JPH10168328A - 導電性高分子複合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 自己ドープ型導電性高分子であって、化学ド
ーピングや電気化学ドーピングなどの導電化処理を必要
とせずに、その導電性を低下させることなく、加工性並
びに機械的性質を改善した自己ドープ型導電性高分子複
合体の提供。 【解決手段】 分子内に、ドーパント能を持つブレンス
テッド酸基を有する自己ドープ型導電性高分子およびＮ
ービニルカルボン酸アミド系ポリマーよりなる導電性高
分子複合体及び該導電性高分子を含む溶液または該高分
子ミクロゲルを含む導電性ミクロゲル分散体及びＮービ
ニルカルボン酸アミド系ポリマーを含む溶液を複合して
なる記載の導電性高分子複合体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、分子内にドーパン
ト能を持つブレンステッド酸基を有する自己ドープ型の
導電性高分子化合物複合体に関する。更に詳しくは、本
発明は電気、電子工業の分野において、加工的要求度が
高い電極、センサー、エレクトロニクス表示素子、非線
形光学素子、光電変換素子、帯電防止剤、固体電解質ほ
か、各種導電材料あるいは光学材料として用いるのに適
した安定な自己ドープ型導電性高分子化合物の複合体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】π電子共役系の発達した重合体は、導電
性のみならず金属／半導体転移における状態変化などの
特異な物性のために、工業的に注目され多くの研究がな
されてきた。特にポリアセチレンやポリチオフェン、ポ
リピロール、ポリパラフェニレン等の多くの導電性高分
子は、剛直な主鎖骨格のため不溶不融である（Ｓｏｔｈ
ｅｉｍ著、“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｎｇ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”誌、Ｍｅｒｃｅｒ Ｄｅｋ
ｋｅｒ社発行、１９８６年）が、その側鎖にアルキル基
等の置換基を導入した重合体は可溶性となり、その易加
工性のため工業的に注目されてきている。具体的な例と
しては、ポリチオフェン環の側鎖に長鎖アルキル基を導
入して有機溶媒に可溶とした重合体（Ｋ．Ｊｅｎら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｏｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ， Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ
誌、１３４６頁、１９８６年）や、アルキルスルホン酸
基を導入して水溶性を付与した重合体（Ａ．Ｏ．Ｐａｔ
ｉｌら、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｍｅｒｉｃａｎＣｈ
ｅｍｏｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ誌、１０９巻、１８５８
頁、１９８７年）などが知られている。

【０００３】後者の例は、水溶性の自己ドープ型ポリマ
ーとして知られ、一般にはブレンステッド酸基がπ電子
共役系ポリマーの主鎖に直接、またはスペーサーを介し
て間接的に共有結合されており、外来ドーパントの寄与
なしに導電状態を示す点でも注目されてきた。このよう
な例の報告としては他にも、Ｅ．Ｅ．Ｈａｖｉｎｇａら
のポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体（Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ誌、１８巻、２７７頁、１
９８７年）、Ａｌｄｉｓｓｉのポリチオフェン誘導体や
ポリピロール誘導体（米国特許４，８８０，５０８
号）、ポリアニリン芳香環に置換基としてカルボン酸基
を共有結合させた重合体（特許公表公報平１−５００８
３５号）、ピロールのＮ位にプロパンスルホン酸基が置
換した重合体（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ誌、６２１頁、１９８７年）、Ｎ位にプ
ロパンスルホン酸基が置換したポリアニリン重合体（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｏｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ
誌、１８０頁、およびＳｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌ
誌、３１巻、３６９頁、１９８９年）、芳香環に直接ス
ルホン酸基が置換したポリアニリン誘導体（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆＡｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｏｃａｌ Ｓｏ
ｃｉｅｔｙ誌、１１２巻、２８００頁、１９９０年）、
スルホン酸基を置換したイソチアナフテン重合体（特開
平６−４９１８３号公報および特開平７−４８４３６号
公報）などが製造法とともに開示されている。

