JPH0741756A - 帯電防止材料、それを用いる帯電防止方法及び観察または検査方法、及び帯電が防止された物品 - Google Patents
帯電防止材料、それを用いる帯電防止方法及び観察または検査方法、及び帯電が防止された物品Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
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- H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
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- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 物品の製造あるいは使用において、その物品
の帯電を防止するために用いられる帯電防止材料、それ
を用いる帯電防止方法、該帯電防止材料から形成された
導電性被膜を有し、帯電が防止された物品、該導電性被
膜を形成した後に、荷電粒子線を照射して物品を観察ま
たは検査する方法を提供する。 【構成】 スルホン酸（またはその塩）置換基を有する
イソチアナフテニレン構造を繰返し単位として含む水溶
性導電性高分子化合物を含む帯電防止材料、およびそれ
を用いて、物品上に導電性被膜を形成し帯電現象を防止
する方法。該導電性被膜は熱処理や長期保存しても帯電
防止効果や除去性が安定に維持されている。またこの導
電性被膜を形成するために用いられる該導電性高分子化
合物を含む帯電防止材料は、酸性〜アルカリ性の間の任
意のｐＨ状態で用いることができ、また溶液状態での保
存安定性が優れている。
の帯電を防止するために用いられる帯電防止材料、それ
を用いる帯電防止方法、該帯電防止材料から形成された
導電性被膜を有し、帯電が防止された物品、該導電性被
膜を形成した後に、荷電粒子線を照射して物品を観察ま
たは検査する方法を提供する。 【構成】 スルホン酸（またはその塩）置換基を有する
イソチアナフテニレン構造を繰返し単位として含む水溶
性導電性高分子化合物を含む帯電防止材料、およびそれ
を用いて、物品上に導電性被膜を形成し帯電現象を防止
する方法。該導電性被膜は熱処理や長期保存しても帯電
防止効果や除去性が安定に維持されている。またこの導
電性被膜を形成するために用いられる該導電性高分子化
合物を含む帯電防止材料は、酸性〜アルカリ性の間の任
意のｐＨ状態で用いることができ、また溶液状態での保
存安定性が優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子素子、電子部品、
電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製
造あるいは使用において、その物品あるいは被分析物品
の帯電を防止するために用いられる帯電防止材料、及び
それを用いる帯電防止方法、観察または検査方法、及び
その帯電防止材料を用いることにより帯電が防止された
物品に関する。
電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製
造あるいは使用において、その物品あるいは被分析物品
の帯電を防止するために用いられる帯電防止材料、及び
それを用いる帯電防止方法、観察または検査方法、及び
その帯電防止材料を用いることにより帯電が防止された
物品に関する。
【０００２】例えば、本発明は、電子線等の荷電粒子線
を照射する工程において、被照射物品に電荷が蓄積する
ことにより生じる帯電現象を防止するために用いられる
帯電防止材料、該帯電現象を防止するために用いられ
る、該帯電防止材料からなる導電性被膜及びそれを用い
る帯電防止方法、該帯電現象を防止して荷電粒子線照射
により被照射物品を観察または検査する方法、及び該帯
電防止材料からなる導電性被膜を有する物品に関する。
を照射する工程において、被照射物品に電荷が蓄積する
ことにより生じる帯電現象を防止するために用いられる
帯電防止材料、該帯電現象を防止するために用いられ
る、該帯電防止材料からなる導電性被膜及びそれを用い
る帯電防止方法、該帯電現象を防止して荷電粒子線照射
により被照射物品を観察または検査する方法、及び該帯
電防止材料からなる導電性被膜を有する物品に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、電子素子、電子部品、電子機器、
電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは
使用において、その物品あるいは被分析物品が帯電する
ことにより、問題を生じることが多い。
電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは
使用において、その物品あるいは被分析物品が帯電する
ことにより、問題を生じることが多い。
【０００４】例えば、電子線、イオン線等の荷電粒子線
を照射する工程においては、特に該荷電粒子線が照射さ
れる物品が絶縁性の場合、荷電粒子線照射により電荷が
蓄積して帯電が生じる。このため例えば、半導体、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ、ホトマスク等の物品の製造工程で荷電粒子
線を用いて微細パターンを形成する場合には、帯電した
蓄積電荷の電界によって入射する荷電粒子線の軌道が曲
げられ、このため形成すべきパターンの位置の精度が悪
化し、パターンの変形、位置ずれおよびアラインメント
精度の低下等が生じる問題がある。
を照射する工程においては、特に該荷電粒子線が照射さ
れる物品が絶縁性の場合、荷電粒子線照射により電荷が
蓄積して帯電が生じる。このため例えば、半導体、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ、ホトマスク等の物品の製造工程で荷電粒子
線を用いて微細パターンを形成する場合には、帯電した
蓄積電荷の電界によって入射する荷電粒子線の軌道が曲
げられ、このため形成すべきパターンの位置の精度が悪
化し、パターンの変形、位置ずれおよびアラインメント
精度の低下等が生じる問題がある。
【０００５】また荷電粒子線を用いた観察装置、例えば
電子線顕微鏡や電子線テスターにおいては被観察物品の
帯電によって、観察像の歪が発生したり、観察像が見え
なくなったり、テスターの精度が悪化するという問題が
発生する。ここでは、電子素子、電子部品、電子機器、
電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは
使用において、例えば、荷電粒子線を照射する工程にお
いて、帯電により種々の問題点を生じる現象を広く帯電
現象と言い、このような帯電による諸問題を防止する方
法を帯電防止方法とよぶ。
電子線顕微鏡や電子線テスターにおいては被観察物品の
帯電によって、観察像の歪が発生したり、観察像が見え
なくなったり、テスターの精度が悪化するという問題が
発生する。ここでは、電子素子、電子部品、電子機器、
電気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは
使用において、例えば、荷電粒子線を照射する工程にお
いて、帯電により種々の問題点を生じる現象を広く帯電
現象と言い、このような帯電による諸問題を防止する方
法を帯電防止方法とよぶ。
【０００６】従来、電子素子、電子部品、電子機器、電
気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは使
用における帯電防止方法は数多く知られている。例え
ば、荷電粒子線を照射する工程における帯電防止方法と
しては、荷電粒子線が照射される物品の上層または下層
に導電性被膜を設ける方法が提案されていて、導電性被
膜としては蒸着されたアルミニウム（特開昭６３−２２
６９２６号公報）、クロルメチル化ポリスチレン（特開
昭６３−１２９６２２号公報）、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム塩（特開昭６４−３７０１５号公報）、
イオン導電性の水溶性材料（特開平１−１３２１２２号
公報）等を用いて形成されたものが知られている。
気部品、電気機器、分析機器等の物品の製造あるいは使
用における帯電防止方法は数多く知られている。例え
ば、荷電粒子線を照射する工程における帯電防止方法と
しては、荷電粒子線が照射される物品の上層または下層
に導電性被膜を設ける方法が提案されていて、導電性被
膜としては蒸着されたアルミニウム（特開昭６３−２２
６９２６号公報）、クロルメチル化ポリスチレン（特開
昭６３−１２９６２２号公報）、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム塩（特開昭６４−３７０１５号公報）、
イオン導電性の水溶性材料（特開平１−１３２１２２号
公報）等を用いて形成されたものが知られている。
【０００７】しかしながらアルミニウムを蒸着する方法
は、蒸着工程の複雑さ、あるいは半導体素子等の物品の
製造に用いる場合には金属元素による汚染等の問題があ
った。またクロルメチル化ポリスチレンは、荷電粒子線
が照射された部分のみに導電性を生じるために、荷電粒
子線が照射される物品の少なくとも一部分にはアースの
ための導電層が必要であった。またポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム塩や特開平１−１３２１２２号公報に
開示の材料は、電荷のキャリアがイオンであるので、高
速の電子線描画に追随して帯電を解消するには限界があ
った（工業材料，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．５，ｐ．４９
（１９９２年））。
は、蒸着工程の複雑さ、あるいは半導体素子等の物品の
製造に用いる場合には金属元素による汚染等の問題があ
った。またクロルメチル化ポリスチレンは、荷電粒子線
が照射された部分のみに導電性を生じるために、荷電粒
子線が照射される物品の少なくとも一部分にはアースの
ための導電層が必要であった。またポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム塩や特開平１−１３２１２２号公報に
開示の材料は、電荷のキャリアがイオンであるので、高
速の電子線描画に追随して帯電を解消するには限界があ
った（工業材料，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．５，ｐ．４９
（１９９２年））。
【０００８】最近、側鎖にスルホン酸基を有し主鎖がπ
電子共役系二重結合を有する水溶性の電子伝導性高分子
であるポリチオフェン誘導体、ポリフラン誘導体、ポリ
ピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体および
ポリアニリン誘導体を用いて導電性被膜を形成する方法
（以上特開平４−３２８４８号公報）や同様に側鎖にス
ルホン酸基を有するポリアニリン誘導体のアンモニウム
塩を用いて導電性被膜を形成する方法（特開平４−３４
９６１４号公報）が発表された。これらの化合物は水溶
性であるので、導電性被膜を形成する際に水溶液を塗布
する方法が用いることができ塗布および除去が容易であ
る。また高分子の主鎖に沿って電子伝導性を有するので
薄膜でも十分な導電性を有し大きな帯電防止効果が得ら
れる。特開平４−３４９６１４号公報の化合物は、その
水溶液が強酸性ではなくレジストに悪影響を与えないこ
とを特徴としている。
電子共役系二重結合を有する水溶性の電子伝導性高分子
であるポリチオフェン誘導体、ポリフラン誘導体、ポリ
ピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体および
ポリアニリン誘導体を用いて導電性被膜を形成する方法
（以上特開平４−３２８４８号公報）や同様に側鎖にス
ルホン酸基を有するポリアニリン誘導体のアンモニウム
塩を用いて導電性被膜を形成する方法（特開平４−３４
９６１４号公報）が発表された。これらの化合物は水溶
性であるので、導電性被膜を形成する際に水溶液を塗布
する方法が用いることができ塗布および除去が容易であ
る。また高分子の主鎖に沿って電子伝導性を有するので
薄膜でも十分な導電性を有し大きな帯電防止効果が得ら
れる。特開平４−３４９６１４号公報の化合物は、その
水溶液が強酸性ではなくレジストに悪影響を与えないこ
とを特徴としている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記特開
平４−３２８４８号公報の化合物は、その水溶液を中和
して用いると導電性が低下するという問題がある（比較
例１参照）。また１００℃以上の熱処理により溶解性が
低下する場合（熱処理により不溶化する例としては特開
平３−２２１５２０号公報の実施例が挙げられる）があ
り、その使用にあたってはプロセス上に制限がある場合
もあった。また物品上に塗布して形成された導電性被膜
の導電性は、経時的に大きく変化するため、通常の使用
条件では被膜の導電性を長期間安定に保つことができ
ず、塗布条件、保管条件に制約がある（例えば、１９９
１年秋季第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集、
Ｎｏ．２、５９８頁、１２ｐ−ＺＥ−１０）。
平４−３２８４８号公報の化合物は、その水溶液を中和
して用いると導電性が低下するという問題がある（比較
例１参照）。また１００℃以上の熱処理により溶解性が
低下する場合（熱処理により不溶化する例としては特開
平３−２２１５２０号公報の実施例が挙げられる）があ
り、その使用にあたってはプロセス上に制限がある場合
もあった。また物品上に塗布して形成された導電性被膜
の導電性は、経時的に大きく変化するため、通常の使用
条件では被膜の導電性を長期間安定に保つことができ
ず、塗布条件、保管条件に制約がある（例えば、１９９
１年秋季第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集、
Ｎｏ．２、５９８頁、１２ｐ−ＺＥ−１０）。
【００１０】一方、特開平４−３４９６１４号公報のポ
リアニリン誘導体は、その製法上、不溶不融のポリアニ
リンを発煙硫酸によってスルホン化する反応を用いてい
る。従って、スルホン化率の制御等が困難で、それゆえ
再現性のある製造が困難であるという問題を抱えてい
る。また、塗布後の導電性被膜の除去性が悪く、水洗し
ても完全に剥離できないという問題がある（比較例２参
照）。また特開平４−３４９６１４号公報のポリアニリ
ン誘導体の原料となるポリアニリン製造には、ベンジジ
ンが副生成物として生成することが報告されており
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．，３３９
（１−２），４２３（１９９２）／ＣＡ１１８（４）；
２９１０４ｃ）、その存在はＧＰＣにより確認されてい
る（Ｐｏｌｙｍ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．，６１，９１１
（１９８９）／ＣＡ１１２（１４）；１１９７５２
ｔ）。さらにポリアニリン骨格の化合物は酸化還元電位
が高く、バンドギャップが大きいので、導電性被膜を大
気下で放置すると導電性が低下し、また溶液で長期保存
した場合には、十分な帯電防止効果のある導電被膜が形
成できなかった（比較例２参照）。
リアニリン誘導体は、その製法上、不溶不融のポリアニ
リンを発煙硫酸によってスルホン化する反応を用いてい
る。従って、スルホン化率の制御等が困難で、それゆえ
再現性のある製造が困難であるという問題を抱えてい
る。また、塗布後の導電性被膜の除去性が悪く、水洗し
ても完全に剥離できないという問題がある（比較例２参
照）。また特開平４−３４９６１４号公報のポリアニリ
ン誘導体の原料となるポリアニリン製造には、ベンジジ
ンが副生成物として生成することが報告されており
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．，３３９
（１−２），４２３（１９９２）／ＣＡ１１８（４）；
２９１０４ｃ）、その存在はＧＰＣにより確認されてい
る（Ｐｏｌｙｍ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．，６１，９１１
（１９８９）／ＣＡ１１２（１４）；１１９７５２
ｔ）。さらにポリアニリン骨格の化合物は酸化還元電位
が高く、バンドギャップが大きいので、導電性被膜を大
気下で放置すると導電性が低下し、また溶液で長期保存
した場合には、十分な帯電防止効果のある導電被膜が形
成できなかった（比較例２参照）。
【００１１】上述のように、従来の、電子素子、電子部
品、電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等の物品
の製造あるいは使用における帯電防止方法においては、
防止方法上の問題があり、上述の問題点を解決し、塗布
等による被膜形成あるいは使用時の制約がより少なく、
熱処理や長期間放置しても除去性や導電性あるいは帯電
防止効果を維持し、プロセス設計の自由度が大きい導電
性被膜を用いる帯電防止方法が必要とされていた。また
上記導電性被膜を形成するための保存安定性に優れた帯
電防止材料が望まれていた。
品、電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等の物品
の製造あるいは使用における帯電防止方法においては、
防止方法上の問題があり、上述の問題点を解決し、塗布
等による被膜形成あるいは使用時の制約がより少なく、
熱処理や長期間放置しても除去性や導電性あるいは帯電
防止効果を維持し、プロセス設計の自由度が大きい導電
性被膜を用いる帯電防止方法が必要とされていた。また
上記導電性被膜を形成するための保存安定性に優れた帯
電防止材料が望まれていた。
【００１２】本発明の第１、及び第２の目的は、物品の
製造あるいは使用において、その物品の帯電を防止する
ために用いられる優れた帯電防止材料、及びそれを用い
る帯電防止方法を提供することにある。例えば、物品の
製造あるいは使用が、荷電粒子線照射を含む工程であ
り、かかる工程におけるその物品の帯電を防止するため
に用いられる優れた帯電防止材料、及びそれを用いる帯
電防止方法を提供することにある。更に例えば、荷電粒
子線を照射する工程における帯電防止用の電子伝導性の
導電性被膜を形成するために用いられ、酸性〜アルカリ
性の間の任意のｐＨ状態で用いることができ、また保存
安定性に優れた帯電防止材料、及びそれを用いる帯電防
止方法を提供することにある。また、例えば、本発明の
目的は、荷電粒子線を照射する工程において、塗布等に
よる被膜形成及び除去が容易で、大きな帯電防止効果が
安定して得られる方法を提供することにある。
製造あるいは使用において、その物品の帯電を防止する
ために用いられる優れた帯電防止材料、及びそれを用い
る帯電防止方法を提供することにある。例えば、物品の
製造あるいは使用が、荷電粒子線照射を含む工程であ
り、かかる工程におけるその物品の帯電を防止するため
に用いられる優れた帯電防止材料、及びそれを用いる帯
電防止方法を提供することにある。更に例えば、荷電粒
子線を照射する工程における帯電防止用の電子伝導性の
導電性被膜を形成するために用いられ、酸性〜アルカリ
性の間の任意のｐＨ状態で用いることができ、また保存
安定性に優れた帯電防止材料、及びそれを用いる帯電防
止方法を提供することにある。また、例えば、本発明の
目的は、荷電粒子線を照射する工程において、塗布等に
よる被膜形成及び除去が容易で、大きな帯電防止効果が
安定して得られる方法を提供することにある。
【００１３】本発明の第３の目的は、物品の製造あるい
は使用において、物品が本発明の帯電防止材料からなる
導電性被膜を有することにより、その帯電が実質的に防
止されていることを特徴とする物品を提供することにあ
る。例えば、物品の製造あるいは使用が、荷電粒子線照
射を含む工程であり、かかる工程におけるその物品の帯
電が、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を有す
ることにより実質的に防止されていることを特徴とする
物品を提供することにある。更に例えば、荷電粒子線を
照射する工程における帯電防止効果を有し、熱処理や長
期保存をしても帯電防止効果が安定に持続し、熱処理や
長期保存等の操作を施した後も、その除去性および帯電
防止効果を維持する導電性被膜を有する物品を提供する
ことにある。本発明の第４の目的は、物品の観察時また
は検査時における帯電を実質的に防止するために、その
物品上に、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を
形成し、しかる後に荷電粒子線を照射して物品を観察ま
たは検査する方法を提供することにある。
は使用において、物品が本発明の帯電防止材料からなる
導電性被膜を有することにより、その帯電が実質的に防
止されていることを特徴とする物品を提供することにあ
る。例えば、物品の製造あるいは使用が、荷電粒子線照
射を含む工程であり、かかる工程におけるその物品の帯
電が、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を有す
ることにより実質的に防止されていることを特徴とする
物品を提供することにある。更に例えば、荷電粒子線を
照射する工程における帯電防止効果を有し、熱処理や長
期保存をしても帯電防止効果が安定に持続し、熱処理や
長期保存等の操作を施した後も、その除去性および帯電
防止効果を維持する導電性被膜を有する物品を提供する
ことにある。本発明の第４の目的は、物品の観察時また
は検査時における帯電を実質的に防止するために、その
物品上に、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を
形成し、しかる後に荷電粒子線を照射して物品を観察ま
たは検査する方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の本発明の第１の目
