトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−メ
トキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメトキ
シ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメトキシ−
１，４−イミノフェニレン、３，５−ジメトキシ−１，
４−イミノフェニレン、２，３−ジエチル−１，４−イ
ミノフェニレン、２，５−ジエチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，６−ジエチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−エ
トキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジエトキ
シ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジエトキシ−
１，４−イミノフェニレン、２，６−ジエトキシ−１，
４−イミノフェニレン等を挙げることができる。
しい具体例としては、１，４−イミノフェニレン、２−
メチル−１，４−イミノフェニレン、２−エチル−１，
４−イミノフェニレン、２，３−ジメチル−１，４−イ
ミノフェニレン、２，５−ジメチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，６−ジメチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２−メトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−メ
トキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメトキ
シ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメトキシ−
１，４−イミノフェニレン、３，５−ジメトキシ−１，
４−イミノフェニレン、２，３−ジエチル−１，４−イ
ミノフェニレン、２，５−ジエチル−１，４−イミノフ
ェニレン、２，６−ジエチル−１，４−イミノフェニレ
ン、２−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−エ
トキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジエトキ
シ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジエトキシ−
１，４−イミノフェニレン、２，６−ジエトキシ−１，
４−イミノフェニレン等を挙げることができる。
【００４８】一般式（III ）〜（IX）で表される化学構
造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モル％〜
５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル％、さら
に好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲であり、
これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含む共重合
体であってもよい。また、他のπ共役系化学構造からな
る繰り返し単位を含む共重合体であってもよく、２種〜
５種の繰り返し単位からなる共重合体組成であってもよ
い。上記の一般式（III ）〜（IX）で表される化学構造
以外のπ共役系化学構造の具体例としては、フェニレ
ン、ピロリレン、チエニレン、ビニレン、アセチレン、
イミノフェニレン、イソチアナフテニレン、フリレン、
カルバゾリレン及びそれらの置換誘導体二価基が挙げら
れるが、これらに限定されず、重合体主鎖中でπ共役構
造をとり得る化学構造であればよい。
造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モル％〜
５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル％、さら
に好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲であり、
これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含む共重合
体であってもよい。また、他のπ共役系化学構造からな
る繰り返し単位を含む共重合体であってもよく、２種〜
５種の繰り返し単位からなる共重合体組成であってもよ
い。上記の一般式（III ）〜（IX）で表される化学構造
以外のπ共役系化学構造の具体例としては、フェニレ
ン、ピロリレン、チエニレン、ビニレン、アセチレン、
イミノフェニレン、イソチアナフテニレン、フリレン、
カルバゾリレン及びそれらの置換誘導体二価基が挙げら
れるが、これらに限定されず、重合体主鎖中でπ共役構
造をとり得る化学構造であればよい。
【００４９】また、一般式（Ｘ）〜（XII ）で表される
化学構造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モ
ル％〜５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル
％、さらに好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲
であり、これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含
む共重合体であってもよい。また、他のπ共役系化学構
造からなる繰り返し単位を含む共重合体であってもよ
く、２種〜５種の繰り返し単位からなる共重合体組成で
あってもよい。上記の一般式（Ｘ）〜（XII ）で表され
る化学構造以外のπ共役系化学構造の具体例としては、
フェニレン、ビニレン、アセチレン、カルバゾリレン及
びそれらの置換誘導体二価基が挙げられるが、これらに
限定されず、重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る化学
構造であればよい。
化学構造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モ
ル％〜５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル
％、さらに好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲
であり、これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含
む共重合体であってもよい。また、他のπ共役系化学構
造からなる繰り返し単位を含む共重合体であってもよ
く、２種〜５種の繰り返し単位からなる共重合体組成で
あってもよい。上記の一般式（Ｘ）〜（XII ）で表され
る化学構造以外のπ共役系化学構造の具体例としては、
フェニレン、ビニレン、アセチレン、カルバゾリレン及
びそれらの置換誘導体二価基が挙げられるが、これらに
限定されず、重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る化学
構造であればよい。
【００５０】なお、本発明において、「繰り返し単位を
含む共重合体」とは、必ずしもその単位を連続して含む
共重合体に限定されず、π共役系主鎖に基づく所望の導
電性が発現される限りにおいてランダムコポリマーのよ
うに不規則、不連続に含む場合も包含している。本発明
に用いられるπ共役系導電性高分子の分子量は、構成す
る繰り返し単位の化学構造によって異なるため一概に規
定することはできないが、本発明の目的に適うものであ
ればよく特に限定されない。通常、主鎖を構成する繰り
返し単位数（重合度）によって表せば、通常、５〜２０
００、好ましくは１０〜１０００の範囲の重合度のもの
が挙げられる。
含む共重合体」とは、必ずしもその単位を連続して含む
共重合体に限定されず、π共役系主鎖に基づく所望の導
電性が発現される限りにおいてランダムコポリマーのよ
うに不規則、不連続に含む場合も包含している。本発明
に用いられるπ共役系導電性高分子の分子量は、構成す
る繰り返し単位の化学構造によって異なるため一概に規
定することはできないが、本発明の目的に適うものであ
ればよく特に限定されない。通常、主鎖を構成する繰り
返し単位数（重合度）によって表せば、通常、５〜２０
００、好ましくは１０〜１０００の範囲の重合度のもの
が挙げられる。
【００５１】本発明に用いられるブレンステッド酸基を
有するπ共役系導電性高分子の特に好ましい具体例とし
て、 ｉ）一般式（III ）で表される化学構造の一例である５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルの重合体、
及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 ii）一般式（III ）で表される化学構造の一例である５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルを８０モル
％以上含有するランダムコポリマー、ポリ（５−スルホ
イソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナ
フテン−１，３−ジイル）、及び／またはそのリチウム
塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモ
ニウム塩、 iii ）一般式（IV）で表される化学構造の一例である３
−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル
の重合体、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム
塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 iv）一般式（VI）で表される化学構造の一例である２−
スルホ−１，４−イミノフェニレンを５０モル％以上含
有するランダムコポリマー、ポリ（２−スルホ−１，４
−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレ
ン）、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、ア
ンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げること
ができる。
有するπ共役系導電性高分子の特に好ましい具体例とし
て、 ｉ）一般式（III ）で表される化学構造の一例である５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルの重合体、
及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 ii）一般式（III ）で表される化学構造の一例である５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルを８０モル
％以上含有するランダムコポリマー、ポリ（５−スルホ
イソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナ
フテン−１，３−ジイル）、及び／またはそのリチウム
塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモ
ニウム塩、 iii ）一般式（IV）で表される化学構造の一例である３
−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル
の重合体、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム
塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 iv）一般式（VI）で表される化学構造の一例である２−
スルホ−１，４−イミノフェニレンを５０モル％以上含
有するランダムコポリマー、ポリ（２−スルホ−１，４
−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレ
ン）、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、ア
ンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げること
ができる。
【００５２】一般式（III ）〜（IX）で表される化学構
造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子及び
高分子電解質をドーパントとし一般式（Ｘ）〜（XII ）
で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系
導電性高分子は、電子伝導性を有するためにその電導度
の湿度依存性が極めて小さい。さらに、本発明のπ共役
系導電性高分子は、分子内に潜在的にドーパントとなり
得るブレンステッド酸基を有する、または、高分子電解
質をドーパントとして含んでいるので、時間の経過によ
ってドーパントが大気中に揮散することがなく電導度の
安定性に優れている。