【０００４】前記、ブレンステッド酸基が、π電子共役
系ポリマーの主鎖に直接またはスペーサーを介して間接
的に共有結合した自己ドープ型ポリマーは、分子内に潜
在的にドーパントとなり得るブレンステッド酸基を含ん
でいるので、外来ドーパントの寄与なしに安定な導電状
態を示すこと、時間の経過によってドーパントが大気中
に揮散することがなく電導度の安定性に優れてこと、水
溶性であること、容易に薄膜化できその導電性は長期間
にわたって安定であることなどから工業的に多くの利点
がある。またこの自己ドープ型導電性高分子は、親油性
成分のπ電子共役系主鎖構造と親水性成分のイオン性置
換基を側鎖に有することから、高分子電解質としての応
用についても期待されている。

【０００５】しかしながら、自己ドープ型導電性高分子
はそれ自体では機械的特性（柔軟性、可撓性、平滑性
等）に乏しいことが知られており、種々の親水性高分子
と複合体化することによって機械的特性を向上させる試
みがなされている（特開昭６３−３９９１６号公報、特
開平６−１４５３８６号公報および特開平７−１１８５
２４号公報）。特開昭６３−３９９１６号公報にはチオ
フェン環をπ電子共役系主鎖に持つ自己ドープ型の導電
性高分子を、ポリビニルアルコールと高分子複合体とす
ることにより、機械的特性の改善された化学ドーピング
および脱ドーピングの可能なポリマー複合体が提供され
ることが開示されている。しかしながら、自己ドープ型
導電性高分子は、ポリビニルアルコールと複合体とする
ことによって脱ドーピングし導電性が初期値と比べて４
桁程度低下することが知られていた（Ｍａｃｒｏｍｏｌ
ｅｃｕｌｅｓ誌、２９巻、４９１９頁、１９９６年）。
それ故、化学ドーピングや電気化学ドーピング等の導電
化処理を新たに施す必要のない複合体を提供するという
改善の余地が残されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、自己ドープ
型導電性高分子であって、化学ドーピングや電気化学ド
ーピングなどの導電化処理を必要とせずに、その導電性
を低下させることなく、加工性並びに機械的性質を改善
した自己ドープ型導電性高分子複合体の開発を目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、（１）分子内
に、ドーパント能を持つブレンステッド酸基を有する自
己ドープ型導電性高分子およびＮ−ビニルカルボン酸ア
ミド系ポリマーよりなる導電性高分子複合体、（２）分
子内に、ドーパント能を持つブレンステッド酸基を有す
る自己ドープ型導電性高分子を含む溶液およびＮ−ビニ
ルカルボン酸アミド系ポリマーを含む溶液を複合してな
る（１）記載の導電性高分子複合体溶液、（３）分子内
に、ドーパント能を持つブレンステッド酸基を有する自
己ドープ型導電性高分子のミクロゲルを含む導電性ミク
ロゲル分散体およびＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリ
マーを複合してなる（１）記載の導電性高分子複合体、
（４）Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーが、ポリ
アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩との共重合体構
造を含む（１）〜（３）のいずれかに記載の導電性高分
子複合体、（５）（１）〜（３）のいずれかに記載のブ
レンステッド酸基が、スルホン酸基もしくはその塩であ
る導電性高分子複合体、（６）（２）記載の導電性高分
子複合体溶液を基材表面に塗布する自己ドープ型導電性
高分子複合体薄膜の製造方法、および（７）成形型に、
Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーの粉体を入れ、
これに自己ドープ型導電性高分子の溶液を配合し、吸収
膨潤させる自己ドープ型導電性高分子複合体成形体の製
造方法を開発することにより上記の目的を達成した。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明において、ブレンステッド
酸基とは、酸塩基反応においてプロトンを放出する能力
を有する官能基のことを言い、例えば、−ＳＯ₃ Ｈ、−
ＣＯ₂ Ｈ、ーＨ₂ ＰＯ₄ 等がある。ブレンステッド酸基
を有する自己ドープ型導電性高分子またはその塩の好ま
しい具体例として、下記一般式（１）〜（７）で表され
る化学構造のうち、少なくとも１つを繰り返し単位とし
て含む化合物を挙げることができる。