的である帯電防止材料は、物品の製造あるいは使用にお
いて、例えば、その製造あるいは使用が荷電粒子線照射
を含む工程である場合において、その物品の帯電を防止
するために用いられる一般式（Ｉａ）
的である帯電防止材料は、物品の製造あるいは使用にお
いて、例えば、その製造あるいは使用が荷電粒子線照射
を含む工程である場合において、その物品の帯電を防止
するために用いられる一般式（Ｉａ）
【化１７】 および一般式（ＩＩａ）
【化１８】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2
の場合にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ
基、１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル
基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ば
れる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わさ
れる第４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ
8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第
４級カチオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそ
れぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分
岐状の置換もしくは非置換アルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、ア
ゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のご
とき炭素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまた
はアリール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3
とＲ4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれ
る複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置
換基により置換されている原子を含む飽和または不飽和
の環状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成
してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ
7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の
アルコキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カ
ルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、
スルフィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に
含んでもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つ
を繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を
有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯電防止材料に
より達成される。
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2
の場合にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ
基、１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル
基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ば
れる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わさ
れる第４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ
8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第
４級カチオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそ
れぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分
岐状の置換もしくは非置換アルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、ア
ゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のご
とき炭素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまた
はアリール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3
とＲ4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれ
る複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置
換基により置換されている原子を含む飽和または不飽和
の環状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成
してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ
7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の
アルコキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カ
ルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、
スルフィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に
含んでもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つ
を繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を
有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯電防止材料に
より達成される。
【００１５】また、上記の本発明の第１の目的は、物品
の製造あるいは使用において、例えば、その製造あるい
は使用が荷電粒子線照射を含む工程である場合におい
て、その物品の帯電を防止するために用いられる一般式
（Ｉｂ）
の製造あるいは使用において、例えば、その製造あるい
は使用が荷電粒子線照射を含む工程である場合におい
て、その物品の帯電を防止するために用いられる一般式
（Ｉｂ）
【化１９】 および一般式（ＩＩｂ）
【化２０】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、
Ｒ4 のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテ
ル、アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構
造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主
鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合
物を含む帯電防止材料により達成される。
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、
Ｒ4 のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテ
ル、アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構
造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主
鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合
物を含む帯電防止材料により達成される。
【００１６】更にまた、上記第１の目的は、物品の製造
あるいは使用において、例えば、その製造あるいは使用
が荷電粒子線照射を含む工程である場合、あるいは荷電
粒子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検
出することを含む工程である場合において、その物品上
に導電性被膜を形成して帯電を実質的に防止するために
用いられる前記一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）
（以下本明細書において、一般式（Ｉａ）及び一般式
（ＩＩａ）中の各記号は前記該一般式中の記号と同じ意
味を表す。）で示される構造単位の少なくとも一つを繰
返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有す
る水溶性導電性高分子化合物及び水を含む帯電防止材料
により達成される。
あるいは使用において、例えば、その製造あるいは使用
が荷電粒子線照射を含む工程である場合、あるいは荷電
粒子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検
出することを含む工程である場合において、その物品上
に導電性被膜を形成して帯電を実質的に防止するために
用いられる前記一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）
（以下本明細書において、一般式（Ｉａ）及び一般式
（ＩＩａ）中の各記号は前記該一般式中の記号と同じ意
味を表す。）で示される構造単位の少なくとも一つを繰
返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有す
る水溶性導電性高分子化合物及び水を含む帯電防止材料
により達成される。
【００１７】また、上記第１の目的は、物品の製造ある
いは使用において、例えば、その製造あるいは使用が荷
電粒子線照射を含む工程である場合、あるいは荷電粒子
線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出す
ることを含む工程である場合において、その物品上に導
電性被膜を形成して帯電を実質的に防止するために用い
られる前記一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩｂ）（以
下本明細書において、一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩ
ｂ）中の各記号は前記該一般式中の記号と同じ意味を表
す。）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単
位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶
性導電性高分子化合物及び水を含む帯電防止材料により
達成される。
いは使用において、例えば、その製造あるいは使用が荷
電粒子線照射を含む工程である場合、あるいは荷電粒子
線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出す
ることを含む工程である場合において、その物品上に導
電性被膜を形成して帯電を実質的に防止するために用い
られる前記一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩｂ）（以
下本明細書において、一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩ
ｂ）中の各記号は前記該一般式中の記号と同じ意味を表
す。）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単
位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶
性導電性高分子化合物及び水を含む帯電防止材料により
達成される。
【００１８】更にまた、上記第１の目的は、前記水溶性
導電性高分子化合物の分子量が２０００以上である帯電
防止材料によっても達成される。また、前記第１の目的
達成のために、一般式（Ｉａ）及び一般式（ＩＩａ）で
示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として
含みかつ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性
高分子化合物を含む帯電防止材料、あるいは、一般式
（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少
なくとも一つを繰返し単位として含みかつ主鎖がπ共役
系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯
電防止材料、あるいはかかる水溶性導電性高分子化合物
及び水を含む帯電防止材料により、荷電粒子線を照射す
る工程における帯電防止用の導電性被膜を形成するため
に用いられ、酸性〜アルカリ性の間の任意のｐＨ状態で
用いることができ、また保存安定性に優れた帯電防止材
料が提供される。
導電性高分子化合物の分子量が２０００以上である帯電
防止材料によっても達成される。また、前記第１の目的
達成のために、一般式（Ｉａ）及び一般式（ＩＩａ）で
示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として
含みかつ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性
高分子化合物を含む帯電防止材料、あるいは、一般式
（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少
なくとも一つを繰返し単位として含みかつ主鎖がπ共役
系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯
電防止材料、あるいはかかる水溶性導電性高分子化合物
及び水を含む帯電防止材料により、荷電粒子線を照射す
る工程における帯電防止用の導電性被膜を形成するため
に用いられ、酸性〜アルカリ性の間の任意のｐＨ状態で
用いることができ、また保存安定性に優れた帯電防止材
料が提供される。
【００１９】上記の本発明の第２の目的である帯電防止
方法は、物品の製造あるいは使用における、例えば、そ
の製造あるいは使用が荷電粒子線照射を含む工程である
場合における、帯電を実質的に防止するために、その物
品上に、一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）で示さ
れる構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み
且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分
子化合物を含む導電性被膜を形成することを特徴とする
帯電防止方法により達成される。
方法は、物品の製造あるいは使用における、例えば、そ
の製造あるいは使用が荷電粒子線照射を含む工程である
場合における、帯電を実質的に防止するために、その物
品上に、一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）で示さ
れる構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み
且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分
子化合物を含む導電性被膜を形成することを特徴とする
帯電防止方法により達成される。
【００２０】上記の本発明の第２の目的は、物品の製造
あるいは使用における、例えば、その製造あるいは使用
が荷電粒子線照射を含む工程である場合における、帯電
を実質的に防止するために、その物品上に、一般式（Ｉ
ｂ）および一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少な
くとも一つを繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系
二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む導電
性被膜を形成することを特徴とする帯電防止方法により
達成される。
あるいは使用における、例えば、その製造あるいは使用
が荷電粒子線照射を含む工程である場合における、帯電
を実質的に防止するために、その物品上に、一般式（Ｉ
ｂ）および一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少な
くとも一つを繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系
二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む導電
性被膜を形成することを特徴とする帯電防止方法により
達成される。
【００２１】また、上記第２の目的は、一般式（Ｉａ）
及び一般式（ＩＩａ）で示される構造単位の少なくとも
一つを繰返し単位として含みかつ主鎖がπ共役系二重結
合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯電防止材
料、あるいは一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示
される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含
みかつ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高
分子化合物を含む帯電防止材料、あるいはかかる高分子
化合物及び水を含む帯電防止材料を用いて、荷電粒子線
を照射する工程における帯電防止用の、該高分子化合物
を含む導電性被膜を形成することを特徴とする帯電防止
方法により達成され、本方法によれば、該帯電防止材料
を酸性〜アルカリ性の間の任意のｐＨ状態で用いること
ができ、塗布等による被膜形成及び除去が容易で、大き
な帯電防止効果が安定して得られ、また保存安定性に優
れた帯電防止方法が提供される。
及び一般式（ＩＩａ）で示される構造単位の少なくとも
一つを繰返し単位として含みかつ主鎖がπ共役系二重結
合を有する水溶性導電性高分子化合物を含む帯電防止材
料、あるいは一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示
される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含
みかつ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高
分子化合物を含む帯電防止材料、あるいはかかる高分子
化合物及び水を含む帯電防止材料を用いて、荷電粒子線
を照射する工程における帯電防止用の、該高分子化合物
を含む導電性被膜を形成することを特徴とする帯電防止
方法により達成され、本方法によれば、該帯電防止材料
を酸性〜アルカリ性の間の任意のｐＨ状態で用いること
ができ、塗布等による被膜形成及び除去が容易で、大き
な帯電防止効果が安定して得られ、また保存安定性に優
れた帯電防止方法が提供される。
【００２２】更にまた、上記第２の目的は、前記導電性
高分子化合物の分子量が２０００以上である帯電防止方
法によっても達成される。
高分子化合物の分子量が２０００以上である帯電防止方
法によっても達成される。
【００２３】上記第３の目的である帯電が実質的に防止
されていることを特徴とする物品は、物品の製造あるい
は使用において、物品が本発明の前記帯電防止材料ある
いは分子量が２０００以上の前記水溶性導電性高分子を
含む帯電防止材料からなる導電性被膜を有することによ
り、その帯電が実質的に防止されていることを特徴とす
る本発明の物品により達成される。また、上記第３の目
的である物品は、物品の製造あるいは使用において、そ
の製造あるいは使用が荷電粒子線照射を含む工程であ
り、かかる工程におけるその物品の帯電が、本発明の前
記帯電防止材料あるいは分子量が２０００以上の前記水
溶性導電性高分子を含む帯電防止材料からなる導電性被
膜を有することにより、その帯電が実質的に防止されて
いることを特徴とする本発明の物品により達成される。
本発明によるかかる物品は、熱処理や長期保存をしても
帯電防止効果が維持され、熱処理や長期保存等の後で
も、導電性被膜の除去性が優れている。
されていることを特徴とする物品は、物品の製造あるい
は使用において、物品が本発明の前記帯電防止材料ある
いは分子量が２０００以上の前記水溶性導電性高分子を
含む帯電防止材料からなる導電性被膜を有することによ
り、その帯電が実質的に防止されていることを特徴とす
る本発明の物品により達成される。また、上記第３の目
的である物品は、物品の製造あるいは使用において、そ
の製造あるいは使用が荷電粒子線照射を含む工程であ
り、かかる工程におけるその物品の帯電が、本発明の前
記帯電防止材料あるいは分子量が２０００以上の前記水
溶性導電性高分子を含む帯電防止材料からなる導電性被
膜を有することにより、その帯電が実質的に防止されて
いることを特徴とする本発明の物品により達成される。
本発明によるかかる物品は、熱処理や長期保存をしても
帯電防止効果が維持され、熱処理や長期保存等の後で