造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子及び
高分子電解質をドーパントとし一般式（Ｘ）〜（XII ）
で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系
導電性高分子は、電子伝導性を有するためにその電導度
の湿度依存性が極めて小さい。さらに、本発明のπ共役
系導電性高分子は、分子内に潜在的にドーパントとなり
得るブレンステッド酸基を有する、または、高分子電解
質をドーパントとして含んでいるので、時間の経過によ
ってドーパントが大気中に揮散することがなく電導度の
安定性に優れている。
【００５３】本発明の帯電防止膜形成用組成物は必要に
応じて金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触
媒が添加された液状物を出発物質として、金属アルコキ
シドを加水分解重縮合させて製造した液状物であり、金
属アルコキシドの加水分解重縮合物および水溶性導電性
有機化合物を含有する。その製造過程における金属アル
コキシド、水溶性導電性有機化合物及び触媒の添加方
法、添加順序及び金属アルコキシドの加水分解重縮合方
法は如何なる方法や順序であっても該液状物が形成され
ればよい。例えば、金属アルコキシドを有機溶剤に溶解
した溶液に、水溶性導電性有機化合物を水または水と有
機溶剤との混合溶剤に溶解した溶液（総称して含水溶液
という）を加え、必要に応じて金属アルコキシドの加水
分解重縮合を促進する触媒を添加した後、金属アルコキ
シドを加水分解（重）縮合させる方法が挙げられる。
応じて金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触
媒が添加された液状物を出発物質として、金属アルコキ
シドを加水分解重縮合させて製造した液状物であり、金
属アルコキシドの加水分解重縮合物および水溶性導電性
有機化合物を含有する。その製造過程における金属アル
コキシド、水溶性導電性有機化合物及び触媒の添加方
法、添加順序及び金属アルコキシドの加水分解重縮合方
法は如何なる方法や順序であっても該液状物が形成され
ればよい。例えば、金属アルコキシドを有機溶剤に溶解
した溶液に、水溶性導電性有機化合物を水または水と有
機溶剤との混合溶剤に溶解した溶液（総称して含水溶液
という）を加え、必要に応じて金属アルコキシドの加水
分解重縮合を促進する触媒を添加した後、金属アルコキ
シドを加水分解（重）縮合させる方法が挙げられる。
【００５４】この方法で用いられる有機溶剤としては、
金属アルコキシドを所望の濃度で溶解でき、水と均一混
合可能な溶剤であればよく、特に限定されないが、例え
ば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロ
パノ−ル、エチレングリコール、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコール、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、アセトン、エチルメチルケトン、アセトニトリ
ル、１−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクト
ン、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキシプロ
ピオン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単
独または２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤
の中で、メタノール、エタノール、プロパノール、イソ
プロパノール等のアルコール、もしくは、これらのアル
コールを５０重量％以上含有する上記の有機溶剤の混合
溶剤が好ましい。金属アルコキシドを有機溶剤に溶解す
る際の濃度は、金属アルコキシドと溶剤の種類、或い
は、所望する帯電防止被膜の膜厚によって異なり、一概
には決められないが、通常０．１〜５０重量％、好まし
くは、１〜２０重量％の範囲である。溶解する際の温度
は、溶剤の種類によるが通常室温〜８０℃の範囲が好ま
しい。
金属アルコキシドを所望の濃度で溶解でき、水と均一混
合可能な溶剤であればよく、特に限定されないが、例え
ば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロ
パノ−ル、エチレングリコール、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコール、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、アセトン、エチルメチルケトン、アセトニトリ
ル、１−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクト
ン、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキシプロ
ピオン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単
独または２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤
の中で、メタノール、エタノール、プロパノール、イソ
プロパノール等のアルコール、もしくは、これらのアル
コールを５０重量％以上含有する上記の有機溶剤の混合
溶剤が好ましい。金属アルコキシドを有機溶剤に溶解す
る際の濃度は、金属アルコキシドと溶剤の種類、或い
は、所望する帯電防止被膜の膜厚によって異なり、一概
には決められないが、通常０．１〜５０重量％、好まし
くは、１〜２０重量％の範囲である。溶解する際の温度
は、溶剤の種類によるが通常室温〜８０℃の範囲が好ま
しい。
【００５５】水溶性導電性有機化合物の量は、水溶性導
電性有機化合物、金属アルコキシドの種類や所望する帯
電防止性能によって異なるが、通常は、金属アルコキシ
ドに対する重量比（金属アルコキシドの重量を１とした
時の水溶性導電性有機化合物の重量）として、０．００
１〜１０、好ましくは０．００５〜２の範囲が用いられ
る。金属アルコキシドの完全加水分解に必要な水の量
は、金属アルコキシド中の１アルコキシ残基に対し１当
量以上であり、好ましくは２当量以上であるが、本発明
において用いられる加水分解重縮合物としては部分加水
分解重縮合物であることが好ましく、加水分解に必要な
水の量としては、金属アルコキシド１モルに対し等モル
以上であれば良く、好ましくは５モル以上である。
電性有機化合物、金属アルコキシドの種類や所望する帯
電防止性能によって異なるが、通常は、金属アルコキシ
ドに対する重量比（金属アルコキシドの重量を１とした
時の水溶性導電性有機化合物の重量）として、０．００
１〜１０、好ましくは０．００５〜２の範囲が用いられ
る。金属アルコキシドの完全加水分解に必要な水の量
は、金属アルコキシド中の１アルコキシ残基に対し１当
量以上であり、好ましくは２当量以上であるが、本発明
において用いられる加水分解重縮合物としては部分加水
分解重縮合物であることが好ましく、加水分解に必要な
水の量としては、金属アルコキシド１モルに対し等モル
以上であれば良く、好ましくは５モル以上である。
【００５６】通常、金属アルコキシドの加水分解重縮合
反応は酸触媒やアルカリ触媒によって促進されるが、本
発明に用いられる水溶性導電性有機化合物が、酸である
場合、例えば、一般式（III ）〜（IX）で表される化学
構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子に
おいてＭ1 〜Ｍ7 がＨ+ である場合、または一般式
（Ｘ）〜（XII ）で表される化学構造を繰り返し単位と
して含むπ共役系導電性高分子において該繰り返し単位
当り等モル量を越える高分子電解質イオンをドーパント
として含有する場合は、金属アルコキシドの加水分解重
縮合の触媒も兼ねるので、別途触媒物質を添加しなくて
も良い。触媒物質を添加する場合、触媒物質の具体例と
しては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、酢酸、プロピオン
酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリア
クリル酸、ポリスチレンスルホン酸等の酸、アンモニ
ア、エタノールアミン、トリエタノールアミン、水酸化
テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等の塩基が挙げられる。触媒としての添加量
は、金属アルコキシドや触媒の種類によって異なり、一
概に決められないが、通常、金属アルコキシドに対して
モル数で０．００００１〜１０倍、好ましくは０．００
０１〜１倍である。
反応は酸触媒やアルカリ触媒によって促進されるが、本
発明に用いられる水溶性導電性有機化合物が、酸である
場合、例えば、一般式（III ）〜（IX）で表される化学
構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子に
おいてＭ1 〜Ｍ7 がＨ+ である場合、または一般式
（Ｘ）〜（XII ）で表される化学構造を繰り返し単位と
して含むπ共役系導電性高分子において該繰り返し単位
当り等モル量を越える高分子電解質イオンをドーパント
として含有する場合は、金属アルコキシドの加水分解重
縮合の触媒も兼ねるので、別途触媒物質を添加しなくて
も良い。触媒物質を添加する場合、触媒物質の具体例と
しては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、酢酸、プロピオン
酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリア
クリル酸、ポリスチレンスルホン酸等の酸、アンモニ
ア、エタノールアミン、トリエタノールアミン、水酸化
テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等の塩基が挙げられる。触媒としての添加量
は、金属アルコキシドや触媒の種類によって異なり、一
概に決められないが、通常、金属アルコキシドに対して
モル数で０．００００１〜１０倍、好ましくは０．００
０１〜１倍である。
【００５７】また、水溶性導電性有機化合物を水あるい
は含水有機溶剤に溶解した水性溶液に、必要に応じて金
属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を加
え、次いで金属アルコキシドを加えた後、加水分解重縮
合させる方法により本発明の帯電防止膜形成用組成物を
製造しても良い。この場合の有機溶剤としては前記の水
と均一混合可能な溶剤を用いることができる。水溶性導
電性有機化合物を水あるいは含水有機溶剤に溶解する際
の温度は、通常室温〜１００℃、好ましくは室温〜６０
℃である。本発明に用いられる水溶性導電性有機化合物
が酸である場合は金属アルコキシドの加水分解重縮合を
促進する触媒も兼ねるので、触媒物質を特別に添加しな
くても良いが、添加する場合の触媒の具体例及び添加量
は前述の場合と同一である。
は含水有機溶剤に溶解した水性溶液に、必要に応じて金
属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を加
え、次いで金属アルコキシドを加えた後、加水分解重縮
合させる方法により本発明の帯電防止膜形成用組成物を
製造しても良い。この場合の有機溶剤としては前記の水
と均一混合可能な溶剤を用いることができる。水溶性導
電性有機化合物を水あるいは含水有機溶剤に溶解する際
の温度は、通常室温〜１００℃、好ましくは室温〜６０
℃である。本発明に用いられる水溶性導電性有機化合物
が酸である場合は金属アルコキシドの加水分解重縮合を
促進する触媒も兼ねるので、触媒物質を特別に添加しな
くても良いが、添加する場合の触媒の具体例及び添加量
は前述の場合と同一である。
【００５８】本発明の帯電防止膜形成用組成物に含まれ
る水溶性導電性有機化合物の濃度は、水溶性導電性有機
化合物の種類や所望する膜の帯電防止性能によって異な
るが、通常は０．００１〜３０重量％、好ましくは０．
０１〜１０重量％である。また、本発明の帯電防止膜形
成用組成物において、原料として用いられる金属アルコ
キシドの量は、金属アルコキシドの種類、或は、所望す
る膜の厚さ等によって異なり、一概には決められない
が、通常溶液に対して０．１〜５０重量％、好ましくは
１〜２０重量％の範囲である。特にこれらの範囲内で水
溶性導電性有機化合物の金属アルコキシドに対する重量
比が０．００１〜１０、好ましくは０．００５〜２０の
範囲であるものが該組成物により製造される帯電防止膜
の帯電防止性能、耐久性および光透過性が優れており好
ましい。金属アルコキシドの加水分解重縮合の際の温度
は、金属アルコキシド及び触媒の種類等によって異な
り、一概には決められないが、通常室温〜１００℃、好
ましくは室温〜８０℃である。反応時間は、金属アルコ
キシド及び触媒の種類、反応温度等によって異なり、一
概には決められないが、通常１分〜２４０時間、好まし
くは１０分〜４８時間である。
る水溶性導電性有機化合物の濃度は、水溶性導電性有機
化合物の種類や所望する膜の帯電防止性能によって異な
るが、通常は０．００１〜３０重量％、好ましくは０．
０１〜１０重量％である。また、本発明の帯電防止膜形
成用組成物において、原料として用いられる金属アルコ