【化１】

【０００９】（式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ は、それぞれ独立に
Ｈ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ま
たは不飽和の炭化水素基、炭素数１乃至１０の直鎖状も
しくは分岐状の飽和または不飽和のアルコキシ基、水酸
基、ハロゲン原子、またはＳＯ₃ ^-Ｍ¹ 基を表し、Ｍ¹
は、Ｈ⁺ 、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニ
ウムイオンを表す。Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ が炭化水素基である時は
該炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基
により置換を受けている炭素原子と共に、少なくとも１
つ以上の飽和または不飽和の３〜７員環の炭化水素環状
構造を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成しても
よい。ｋはＸ¹ を構成員とする５員環と、（Ｂ¹ ）_a −
ＳＯ₃ ^- Ｍ¹ を有する芳香環の間に存在する縮合環の数
を表し、０乃至３の整数値である。また、Ｘ¹ はＳ、
Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ⁶ を表し、Ｒ⁶はＨ、水酸
基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基、または炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の
芳香族炭化水素基を表す。Ｂ¹ は炭素数１乃至１０の直
鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の二価の炭化水
素基であり、任意の位置にエーテル結合、カルボニル結
合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、アミド結
合、スルホンアミド結合、チオエーテル結合、スルホン
結合を含んでもよい。ａは０または１である。）

【００１０】

【化２】

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【００１１】（式中、Ｒ⁷ 〜Ｒ¹²は、それぞれ独立に、
Ｈ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和ま
たは不飽和の炭化水素基、炭素数１乃至１０の直鎖状も
しくは分岐状の飽和または不飽和のアルコキシ基、水酸
基、ハロゲン原子、ニトロ基、またはアミノ基を表し、
Ｍ² 〜Ｍ⁷ は、Ｈ⁺ 、アルカリ金属イオンまたは第４級
アンモニウムイオンを表す。また、Ｘ² はＳ、Ｏ、Ｓ
ｅ、ＴｅまたはＮＲ¹⁴を表し、Ｒ¹⁴はＨ、水酸基、炭素
数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ま
たは炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭
化水素基を表す。Ｂ² 〜Ｂ⁷ は炭素数１乃至１０の直鎖
状もしくは分岐状の飽和または不飽和の二価の炭化水素
基であり、任意の位置にエーテル結合、カルボニル結
合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、アミド結
合、スルホンアミド結合、チオエーテル結合、スルホン
結合を含んでもよい。ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは０また
は１である。）

【００１２】前記一般式（１）において、Ｒ¹ 、Ｒ² 、
Ｒ³ 、Ｒ⁴ およびＲ⁵ の好ましい具体例としては、Ｈ
（水素）、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。また、カチオンであるＭ¹ はＨ
⁺ 、Ｌｉ⁺ 、Ｎａ⁺ 、Ｋ⁺ 等のアルカリ金属イオン、Ｎ
Ｈ₄ ⁺または置換の第４級アンモニウムイオンである。好
ましい置換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ₃ ）
₃ ⁺、Ｎ（ＣＨ₃ ）₄ ⁺、ＮＨ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₃ ⁺、Ｎ（Ｃ₂ Ｈ
₅ ）₄ ⁺、Ｎ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₄ ⁺等が挙げられる。Ｘ¹ の有用
な具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、ＮＣＨ₃ で
ある。

【００１３】Ｂ¹ 〜Ｂ⁴ の好ましい具体例として、メチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，
１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレ
ン基、−Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ −、−Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ Ｏ（ＣＨ
₂ ）₂ −、−Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ Ｏ（Ｃ
Ｈ₂）₂ −、−Ｓ（ＣＨ₂ ）₂ −、−Ｓ（ＣＨ₂ ）₂ Ｓ
（ＣＨ₂ ）₂ −、−Ｓ（ＣＨ₂ ）₂ Ｓ（ＣＨ₂ ）₂ Ｓ
（ＣＨ₂ ）₂ −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ₂ −、−Ｃ（＝Ｏ）
ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₃ −、−Ｃ
（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₄ −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₅
−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ₂ −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（Ｃ
Ｈ₂ ）₂ −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₃ −、−ＮＨ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂）₄ −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
₂ ）₅ −、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ₂ −、−ＯＣ（＝Ｏ）
（ＣＨ₂ ）₂ −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₃ −、−Ｏ
Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₄ −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ
₂ ）₅ −、−（ＣＨ₂ ）₂ −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）
₂ −等が挙げられる。