も、導電性被膜の除去性が優れている。
【００２４】本発明の第４の目的である物品を観察また
は検査する方法は、物品の観察時または検査時における
帯電を実質的に防止するために、その物品上に、本発明
の前記帯電防止材料あるいは分子量が２０００以上の前
記水溶性導電性高分子を含む帯電防止材料からなる導電
性被膜を形成し、しかる後に荷電粒子線を照射して反射
荷電粒子線または２次放射線を検出することを特徴とす
る物品の観察または検査する方法により達成される。
は検査する方法は、物品の観察時または検査時における
帯電を実質的に防止するために、その物品上に、本発明
の前記帯電防止材料あるいは分子量が２０００以上の前
記水溶性導電性高分子を含む帯電防止材料からなる導電
性被膜を形成し、しかる後に荷電粒子線を照射して反射
荷電粒子線または２次放射線を検出することを特徴とす
る物品の観察または検査する方法により達成される。
【００２５】本発明において用いられる主鎖がπ共役系
二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物とは、一般
式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）で示される構造単位
の少なくとも一つを繰返し単位として含む水溶性導電性
高分子化合物、または一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位
として含む水溶性導電性高分子化合物である。該水溶性
導電性高分子化合物とは、一般式（Ｉａ）および一般式
（ＩＩａ）で示される構造単位のいずれか一つ、または
一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単
位のいずれか一つを繰返し単位とする単独重合体からな
る水溶性導電性高分子であっても、あるいは、該構造単
位の少なくとも一つを繰返し単位として重合体中の全繰
返し単位の５モル％（モル分率として０．０５）以上有
し、もう一方の該構造単位または該構造単位以外の構造
単位を繰返し単位として含む共重合体からなる水溶性導
電性高分子であっても、前記該構造単位の双方を繰返し
単位として含み且つ該構造単位以外の繰返し単位を含む
共重合体からなる水溶性導電性高分子化合物であっても
よい。前記の水溶性導電性高分子化合物に含まれる一般
式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉ
ｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少なく
とも一つからなる繰返し単位の重合体中のモル分率は、
０．０５以上であれば良いが、０．１０以上であること
が望ましく、０．２５以上であることが更に望ましい。
かかる導電性高分子化合物の中で、一般式（Ｉａ）およ
び一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉｂ）および一般
式（ＩＩｂ）で示される構造単位のいずれか一つのみを
含む単独または共重合体の場合には、その構造単位から
なる繰返し単位のモル分率が０．５０以上、あるいは該
構造単位の双方を含む共重合体の場合には、該構造単位
からなる双方の繰返し単位のモル分率の合計が０．５０
以上であるものが特に望ましい。
二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物とは、一般
式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）で示される構造単位
の少なくとも一つを繰返し単位として含む水溶性導電性
高分子化合物、または一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位
として含む水溶性導電性高分子化合物である。該水溶性
導電性高分子化合物とは、一般式（Ｉａ）および一般式
（ＩＩａ）で示される構造単位のいずれか一つ、または
一般式（Ｉｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単
位のいずれか一つを繰返し単位とする単独重合体からな
る水溶性導電性高分子であっても、あるいは、該構造単
位の少なくとも一つを繰返し単位として重合体中の全繰
返し単位の５モル％（モル分率として０．０５）以上有
し、もう一方の該構造単位または該構造単位以外の構造
単位を繰返し単位として含む共重合体からなる水溶性導
電性高分子であっても、前記該構造単位の双方を繰返し
単位として含み且つ該構造単位以外の繰返し単位を含む
共重合体からなる水溶性導電性高分子化合物であっても
よい。前記の水溶性導電性高分子化合物に含まれる一般
式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉ
ｂ）及び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少なく
とも一つからなる繰返し単位の重合体中のモル分率は、
０．０５以上であれば良いが、０．１０以上であること
が望ましく、０．２５以上であることが更に望ましい。
かかる導電性高分子化合物の中で、一般式（Ｉａ）およ
び一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉｂ）および一般
式（ＩＩｂ）で示される構造単位のいずれか一つのみを
含む単独または共重合体の場合には、その構造単位から
なる繰返し単位のモル分率が０．５０以上、あるいは該
構造単位の双方を含む共重合体の場合には、該構造単位
からなる双方の繰返し単位のモル分率の合計が０．５０
以上であるものが特に望ましい。
【００２６】一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）
の、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立にＨ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしく
は不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエステル
基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2 の場合
にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ基、脂肪
族あるいは芳香族等の１級、２級または３級アミノ基、
クロロメチル等のトリハロメチル基、フェニル基及び置
換フェニル基からなる群の一価基から選ばれる。
の、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立にＨ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしく
は不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエステル
基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2 の場合
にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ基、脂肪
族あるいは芳香族等の１級、２級または３級アミノ基、
クロロメチル等のトリハロメチル基、フェニル基及び置
換フェニル基からなる群の一価基から選ばれる。
【００２７】ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 とし
て特に有用な例としては、Ｈ（水素）、アルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルエステル基、フェニルおよび置換
フェニル基、ＳＯ3 -Ｍ（但しＲ1 またはＲ2 の場合には
ＭはＨ+ を表わす。）が挙げられる。これらの置換基を
更に詳しく例示すれば、アルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル、アリル、イソプロピル、ブチル、１−
ブテニル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、
ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデシ
ル、ヘキサデシル、エトキシエチル、メトキシエチル、
メトキシエトキシエチル、アセトニル、フェナシル等、
アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、メトキ
シエトキシ、メトキシエトキシエトキシ等、アルキルエ
ステル基としては、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル等のアルコキシカルボニル
基、アセトキシ、ブチロイルオキシ等のアシルオキシ
基、置換フェニル基としてはフロロフェニル基、クロロ
フェニル基、ブロモフェニル基、メチルフェニル基、メ
トキシフェニル基等が挙げられる。上記のＲ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 およびＲ4 のアルキル基、アルコキシ基またはアル
キルエステル基の鎖中にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ結合を任意に含有してもよい。
て特に有用な例としては、Ｈ（水素）、アルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルエステル基、フェニルおよび置換
フェニル基、ＳＯ3 -Ｍ（但しＲ1 またはＲ2 の場合には
ＭはＨ+ を表わす。）が挙げられる。これらの置換基を
更に詳しく例示すれば、アルキル基としてはメチル、エ
チル、プロピル、アリル、イソプロピル、ブチル、１−
ブテニル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、
ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデシ
ル、ヘキサデシル、エトキシエチル、メトキシエチル、
メトキシエトキシエチル、アセトニル、フェナシル等、
アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、メトキ
シエトキシ、メトキシエトキシエトキシ等、アルキルエ
ステル基としては、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル等のアルコキシカルボニル
基、アセトキシ、ブチロイルオキシ等のアシルオキシ
基、置換フェニル基としてはフロロフェニル基、クロロ
フェニル基、ブロモフェニル基、メチルフェニル基、メ
トキシフェニル基等が挙げられる。上記のＲ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 およびＲ4 のアルキル基、アルコキシ基またはアル
キルエステル基の鎖中にはカルボニル、エーテル、エス
テル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニ
ル、イミノ結合を任意に含有してもよい。
【００２８】一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩｂ）
の、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立にＨ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしく
は不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲン、ニト
ロ基、シアノ基、脂肪族あるいは芳香族等の１級、２級
または３級アミノ基、トリハロメチル基、フェニル基及
び置換フェニル基からなる群の一価基から選ばれる。
の、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立にＨ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしく
は不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲン、ニト
ロ基、シアノ基、脂肪族あるいは芳香族等の１級、２級
または３級アミノ基、トリハロメチル基、フェニル基及
び置換フェニル基からなる群の一価基から選ばれる。
【００２９】ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 とし
て特に有用な例としては、Ｈ（水素）、アルキル基、ア
ルコキシ基、フェニルおよび置換フェニル基が挙げられ
る。これらの置換基を更に詳しく例示すれば、アルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル、アリル、イソプ
ロピル、ブチル、１−ブテニル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ド
デシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エトキシエチ
ル、メトキシエチル、メトキシエトキシエチル、アセト
ニル、フェナシル等、アルコキシ基としてはメトキシ、
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ドデ
シルオキシ、メトキシエトキシ、メトキシエトキシエト
キシ等、置換フェニル基としてはフロロフェニル基、ク
ロロフェニル基、ブロモフェニル基、メチルフェニル
基、メトキシフェニル基等が挙げられる。上記のＲ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 のアルキル基またはアルコキシ基
の鎖中にはカルボニル、エーテル、アミド結合を任意に
含有してもよい。
て特に有用な例としては、Ｈ（水素）、アルキル基、ア
ルコキシ基、フェニルおよび置換フェニル基が挙げられ
る。これらの置換基を更に詳しく例示すれば、アルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル、アリル、イソプ
ロピル、ブチル、１−ブテニル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ド
デシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エトキシエチ
ル、メトキシエチル、メトキシエトキシエチル、アセト
ニル、フェナシル等、アルコキシ基としてはメトキシ、
エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ドデ
シルオキシ、メトキシエトキシ、メトキシエトキシエト
キシ等、置換フェニル基としてはフロロフェニル基、ク
ロロフェニル基、ブロモフェニル基、メチルフェニル
基、メトキシフェニル基等が挙げられる。上記のＲ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 のアルキル基またはアルコキシ基
の鎖中にはカルボニル、エーテル、アミド結合を任意に
含有してもよい。
【００３０】一般式（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）あ
るいは一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩｂ）の、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 の前記の置換基の中で、Ｈ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基
またはアルコキシ基が望ましく、また、Ｈまたは炭素数
１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基が特
に望ましい。
るいは一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩｂ）の、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 の前記の置換基の中で、Ｈ、
炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基
またはアルコキシ基が望ましく、また、Ｈまたは炭素数
１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基が特
に望ましい。
【００３１】Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3 とＲ4 は互いに任
意の位置で結合して、該置換基により置換されている原
子を含む飽和または不飽和の、例えば炭化水素の、環状
構造または複素環を形成する二価基を形成してもよく、
かかる二価基の例としてはブチレン、ペンチレン、ヘキ
シレン、ブタジエニレン、置換ブタジエニレン、メチレ
ンジオキシなどが挙げられる。
意の位置で結合して、該置換基により置換されている原
子を含む飽和または不飽和の、例えば炭化水素の、環状
構造または複素環を形成する二価基を形成してもよく、
かかる二価基の例としてはブチレン、ペンチレン、ヘキ
シレン、ブタジエニレン、置換ブタジエニレン、メチレ
ンジオキシなどが挙げられる。
【００３２】一般式（ＩＩａ）において、ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３
０の直鎖状もしくは分岐状の置換もしくは非置換アルキ
ル基、または置換もしくは非置換アリール基を表わし、
アルコキシ基、ヒドロキシル基、オキシアルキレン基、
チオアルキレン基、アゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフ
ェニレンオキシ基のごとき炭素、水素以外の元素を含む
基を含むアルキルまたはアリール基であってもよい。
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３
０の直鎖状もしくは分岐状の置換もしくは非置換アルキ
ル基、または置換もしくは非置換アリール基を表わし、
アルコキシ基、ヒドロキシル基、オキシアルキレン基、
チオアルキレン基、アゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフ
ェニレンオキシ基のごとき炭素、水素以外の元素を含む
基を含むアルキルまたはアリール基であってもよい。
【００３３】かかるＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第
４級アンモニウムのカチオンとしては、例えばＮＨ4 +、
ＮＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＮＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 （ＣＨ2 ＯＨ）（ＣＨ2 −Ｚ）+ 等の非置換またはア
ルキル置換もしくはアリール置換型カチオンが用いられ
る（但し、Ｚは化学式量が６００以下の任意の置換基を
表し、例えば、フェノキシ基、ｐ−ジフェニレンオキシ
基、ｐ−アルコキシジフェニレンオキシ基、ｐ−アルコ
キシフェニルアゾフェノキシ基等の置換基である。）。
またＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオンとしては例えばＰＨ
4 +、ＰＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＰＨ（Ｃ6 Ｈ5）3 +、Ａｓ
Ｈ4 +、ＡｓＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＡｓＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +等の
非置換またはアルキル置換もしくはアリール置換型カチ
オンが用いられる。特定カチオンに変換するために、通
常のイオン交換樹脂を用いてもよい。
４級アンモニウムのカチオンとしては、例えばＮＨ4 +、
ＮＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＮＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 （ＣＨ2 ＯＨ）（ＣＨ2 −Ｚ）+ 等の非置換またはア
ルキル置換もしくはアリール置換型カチオンが用いられ
る（但し、Ｚは化学式量が６００以下の任意の置換基を
表し、例えば、フェノキシ基、ｐ−ジフェニレンオキシ
基、ｐ−アルコキシジフェニレンオキシ基、ｐ−アルコ
キシフェニルアゾフェノキシ基等の置換基である。）。
またＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオンとしては例えばＰＨ
4 +、ＰＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＰＨ（Ｃ6 Ｈ5）3 +、Ａｓ
Ｈ4 +、ＡｓＨ（ＣＨ3 ）3 +、ＡｓＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +等の
非置換またはアルキル置換もしくはアリール置換型カチ
オンが用いられる。特定カチオンに変換するために、通
常のイオン交換樹脂を用いてもよい。
【００３４】また、かかるＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 か
ら選ばれる複数の置換基は、互いに任意の位置で結合し
て、該置換基により置換されている原子を含む飽和また
は不飽和の複素環を形成する二価基を少なくとも１つ以
上形成してもよい。Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル
基の鎖中には、カルボニル、エーテル、エステル、アミ