キシドの量は、金属アルコキシドの種類、或は、所望す
る膜の厚さ等によって異なり、一概には決められない
が、通常溶液に対して０．１〜５０重量％、好ましくは
１〜２０重量％の範囲である。特にこれらの範囲内で水
溶性導電性有機化合物の金属アルコキシドに対する重量
比が０．００１〜１０、好ましくは０．００５〜２０の
範囲であるものが該組成物により製造される帯電防止膜
の帯電防止性能、耐久性および光透過性が優れており好
ましい。金属アルコキシドの加水分解重縮合の際の温度
は、金属アルコキシド及び触媒の種類等によって異な
り、一概には決められないが、通常室温〜１００℃、好
ましくは室温〜８０℃である。反応時間は、金属アルコ
キシド及び触媒の種類、反応温度等によって異なり、一
概には決められないが、通常１分〜２４０時間、好まし
くは１０分〜４８時間である。
【００５９】上述のようにして製造された本発明の帯電
防止膜形成用組成物中の金属アルコキシドの部分加水分
解重縮合物として好ましい重縮合度（重縮合した金属ア
ルコキシドの重縮合物当たりの分子数）の範囲は、金属
アルコキシドの種類等によって異なるが、通常２〜１０
０００、好ましくは３〜２０００であり、４〜１００の
範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの加水分
解重縮合が不十分である場合には、帯電防止膜形成用組
成物から形成される膜の機械的強度（基材への密着性、
硬度等）が乾燥しただけでは不十分であって高温、長時
間の加熱が必要となる。また、金属アルコキシドの加水
分解重縮合が必要以上に進んだ場合には、組成物がゲル
化したり、組成物に沈澱物が生じたりして、均一で良好
な機械的強度の膜が得られない。
防止膜形成用組成物中の金属アルコキシドの部分加水分
解重縮合物として好ましい重縮合度（重縮合した金属ア
ルコキシドの重縮合物当たりの分子数）の範囲は、金属
アルコキシドの種類等によって異なるが、通常２〜１０
０００、好ましくは３〜２０００であり、４〜１００の
範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの加水分
解重縮合が不十分である場合には、帯電防止膜形成用組
成物から形成される膜の機械的強度（基材への密着性、
硬度等）が乾燥しただけでは不十分であって高温、長時
間の加熱が必要となる。また、金属アルコキシドの加水
分解重縮合が必要以上に進んだ場合には、組成物がゲル
化したり、組成物に沈澱物が生じたりして、均一で良好
な機械的強度の膜が得られない。
【００６０】本発明の帯電防止膜形成用組成物をガラ
ス、プラスチック等の基材表面に塗布した後に乾燥すれ
ば本発明の帯電防止膜が得られる。帯電防止膜形成用組
成物を基材表面に塗布する方法は、組成物の組成、基材
の材質や形状、所望する帯電防止膜の膜厚等によって異
なり、一概には決められないが、通常は回転塗布、ロー
ル塗布、スプレー塗布、浸漬塗布、グラビア塗布等の方
法が用いられる。帯電防止膜形成用組成物を基材に塗布
した後の乾燥方法は、塗布膜中の水や有機溶剤成分が除
かれる方法であるならば如何なる方法であっても良い
が、通常は室温、常圧における自然乾燥、または室温に
おける真空乾燥等である。
ス、プラスチック等の基材表面に塗布した後に乾燥すれ
ば本発明の帯電防止膜が得られる。帯電防止膜形成用組
成物を基材表面に塗布する方法は、組成物の組成、基材
の材質や形状、所望する帯電防止膜の膜厚等によって異
なり、一概には決められないが、通常は回転塗布、ロー
ル塗布、スプレー塗布、浸漬塗布、グラビア塗布等の方
法が用いられる。帯電防止膜形成用組成物を基材に塗布
した後の乾燥方法は、塗布膜中の水や有機溶剤成分が除
かれる方法であるならば如何なる方法であっても良い
が、通常は室温、常圧における自然乾燥、または室温に
おける真空乾燥等である。
【００６１】本発明の帯電防止膜形成用組成物を基材表
面に塗布した後に乾燥して得られた膜をそのまま帯電防
止膜として用いても良いが、さらに加熱すれば、膜中の
金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の加水分解重
縮合がさらに進んで、より機械的強度や耐久性に優れた
膜が得られる。加熱温度及び加熱時間は、膜中に含まれ
る金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の種類や基
材の材質等によるが、温度は通常３０〜２５０℃、好ま
しくは３０〜２００℃、更に好ましくは５０〜１２０℃
の範囲が用いられ、加熱時間は、金属アルコキシドの部
分加水分解重縮合物の種類、基材の種類や加熱温度等に
よって異なるが通常１分〜４８時間、好ましくは１分〜
２４時間、更に好ましくは５分〜６時間の範囲が用いら
れる。また、帯電防止膜の加熱処理は、帯電防止膜形成
用組成物を基材に塗布した後の乾燥処理を兼ねて行って
も良い。
面に塗布した後に乾燥して得られた膜をそのまま帯電防
止膜として用いても良いが、さらに加熱すれば、膜中の
金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の加水分解重
縮合がさらに進んで、より機械的強度や耐久性に優れた
膜が得られる。加熱温度及び加熱時間は、膜中に含まれ
る金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の種類や基
材の材質等によるが、温度は通常３０〜２５０℃、好ま
しくは３０〜２００℃、更に好ましくは５０〜１２０℃
の範囲が用いられ、加熱時間は、金属アルコキシドの部
分加水分解重縮合物の種類、基材の種類や加熱温度等に
よって異なるが通常１分〜４８時間、好ましくは１分〜
２４時間、更に好ましくは５分〜６時間の範囲が用いら
れる。また、帯電防止膜の加熱処理は、帯電防止膜形成
用組成物を基材に塗布した後の乾燥処理を兼ねて行って
も良い。
【００６２】上述のような方法で得られた本発明の帯電
防止膜形成用組成物は、帯電防止成分として水溶性導電
性有機化合物を用いているために均一な溶液であり、水
溶性導電性有機化合物の添加量を調節することにより、
該組成物より製造される帯電防止膜の帯電防止性能を幅
広い範囲で調節できる。とりわけ、帯電防止成分とし
て、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役系導電性
高分子またはその塩、あるいは、高分子電解質をドーパ
ントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組成物を用い
た場合は、その帯電防止性能が時間経過や湿度によって
ほとんど変動しない、耐久性に優れた帯電防止膜を与え
る。また、帯電防止膜中の帯電防止成分と金属アルコキ
シドの加水分解重縮合物が均一に混合しているので、均
一で光透過性に優れた薄膜を容易に形成できる。
防止膜形成用組成物は、帯電防止成分として水溶性導電
性有機化合物を用いているために均一な溶液であり、水
溶性導電性有機化合物の添加量を調節することにより、
該組成物より製造される帯電防止膜の帯電防止性能を幅
広い範囲で調節できる。とりわけ、帯電防止成分とし
て、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役系導電性
高分子またはその塩、あるいは、高分子電解質をドーパ
ントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組成物を用い
た場合は、その帯電防止性能が時間経過や湿度によって
ほとんど変動しない、耐久性に優れた帯電防止膜を与え
る。また、帯電防止膜中の帯電防止成分と金属アルコキ
シドの加水分解重縮合物が均一に混合しているので、均
一で光透過性に優れた薄膜を容易に形成できる。
【００６３】
【実施例】以下に本発明について実施例によりさらに具
体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示で
あって、本発明はこれらに何ら限定されるものではな
い。ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル）、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジ
イルアンモニウム塩）、共重合体であるポリ（５−スル
ホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチア
ナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０モル
％）、及びポリ（６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオ
フェン−１，３−ジイル）は、特開平７−４８４３６号
公報で開示されている方法に従って合成した。ポリ（３
−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイ
ル）は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ
ｕｎ．誌、１９９０年、１６９４−１６９５頁で開示さ
れている方法に従って合成した。共重合体であるポリ
（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，
４−イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）
は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．誌、１１２巻、２８
００−２８０１頁（１９９０年）で開示されている方法
に従って合成した。また、単量体換算で等モルのポリス
チレンスルホン酸をドーパントとして含有するポリアニ
リン及び単量体換算で等モルのポリスチレンスルホン酸
をドーパントとして含有するポリピロールは、それぞ
れ、特開平６−２８７４５４号公報及び特開平４−２３
８２５号公報で開示されている方法に従って合成した。
体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示で
あって、本発明はこれらに何ら限定されるものではな
い。ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル）、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジ
イルアンモニウム塩）、共重合体であるポリ（５−スル
ホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチア
ナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０モル
％）、及びポリ（６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオ
フェン−１，３−ジイル）は、特開平７−４８４３６号
公報で開示されている方法に従って合成した。ポリ（３
−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイ
ル）は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ
ｕｎ．誌、１９９０年、１６９４−１６９５頁で開示さ
れている方法に従って合成した。共重合体であるポリ
（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，
４−イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）
は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．誌、１１２巻、２８
００−２８０１頁（１９９０年）で開示されている方法
に従って合成した。また、単量体換算で等モルのポリス
チレンスルホン酸をドーパントとして含有するポリアニ
リン及び単量体換算で等モルのポリスチレンスルホン酸
をドーパントとして含有するポリピロールは、それぞ
れ、特開平６−２８７４５４号公報及び特開平４−２３
８２５号公報で開示されている方法に従って合成した。
【００６４】また、帯電防止膜形成用組成物中の金属ア
ルコキシド加水分解重縮合物の重縮合度は、Ｂｕｌｌ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．誌、５９巻、２２７９−２
２８３頁（１９８６年）に記載されている方法に従っ
て、ゲル浸透クロマトグラフィーにより求めた金属アル
コキシド加水分解重縮合物のポリスチレン換算の数平均
分子量から見積もり平均重縮合度とした。
ルコキシド加水分解重縮合物の重縮合度は、Ｂｕｌｌ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．誌、５９巻、２２７９−２
２８３頁（１９８６年）に記載されている方法に従っ
て、ゲル浸透クロマトグラフィーにより求めた金属アル
コキシド加水分解重縮合物のポリスチレン換算の数平均
分子量から見積もり平均重縮合度とした。
【００６５】実施例１ テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量部とエ
タノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加え
た。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用いて