【００１４】前記一般式（２）〜（７）において、Ｒ⁷
〜Ｒ¹³の好ましい具体例としては、Ｈ（水素）、メチル
基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げら
れる。また、カチオンであるＭ² 〜Ｍ⁷ はＨ⁺ 、Ｌｉ
⁺ 、Ｎａ⁺ 、Ｋ⁺ 等のアルカリ金属イオン、ＮＨ₄ ⁺また
は置換の第４級アンモニウムイオンである。好ましい置
換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ₃ ）₃ ⁺、Ｎ
（ＣＨ₃ ）₄ ⁺、ＮＨ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₃ ⁺、Ｎ（Ｃ₂
Ｈ₅）₄ ⁺、Ｎ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₄ ⁺等が挙げられる。Ｘ² の好
ましい具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、ＮＣＨ
₃ である。

【００１５】Ｂ⁵ 〜Ｂ⁷ の好ましい具体例として、メチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，
１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレ
ン基、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ₂ −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ₂ ＣＨ
₂ −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₃ −、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｃ
Ｈ₂ ）₄ −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₅ −、−（ＣＨ
₂ ）₂ −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ₂ ）₂ −等が挙げられる。

【００１６】一般式（１）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、５−スルホイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５−スルホメチルイソチアナフテン−１，
３−ジイル、５−（２’−スルホエチル）イソチアナフ
テン−１，３−ジイル、５−（３’−スルホプロピル）
イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（４’−スル
ホブチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
（５’−スルホペンチル）イソチアナフテン−１，３−
ジイル、５−（６’−スルホヘキシル）イソチアナフテ
ン−１，３−ジイル、５−（７’−スルホヘプチル）イ
ソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（８’−スルホ
オクチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−
（９’−スルホノニル）イソチアナフテン−１，３−ジ
イル、５−（１０’−スルホデシル）イソチアナフテン
−１，３−ジイル、５−スルホイソベンゾフラン−１，
３−ジイル、５−スルホメチルイソベンゾフラン−１，
３−ジイル、５−（２’−スルホエチル）イソベンゾフ
ラン−１，３−ジイル、５−（３’−スルホプロピル）
イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（４’−スル
ホブチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−
（５’−スルホペンチル）イソベンゾフラン−１，３−
ジイル、５−（６’−スルホヘキシル）イソベンゾフラ
ン−１，３−ジイル、５−（７’−スルホヘプチル）イ
ソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（８’−スルホ
オクチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−
（９’−スルホノニル）イソベンゾフラン−１，３−ジ
イル、５−（１０’−スルホデシル）イソベンゾフラン
−１，３−ジイル、５−スルホイソインドール−１，３
−ジイル、５−スルホメチルイソインドール−１，３−
ジイル、５−（２’−スルホエチル）イソインドール−
１，３−ジイル、５−（３’−スルホプロピル）イソイ
ンドール−１，３−ジイル、５−（４’−スルホブチ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（５’−ス
ルホペンチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−
（６’−スルホヘキシル）イソインドール−１，３−ジ
イル、５−（７’−スルホヘプチル）イソインドール−
１，３−ジイル、５−（８’−スルホオクチル）イソイ
ンドール−１，３−ジイル、５−（９’−スルホノニ
ル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（１０’−
スルホデシル）イソインドール−１，３−ジイル、６−
スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイ
ル、６−スルホメチルナフト［２，３−ｃ］チオフェン
−１，３−ジイル、６−（２’−スルホエチル）ナフト
［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−
（３’−スルホプロピル）ナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−１，３−ジイル、６−（４’−スルホブチル）ナ
フト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−
（５’−スルホペンチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−１，３−ジイル、６−（６’−スルホヘキシル）
ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６
−（７’−スルホヘプチル）ナフト［２，３−ｃ］チオ
フェン−１，３−ジイル、６−（８’−スルホオクチ
ル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイ
ル、６−（９’−スルホノニル）ナフト［２，３−ｃ］
チオフェン−１，３−ジイル、６−（１０’−スルホデ
シル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイ
ル等、もしくはそれらのリチウム塩、ナトリウム塩、ア
ンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニ
ウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウ
ム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニ
ウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルア
ンモニウム塩等を挙げることができる。