ド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノな
どの結合を任意に含んでもよい。
ら選ばれる複数の置換基は、互いに任意の位置で結合し
て、該置換基により置換されている原子を含む飽和また
は不飽和の複素環を形成する二価基を少なくとも１つ以
上形成してもよい。Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル
基の鎖中には、カルボニル、エーテル、エステル、アミ
ド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノな
どの結合を任意に含んでもよい。
【００３５】一般式（ＩＩｂ）において、ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。
【００３６】ＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級ア
ンモニウムのカチオンとしては、例えばＮＨ4 +、ＮＨ
（ＣＨ3 ）3 +、ＮＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）2
（ＣＨ2ＯＨ）（ＣＨ2 −Ｚ）+ （但し、Ｚは任意の置
換基）等の非置換またはアルキル置換もしくはアリール
置換型カチオンが用いられる。またＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7
Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の
第４級カチオンとしては例えばＰＨ4 +、ＰＨ（ＣＨ3 ）
3 +、ＰＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、ＡｓＨ4 +、ＡｓＨ（ＣＨ3 ）
3 +、ＡｓＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +等の非置換またはアルキル置
換もしくはアリール置換型カチオンが用いられる。特定
カチオンに変換するために、通常のイオン交換樹脂を用
いてもよい。
ンモニウムのカチオンとしては、例えばＮＨ4 +、ＮＨ
（ＣＨ3 ）3 +、ＮＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）2
（ＣＨ2ＯＨ）（ＣＨ2 −Ｚ）+ （但し、Ｚは任意の置
換基）等の非置換またはアルキル置換もしくはアリール
置換型カチオンが用いられる。またＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7
Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の
第４級カチオンとしては例えばＰＨ4 +、ＰＨ（ＣＨ3 ）
3 +、ＰＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +、ＡｓＨ4 +、ＡｓＨ（ＣＨ3 ）
3 +、ＡｓＨ（Ｃ6 Ｈ5 ）3 +等の非置換またはアルキル置
換もしくはアリール置換型カチオンが用いられる。特定
カチオンに変換するために、通常のイオン交換樹脂を用
いてもよい。
【００３７】また、かかるＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 か
ら選ばれる複数の置換基は、互いに任意の位置で結合し
て、該置換基により置換されている原子を含む飽和また
は不飽和の複素環を形成する二価基を形成してもよい。
Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基の鎖中には、カル
ボニル、エーテル、アミド結合を任意に含んでもよい。
前記二価基の例としてはブチレン、ペンチレン、ヘキシ
レン、ブタジエニレン、置換ブタジエニレン、メチレン
ジオキシなどが挙げられる。
ら選ばれる複数の置換基は、互いに任意の位置で結合し
て、該置換基により置換されている原子を含む飽和また
は不飽和の複素環を形成する二価基を形成してもよい。
Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基の鎖中には、カル
ボニル、エーテル、アミド結合を任意に含んでもよい。
前記二価基の例としてはブチレン、ペンチレン、ヘキシ
レン、ブタジエニレン、置換ブタジエニレン、メチレン
ジオキシなどが挙げられる。
【００３８】一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）において、望ましいＭの例としては、ＮＲ5 Ｒ6 Ｒ
7 Ｒ8 +で表される第４級アンモニウムのカチオン、Ｎａ
+ 、Ｌｉ+ またはＫ+ 等のアルカリ金属イオンが挙げら
れ、ＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +が特に望ましい。
ｂ）において、望ましいＭの例としては、ＮＲ5 Ｒ6 Ｒ
7 Ｒ8 +で表される第４級アンモニウムのカチオン、Ｎａ
+ 、Ｌｉ+ またはＫ+ 等のアルカリ金属イオンが挙げら
れ、ＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +が特に望ましい。
【００３９】また、一般式（ＩＩａ）において、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 としては、それぞれ独立にＨまた
は炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基が望ましく、また、一般式（ＩＩｂ）において、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 としては、それぞれ独立にＨ
または炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の置換も
しくは非置換アルキル基が望ましい。
Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 としては、それぞれ独立にＨまた
は炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基が望ましく、また、一般式（ＩＩｂ）において、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 としては、それぞれ独立にＨ
または炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の置換も
しくは非置換アルキル基が望ましい。
【００４０】本発明に用いられる水溶性導電性高分子化
合物が共重合体の場合には、一般式（Ｉａ）および一般
式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉｂ）及び（ＩＩｂ）で
示される構造単位以外の繰返し単位として、ビニレン、
チエニレン、ピロリレン、フェニレン、イミノフェニレ
ン、イソチアナフテニレン、フリレン、カルバゾリレン
およびこれらの置換誘導体構造があげられる。このなか
で本発明において特に好適なものはイソチアナフテニレ
ンおよびこの置換誘導体構造である。
合物が共重合体の場合には、一般式（Ｉａ）および一般
式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉｂ）及び（ＩＩｂ）で
示される構造単位以外の繰返し単位として、ビニレン、
チエニレン、ピロリレン、フェニレン、イミノフェニレ
ン、イソチアナフテニレン、フリレン、カルバゾリレン
およびこれらの置換誘導体構造があげられる。このなか
で本発明において特に好適なものはイソチアナフテニレ
ンおよびこの置換誘導体構造である。
【００４１】かかる共重合体においては、一般式（Ｉ
ａ）および一般式（ＩＩａ）で示される構造単位以外の
繰返し単位、または一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位以外の繰返し単位は、共重合体
組成中のモル分率として０．９５未満、即ち重合体中の
全繰返し単位の９５モル％未満であれば良く、それ以上
の場合には重合体の共重合組成にもよるが、多くの場合
水溶性を示さなくなるなどの理由から本発明に係る水溶
性の導電性化合物として好ましくない。水溶性等の点
で、望ましい共重合体はかかるモル分率が０．９０未満
のものであり、０．７５未満のものが更に望ましく、
０．５０未満のものが特に望ましい。
ａ）および一般式（ＩＩａ）で示される構造単位以外の
繰返し単位、または一般式（Ｉｂ）および一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位以外の繰返し単位は、共重合体
組成中のモル分率として０．９５未満、即ち重合体中の
全繰返し単位の９５モル％未満であれば良く、それ以上
の場合には重合体の共重合組成にもよるが、多くの場合
水溶性を示さなくなるなどの理由から本発明に係る水溶
性の導電性化合物として好ましくない。水溶性等の点
で、望ましい共重合体はかかるモル分率が０．９０未満
のものであり、０．７５未満のものが更に望ましく、
０．５０未満のものが特に望ましい。
【００４２】本発明において、用いられる水溶性導電性
高分子化合物の分子量は、本発明の目的にかなう帯電防
止効果を与えるものであれば良く、特に限定されない
が、２０００以上であることが望ましく、また、例え
ば、帯電防止のために使用し、その後除去する工程を含
むような方法で使用される場合には、良好な除去性を有
する分子量であれば良く、例えば１百万程度以下であれ
ば良い。分子量が２０００未満の低分子の化合物であっ
ては、導電性被膜を好適に形成させることができないこ
とがあり、あるいは高分子自体の導電性も小さく好まし
くないことがある。また、分子量が１百万を越える高分
子化合物であっては、その溶解性あるいは除去性の面で
問題となることがある。
高分子化合物の分子量は、本発明の目的にかなう帯電防
止効果を与えるものであれば良く、特に限定されない
が、２０００以上であることが望ましく、また、例え
ば、帯電防止のために使用し、その後除去する工程を含
むような方法で使用される場合には、良好な除去性を有
する分子量であれば良く、例えば１百万程度以下であれ
ば良い。分子量が２０００未満の低分子の化合物であっ
ては、導電性被膜を好適に形成させることができないこ
とがあり、あるいは高分子自体の導電性も小さく好まし
くないことがある。また、分子量が１百万を越える高分
子化合物であっては、その溶解性あるいは除去性の面で
問題となることがある。
【００４３】上述の一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉ
Ｉａ）、または一般式（Ｉｂ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位
として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性
導電性高分子化合物をそのまま、本発明の帯電防止材料
として提供することができる。
Ｉａ）、または一般式（Ｉｂ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）で示される構造単位の少なくとも一つを繰返し単位
として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性
導電性高分子化合物をそのまま、本発明の帯電防止材料
として提供することができる。
【００４４】また、本発明の帯電防止材料は、上述の一
般式（Ｉａ）あるいは一般式（ＩＩａ）、または一般式
（Ｉｂ）あるいは一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位
の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主鎖がπ
共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を必
須成分として含み、その他の成分、例えば、水、および
／または少なくとも一種の界面活性剤を含むものからな
る。界面活性剤としては、例えば、アニオン界面活性
剤、カチオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、シリコ
ーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が使用でき
る。これらの界面活性剤のイオン系界面活性剤の例とし
ては、ラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリス
チル硫酸、ステアリル硫酸等のアルキル硫酸、あるいは
ラウリルスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ケリルベ
ンゼンスルホン酸、ステアリルスルホン酸等のアルキル
またはアリールスルホン酸等、あるいはそれらの塩類、
Ｎ−エチルアルカンアミドアンモニウム塩、アルキルト
リメチルアンモニウム塩が挙げられる。また、非イオン
界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、脂肪酸多価
アルコールエステル、脂肪酸ショ糖エステル等が挙げら
れる。シリコーン系界面活性剤の例としては、ω−トリ
エチルシリル脂肪族カルボン酸またはその塩等のアニオ
ン系シリコーン系界面活性剤、あるいはカチオン系もし
くは非イオン系シリコーン系界面活性剤が挙げられる。
また、フッ素系界面活性剤の例としては、前記の一般の
炭化水素系界面活性剤分子中のアルキル基の水素原子が
フッ素に置換されたものであり、例えば、パーフルオロ
アルキル置換型界面活性剤、その具体例としては、例え
ば、３−（パーフルオロオクチルスルホアミノ）プロピ
ルトリメチルアンモニウムのヨウ素塩やパーフルオロカ
プリル酸およびその塩が挙げられる。かかる界面活性剤
を用いる場合には、必須成分である該高分子化合物に対
して重量比で０．００１〜２０倍量、望ましくは０．０
０５〜５倍量、更に望ましくは０．０１〜１倍量用い
る。界面活性剤の量が０．００１倍量未満であると、帯
電防止材料と導電性被膜が形成される物品の種類によっ
ては、帯電防止材料による該物品上への被膜形成が均質
に行われないことがある。また、イオン性の界面活性剤
の場合等では２０倍より多いと、かかる界面活性剤と該
高分子化合物を含む帯電防止材料を用いて形成された被
膜の場合には、応答のおそいイオン伝導性が支配的にな
るので好ましくない。
般式（Ｉａ）あるいは一般式（ＩＩａ）、または一般式
（Ｉｂ）あるいは一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位
の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主鎖がπ
共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物を必
須成分として含み、その他の成分、例えば、水、および
／または少なくとも一種の界面活性剤を含むものからな
る。界面活性剤としては、例えば、アニオン界面活性
剤、カチオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、シリコ
ーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が使用でき
る。これらの界面活性剤のイオン系界面活性剤の例とし
ては、ラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリス
チル硫酸、ステアリル硫酸等のアルキル硫酸、あるいは
ラウリルスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ケリルベ
ンゼンスルホン酸、ステアリルスルホン酸等のアルキル
またはアリールスルホン酸等、あるいはそれらの塩類、
Ｎ−エチルアルカンアミドアンモニウム塩、アルキルト
リメチルアンモニウム塩が挙げられる。また、非イオン
界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、脂肪酸多価
アルコールエステル、脂肪酸ショ糖エステル等が挙げら
れる。シリコーン系界面活性剤の例としては、ω−トリ
エチルシリル脂肪族カルボン酸またはその塩等のアニオ
ン系シリコーン系界面活性剤、あるいはカチオン系もし
くは非イオン系シリコーン系界面活性剤が挙げられる。
また、フッ素系界面活性剤の例としては、前記の一般の
炭化水素系界面活性剤分子中のアルキル基の水素原子が
フッ素に置換されたものであり、例えば、パーフルオロ
アルキル置換型界面活性剤、その具体例としては、例え
ば、３−（パーフルオロオクチルスルホアミノ）プロピ
ルトリメチルアンモニウムのヨウ素塩やパーフルオロカ
プリル酸およびその塩が挙げられる。かかる界面活性剤
を用いる場合には、必須成分である該高分子化合物に対
して重量比で０．００１〜２０倍量、望ましくは０．０
０５〜５倍量、更に望ましくは０．０１〜１倍量用い
る。界面活性剤の量が０．００１倍量未満であると、帯
電防止材料と導電性被膜が形成される物品の種類によっ
ては、帯電防止材料による該物品上への被膜形成が均質
に行われないことがある。また、イオン性の界面活性剤
の場合等では２０倍より多いと、かかる界面活性剤と該
高分子化合物を含む帯電防止材料を用いて形成された被
膜の場合には、応答のおそいイオン伝導性が支配的にな
るので好ましくない。
【００４５】また、上述のように本発明の帯電防止材料
は水を含むことができる。本発明の帯電防止材料におい
て、固体成分より水の方が重量比で多い場合としては、
該帯電防止材料が必須成分である前記水溶性導電性高分
子化合物等の固体成分を含む水溶液からなる場合が挙げ
られ、その場合、固体成分の濃度は０．００１重量％以
上５０重量％未満の範囲が、好適であり、望ましくは
０．０１〜２０重量％、更に望ましくは０．１〜５重量
％である。５０重量％より濃度が高くなると、均一な溶
液が得られないことがある。本発明の帯電防止材料にお
いて、固体成分より水の方が重量比で少ない場合として
は、該帯電防止材料が、固体または湿潤状態で製造ある
いは使用される場合または物品上に形成された固体また
は湿潤状態の被膜である場合が挙げられ、その場合、水
分の量は重量比で固体成分１００に対して１００以下の
範囲が好適であり、望ましくは５０以下、更に望ましく
は２５以下である。かかる重量比が１００より大きくな
ると、固体または湿潤状態としての取り扱い上不都合を
きたす。
は水を含むことができる。本発明の帯電防止材料におい
て、固体成分より水の方が重量比で多い場合としては、
該帯電防止材料が必須成分である前記水溶性導電性高分
子化合物等の固体成分を含む水溶液からなる場合が挙げ
られ、その場合、固体成分の濃度は０．００１重量％以
上５０重量％未満の範囲が、好適であり、望ましくは
０．０１〜２０重量％、更に望ましくは０．１〜５重量
％である。５０重量％より濃度が高くなると、均一な溶
液が得られないことがある。本発明の帯電防止材料にお
いて、固体成分より水の方が重量比で少ない場合として
は、該帯電防止材料が、固体または湿潤状態で製造ある
いは使用される場合または物品上に形成された固体また
は湿潤状態の被膜である場合が挙げられ、その場合、水
分の量は重量比で固体成分１００に対して１００以下の
範囲が好適であり、望ましくは５０以下、更に望ましく
は２５以下である。かかる重量比が１００より大きくな
ると、固体または湿潤状態としての取り扱い上不都合を
きたす。
【００４６】次に本発明の帯電防止方法について詳しく
説明する。本発明の帯電防止方法は、電子素子、電子部
品、電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等あるい
はこれらの部品のごとき物品の製造あるいは使用におい
てその物品あるいは被分析物品に生じると問題となる帯
電を防止する方法であり、例えば、荷電粒子線が照射さ
れる物品を形成する前または／および形成した後に、本
発明の上記の帯電防止材料を用いて、前記水溶性導電性
高分子化合物を含む導電性被膜を形成することにより行
う。
説明する。本発明の帯電防止方法は、電子素子、電子部
品、電子機器、電気部品、電気機器、分析機器等あるい
はこれらの部品のごとき物品の製造あるいは使用におい
てその物品あるいは被分析物品に生じると問題となる帯
電を防止する方法であり、例えば、荷電粒子線が照射さ
れる物品を形成する前または／および形成した後に、本
発明の上記の帯電防止材料を用いて、前記水溶性導電性
高分子化合物を含む導電性被膜を形成することにより行
う。
【００４７】また、物品の観察時または検査時における
帯電を実質的に防止するために、その物品上に、本発明
の上記の帯電防止材料を用いて、前記水溶性導電性高分
子化合物を含む導電性被膜を形成し、しかる後に荷電粒
子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出
することを特徴とする物品の観察または検査方法を行う
ことができる。
帯電を実質的に防止するために、その物品上に、本発明
の上記の帯電防止材料を用いて、前記水溶性導電性高分
子化合物を含む導電性被膜を形成し、しかる後に荷電粒
子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出
することを特徴とする物品の観察または検査方法を行う
ことができる。
【００４８】上記例のように、物品の製造あるいは使用
が、荷電粒子線照射を含む工程である場合、場合によっ
てはその後必要に応じてかかる導電性被膜を乾燥、熱処
理等の処理を施した後、荷電粒子線を照射し、また、そ
の後、必要があれば、熱処理等の処理を施し、また更
に、必要に応じて水洗により被膜を除去する。
が、荷電粒子線照射を含む工程である場合、場合によっ
てはその後必要に応じてかかる導電性被膜を乾燥、熱処
理等の処理を施した後、荷電粒子線を照射し、また、そ
の後、必要があれば、熱処理等の処理を施し、また更
に、必要に応じて水洗により被膜を除去する。
【００４９】本発明において用いられる前記水溶性導電