１時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合
させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、こ
の組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の
平均重縮合度は５であった。この組成物をガラス基板に
回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして
帯電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量部とエ
タノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加え
た。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用いて
１時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合
させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、こ
の組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の
平均重縮合度は５であった。この組成物をガラス基板に
回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして
帯電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
【００６６】このようにして得た帯電防止膜について、
表面抵抗値をメガレスタＭＯＤＥＬＨＴ−３０１（シシ
ド静電気（株）製）で測定し、可視光領域（５００ｎｍ
及び７００ｎｍ）における透過率を未処理のガラス基板
を対照試料として自記分光光度計Ｕ−３５００型
（（株）日立製作所製）で測定した。また、ＪＩＳ Ｋ
−５４００に従って鉛筆硬度試験と碁盤目剥離試験を行
った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過
性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜
をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵
抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られな
かった。
表面抵抗値をメガレスタＭＯＤＥＬＨＴ−３０１（シシ
ド静電気（株）製）で測定し、可視光領域（５００ｎｍ
及び７００ｎｍ）における透過率を未処理のガラス基板
を対照試料として自記分光光度計Ｕ−３５００型
（（株）日立製作所製）で測定した。また、ＪＩＳ Ｋ
−５４００に従って鉛筆硬度試験と碁盤目剥離試験を行
った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過
性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜
をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵
抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られな
かった。
【００６７】実施例２ テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイル）０．５重量部を水５０重量部
とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を
加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用
いて３時間撹拌してテトラエトキシシランの加水分解重
縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。な
お、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮
合物の平均重縮合度は５であった。この組成物をガラス
基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイル）０．５重量部を水５０重量部
とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を
加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用
いて３時間撹拌してテトラエトキシシランの加水分解重
縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。な
お、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮
合物の平均重縮合度は５であった。この組成物をガラス
基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
【００６８】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００６９】実施例３ 実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにメ
チルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１と同様
にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この
組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物
の平均重縮合度は５であった。この組成物をアクリル板
に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして
帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
チルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１と同様
にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この
組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物
の平均重縮合度は５であった。この組成物をアクリル板
に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして
帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００７０】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００７１】実施例４ 実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにｎ
−オクチルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１
と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。な
お、この組成物中のｎ−オクチルトリエトキシシラン加
水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組成
物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間
加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得
た。
−オクチルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１
と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。な
お、この組成物中のｎ−オクチルトリエトキシシラン加
水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組成
物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間
加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得
た。
【００７２】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００７３】実施例５ メチルトリエトキシシラン９８重量部及び３−グリシド
キシピロピルトリエトキシシラン２重量部をエタノール
９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソ
チアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量
部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液
を加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを
用いて３時間撹拌してアルコキシシランの加水分解重縮
合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、
この組成物中のアルコキシシランの加水分解重縮合物の
平均重縮合度は５であった。この組成物をアクリル板に
回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯
電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
キシピロピルトリエトキシシラン２重量部をエタノール
９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソ
チアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量
部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液
を加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを
用いて３時間撹拌してアルコキシシランの加水分解重縮
合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、
この組成物中のアルコキシシランの加水分解重縮合物の
平均重縮合度は５であった。この組成物をアクリル板に
回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯
電防止膜（膜厚 約０．１μｍ）を得た。
【００７４】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００７５】実施例６ 実施例１において、テトラエトキシシランの代わりに３
−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレートを用
いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中の３−（トリメトキ
シシリル）プロピルメタクリレート加水分解重縮合物の
平均重縮合度は４であった。この組成物をアクリル板に
回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯
電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレートを用
いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中の３−（トリメトキ
シシリル）プロピルメタクリレート加水分解重縮合物の
平均重縮合度は４であった。この組成物をアクリル板に
回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯
電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００７６】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００７７】実施例７ 実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにコ
ルコート（株）製エチルシリケート４０（テトラエトキ
シシランの平均重縮合度が４〜５である部分加水分解重
縮合物）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止
膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のエチ
ルシリケート４０の加水分解重縮合物の平均重縮合度は
２０であった。
ルコート（株）製エチルシリケート４０（テトラエトキ
シシランの平均重縮合度が４〜５である部分加水分解重
縮合物）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止
膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のエチ
ルシリケート４０の加水分解重縮合物の平均重縮合度は