【００１７】一般式（２）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、３−スルホチオフェン−２，５−ジ
イル、４−メチル−３−スルホチオフェン−２，５−ジ
イル、４−エチル−３−スルホチオフェン−２，５−ジ
イル、４−プロピル−３−スルホチオフェン−２，５−
ジイル、４−ブチル−３−スルホチオフェン−２，５−
ジイル、４−ペンチル−３−スルホチオフェン−２，５
−ジイル、４−ヘキシル−３−スルホチオフェン−２，
５−ジイル、４−メトキシ−３−スルホチオフェン−
２，５−ジイル、４−エトキシ−３−スルホチオフェン
−２，５−ジイル、３−スルホメチルチオフェン−２，
５−ジイル、３−（２’−スルホエチル）チオフェン−
２，５−ジイル、３−（３’−スルホプロピル）チオフ
ェン−２，５−ジイル、３−（４’−スルホブチル）チ
オフェン−２，５−ジイル、３−（５’−スルホペンチ
ル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（６’−スルホ
ヘキシル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（７’−
スルホヘプチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−
（８’−スルホオクチル）チオフェン−２，５−ジイ
ル、３−（９’−スルホノニル）チオフェン−２，５−
ジイル、３−（１０’−スルホデシル）チオフェン−
２，５−ジイル、３−スルホフラン−２，５−ジイル、
４−メチル−３−スルホフラン−２，５−ジイル、４−
エチル−３−スルホフラン−２，５−ジイル、４−プロ
ピル−３−スルホフラン−２，５−ジイル、４−ブチル
−３−スルホフラン−２，５−ジイル、４−ペンチル−
３−スルホフラン−２，５−ジイル、４−ヘキシル−３
−スルホフラン−２，５−ジイル、４−メトキシ−３−
スルホフラン−２，５−ジイル、４−エトキシ−３−ス
ルホフラン−２，５−ジイル、３−スルホメチルフラン
−２，５−ジイル、３−（２’−スルホエチル）フラン
−２，５−ジイル、３−（３’−スルホプロピル）フラ
ン−２，５−ジイル、３−（４’−スルホブチル）フラ
ン−２，５−ジイル、３−（５’−スルホペンチル）フ
ラン−２，５−ジイル、３−（６’−スルホヘキシル）
フラン−２，５−ジイル、３−（７’−スルホヘプチ
ル）フラン−２，５−ジイル、３−（８’−スルホオク
チル）フラン−２，５−ジイル、３−（９’−スルホノ
ニル）フラン−２，５−ジイル、３−（１０’−スルホ
デシル）フラン−２，５−ジイル、３−スルホピロール
−２，５−ジイル、１−メチル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−メチル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−エチル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−プロピル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−ブチル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−ペンチル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−ヘキシル−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−メトキシ−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、４−エトキシ−３−スルホピロール−
２，５−ジイル、３−スルホメチルピロール−２，５−
ジイル、３−（２’−スルホエチル）ピロール−２，５
−ジイル、３−（３’−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル、３−（４’−スルホブチル）ピロール
−２，５−ジイル、３−（５’−スルホペンチル）ピロ
ール−２，５−ジイル、３−（６’−スルホヘキシル）
ピロール−２，５−ジイル、３−（７’−スルホヘプチ
ル）ピロール−２，５−ジイル、３−（８’−スルホオ
クチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（９’−スル
ホノニル）ピロール−２，５−ジイル、３−（１０’−
スルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくは
そのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチ
ルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルア
ンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルア
ンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチ
ルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等を挙
げることができる。