性高分子化合物を含む帯電防止材料水溶液は、一般式
（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉ
ｂ）および一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の含有
比を変化させることにより、酸性〜アルカリ性の間の任
意のｐＨの値をとることが可能である。一般式（Ｉ
ａ）、または一般式（Ｉｂ）で示される構造単位の含有
比が大きくなれば酸性が強くなり、一般式（ＩＩａ）、
または一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の含有比が
大きくなればアルカリ性が強くなる。また該水溶液は、
さらに酸やアルカリを添加してｐＨの値を変化させるこ
とも可能である。
性高分子化合物を含む帯電防止材料水溶液は、一般式
（Ｉａ）および一般式（ＩＩａ）、または一般式（Ｉ
ｂ）および一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の含有
比を変化させることにより、酸性〜アルカリ性の間の任
意のｐＨの値をとることが可能である。一般式（Ｉ
ａ）、または一般式（Ｉｂ）で示される構造単位の含有
比が大きくなれば酸性が強くなり、一般式（ＩＩａ）、
または一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の含有比が
大きくなればアルカリ性が強くなる。また該水溶液は、
さらに酸やアルカリを添加してｐＨの値を変化させるこ
とも可能である。
【００５０】さらに該水溶性導電性高分子化合物を含む
水溶液からなる本発明の帯電防止材料は長期保存して
も、ゲル化、会合などの変化が生じず、長期保存後の溶
液を用いて形成した導電性被膜も長期保存をしない本発
明の帯電防止材料を用いた場合と同様の導電性あるいは
帯電防止効果を有する。
水溶液からなる本発明の帯電防止材料は長期保存して
も、ゲル化、会合などの変化が生じず、長期保存後の溶
液を用いて形成した導電性被膜も長期保存をしない本発
明の帯電防止材料を用いた場合と同様の導電性あるいは
帯電防止効果を有する。
【００５１】本発明の帯電防止方法において、物品の帯
電防止のために、物品上に上記水溶性導電性高分子化合
物を含む導電性被膜を形成するには、本発明の帯電防止
剤水溶液をその物品に塗布する、あるいはその物品を該
水溶液にディッピング（浸漬）する、あるいは本発明の
帯電防止材料（固体系または水溶液系）をそのまま、あ
るいは溶解、粉砕等適宜事前処理を施してからその物品
に吹きつける等、目的や物品に応じていかなる方法を経
て形成しても良いが、例えば、物品上に塗布することに
より容易に形成可能である。この際、例えば塗布性等の
被膜形成性を改善するために、前記のように、少なくと
も一種の界面活性剤を含む本発明の帯電防止材料水溶液
を用いてもよいし、界面活性剤を含まない本発明の帯電
防止剤を、少なくとも一種の前記の界面活性剤とともに
水溶液として用いることができる。
電防止のために、物品上に上記水溶性導電性高分子化合
物を含む導電性被膜を形成するには、本発明の帯電防止
剤水溶液をその物品に塗布する、あるいはその物品を該
水溶液にディッピング（浸漬）する、あるいは本発明の
帯電防止材料（固体系または水溶液系）をそのまま、あ
るいは溶解、粉砕等適宜事前処理を施してからその物品
に吹きつける等、目的や物品に応じていかなる方法を経
て形成しても良いが、例えば、物品上に塗布することに
より容易に形成可能である。この際、例えば塗布性等の
被膜形成性を改善するために、前記のように、少なくと
も一種の界面活性剤を含む本発明の帯電防止材料水溶液
を用いてもよいし、界面活性剤を含まない本発明の帯電
防止剤を、少なくとも一種の前記の界面活性剤とともに
水溶液として用いることができる。
【００５２】形成された導電性被膜は、一般式（Ｉａ）
および一般式（ＩＩａ）、あるいは一般式（Ｉｂ）およ
び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少なくとも一
つを繰返し単位として含んでおり、側鎖のスルホン酸基
が導電性高分子化合物の主鎖のπ電子共役系にキャリア
を与えるドーパントとして働くため、外来の添加物なし
に導電性を発現させることができる。この機構を自己ド
ープ機構という。また該導電性被膜は、かかる一般式で
示されるように導電性高分子の主鎖がイソチアナフテニ
レン骨格からなる構造単位を繰返し単位として含んでい
るので、そのπ電子共役系の酸化電位が低く、またバン
ドギャップも狭いために、導電状態が極めて安定であ
る。さらに熱処理や長期保存をしても水による除去性は
良好であった。
および一般式（ＩＩａ）、あるいは一般式（Ｉｂ）およ
び一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位の少なくとも一
つを繰返し単位として含んでおり、側鎖のスルホン酸基
が導電性高分子化合物の主鎖のπ電子共役系にキャリア
を与えるドーパントとして働くため、外来の添加物なし
に導電性を発現させることができる。この機構を自己ド
ープ機構という。また該導電性被膜は、かかる一般式で
示されるように導電性高分子の主鎖がイソチアナフテニ
レン骨格からなる構造単位を繰返し単位として含んでい
るので、そのπ電子共役系の酸化電位が低く、またバン
ドギャップも狭いために、導電状態が極めて安定であ
る。さらに熱処理や長期保存をしても水による除去性は
良好であった。
【００５３】さらにこの導電性被膜が一般式（ＩＩａ）
または一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位を含み、ま
たＭがＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニ
ウムのカチオンであるような場合には、熱処理によりア
ンモニウム塩からアンモニア等のアミンを脱離させて一
般式（ＩＩａ）または一般式（ＩＩｂ）で示される構造
単位の含有比を変化させて、導電性をさらに向上させる
ことも可能であり、本発明の好ましい形態の一つであ
る。
または一般式（ＩＩｂ）で示される構造単位を含み、ま
たＭがＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニ
ウムのカチオンであるような場合には、熱処理によりア
ンモニウム塩からアンモニア等のアミンを脱離させて一
般式（ＩＩａ）または一般式（ＩＩｂ）で示される構造
単位の含有比を変化させて、導電性をさらに向上させる
ことも可能であり、本発明の好ましい形態の一つであ
る。
【００５４】また、本発明の帯電防止材料からなる導電
性被膜を形成した後で、外来のドーパントによるドーピ
ング操作を行うことによって更に導電性を向上させるこ
とも可能である。この場合のドーピング操作は、化学的
ドーピングおよび／または電気化学的ドーピングの方法
で行なうことができる。前述の様に、該水溶性導電性高
分子化合物は主鎖がイソチアナフテニレン骨格からなる
構造単位を繰返し単位として含んでいるので、そのπ電
子共役系の酸化電位が低く、またバンドギャップも狭
い。従ってかかるドーピング操作は極めて容易に行なわ
れ、その高い導電性を安定に維持するので本発明の好ま
しい形態の一つを提供する。例として、該導電性被膜を
大気中に放置すると、空気中の酸素でドーピングされ、
高い導電状態がさらに安定化される。これはイソチアナ
フテニレン骨格において特徴的に観察される、好ましい
物性である。
性被膜を形成した後で、外来のドーパントによるドーピ
ング操作を行うことによって更に導電性を向上させるこ
とも可能である。この場合のドーピング操作は、化学的
ドーピングおよび／または電気化学的ドーピングの方法
で行なうことができる。前述の様に、該水溶性導電性高
分子化合物は主鎖がイソチアナフテニレン骨格からなる
構造単位を繰返し単位として含んでいるので、そのπ電
子共役系の酸化電位が低く、またバンドギャップも狭
い。従ってかかるドーピング操作は極めて容易に行なわ
れ、その高い導電性を安定に維持するので本発明の好ま
しい形態の一つを提供する。例として、該導電性被膜を
大気中に放置すると、空気中の酸素でドーピングされ、
高い導電状態がさらに安定化される。これはイソチアナ
フテニレン骨格において特徴的に観察される、好ましい
物性である。
【００５５】本発明の目的に用いられる本発明の帯電防
止材料から形成される導電性被膜の導電性は、物品の製
造あるいは使用や帯電防止を施す物品によるので、特定
できないが、一般的にいえば、該導電性被膜の表面抵抗
が１×１０13Ω／□未満であればよく、１×１０10Ω／
□未満が望ましい。物品の製造あるいは使用が、例え
ば、荷電粒子線照射を含む工程である場合には、該導電
性被膜の導電性は、２×１０8 Ω／□未満であればよ
く、１×１０8 Ω／□未満であることが望ましく、５×
１０7 Ω／□未満であることが特に望ましい。
止材料から形成される導電性被膜の導電性は、物品の製
造あるいは使用や帯電防止を施す物品によるので、特定
できないが、一般的にいえば、該導電性被膜の表面抵抗
が１×１０13Ω／□未満であればよく、１×１０10Ω／
□未満が望ましい。物品の製造あるいは使用が、例え
ば、荷電粒子線照射を含む工程である場合には、該導電
性被膜の導電性は、２×１０8 Ω／□未満であればよ
く、１×１０8 Ω／□未満であることが望ましく、５×
１０7 Ω／□未満であることが特に望ましい。
【００５６】
【作用】前記水溶性導電性高分子化合物を必須成分とし
てなる本発明の帯電防止材料あるいはその水溶液は、そ
れを用いて導電性被膜を形成する物品の性質にあわせて
適宜最適なｐＨに調製すること、あるいは調製して使用
することが可能であり、それにより、使用目的に合う帯
電防止材料およびそれを用いる帯電防止方法とすること
ができる。例えば、シリコン、ガリウム／ヒ素等の半導
体基板、あるいはガラス基板、あるいはその上に更にク
ロム等の金属を蒸着した基板上に、例えば、溶解抑制
剤、酸発生剤および部分ｔ−ブトキシカルボニル化ポリ
ビニルフェノールの３成分から成るポジ型化学増幅系電
子線レジスト層を配置した物品上に本発明の帯電防止材
料水溶液を塗布等の方法により被膜を形成する場合に
は、ｐＨの低い酸性の水溶液を用いると、レジスト表面
での難溶化層の生成を防ぐ、あるいは生成した表面難溶
化層を除去する効果が得られる。これは、１９９３年春
季第４０回応用物理関係連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．
２、ｐ．５５４、３０ｐ−Ｋ−４に記載の事項を参考に
上記レジスト層を有する基板を用いて同様の検討を行な
ったところ、かかる効果が得られたものである。
てなる本発明の帯電防止材料あるいはその水溶液は、そ
れを用いて導電性被膜を形成する物品の性質にあわせて
適宜最適なｐＨに調製すること、あるいは調製して使用
することが可能であり、それにより、使用目的に合う帯
電防止材料およびそれを用いる帯電防止方法とすること
ができる。例えば、シリコン、ガリウム／ヒ素等の半導
体基板、あるいはガラス基板、あるいはその上に更にク
ロム等の金属を蒸着した基板上に、例えば、溶解抑制
剤、酸発生剤および部分ｔ−ブトキシカルボニル化ポリ
ビニルフェノールの３成分から成るポジ型化学増幅系電
子線レジスト層を配置した物品上に本発明の帯電防止材
料水溶液を塗布等の方法により被膜を形成する場合に
は、ｐＨの低い酸性の水溶液を用いると、レジスト表面
での難溶化層の生成を防ぐ、あるいは生成した表面難溶
化層を除去する効果が得られる。これは、１９９３年春
季第４０回応用物理関係連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．
２、ｐ．５５４、３０ｐ−Ｋ−４に記載の事項を参考に
上記レジスト層を有する基板を用いて同様の検討を行な
ったところ、かかる効果が得られたものである。
【００５７】一方、ノボラック、感光剤およびブロモメ
チル基を有する酸発生剤から成るネガ型の化学増幅系電
子線レジスト（シプレイ社商品名ＳＡＬ６０１）層を有
する物品上に塗布等の方法により被膜を形成する場合に
は、ｐＨの高い中性〜アルカリ性の帯電防止材料水溶液
を用いることにより、レジストのプロセス変更の検討を
要することなく、レジスト表面の全面硬化を防ぐことが
できる。これは、１９９２年秋季第５３回応用物理学会
学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．２、ｐ．５１２、１８ｐ
−ＺＣ−４に記載の実験結果を参考に同様の検討を行な
ったところ、レジストのプリベーク温度にかかわらず、
水洗後にＳ（イオウ）が観測されなくなったことから裏
付けられた。また、塗布等の被膜形成溶媒に水を用いて
いるので、有機溶媒に溶けやすいレジストなどの材料の
膜を侵すことなく、その膜上に直接塗布等により被膜を
形成できる長所を保持している。
チル基を有する酸発生剤から成るネガ型の化学増幅系電
子線レジスト（シプレイ社商品名ＳＡＬ６０１）層を有
する物品上に塗布等の方法により被膜を形成する場合に
は、ｐＨの高い中性〜アルカリ性の帯電防止材料水溶液
を用いることにより、レジストのプロセス変更の検討を
要することなく、レジスト表面の全面硬化を防ぐことが
できる。これは、１９９２年秋季第５３回応用物理学会
学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．２、ｐ．５１２、１８ｐ
−ＺＣ−４に記載の実験結果を参考に同様の検討を行な
ったところ、レジストのプリベーク温度にかかわらず、
水洗後にＳ（イオウ）が観測されなくなったことから裏
付けられた。また、塗布等の被膜形成溶媒に水を用いて
いるので、有機溶媒に溶けやすいレジストなどの材料の
膜を侵すことなく、その膜上に直接塗布等により被膜を
形成できる長所を保持している。
【００５８】また前記水溶性導電性高分子化合物を含む
導電性被膜は、高い照射量での電子線描画の後でも、ま
た、例えば１２０℃程度の、高温で熱処理しても水溶性
を保つ。たとえば露光後ベークの必要な化学増幅系レジ
ストに適用する際にも、ベークの後で水洗できるのでプ
ロセス上有利である。さらに塗布等の方法により形成し
た導電性被膜は大気中に長期間放置しても帯電防止効果
を維持しているので、例えば塗布等被膜を形成した状態
のまま長期間保存することも可能である。また前記導電
性被膜の除去性は長期間放置後も良好である。
導電性被膜は、高い照射量での電子線描画の後でも、ま
た、例えば１２０℃程度の、高温で熱処理しても水溶性
を保つ。たとえば露光後ベークの必要な化学増幅系レジ
ストに適用する際にも、ベークの後で水洗できるのでプ
ロセス上有利である。さらに塗布等の方法により形成し
た導電性被膜は大気中に長期間放置しても帯電防止効果
を維持しているので、例えば塗布等被膜を形成した状態
のまま長期間保存することも可能である。また前記導電
性被膜の除去性は長期間放置後も良好である。
【００５９】以上により、塗布等の方法による導電性被
膜の形成時の制約がより少なく、熱処理や長期間放置し
ても除去性や帯電防止効果を維持し、プロセス設計の自
由度が大きい導電性被膜を用いる帯電防止方法が開発さ
れた。また上記導電性被膜を形成するための、保存安定
性に優れた帯電防止材料が得られた。更に、上記導電性
被膜を有する、帯電が防止された物品が得られた。ま
た、被分析物品に上記導電性被膜を形成させて帯電を防
止した後、その物品を観察または検査する方法が開発さ
れた。例えば、荷電粒子線を照射する工程において、塗
布等の方法による導電性被膜の形成及び除去が容易で、
大きな帯電防止効果が安定して得られる方法、および荷
電粒子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を
検出する方法を用いた形状観察や測定の際に問題となる
帯電現象を防ぐ方法が提供された。
膜の形成時の制約がより少なく、熱処理や長期間放置し
ても除去性や帯電防止効果を維持し、プロセス設計の自
由度が大きい導電性被膜を用いる帯電防止方法が開発さ
れた。また上記導電性被膜を形成するための、保存安定
性に優れた帯電防止材料が得られた。更に、上記導電性
被膜を有する、帯電が防止された物品が得られた。ま
た、被分析物品に上記導電性被膜を形成させて帯電を防
止した後、その物品を観察または検査する方法が開発さ
れた。例えば、荷電粒子線を照射する工程において、塗
布等の方法による導電性被膜の形成及び除去が容易で、
大きな帯電防止効果が安定して得られる方法、および荷
電粒子線を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を
検出する方法を用いた形状観察や測定の際に問題となる
帯電現象を防ぐ方法が提供された。
【００６０】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
るが、以下の実施例は本発明の範囲を制限するものでは
ない。本実施例に用いた水溶性導電性高分子化合物は、
具体的には、 ；式（Ｉ−１）
るが、以下の実施例は本発明の範囲を制限するものでは
ない。本実施例に用いた水溶性導電性高分子化合物は、
具体的には、 ；式（Ｉ−１）
【化２１】 で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）における
Ｒ1 およびＲ2 がＨである構造単位およびイソチアナフ
テニレンを繰返し単位として含む共重合体）、 ；式（ＩＩ−１）
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）における
Ｒ1 およびＲ2 がＨである構造単位およびイソチアナフ
テニレンを繰返し単位として含む共重合体）、 ；式（ＩＩ−１）
【化２２】 で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）にお
けるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +である構造
単位およびイソチアナフテニレンを繰返し単位として含
む共重合体）、
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）にお
けるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +である構造
単位およびイソチアナフテニレンを繰返し単位として含
む共重合体）、
【００６１】；式（ＩＩ−２）
【化２３】 で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が５−デシルオキシ−イソチアナフ
テニレンである共重合体（一般式（ＩＩａ）あるいは一
般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およびＲ4 の一方がデシル
オキシ基であり、他方がＨであり、ＭがＮＨ（ＣＨ3 ）
3 + である構造単位および５−デシルオキシ−イソチア
ナフテニレンを繰返し単位として含む共重合体）、 ；前記式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰返し単位
とする単独重合体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉ
ｂ）におけるＲ1 およびＲ2 がＨである構造単位を繰返
し単位として含む単独重合体）、
位以外の繰返し単位が５−デシルオキシ−イソチアナフ
テニレンである共重合体（一般式（ＩＩａ）あるいは一
般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およびＲ4 の一方がデシル
オキシ基であり、他方がＨであり、ＭがＮＨ（ＣＨ3 ）
3 + である構造単位および５−デシルオキシ−イソチア
ナフテニレンを繰返し単位として含む共重合体）、 ；前記式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰返し単位
とする単独重合体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉ
ｂ）におけるＲ1 およびＲ2 がＨである構造単位を繰返
し単位として含む単独重合体）、
【００６２】；前記式（Ｉ−１）で示される構造単位
を繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位
が前記式（ＩＩ−１）で示される構造単位である共重合
体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ
1 およびＲ2 がＨである構造単位、および一般式（ＩＩ
ａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およびＲ4
がＨであり、ＭがＮＨ4 + である構造単位を繰返し単位
として含む共重合体）、および、 ；式（Ｉ−２）
を繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位
が前記式（ＩＩ−１）で示される構造単位である共重合
体（一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ
1 およびＲ2 がＨである構造単位、および一般式（ＩＩ
ａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およびＲ4
がＨであり、ＭがＮＨ4 + である構造単位を繰返し単位
として含む共重合体）、および、 ；式（Ｉ−２）
【化２４】 で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が５，６−ジオキシメチレン−イソ
チアナフテニレンである共重合体（一般式（Ｉａ）ある
いは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 が互いに結
合したジオキシメチレン基である構造単位、および５，
６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレンを繰返し
単位として含む共重合体）である。