２０であった。
【００７８】この組成物をガラス基板に回転塗布した
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７９】実施例８ テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００
重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２
０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用
いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエト
キシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。
この溶液にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３
−ジイル）４重量部を水５０重量部とエタノール２００
重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた後、室温でマ
グネチックスターラーを用いて２４時間撹拌してさらに
加水分解重縮合を進行させて、帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０であった。こ
の組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて
３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約０．１μ
ｍ）を得た。
重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２
０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用
いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエト
キシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。
この溶液にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３
−ジイル）４重量部を水５０重量部とエタノール２００
重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた後、室温でマ
グネチックスターラーを用いて２４時間撹拌してさらに
加水分解重縮合を進行させて、帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０であった。こ
の組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて
３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約０．１μ
ｍ）を得た。
【００８０】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００８１】実施例９ 実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イ
ソチアナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０
モル％）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止
膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテト
ラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。
−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イ
ソチアナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０
モル％）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止
膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテト
ラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。
【００８２】この組成物をガラス基板に回転塗布した
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８３】実施例１０ 実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）の代わりにポリ（６−スルホナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）を用いた
以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を
製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン
加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組
成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０
分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を
得た。
−１，３−ジイル）の代わりにポリ（６−スルホナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）を用いた
以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を
製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン
加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組
成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０
分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を
得た。
【００８４】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００８５】実施例１１ 実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）の代わりにポリ（３−（３−スルホ
プロピル）チオフェン−２，５−ジイル）を用いた以外
は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造
した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水
分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組成物
をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間
加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得
た。
−１，３−ジイル）の代わりにポリ（３−（３−スルホ
プロピル）チオフェン−２，５−ジイル）を用いた以外
は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造
した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水
分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組成物
をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間
加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得
た。
【００８６】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００８７】実施例１２ 実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（２
−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−
イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）を用い
た以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（２
−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−
イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）を用い
た以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
【００８８】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００８９】実施例１３ テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイルアンモニウム塩）１０重量部を
水２５０重量部に溶解した溶液を加えた。この溶液に１
規定アンモニア水１０重量部を加えた後、室温でマグネ
チックスターラーを用いて１時間撹拌してテトラエトキ
シシランの加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１０であっ
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約
０．１μｍ）を得た。
重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナ
フテン−１，３−ジイルアンモニウム塩）１０重量部を
水２５０重量部に溶解した溶液を加えた。この溶液に１
規定アンモニア水１０重量部を加えた後、室温でマグネ
チックスターラーを用いて１時間撹拌してテトラエトキ
シシランの加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１０であっ
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約
０．１μｍ）を得た。
【００９０】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００９１】実施例１４ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
【００９２】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００９３】実施例１５ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で４８時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃に
て３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で４８時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃に
て３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
【００９４】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００９５】実施例１６ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１５０時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエト
キシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１００であっ
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．
１μｍ）を得た。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１５０時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエト
キシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１００であっ
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．
１μｍ）を得た。
【００９６】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００９７】実施例１７ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）１重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
−１，３−ジイル）１重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）