【００１８】一般式（３）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、２−スルホ−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−スルホメチル−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（２’−スルホエチル）−１，４−フェニレン
ビニレン、２−（３’−スルホプロピル）−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（４’−スルホブチル）−１，
４−フェニレンビニレン、２−（５’−スルホペンチ
ル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（６’−スル
ホヘキシル）−１，４−フェニレンビニレン、２−
（７’−スルホヘプチル）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（８’−スルホオクチル）−１，４−フェニレ
ンビニレン、２−（９’−スルホノニル）−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（１０’−スルホデシル）−
１，４−フェニレンビニレン、２−スルホメトキシ−
１，４−フェニレンビニレン、２−（２’−スルホエト
キシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（３’−ス
ルホプロポキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−
（４’−スルホブトキシ）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−（５’−スルホペンチルオキシ）−１，４−フ
ェニレンビニレン、２−（６’−スルホヘキシルオキ
シ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（７’−スル
ホヘプチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２
−（８’−スルホオクチルオキシ）−１，４−フェニレ
ンビニレン、２−（９’−スルホノニルオキシ）−１，
４−フェニレンビニレン、２−（１０’−スルホデシル
オキシ）−１，４−フェニレンビニレン、５−メチル−
２−スルホ−１，４−フェニレンビニレン、６−メチル
−２−スルホ−１，４−フェニレンビニレン、５−エチ
ル−２−スルホ−１，４−フェニレンビニレン、５−ヘ
キシル−２−スルホ−１，４−フェニレンビニレン、５
−メトキシ−２−スルホ−１，４−フェニレンビニレ
ン、５−エトキシ−２−スルホ−１，４−フェニレンビ
ニレン、２−メチル−５−（２’−スルホエチル）−
１，４−フェニレンビニレン、２−メトキシ−５−
（２’−スルホエチル）−１，４−フェニレンビニレ
ン、２−メチル−５−（３’−スルホプロピル）−１，
４−フェニレンビニレン、２−メトキシ−５−（３’−
スルホプロピル）−１，４−フェニレンビニレン、２−
メチル−５−（２’−スルホエトキシ）−１，４−フェ
ニレンビニレン、２−メトキシ−５−（２’−スルホエ
トキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−メチル−
５−（３’−スルホプロポキシ）−１，４−フェニレン
ビニレン、２−メトキシ−５−（３’−スルホプロポキ
シ）−１，４−フェニレンビニレン等、もしくはそのリ
チウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアン
モニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニ
ウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアン
モニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等を挙げるこ
とができる。

【００１９】一般式（４）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、２−スルホ−１，４−イミノフェニ
レン、２−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、
２−（２’−スルホエチル）−１，４−イミノフェニレ
ン、２−（３’−スルホプロピル）−１，４−イミノフ
ェニレン、２−（４’−スルホブチル）−１，４−イミ
ノフェニレン、２−（５’−スルホペンチル）−１，４
−イミノフェニレン、２−（６’−スルホヘキシル）−
１，４−イミノフェニレン、２−（７’−スルホヘプチ
ル）−１，４−イミノフェニレン、２−（８’−スルホ
オクチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（９’−
スルホノニル）−１，４−イミノフェニレン、２−（１
０’−スルホデシル）−１，４−イミノフェニレン、３
−メチル−２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、５
−メチル−２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、６
−メチル−２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、５
−エチル−２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、５
−ヘキシル−２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、
５−メトキシ−２−スルホ−１，４−イミノフェニレ
ン、５−エトキシ−２−スルホ−１，４−イミノフェニ
レン、２−スルホ−Ｎ−メチル−１，４−イミノフェニ
レン、２−スルホ−Ｎ−エチル−１，４−イミノフェニ
レン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アン
モニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウ
ム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム
塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウ
ム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアン
モニウム塩等を挙げることができる。