位以外の繰返し単位が５，６−ジオキシメチレン−イソ
チアナフテニレンである共重合体（一般式（Ｉａ）ある
いは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 が互いに結
合したジオキシメチレン基である構造単位、および５，
６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレンを繰返し
単位として含む共重合体）である。
【００６３】また比較例に用いた水溶性導電性高分子化
合物は、式（ＩＩＩ）
合物は、式（ＩＩＩ）
【化２５】 および式（ＩＶ）
【化２６】 で示される。但し式中ｎは重合度を表わす整数である。
【００６４】以下の実施例で用いる上記水溶性導電性高
分子化合物の製造方法および分子量を以下に示す。 ；式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰返し単位とし
て含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチアナフテ
ニレンである共重合体（水溶性導電性高分子化合物）を
製造する方法 発煙硫酸（２０％ ＳＯ3 ）１．５ｇを１０℃に保持
し、１，３−ジヒドロイソチアナフテン８２５ｍｇを撹
拌しながらゆっくりと加えた。放置して室温まで戻し１
時間撹拌を続けたところ、反応液は赤紫色を呈した。そ
の後、７０℃に加熱すると反応液は濃紺色に変化し、３
０分後には固化した。反応混合物を１００ｍｌの０．１
Ｎ ＮａＯＨ／メタノール中に投入し、沈降した重合物
を遠心分離した。重合物を水１００ｍｌに溶解し、透析
膜を通して不純物の硫酸ナトリウムを除去した。水溶液
から水を留去し、真空乾燥して濃青色共重合体（一般式
（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）のＲ3 およびＲ4
がＨであり、ＭがＮａ+ である構造単位を繰返し単位と
して含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチアナフ
テニレンである共重合体）４３０ｍｇを得た。この共重
合体を含む水溶液の可視近赤外吸収スペクトルを図１
に、共重合体の赤外線吸収スペクトルを図２に示す。
分子化合物の製造方法および分子量を以下に示す。 ；式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰返し単位とし
て含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチアナフテ
ニレンである共重合体（水溶性導電性高分子化合物）を
製造する方法 発煙硫酸（２０％ ＳＯ3 ）１．５ｇを１０℃に保持
し、１，３−ジヒドロイソチアナフテン８２５ｍｇを撹
拌しながらゆっくりと加えた。放置して室温まで戻し１
時間撹拌を続けたところ、反応液は赤紫色を呈した。そ
の後、７０℃に加熱すると反応液は濃紺色に変化し、３
０分後には固化した。反応混合物を１００ｍｌの０．１
Ｎ ＮａＯＨ／メタノール中に投入し、沈降した重合物
を遠心分離した。重合物を水１００ｍｌに溶解し、透析
膜を通して不純物の硫酸ナトリウムを除去した。水溶液
から水を留去し、真空乾燥して濃青色共重合体（一般式
（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）のＲ3 およびＲ4
がＨであり、ＭがＮａ+ である構造単位を繰返し単位と
して含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチアナフ
テニレンである共重合体）４３０ｍｇを得た。この共重
合体を含む水溶液の可視近赤外吸収スペクトルを図１
に、共重合体の赤外線吸収スペクトルを図２に示す。
【００６５】さらにこの共重合体２００ｍｇを水１００
ｍｌに溶解し、酸型のイオン交換樹脂（アンバーライト
ＩＲ−１２０Ｂ）でイオン交換処理することによって、
目的とする共重合体を含む水溶液を得た。得られた共重
合体を含む水溶液の可視近赤外吸収スペクトルを図３に
示す。また中和滴定によってスルホン酸基の定量を行な
い、共重合体組成中における式（Ｉ−１）で示される構
造単位からなる繰返し単位のモル分率を求めたところ、
０．８４（８４モル％）であった。ＧＰＣにより分子量
を測定すると、重量平均分子量は１５０００であった。
水を蒸発させ、乾燥して得られた黒色共重合体（一般式
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含み、該構造
単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共
重合体）の電気伝導度を四端子法で測定すると、１Ｓ
／ｃｍであった。
ｍｌに溶解し、酸型のイオン交換樹脂（アンバーライト
ＩＲ−１２０Ｂ）でイオン交換処理することによって、
目的とする共重合体を含む水溶液を得た。得られた共重
合体を含む水溶液の可視近赤外吸収スペクトルを図３に
示す。また中和滴定によってスルホン酸基の定量を行な
い、共重合体組成中における式（Ｉ−１）で示される構
造単位からなる繰返し単位のモル分率を求めたところ、
０．８４（８４モル％）であった。ＧＰＣにより分子量
を測定すると、重量平均分子量は１５０００であった。
水を蒸発させ、乾燥して得られた黒色共重合体（一般式
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含み、該構造
単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共
重合体）の電気伝導度を四端子法で測定すると、１Ｓ
／ｃｍであった。
【００６６】；式（ＩＩ−１）で示される構造単位を
繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
イソチアナフテニレンである共重合体（水溶性導電性高
分子化合物）を製造する方法 上記黒色共重合体（）１００ｍｇを水１０ｍｌに溶解
し、１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液４ｍｌを加えｐＨ＝９．４に
調整した。この操作によりスルホン酸基のＨ+イオンは
ＮＨ4 +イオンに容易に交換され、式（Ｉ−１）で示され
る構造単位は式（ＩＩ−１）で示される構造単位に変換
され、目的物（一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）におけるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +で
ある構造単位を繰返し単位として含み、該構造単位以外
の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重合体
）の水溶液が得られた。この水溶液の可視近赤外吸収
スペクトルを図４に示す。
繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
イソチアナフテニレンである共重合体（水溶性導電性高
分子化合物）を製造する方法 上記黒色共重合体（）１００ｍｇを水１０ｍｌに溶解
し、１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液４ｍｌを加えｐＨ＝９．４に
調整した。この操作によりスルホン酸基のＨ+イオンは
ＮＨ4 +イオンに容易に交換され、式（Ｉ−１）で示され
る構造単位は式（ＩＩ−１）で示される構造単位に変換
され、目的物（一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）におけるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +で
ある構造単位を繰返し単位として含み、該構造単位以外
の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重合体
）の水溶液が得られた。この水溶液の可視近赤外吸収
スペクトルを図４に示す。
【００６７】；式（ＩＩ−２）で示される構造単位を
繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
５−デシルオキシ−イソチアナフテニレンである共重合
体（水溶性導電性高分子化合物）を製造する方法 ポリ（５−デシルオキシ−１，３−ジヒドロイソチアナ
フテニレン）５００ｍｇを撹拌しながら、発煙硫酸（２
０％ ＳＯ3 ）４ｍｌをゆっくりと加えて８０℃に加熱
すると、反応液は濃青色を呈した。反応混合物２００ｍ
ｇを約５００ｍｌの水に溶解し、塩酸でｐＨを１．９に
調製し限外瀘過によって精製、濃縮した後、溶媒留去、
真空乾燥により黒色共重合体（一般式（Ｉａ）あるいは
一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 の一方がデシル
オキシ基であり、他方がＨである構造単位を繰返し単位
として含み、該構造単位以外の繰返し単位が５−デシル
オキシ−イソチアナフテニレンである共重合体）１５０
ｍｇを得た。得られた共重合体の水溶液の可視近赤外吸
収スペクトルは図３と同様であった。また中和滴定によ
ってスルホン酸基の定量を行ない、共重合体中の式（Ｉ
Ｉ−２）で示される構造単位からなる繰返し単位のモル
分率を求めたところ０．５１（５１モル％）であった。
ＧＰＣにより分子量を測定すると、重量平均分子量は８
０００であった。
繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
５−デシルオキシ−イソチアナフテニレンである共重合
体（水溶性導電性高分子化合物）を製造する方法 ポリ（５−デシルオキシ−１，３−ジヒドロイソチアナ
フテニレン）５００ｍｇを撹拌しながら、発煙硫酸（２
０％ ＳＯ3 ）４ｍｌをゆっくりと加えて８０℃に加熱
すると、反応液は濃青色を呈した。反応混合物２００ｍ
ｇを約５００ｍｌの水に溶解し、塩酸でｐＨを１．９に
調製し限外瀘過によって精製、濃縮した後、溶媒留去、
真空乾燥により黒色共重合体（一般式（Ｉａ）あるいは
一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 の一方がデシル
オキシ基であり、他方がＨである構造単位を繰返し単位
として含み、該構造単位以外の繰返し単位が５−デシル
オキシ−イソチアナフテニレンである共重合体）１５０
ｍｇを得た。得られた共重合体の水溶液の可視近赤外吸
収スペクトルは図３と同様であった。また中和滴定によ
ってスルホン酸基の定量を行ない、共重合体中の式（Ｉ
Ｉ−２）で示される構造単位からなる繰返し単位のモル
分率を求めたところ０．５１（５１モル％）であった。
ＧＰＣにより分子量を測定すると、重量平均分子量は８
０００であった。
【００６８】さらにこの共重合体を含む水溶液をトリメ
チルアミンで中和しｐＨ＝９．５に調製して目的物（一
般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3
およびＲ4 の一方がデシルオキシ基であり、他方がＨで
あり、ＭがＮＨ（ＣＨ3 ）3 + である構造単位を繰返し
単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が５−デ
シルオキシ−イソチアナフテニレンである共重合体）
の水溶液を得た。この水溶液の可視近赤外吸収スペクト
ルは図４と同様であった。
チルアミンで中和しｐＨ＝９．５に調製して目的物（一
般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3
およびＲ4 の一方がデシルオキシ基であり、他方がＨで
あり、ＭがＮＨ（ＣＨ3 ）3 + である構造単位を繰返し
単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が５−デ
シルオキシ−イソチアナフテニレンである共重合体）
の水溶液を得た。この水溶液の可視近赤外吸収スペクト
ルは図４と同様であった。
【００６９】；式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰
返し単位とする単独重合体（一般式（Ｉａ）あるいは一
般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 がＨである構造単
位を繰返し単位として含む単独重合体）（水溶性導電性
高分子化合物）を製造する方法 発煙硫酸（２０％ ＳＯ3 ）４ｍｌを２０℃以下に保持
し、１，３−ジヒドロイソチアナフテン１．０ｇを撹拌
しながらゆっくりと加えた。放置して室温まで戻し４時
間撹拌を続けたところ、反応液は褐色を呈した。反応混
合物を氷水１５０ｍｌに溶解し、塩化ナトリウム２０ｇ
を加え加温して均一に溶かし、ゆっくりと塩析させ、析
出物を遠心分離機により分離した。上澄液を除去後、真
空乾燥し、精製操作を経て、１，３−ジヒドロ−５−イ
ソチアナフテンスルホン酸ナトリウム（白色粉末）３５
０ｍｇを得た。
返し単位とする単独重合体（一般式（Ｉａ）あるいは一
般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2 がＨである構造単
位を繰返し単位として含む単独重合体）（水溶性導電性
高分子化合物）を製造する方法 発煙硫酸（２０％ ＳＯ3 ）４ｍｌを２０℃以下に保持
し、１，３−ジヒドロイソチアナフテン１．０ｇを撹拌
しながらゆっくりと加えた。放置して室温まで戻し４時
間撹拌を続けたところ、反応液は褐色を呈した。反応混
合物を氷水１５０ｍｌに溶解し、塩化ナトリウム２０ｇ
を加え加温して均一に溶かし、ゆっくりと塩析させ、析
出物を遠心分離機により分離した。上澄液を除去後、真
空乾燥し、精製操作を経て、１，３−ジヒドロ−５−イ
ソチアナフテンスルホン酸ナトリウム（白色粉末）３５
０ｍｇを得た。
【００７０】上記の方法に従い製造した、１，３−ジヒ
ドロ−５−イソチアナフテンスルホン酸ナトリウム２．
０ｇを塩化第二鉄１０ｇと混合し、水４ｇを加えて攪拌
した。１時間後に得られた黒色の反応混合物を、水２０
０ｍｌ、およびアセトン２００ｍｌでよく洗い、乾燥し
て０．９ｇの黒色粉末を得た。この黒色粉末を５０ｍｌ
の０．１Ｎ ＮａＯＨに良く攪拌しながら溶解し、沈殿
物を除去した後、酸型のイオン交換樹脂でイオン交換処
理することによって、目的とする単独重合体（（一般式
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含む単独重合
体）を含む水溶液を得た。得られた水溶液の可視近赤
外吸収スペクトルは図３と同様であった。前述の方法と
同様の方法で測定した、重合体中の式（Ｉ−１）で示さ
れる構造単位からなる繰返し単位のモル分率は１．００
（１００モル％）、重量平均分子量は１２０００、電気
伝導度は２Ｓ／ｃｍであった。
ドロ−５−イソチアナフテンスルホン酸ナトリウム２．
０ｇを塩化第二鉄１０ｇと混合し、水４ｇを加えて攪拌
した。１時間後に得られた黒色の反応混合物を、水２０
０ｍｌ、およびアセトン２００ｍｌでよく洗い、乾燥し
て０．９ｇの黒色粉末を得た。この黒色粉末を５０ｍｌ
の０．１Ｎ ＮａＯＨに良く攪拌しながら溶解し、沈殿
物を除去した後、酸型のイオン交換樹脂でイオン交換処
理することによって、目的とする単独重合体（（一般式
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含む単独重合
体）を含む水溶液を得た。得られた水溶液の可視近赤
外吸収スペクトルは図３と同様であった。前述の方法と
同様の方法で測定した、重合体中の式（Ｉ−１）で示さ
れる構造単位からなる繰返し単位のモル分率は１．００
（１００モル％）、重量平均分子量は１２０００、電気
伝導度は２Ｓ／ｃｍであった。
【００７１】；式（Ｉ−１）で示される構造単位を繰
返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が式
（ＩＩ−１）で示される構造単位である共重合体（水溶
性導電性高分子化合物）を製造する方法 上記の製造で得られたを含む水溶液に１Ｎ アンモ
ニア水溶液を加え、ｐＨを５に調整した。この操作によ
りスルホン酸基のＨ+ イオンの一部はＮＨ4 +イオンに
容易に交換される。これにより式（Ｉ−１）で示される
構造単位に変換され、目的物（一般式（Ｉａ）あるいは
一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2がＨである構造
単位、および一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）におけるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +
である構造単位を繰返し単位として含む共重合体）の
水溶液が得られる。
返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が式
（ＩＩ−１）で示される構造単位である共重合体（水溶
性導電性高分子化合物）を製造する方法 上記の製造で得られたを含む水溶液に１Ｎ アンモ
ニア水溶液を加え、ｐＨを５に調整した。この操作によ
りスルホン酸基のＨ+ イオンの一部はＮＨ4 +イオンに
容易に交換される。これにより式（Ｉ−１）で示される
構造単位に変換され、目的物（一般式（Ｉａ）あるいは
一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ2がＨである構造
単位、および一般式（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩ
ｂ）におけるＲ3 およびＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +
である構造単位を繰返し単位として含む共重合体）の
水溶液が得られる。
【００７２】；式（Ｉ−２）で示される構造単位を繰
返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
５，６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレンであ
る共重合体（水溶性導電性高分子化合物）を製造する方
法 シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals) 、第４
０巻、１〜１２頁（１９９０年）に記載の方法に従っ
て、１，３−ジヒドロ−５，６−ジオキシメチレン−イ
ソチアナフテンを得た。この１，３−ジヒドロ−５，６
−ジオキシメチレン−イソチアナフテンを上記の製造
で用いた方法と同様の方法により、発煙硫酸（２０％
ＳＯ3 ）でスルホン化し、同様に精製して、目的物（一
般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およ
びＲ2 が互いに結合したジオキシメチレン基である構造
単位を繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し
単位が５，６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレ
ンである共重合体）を含む水溶液を得た。前述の方法
と同様の方法で測定した、重合体中の式（Ｉ−２）で示
される構造単位からなる繰返し単位のモル分率は０．８
０（８０モル％）、重量平均分子量は９０００、電気伝
導度は０．５Ｓ／ｃｍであった。
返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位が
５，６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレンであ
る共重合体（水溶性導電性高分子化合物）を製造する方
法 シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals) 、第４
０巻、１〜１２頁（１９９０年）に記載の方法に従っ
て、１，３−ジヒドロ−５，６−ジオキシメチレン−イ
ソチアナフテンを得た。この１，３−ジヒドロ−５，６
−ジオキシメチレン−イソチアナフテンを上記の製造
で用いた方法と同様の方法により、発煙硫酸（２０％
ＳＯ3 ）でスルホン化し、同様に精製して、目的物（一
般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およ
びＲ2 が互いに結合したジオキシメチレン基である構造
単位を繰返し単位として含み、該構造単位以外の繰返し
単位が５，６−ジオキシメチレン−イソチアナフテニレ
ンである共重合体）を含む水溶液を得た。前述の方法
と同様の方法で測定した、重合体中の式（Ｉ−２）で示
される構造単位からなる繰返し単位のモル分率は０．８
０（８０モル％）、重量平均分子量は９０００、電気伝
導度は０．５Ｓ／ｃｍであった。
【００７３】式（ＩＩＩ）および式（ＩＶ）で示される
水溶性導電性高分子化合物は、各々特開平４−３２８４
８号公報および特開平４−３４９６１４号公報に開示さ
れている方法を用いて製造した。
水溶性導電性高分子化合物は、各々特開平４−３２８４
８号公報および特開平４−３４９６１４号公報に開示さ
れている方法を用いて製造した。
【００７４】（実施例１）で得られた、式（Ｉ−１）
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（）である水溶性導電性高分子化合物を含む水溶
液（ｐＨ＝１．７）を調製した。この水溶液をガラス基
板に１５００ｒｐｍで回転塗布し、膜厚０．０２μｍの
導電性被膜を作製した。この導電性被膜の表面抵抗は１
×１０6 Ω/ □（シシド静電気社製メガレスタで測定）
であり、また、可視近赤外吸収スペクトルは図５の通り
であった。
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共重
合体（）である水溶性導電性高分子化合物を含む水溶
液（ｐＨ＝１．７）を調製した。この水溶液をガラス基
板に１５００ｒｐｍで回転塗布し、膜厚０．０２μｍの
導電性被膜を作製した。この導電性被膜の表面抵抗は１
×１０6 Ω/ □（シシド静電気社製メガレスタで測定）