を得た。
【００９８】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【００９９】実施例１８ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラ
エトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は６であった。こ
の組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて
３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラ
エトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は６であった。こ
の組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて
３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
【０１００】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０１】実施例１９ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラ
エトキシシラン５重量部を加えた後、室温で１２時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約１００オング
ストローム）を得た。
−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラ
エトキシシラン５重量部を加えた後、室温で１２時間マ
グネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシ
シランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物
を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラ
ン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この
組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３
０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約１００オング
ストローム）を得た。
【０１０２】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０３】実施例２０ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２０重量部を加えた後、室温で１時間マグ
ネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシ
ランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を
製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン
加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。この組
成物をガラス基板に回転塗布した後、デシケーター中で
室温にて１２時間乾燥して帯電防止膜（膜厚約４００オ
ングストローム）を得た。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２０重量部を加えた後、室温で１時間マグ
ネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシ
ランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を
製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン
加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。この組
成物をガラス基板に回転塗布した後、デシケーター中で
室温にて１２時間乾燥して帯電防止膜（膜厚約４００オ
ングストローム）を得た。
【０１０４】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０５】実施例２１ 実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス
基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を
得た。
基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を
得た。
【０１０６】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０７】実施例２２ 実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス
基板に回転塗布した後、１５０℃にて１０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を
得た。
基板に回転塗布した後、１５０℃にて１０分間加熱処理
をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を
得た。
【０１０８】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０９】実施例２３ 実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス
基板に回転塗布した後、２００℃にて５分間加熱処理を
して帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得
た。
基板に回転塗布した後、２００℃にて５分間加熱処理を
して帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得
た。
【０１１０】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１１】実施例２４ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２０重量部を加えた後、１００℃で２４時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエト
キシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０００であ
った。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１０
０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約
０．１μｍ）を得た。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２０重量部を加えた後、１００℃で２４時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエト
キシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組
成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシ
シラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０００であ
った。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１０
０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約
０．１μｍ）を得た。
【０１１２】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１３】実施例２５ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）８重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２００重量部を加えた後、８０℃で３時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は７０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃に
て３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
−１，３−ジイル）８重量部を溶解した溶液にテトラエ
トキシシラン２００重量部を加えた後、８０℃で３時間
マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキ
シシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成
物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシ
ラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は７０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃に
て３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μ
ｍ）を得た。
【０１１４】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１５】実施例２６ 水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にメチルト
リエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してメチルトリ
エトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成
用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリ
エトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５で
あった。
−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にメチルト
リエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時
間マグネチックスターラーを用いて撹拌してメチルトリ
エトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成
用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリ
エトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５で
あった。
【０１１６】この組成物をガラス基板に回転塗布した
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜
（膜厚約０．１μｍ）を得た。このようにして得た帯電
防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、
可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過
率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。
表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度
及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス
基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬
度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１７】実施例２７ ポリ（１，４−イミノフェニレン）の繰り返し単位当り
等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホ
ン酸（分子量約７００００）６．７重量部をドーパント
として含有するポリ（１，４−イミノフェニレン）１０
重量部（内、６．７重量部はドーパントである）を水１
０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１
００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温
で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテト
ラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形
成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルト
リエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、
１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚
約０．２μｍ）を得た。
等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホ
ン酸（分子量約７００００）６．７重量部をドーパント
として含有するポリ（１，４−イミノフェニレン）１０
重量部（内、６．７重量部はドーパントである）を水１
０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１
００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温
で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテト
ラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形
成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルト
リエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、
１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚
約０．２μｍ）を得た。
【０１１８】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１９】実施例２８ ポリ（ピロール−２，５−ジイル）の繰り返し単位当り
等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホ
ン酸（分子量約７００００）７．４重量部をドーパント
として含有するポリ（ピロール−２，５−ジイル）１０
重量部（内、７．４重量部はドーパントである）を水１
０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１
００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温
で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテト
ラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形
成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルト
リエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、
１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚
約０．２μｍ）を得た。
等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホ
ン酸（分子量約７００００）７．４重量部をドーパント
として含有するポリ（ピロール−２，５−ジイル）１０
重量部（内、７．４重量部はドーパントである）を水１
０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１
００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温
で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテト
ラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形
成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルト
リエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５
であった。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、
１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚
約０．２μｍ）を得た。
【０１２０】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５０
０ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆
硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したよう
に、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着
性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水
に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着
性にほとんど変化は見られなかった。
【０１２１】比較例１ 導電性金属酸化物の超微粒子を含有する導電性塗料、コ
ルコート（株）製コルコートＳＰ−２００１をガラス基
板に回転塗布した後、デシケーター中で室温にて１時間
乾燥して帯電防止膜（膜厚約Ｏ．５μｍ）を得た。この
ようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様に
して、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００
ｎｍ）における透過率を測定した。表１に示したよう
に、可視光透過率は不十分であった。
ルコート（株）製コルコートＳＰ−２００１をガラス基
板に回転塗布した後、デシケーター中で室温にて１時間
乾燥して帯電防止膜（膜厚約Ｏ．５μｍ）を得た。この
ようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様に
して、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００
ｎｍ）における透過率を測定した。表１に示したよう
に、可視光透過率は不十分であった。
【０１２２】比較例２ テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００
重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２
０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用
いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエト
キシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。
この溶液に１規定塩酸でドープしたポリ（ｏ−エトキシ
アニリン）２重量部をアセトン５０重量部とメタノール
５０重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加え、混合し
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約
０．１μｍ）を得た。
重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２
０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用
いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエト
キシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。
この溶液に１規定塩酸でドープしたポリ（ｏ−エトキシ
アニリン）２重量部をアセトン５０重量部とメタノール
５０重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加え、混合し
た。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００
℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚 約
０．１μｍ）を得た。
【０１２３】このようにして得た帯電防止膜について、
実施例１と同様にして、表面抵抗値を測定した。表１に
示したように、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に
２時間浸漬した後、表面抵抗値が上昇し、帯電防止性能
が失われてしまった。
実施例１と同様にして、表面抵抗値を測定した。表１に
示したように、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に
２時間浸漬した後、表面抵抗値が上昇し、帯電防止性能
が失われてしまった。
【０１２４】
【表１】
【０１２５】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明の帯電防止膜
形成用組成物及び帯電防止膜の製造法によれば、ガラス
材料やプラスチック材料の表面に、時間経過や湿度変化
による帯電防止性能の変化の少ない耐久性に優れた帯電
防止膜を形成することができる。しかも、本発明の帯電
防止膜形成用組成物の帯電防止成分の添加量を調節する
ことにより、該組成物より製造される帯電防止膜の帯電
防止性能を容易にコントロールでき、また、帯電防止膜
中の帯電防止成分と金属アルコキシドの加水分解、脱水
重縮合物が均一に混合しているので、均一で光透過性に
優れた薄膜を容易に形成できる。
形成用組成物及び帯電防止膜の製造法によれば、ガラス
材料やプラスチック材料の表面に、時間経過や湿度変化
による帯電防止性能の変化の少ない耐久性に優れた帯電
防止膜を形成することができる。しかも、本発明の帯電
防止膜形成用組成物の帯電防止成分の添加量を調節する
ことにより、該組成物より製造される帯電防止膜の帯電
防止性能を容易にコントロールでき、また、帯電防止膜
中の帯電防止成分と金属アルコキシドの加水分解、脱水
重縮合物が均一に混合しているので、均一で光透過性に
優れた薄膜を容易に形成できる。
【０１２６】本発明の帯電防止膜形成用組成物及び帯電
防止膜の製造法を用いれば、静電気による塵埃の付着や
放電によって引き起こされる種々のトラブルを防ぐこと
ができる。特に、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク等の大
容量記録媒体の表面に本発明の帯電防止膜を形成した場
合、保存あるいは使用時における塵埃の付着による記録
の読み出しや書き込みのエラーの発生を防げる。また、
ＣＲＴディスプレイの表面に本発明の帯電防止膜を形成
した場合、塵埃の付着による汚れや帯電による表示不良
を防止できる。
防止膜の製造法を用いれば、静電気による塵埃の付着や
放電によって引き起こされる種々のトラブルを防ぐこと
ができる。特に、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク等の大
容量記録媒体の表面に本発明の帯電防止膜を形成した場
合、保存あるいは使用時における塵埃の付着による記録
の読み出しや書き込みのエラーの発生を防げる。また、
ＣＲＴディスプレイの表面に本発明の帯電防止膜を形成
した場合、塵埃の付着による汚れや帯電による表示不良
を防止できる。
フロントページの続き (72)発明者 南波 文晴 千葉県千葉市緑区大野台１丁目１番１号 昭和電工株式会社総合研究所内 (72)発明者 池ノ上 芳章 千葉県千葉市緑区大野台１丁目１番１号 昭和電工株式会社総合研究所内
Claims (24)
- 【請求項１】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物、
及び水溶性導電性有機化合物を含有することを特徴とす
る帯電防止膜形成用組成物。 - 【請求項２】 金属アルコキシド及び水溶性導電性有機
化合物を含有する液状物を出発物質とし、水溶性導電性
有機化合物の存在下、金属アルコキシドを加水分解重縮
合させて製造したことを特徴とする請求項１記載の帯電
防止膜形成用組成物。 - 【請求項３】 金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、また
は（II） 【化１】 【化２】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る請求項１記載の帯電防止膜形成用組成物。 - 【請求項４】 加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、また
は（II） 【化３】 【化４】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る請求項１記載の帯電防止膜形成用組成物。 - 【請求項５】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物の
重縮合度が２乃至１００００であることを特徴とする請
求項１記載の帯電防止膜形成用組成物。 - 【請求項６】 水溶性導電性有機化合物がブレンステッ
ド酸基を有するπ共役系導電性高分子またはその塩であ
ることを特徴とする請求項１記載の帯電防止膜形成用組
成物。 - 【請求項７】 水溶性導電性有機化合物が高分子電解質
をドーパントとするπ共役系導電性高分子であることを
特徴とする請求項１記載の帯電防止膜形成用組成物。 - 【請求項８】 水または水を含有する有機溶剤を溶媒と
することを特徴とする請求項１記載の帯電防止膜形成用
組成物。 - 【請求項９】 金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した
溶液に、水溶性導電性有機化合物を含有する含水溶液を
加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを
特徴とする請求項１乃至８記載の帯電防止膜形成用組成
物の製造方法。 - 【請求項１０】 金属アルコキシドを有機溶剤に溶解し
た溶液に、水溶性導電性有機化合物、水及び金属アルコ
キシドの加水分解重縮合を促進する触媒を含有する溶液
を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解すること
を特徴とする請求項１乃至８記載の帯電防止膜形成用組
成物の製造方法。 - 【請求項１１】 水溶性導電性有機化合物水溶液または
該化合物の含水溶液に金属アルコキシドを加え、次い
で、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特
徴とする請求項１乃至８記載の帯電防止膜形成用組成物
の製造方法。 - 【請求項１２】 水溶性導電性有機化合物及び金属アル
コキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を水に溶解し
た水溶液または含水溶液に金属アルコキシドを加え、次
いで、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを
特徴とする請求項１乃至８記載の帯電防止膜形成用組成
物の製造方法。 - 【請求項１３】 基材上に請求項１乃至８記載の帯電防
止膜形成用組成物を塗布する工程を含むことを特徴とす
る帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項１４】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物
及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×
１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可
視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚
さ１００オングストローム以上の帯電防止膜。 - 【請求項１５】 金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、ま
たは（II） 【化５】 【化６】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とす
る請求項１４記載の帯電防止膜。 - 【請求項１６】 加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、ま
たは（II） 【化７】 【化８】 （Ｌ1 はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の４価の金属原子であり、
Ｌ2 はＡｌ、Ｂ、Ｇａ等の３価の金属原子である。Ａ1
〜Ａ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０
の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル
基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽
和アルコキシ基を表す。但し、Ａ1 〜Ａ4 のうちの少な
くとも一つ、及びＡ5 〜Ａ7 のうちの少なくとも一つ
は、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前
記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、
任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル
結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエス
テル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）で
表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アル
コキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とす
る請求項１４記載の帯電防止膜。 - 【請求項１７】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物
及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×
１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可
視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚
さ１００オングストローム以上の金属酸化物基材用帯電
防止膜。 - 【請求項１８】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物
及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×
１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可
視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚
さ１００オングストローム以上の高分子基材用帯電防止
膜。 - 【請求項１９】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物
及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×
１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可
視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚
さ１００オングストローム以上の陰極線管用帯電防止
膜。 - 【請求項２０】 金属アルコキシドの加水分解重縮合物
及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×
１０9 Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可
視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚
さ１００オングストローム以上の光記録媒体用帯電防止
膜。 - 【請求項２１】 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、
波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率
が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングス
トローム以上の導電性膜を有することを特徴とする金属
酸化物基材。 - 【請求項２２】 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、
波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率
が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングス
トローム以上の導電性膜を有することを特徴とする高分
子基材。 - 【請求項２３】 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、
波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率
が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングス
トローム以上の導電性膜を有することを特徴とする陰極
線管。 - 【請求項２４】 表面抵抗値が９×１０9 Ω／□以下、
波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率
が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングス
トローム以上の導電性膜を有することを特徴とする光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23423295A JP3608012B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23423295A JP3608012B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0978000A true JPH0978000A (ja) | 1997-03-25 |
| JP3608012B2 JP3608012B2 (ja) | 2005-01-05 |
Family
ID=16967769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23423295A Expired - Lifetime JP3608012B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3608012B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050469A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2004003081A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. | 有機−無機複合イオン伝導膜 |
| JP2005120198A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Jsr Corp | 親水性重合体組成物 |
| JP2005174220A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法 |
| JP2006037040A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Kimoto & Co Ltd | コーティング組成物、およびこれを用いてなる透明導電膜 |
| JP2015030743A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | コルコート株式会社 | シロキサン系帯電防止剤組成物およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP23423295A patent/JP3608012B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050469A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2004003081A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. | 有機−無機複合イオン伝導膜 |
| JPWO2004003081A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2005-10-27 | 日本山村硝子株式会社 | 有機−無機複合イオン伝導膜 |
| JP4645196B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2011-03-09 | 日本山村硝子株式会社 | 有機−無機複合イオン伝導膜 |
| JP2005120198A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Jsr Corp | 親水性重合体組成物 |
| JP2005174220A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法 |
| JP2006037040A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Kimoto & Co Ltd | コーティング組成物、およびこれを用いてなる透明導電膜 |
| JP2015030743A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | コルコート株式会社 | シロキサン系帯電防止剤組成物およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3608012B2 (ja) | 2005-01-05 |
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