であり、また、可視近赤外吸収スペクトルは図５の通り
であった。
【００７５】次に、この水溶性導電性高分子化合物を含
む水溶液からなる帯電防止材料を、ノボラックおよびジ
アゾナフトキノンから成るポジ型電子線レジスト上に回
転塗布した。Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ
７（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９８９ ｐ．１５１９に記
載の方法で、電子線を照射し、現像後位置ずれを測定し
たところ、位置ずれ量は０．０５μｍ以下であり、帯電
による影響は全く観測されなかった。導電性被膜を用い
なかった場合、帯電による位置ずれ量は２μｍ以上であ
った。なお導電性被膜は現像と同時に剥離除去できた。
む水溶液からなる帯電防止材料を、ノボラックおよびジ
アゾナフトキノンから成るポジ型電子線レジスト上に回
転塗布した。Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ
７（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９８９ ｐ．１５１９に記
載の方法で、電子線を照射し、現像後位置ずれを測定し
たところ、位置ずれ量は０．０５μｍ以下であり、帯電
による影響は全く観測されなかった。導電性被膜を用い
なかった場合、帯電による位置ずれ量は２μｍ以上であ
った。なお導電性被膜は現像と同時に剥離除去できた。
【００７６】（実施例２）実施例１で作製した帯電防止
材料を用いて形成された導電性被膜を、１２０℃で熱処
理し、表面抵抗および吸収スペクトルを測定した。表面
抵抗は３×１０6Ω/ □であり、可視近赤外吸収スペク
トルは図５と同様であった。また実施例１と同様な方法
で、実施例１に用いたのと同じレジスト上に塗布し、熱
処理をした後、電子線を照射しても位置ずれ量は０．０
５μｍ以下であり、帯電防止効果は熱処理をしない場合
と同様であった。
材料を用いて形成された導電性被膜を、１２０℃で熱処
理し、表面抵抗および吸収スペクトルを測定した。表面
抵抗は３×１０6Ω/ □であり、可視近赤外吸収スペク
トルは図５と同様であった。また実施例１と同様な方法
で、実施例１に用いたのと同じレジスト上に塗布し、熱
処理をした後、電子線を照射しても位置ずれ量は０．０
５μｍ以下であり、帯電防止効果は熱処理をしない場合
と同様であった。
【００７７】さらに実施例１で作製した帯電気防止材料
を用いて形成された導電性被膜を空気中で１０日間放置
した。放置後の表面抵抗は５×１０6 Ω/ □であり、可
視近赤外吸収スペクトルは図５と同様であった。また、
実施例１と同様に、実施例１に用いたのと同じレジスト
上に塗布した後、１０日間空気中で放置して、電子線を
照射しても位置ずれは全く観測されず、帯電防止効果は
放置しない場合と同様であった。
を用いて形成された導電性被膜を空気中で１０日間放置
した。放置後の表面抵抗は５×１０6 Ω/ □であり、可
視近赤外吸収スペクトルは図５と同様であった。また、
実施例１と同様に、実施例１に用いたのと同じレジスト
上に塗布した後、１０日間空気中で放置して、電子線を
照射しても位置ずれは全く観測されず、帯電防止効果は
放置しない場合と同様であった。
【００７８】さらに実施例１と同様に、実施例１に用い
たのと同じレジスト上に塗布した後、１０日間窒素雰囲
気中で保管したところ、表面抵抗は５×１０7 Ω/ □に
若干低下していたが、電子線を照射しても位置ずれは全
く観測されず、帯電防止効果は１０日間保管しない場合
と同様であった。
たのと同じレジスト上に塗布した後、１０日間窒素雰囲
気中で保管したところ、表面抵抗は５×１０7 Ω/ □に
若干低下していたが、電子線を照射しても位置ずれは全
く観測されず、帯電防止効果は１０日間保管しない場合
と同様であった。
【００７９】（実施例３）で得られた、式（ＩＩ−
１）で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構
造単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである
共重合体（）の水溶性導電性高分子化合物を含む水溶
液（ｐＨ＝９．４）を調製した。この水溶液を、ガラス
基板に１５００ｒｐｍで回転塗布し、膜厚０．０２μｍ
の導電性被膜を作製した。この導電性被膜を１２０℃で
熱処理すると、表面抵抗は１×１０7Ω/ □であり、可
視近赤外吸収スペクトルは図６の通りであった。レジス
トとしてノボラック、感光剤およびブロモメチル基を有
する酸発生剤から成るネガ型の化学増幅系電子線レジス
ト（シプレイ社製商品名ＳＡＬ６０１）を用いた他は実
施例１と全く同様に、レジスト上に塗布し、熱処理した
後で、電子線を照射し位置ずれを測定した。位置ずれ量
は０．０５μｍ以下であり、帯電防止効果は実施例１と
同様であった。なお導電性被膜を形成したレジストに電
子線を照射した後のベークは導電性被膜を剥離除去する
前に行なわれ、導電性被膜は水洗により完全に剥離除去
することや、現像時に現像液により剥離除去することが
可能であった。
１）で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構
造単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである
共重合体（）の水溶性導電性高分子化合物を含む水溶
液（ｐＨ＝９．４）を調製した。この水溶液を、ガラス
基板に１５００ｒｐｍで回転塗布し、膜厚０．０２μｍ
の導電性被膜を作製した。この導電性被膜を１２０℃で
熱処理すると、表面抵抗は１×１０7Ω/ □であり、可
視近赤外吸収スペクトルは図６の通りであった。レジス
トとしてノボラック、感光剤およびブロモメチル基を有
する酸発生剤から成るネガ型の化学増幅系電子線レジス
ト（シプレイ社製商品名ＳＡＬ６０１）を用いた他は実
施例１と全く同様に、レジスト上に塗布し、熱処理した
後で、電子線を照射し位置ずれを測定した。位置ずれ量
は０．０５μｍ以下であり、帯電防止効果は実施例１と
同様であった。なお導電性被膜を形成したレジストに電
子線を照射した後のベークは導電性被膜を剥離除去する
前に行なわれ、導電性被膜は水洗により完全に剥離除去
することや、現像時に現像液により剥離除去することが
可能であった。
【００８０】また上記で調製した導電性高分子化合物を
含む水溶液からなる帯電防止材料を１年間放置した後
に、同様の実験を行なったが、その帯電防止効果は放置
しない場合と同様であった。さらに上記共重合体（）
を製造する段階において、１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液４ｍｌ
を加えていく途上で、ｐＨ＝１．７〜９．４の間で種々
のｐＨに調整して得た導電性高分子化合物を含む水溶液
を用いて、上と同様の実験を行なったが、帯電防止効果
は全く同様であった。例えばｐＨ＝７．６に調整した溶
液からなる帯電防止材料を用いて導電性被膜を形成し、
１２０℃で熱処理すると、表面抵抗は６×１０6 Ω/ □
となり、帯電防止効果は熱処理しない場合と同様であっ
た。
含む水溶液からなる帯電防止材料を１年間放置した後
に、同様の実験を行なったが、その帯電防止効果は放置
しない場合と同様であった。さらに上記共重合体（）
を製造する段階において、１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液４ｍｌ
を加えていく途上で、ｐＨ＝１．７〜９．４の間で種々
のｐＨに調整して得た導電性高分子化合物を含む水溶液
を用いて、上と同様の実験を行なったが、帯電防止効果
は全く同様であった。例えばｐＨ＝７．６に調整した溶
液からなる帯電防止材料を用いて導電性被膜を形成し、
１２０℃で熱処理すると、表面抵抗は６×１０6 Ω/ □
となり、帯電防止効果は熱処理しない場合と同様であっ
た。
【００８１】（実施例４）で得られた、式（ＩＩ−
２）で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構
造単位以外の繰返し単位が５−デシルオキシ−イソチア
ナフテニレンである共重合体（）の水溶性導電性高分
子化合物からなる帯電防止材料をポリエチレン膜上にデ
ィップ法により塗布して導電性被膜を作製し、ＳＥＭ観
察を行なった。加速電圧６ｋＶ、観察倍率２５０００倍
で良好な観察像が得られ、帯電による障害はなかった。
２）で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構
造単位以外の繰返し単位が５−デシルオキシ−イソチア
ナフテニレンである共重合体（）の水溶性導電性高分
子化合物からなる帯電防止材料をポリエチレン膜上にデ
ィップ法により塗布して導電性被膜を作製し、ＳＥＭ観
察を行なった。加速電圧６ｋＶ、観察倍率２５０００倍
で良好な観察像が得られ、帯電による障害はなかった。
【００８２】（実施例５）で得られた、式（Ｉ−１）
で示される構造単位を繰返し単位とする単独重合体
（）の水溶性導電性高分子化合物を含む水溶液（ｐＨ
＝１．７）からなる帯電防止材料を用いて、実施例１と
同様にして導電性被膜を作製した。この導電性被膜の表
面抵抗は５×１０5 Ω/ □であった。また、この帯電防
止材料を実施例１と同様のレジスト上に塗布し、同様に
位置ずれ量を測定したところ、帯電防止効果は実施例１
と同様であった。
で示される構造単位を繰返し単位とする単独重合体
（）の水溶性導電性高分子化合物を含む水溶液（ｐＨ
＝１．７）からなる帯電防止材料を用いて、実施例１と
同様にして導電性被膜を作製した。この導電性被膜の表
面抵抗は５×１０5 Ω/ □であった。また、この帯電防
止材料を実施例１と同様のレジスト上に塗布し、同様に
位置ずれ量を測定したところ、帯電防止効果は実施例１
と同様であった。
【００８３】（実施例６）で得られた、式（Ｉ−１）
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が（ＩＩ−２）で示される構造単位
である共重合体（）の水溶性導電性高分子化合物を含
む水溶液（ｐＨ＝５．０）からなる帯電防止材料を用い
て、実施例３と同様にして導電性被膜を作製した。この
導電性被膜の表面抵抗は１×１０6 Ω/ □であった。こ
の帯電防止材料を実施例３と同様のレジスト上に塗布
し、同様に位置ずれ量を測定したところ、帯電防止効果
は実施例３と同様であった。
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が（ＩＩ−２）で示される構造単位
である共重合体（）の水溶性導電性高分子化合物を含
む水溶液（ｐＨ＝５．０）からなる帯電防止材料を用い
て、実施例３と同様にして導電性被膜を作製した。この
導電性被膜の表面抵抗は１×１０6 Ω/ □であった。こ
の帯電防止材料を実施例３と同様のレジスト上に塗布
し、同様に位置ずれ量を測定したところ、帯電防止効果
は実施例３と同様であった。
【００８４】（実施例７）で得られた、式（Ｉ−２）
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が５，６−ジオキシメチレン−イソ
チアナフテニレンである共重合体（）の水溶性導電性
高分子化合物を含む水溶液（ｐＨ＝１．７）からなる帯
電防止材料を用いて、実施例１と同様にして導電性被膜
を作製した。この導電性被膜の表面抵抗は２×１０6 Ω
/ □であった。この帯電防止材料を実施例１と同様のレ
ジスト上に塗布し、同様に位置ずれ量を測定したとこ
ろ、帯電防止効果は実施例１と同様であった。さらに、
この導電性材料を用いて形成した被膜を空気中で１０日
間放置しても、表面抵抗は３×106 Ω/ □と殆ど変化せ
ず、また帯電防止効果も、放置しない場合と同様であっ
た。
で示される構造単位を繰返し単位として含み、該構造単
位以外の繰返し単位が５，６−ジオキシメチレン−イソ
チアナフテニレンである共重合体（）の水溶性導電性
高分子化合物を含む水溶液（ｐＨ＝１．７）からなる帯
電防止材料を用いて、実施例１と同様にして導電性被膜
を作製した。この導電性被膜の表面抵抗は２×１０6 Ω
/ □であった。この帯電防止材料を実施例１と同様のレ
ジスト上に塗布し、同様に位置ずれ量を測定したとこ
ろ、帯電防止効果は実施例１と同様であった。さらに、
この導電性材料を用いて形成した被膜を空気中で１０日
間放置しても、表面抵抗は３×106 Ω/ □と殆ど変化せ
ず、また帯電防止効果も、放置しない場合と同様であっ
た。
【００８５】（比較例１）水溶性導電性高分子化合物
（ＩＩＩ）を用いて、実施例２と同様の実験を行なっ
た。塗布直後の導電性被膜の表面抵抗は５×１０6 Ω/
□であったが、１２０℃で熱処理すると表面抵抗は３×
１０8 Ω/ □に上昇し、実施例１と同様に評価した位置
ずれ量は２μｍ以上であり、電子線照射における帯電防
止効果はなくなっていた。さらに１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液
を用いてｐＨ＝９．３に調整した溶液を用いて被膜を作
製したところ、表面抵抗は６×１０8 Ω/ □となり、同
様に電子線照射における帯電防止効果はなかった。
（ＩＩＩ）を用いて、実施例２と同様の実験を行なっ
た。塗布直後の導電性被膜の表面抵抗は５×１０6 Ω/
□であったが、１２０℃で熱処理すると表面抵抗は３×
１０8 Ω/ □に上昇し、実施例１と同様に評価した位置
ずれ量は２μｍ以上であり、電子線照射における帯電防
止効果はなくなっていた。さらに１Ｎ ＮＨ4 ＯＨ溶液
を用いてｐＨ＝９．３に調整した溶液を用いて被膜を作
製したところ、表面抵抗は６×１０8 Ω/ □となり、同
様に電子線照射における帯電防止効果はなかった。
【００８６】（比較例２）水溶性導電性高分子化合物
（ＩＶ）を用いて、実施例３と同様の実験を行なった。
塗布直後の導電性被膜の表面抵抗は２×１０7 Ω/ □で
あったが、この導電性被膜は除去性が悪く、水洗しても
完全に剥離除去することができなかった。さらに、１０
日間大気中に放置すると、表面抵抗は４×１０8 Ω/ □
に上昇し、電子線照射における帯電防止効果はなくなっ
ていた。また水溶性導電性高分子化合物（ＩＶ）を含む
水溶液を２ヵ月間常温で放置した。この水溶液を用いて
導電性被膜を作製したところ、表面抵抗は１×１０9 Ω
/ □であった。帯電防止効果もなくなっていた。
（ＩＶ）を用いて、実施例３と同様の実験を行なった。
塗布直後の導電性被膜の表面抵抗は２×１０7 Ω/ □で
あったが、この導電性被膜は除去性が悪く、水洗しても
完全に剥離除去することができなかった。さらに、１０
日間大気中に放置すると、表面抵抗は４×１０8 Ω/ □
に上昇し、電子線照射における帯電防止効果はなくなっ
ていた。また水溶性導電性高分子化合物（ＩＶ）を含む
水溶液を２ヵ月間常温で放置した。この水溶液を用いて
導電性被膜を作製したところ、表面抵抗は１×１０9 Ω
/ □であった。帯電防止効果もなくなっていた。
【００８７】（比較例３）水溶性導電性高分子化合物
（ＩＶ）を用いて、実施例４と同様の実験を行なった。
同様の加速電圧６ｋＶ、観察倍率２５０００倍の条件で
ＳＥＭ観察を行なったが、全面が白い影像となり、像観
察は行なえなかった。倍率を８０００倍に落とすと、先
に２５０００倍で観察していた部分が、帯電の影響によ
り白く見えた。強度の電子線照射によって化合物（Ｉ
Ｖ）の被膜の導電性が失われたものと考えられる。
（ＩＶ）を用いて、実施例４と同様の実験を行なった。
同様の加速電圧６ｋＶ、観察倍率２５０００倍の条件で
ＳＥＭ観察を行なったが、全面が白い影像となり、像観
察は行なえなかった。倍率を８０００倍に落とすと、先
に２５０００倍で観察していた部分が、帯電の影響によ
り白く見えた。強度の電子線照射によって化合物（Ｉ
Ｖ）の被膜の導電性が失われたものと考えられる。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明の帯電防止
材料は、電子素子、電子部品、電子機器、電気部品、電
気機器、分析機器等の物品あるいはその部品等の物品の
製造あるいは使用において、その物品あるいは被分析物
品の帯電を防止するために用いられる優れた帯電防止効
果を有する材料であり、かかる物品の帯電を防止するた
めに、本発明の帯電防止材料あるいは帯電防止方法を用
いることにより、その製造あるいは使用において問題と
なる帯電を防止することができる。例えば、物品の製造
あるいは使用が、荷電子粒子線照射を含む工程である場
合、本発明の帯電防止材料あるいは帯電防止方法によれ
ば、荷電粒子線を照射する工程において電荷の蓄積によ
り生じる、位置ずれ、観察像の歪、精度劣化などの帯電
現象を解消することができた。
材料は、電子素子、電子部品、電子機器、電気部品、電
気機器、分析機器等の物品あるいはその部品等の物品の
製造あるいは使用において、その物品あるいは被分析物
品の帯電を防止するために用いられる優れた帯電防止効
果を有する材料であり、かかる物品の帯電を防止するた
めに、本発明の帯電防止材料あるいは帯電防止方法を用
いることにより、その製造あるいは使用において問題と
なる帯電を防止することができる。例えば、物品の製造
あるいは使用が、荷電子粒子線照射を含む工程である場
合、本発明の帯電防止材料あるいは帯電防止方法によれ
ば、荷電粒子線を照射する工程において電荷の蓄積によ
り生じる、位置ずれ、観察像の歪、精度劣化などの帯電
現象を解消することができた。
【００８９】本発明の帯電防止材料あるいは帯電防止方
法においては、該帯電防止材料は、帯電防止を施す必要
のある物品の性質に合わせて、適宜最適なｐＨの水溶液
とすることが可能であり、かかる水溶液を用いることに
より、種々の物品上に導電性被膜を形成して帯電を防止
することができ、また、本発明の帯電防止材料は、水溶
液であっても長期間保存可能である。
法においては、該帯電防止材料は、帯電防止を施す必要
のある物品の性質に合わせて、適宜最適なｐＨの水溶液
とすることが可能であり、かかる水溶液を用いることに
より、種々の物品上に導電性被膜を形成して帯電を防止
することができ、また、本発明の帯電防止材料は、水溶
液であっても長期間保存可能である。
【００９０】また、本発明の帯電防止材料あるいは帯電
防止方法は、該帯電防止材料を用いて、塗布、ディッ
プ、吹きつけ等の方法により物品上に導電性被膜を形成
する場合、被膜の形成時の制約が少なく、熱処理あるい
は長期間放置しても、帯電防止効果やその被膜の除去性
が維持され、実用上極めて有益である。
防止方法は、該帯電防止材料を用いて、塗布、ディッ
プ、吹きつけ等の方法により物品上に導電性被膜を形成
する場合、被膜の形成時の制約が少なく、熱処理あるい
は長期間放置しても、帯電防止効果やその被膜の除去性
が維持され、実用上極めて有益である。
【００９１】また本発明の帯電防止材料からなる導電性
被膜を有する物品は、その帯電が実質的に防止されてお
り、高温で熱処理したり、あるいは長期間保存しても帯
電防止効果を維持している。また、高い照射量で電子線
描画したり、高温で熱処理しても、また大気中に長期放
置しても、該導電性被膜は水溶性を保ち、水洗等により
剥離除去することができる。
被膜を有する物品は、その帯電が実質的に防止されてお
り、高温で熱処理したり、あるいは長期間保存しても帯
電防止効果を維持している。また、高い照射量で電子線
描画したり、高温で熱処理しても、また大気中に長期放
置しても、該導電性被膜は水溶性を保ち、水洗等により
剥離除去することができる。
【００９２】また、本発明の、物品の観察時または検査
時における帯電を実質的に防止するために、その物品上
に、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を形成
し、しかる後に荷電子粒子線を照射して物品を観察また
は検査する方法によれば、照射工程において電荷の蓄積
により生じる、位置ずれ、観察像の歪、精度劣化などの
帯電現象を解消することができる。
時における帯電を実質的に防止するために、その物品上
に、本発明の帯電防止材料からなる導電性被膜を形成
し、しかる後に荷電子粒子線を照射して物品を観察また
は検査する方法によれば、照射工程において電荷の蓄積
により生じる、位置ずれ、観察像の歪、精度劣化などの
帯電現象を解消することができる。
【図１】実施例の製造方法で得た共重合体（一般式
（ＩＩａ）および一般式（ＩＩｂ）においてＲ3 および
Ｒ4 がＨであり、ＭがＮａ+ で示される構造単位を繰返
し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソ
チアナフテニレンである共重合体）水溶液の透析後の可
視近赤外吸収スペクトルである。
（ＩＩａ）および一般式（ＩＩｂ）においてＲ3 および
Ｒ4 がＨであり、ＭがＮａ+ で示される構造単位を繰返
し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソ
チアナフテニレンである共重合体）水溶液の透析後の可
視近赤外吸収スペクトルである。
【図２】実施例の製造方法で得た共重合体（一般式
（ＩＩａ）および一般式（ＩＩｂ）においてＲ3 および
Ｒ4 がＨであり、ＭがＮａ+ で示される構造単位を繰返
し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソ
チアナフテニレンである共重合体）の透析、乾燥後の赤
外線吸収スペクトルである。
（ＩＩａ）および一般式（ＩＩｂ）においてＲ3 および
Ｒ4 がＨであり、ＭがＮａ+ で示される構造単位を繰返
し単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソ
チアナフテニレンである共重合体）の透析、乾燥後の赤
外線吸収スペクトルである。
【図３】実施例の製造方法で得た共重合体（一般式
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含み、該構造
単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共
重合体）の水溶液の可視近赤外吸収スペクトルであ
る。
（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）におけるＲ1 およびＲ
2 がＨである構造単位を繰返し単位として含み、該構造
単位以外の繰返し単位がイソチアナフテニレンである共
重合体）の水溶液の可視近赤外吸収スペクトルであ
る。
【図４】実施例の製造方法で得た共重合体（一般式
（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およ
びＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +である構造単位を繰返し
単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチ
アナフテニレンである共重合体）の水溶液の可視近赤
外吸収スペクトルである。
（ＩＩａ）あるいは一般式（ＩＩｂ）におけるＲ3 およ
びＲ4 がＨであり、ＭがＮＨ4 +である構造単位を繰返し
単位として含み、該構造単位以外の繰返し単位がイソチ
アナフテニレンである共重合体）の水溶液の可視近赤
外吸収スペクトルである。
【図５】実施例１で作製した導電性被膜の可視近赤外吸
収スペクトルである。
収スペクトルである。
【図６】実施例２で作製した導電性被膜の熱処理後の可
視近赤外吸収スペクトルである。
視近赤外吸収スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 9172−5Ｅ // Ｇ０１Ｎ 23/225 7172−2Ｊ (72)発明者 赤壁 幸江 東京都港区芝大門１丁目13番９号 昭和電 工株式会社内 (72)発明者 池ノ上 芳章 千葉県千葉市緑区大野台１丁目１番１号 昭和電工株式会社総合研究所内 (72)発明者 市川 玲子 大阪府岸和田市池尻町118番３号
Claims (16)
- 【請求項１】 物品の製造あるいは使用において、その
物品の帯電を防止するために用いられる一般式（Ｉａ） 【化１】 および一般式（ＩＩａ） 【化２】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但しＲ1 またはＲ2 の
場合にはＭはＨ+を表わす。）、ニトロ基、シアノ基、
１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル基、フ
ェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一
価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第
４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +、Ａ
ｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第４級カ
チオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金
属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ
独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分岐状の
置換もしくは非置換アルキル基、または置換もしくは非
置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロキシル
基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、アゾ基、
アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のごとき炭
素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまたはアリ
ール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3 とＲ
4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれる複
数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換基
により置換されている原子を含む飽和または不飽和の環
状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成して
もよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、
Ｒ8 のアルキル基またはＲ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 のアル
コキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カルボ
ニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スル
フィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に含ん
でもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つを繰
返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を有す
る水溶性導電性高分子化合物を含む帯電防止材料。 - 【請求項２】 物品の製造あるいは使用において、その
物品の帯電を防止するために用いられる一般式（Ｉｂ） 【化３】 および一般式（ＩＩｂ） 【化４】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、
Ｒ4 のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテ
ル、アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構
造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主
鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合
物を含む帯電防止材料。 - 【請求項３】 物品の製造あるいは使用において、その
物品上に導電性被膜を形成して帯電を実質的に防止する
ために用いられる一般式（Ｉａ） 【化５】 および一般式（ＩＩａ） 【化６】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2
の場合にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ
基、１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル
基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ば
れる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わさ
れる第４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ
8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第
４級カチオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそ
れぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分
岐状の置換もしくは非置換アルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、ア
ゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のご
とき炭素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまた
はアリール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3
とＲ4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれ
る複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置
換基により置換されている原子を含む飽和または不飽和
の環状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成
してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ
7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の
アルコキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カ
ルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、
スルフィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に
含んでもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つ
を繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を
有する水溶性導電性高分子化合物及び水を含む帯電防止
材料。 - 【請求項４】 物品の製造あるいは使用において、その
物品上に導電性被膜を形成して帯電を実質的に防止する
ために用いられる一般式（Ｉｂ） 【化７】 および一般式（ＩＩｂ） 【化８】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、R3 、Ｒ4
のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテル、
アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構造単
位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主鎖が
π共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合物及
び水を含む帯電防止材料。 - 【請求項５】 導電性高分子化合物の分子量が２０００
以上である請求項１乃至４記載の帯電防止材料。 - 【請求項６】 物品の製造あるいは使用が、荷電粒子線
照射を含む工程である、請求項１乃至５記載の帯電防止
材料。 - 【請求項７】 物品の製造あるいは使用が、荷電粒子線
を照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出する
ことを含む工程である、請求項１乃至５記載の帯電防止
材料。 - 【請求項８】 物品の製造あるいは使用において、物品
が請求項１乃至５記載の帯電防止材料からなる導電性被
膜を有することにより、その帯電が実質的に防止されて
いることを特徴とする物品。 - 【請求項９】 物品の製造あるいは使用が、荷電粒子線
照射を含む工程であり、かかる工程におけるその物品の
帯電が、請求項１乃至５記載の帯電防止材料からなる導
電性被膜を有することにより実質的に防止されているこ
とを特徴とする物品。 - 【請求項１０】 物品の製造あるいは使用における帯電
を実質的に防止するために、その物品上に、一般式（Ｉ
ａ） 【化９】 および一般式（ＩＩａ） 【化１０】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2
の場合にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ
基、１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル
基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ば
れる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わさ
れる第４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ
8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第
４級カチオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそ
れぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分
岐状の置換もしくは非置換アルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、ア
ゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のご
とき炭素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまた
はアリール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3
とＲ4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれ
る複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置
換基により置換されている原子を含む飽和または不飽和
の環状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成
してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ
7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の
アルコキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カ
ルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、
スルフィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に
含んでもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つ
を繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を
有する水溶性導電性高分子化合物を含む導電性被膜を形
成することを特徴とする帯電防止方法。 - 【請求項１１】 物品の製造あるいは使用における帯電
を実質的に防止するために、その物品上に、一般式（Ｉ
ｂ） 【化１１】 および一般式（ＩＩｂ） 【化１２】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、
Ｒ4 のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテ
ル、アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構
造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主
鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合
物を含む導電性被膜を形成することを特徴とする帯電防
止方法。 - 【請求項１２】 物品の製造あるいは使用が、荷電粒子
線照射を含む工程である請求項１０または１１記載の帯
電防止方法。 - 【請求項１３】 物品の製造あるいは使用が、荷電粒子
線照射を含む工程であり、水溶性導電性高分子化合物の
分子量が２０００以上である請求項１０または１１記載
の帯電防止方法。 - 【請求項１４】 物品の観察時または検査時における帯
電を実質的に防止するために、その物品上に、一般式
（Ｉａ） 【化１３】 および一般式（ＩＩａ） 【化１４】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキル、アルコキシまたはアルキルエ
ステル基、ハロゲン、ＳＯ3 -Ｍ（但し、Ｒ1 またはＲ2
の場合にはＭはＨ+ を表わす。）、ニトロ基、シアノ
基、１級、２級または３級アミノ基、トリハロメチル
基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ば
れる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わさ
れる第４級アンモニウムのカチオン、ＰＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ
8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされるＶｂ族元素の第
４級カチオン、あるいはＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそ
れぞれ独立にＨ、炭素数１乃至３０の直鎖状もしくは分
岐状の置換もしくは非置換アルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わし、アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、オキシアルキレン基、チオアルキレン基、ア
ゾ基、アゾベンゼン基、ｐ−ジフェニレンオキシ基のご
とき炭素、水素以外の元素を含む基を含むアルキルまた
はアリール基であってもよい。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ3
とＲ4 、あるいはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 から選ばれ
る複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置
換基により置換されている原子を含む飽和または不飽和
の環状構造を形成する二価基を少なくとも１つ以上形成
してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ
7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の
アルコキシ基またはアルキルエステル基の鎖中には、カ
ルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、
スルフィニル、スルホニル、イミノなどの結合を任意に
含んでもよい。）で示される構造単位の少なくとも一つ
を繰返し単位として含み且つ主鎖がπ共役系二重結合を
有する水溶性導電性高分子化合物を含む導電性被膜を形
成し、しかる後に荷電粒子線を照射して反射荷電粒子線
または２次放射線を検出することを特徴とする物品の観
察または検査方法。 - 【請求項１５】 物品の観察時または検査時における帯
電を実質的に防止するために、その物品上に、一般式
（Ｉｂ） 【化１５】 および一般式（ＩＩｂ） 【化１６】 （両式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立
にＨ、炭素数１乃至２０の直鎖状もしくは分岐状の飽和
もしくは不飽和アルキルまたはアルコキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、シアノ基、１級、２級または３級アミノ
基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基
からなる群から選ばれる一価基を表わす。ＭはＮＲ5 Ｒ
6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わされる第４級アンモニウムのカチオ
ン、ＰＲ5 Ｒ6Ｒ7 Ｒ8 +、ＡｓＲ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｒ8 +で表わ
されるＶｂ族元素の第４級カチオン、あるいはＮａ+ 、
Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオンを表わし、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立にＨ、炭素数１乃至６
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換もし
くは非置換アリール基を表わす。Ｒ1 とＲ2 、またはＲ
3とＲ4 、またはＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 から選ばれる
複数の置換基は、互いに任意の位置で結合して、該置換
基により置換されている原子を含む飽和または不飽和炭
化水素の環状構造または複素環構造を形成する二価基を
形成してもよい。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 、Ｒ8 のアルキル基またはＲ1 、Ｒ2、Ｒ3 、
Ｒ4 のアルコキシ基の鎖中には、カルボニル、エーテ
ル、アミド結合を任意に含んでもよい。）で示される構
造単位の少なくとも一つを繰返し単位として含み且つ主
鎖がπ共役系二重結合を有する水溶性導電性高分子化合
物を含む導電性被膜を形成し、しかる後に荷電粒子線を
照射して反射荷電粒子線または２次放射線を検出するこ
とを特徴とする物品の観察または検査方法。 - 【請求項１６】 水溶性導電性高分子化合物の分子量が
２０００以上である請求項１４または１５記載の物品の
観察または検査方法。
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| JP5-127315 | 1993-05-28 | ||
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