【００２０】一般式（５）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノ
フェニレン、Ｎ−（２’−スルホエチル）−１，４−イ
ミノフェニレン、Ｎ−（３’−スルホプロピル）−１，
４−イミノフェニレン、Ｎ−（４’−スルホブチル）−
１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（５’−スルホペンチ
ル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（６’−スルホ
ヘキシル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（７’−
スルホヘプチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−
（８’−スルホオクチル）−１，４−イミノフェニレ
ン、Ｎ−（９’−スルホノニル）−１，４−イミノフェ
ニレン、Ｎ−（１０’−スルホデシル）−１，４−イミ
ノフェニレン、２−メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４
−イミノフェニレン、３−メチル−Ｎ−スルホメチル−
１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメチル−Ｎ−ス
ルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメ
チル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、
２，６−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノ
フェニレン、２−メトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４
−イミノフェニレン、２，５−ジメトキシ−Ｎ−スルホ
メチル−１，４−イミノフェニレン等、もしくはそのリ
チウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアン
モニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニ
ウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアン
モニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等を挙げるこ
とができる。

【００２１】一般式（６）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、１−スルホメチルピロール−２，５
−ジイル、１−（２’−スルホエチル）ピロール−２，
５−ジイル、１−（３’−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル、１−（４’−スルホブチル）ピロール
−２，５−ジイル、１−（５’−スルホペンチル）ピロ
ール−２，５−ジイル、１−（６’−スルホヘキシル）
ピロール−２，５−ジイル、１−（７’−スルホヘプチ
ル）ピロール−２，５−ジイル、１−（８’−スルホオ
クチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（９’−スル
ホノニル）ピロール−２，５−ジイル、１−（１０’−
スルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくは
そのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチ
ルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルア
ンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルア
ンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチ
ルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等を挙
げることができる。

【００２２】一般式（７）で表される化学構造の好まし
い具体例としては、９−スルホメチルカルバゾール−
２，７−ジイル、９−（２’−スルホエチル）カルバゾ
ール−２，７−ジイル、９−（３’−スルホプロピル）
カルバゾール−２，７−ジイル、９−（４’−スルホブ
チル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（５’−ス
ルホペンチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−
（６’−スルホヘキシル）カルバゾール−２，７−ジイ
ル、９−（７’−スルホヘプチル）カルバゾール−２，
７−ジイル、９−（８’−スルホオクチル）カルバゾー
ル−２，７−ジイル、９−（９’−スルホノニル）カル
バゾール−２，７−ジイル、９−（１０’−スルホデシ
ル）カルバゾール−２，７−ジイル等、もしくはそのリ
チウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアン
モニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニ
ウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアン
モニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等を挙げるこ
とができる。

【００２３】前記、分子内にドーパント能を持つブレン
ステッド酸基を有する自己ドープ型導電性高分子として
より好ましくは、一般式（１）〜（７）で表される自己
ドープ型導電性高分子のミクロゲルを含む分散体が挙げ
られる。一般式（１）〜（７）で表される化学構造は、
通常、重合体の全繰り返し単位の１００モル％〜５モル
％、好ましくは１００モル％〜３０モル％、更に好まし
くは１００モル％〜５０モル％の範囲であり、これらの
化学構造のうちの少なくとも２種を含む共重合体であっ
てもよい。また、他のπ共役系化学構造からなる繰り返
し単位を含む共重合体であってもよく、２種〜５種の繰
り返し単位からなる共重合体組成であってもよい。上記
の一般式（１）〜（７）で表される化学構造以外のπ共
役系化学構造の具体例としては、フェニレン、ピロリレ
ン、チエニレン、ビニレン、アセチレン、イミノフェニ
レン、イソチアナフテニレン、フリレン、カルバゾリレ
ンおよびそれらの置換誘導体二価基が挙げられるが、こ
れらに限定されず重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る
化学構造であればよい。なお、本発明において、「繰り
返し単位を含む共重合体」とは、必ずしもその単位を連
続して含む共重合体に限定されず、π共役系主鎖に基づ
く所望の導電性が発現される限りにおいてランダムコポ
リマーのように不規則、不連続に含む場合も包含してい
る。

【００２４】本発明に用いられる自己ドープ型導電性高
分子の分子量は、構成する繰り返し単位の化学構造によ
って異なるため一概に規定することはできないが、本発
明の目的に適うものであればよく特に限定されない。通
常、主鎖を構成する繰り返し単位数（重合度）によって
表せば、通常、５〜２０００、好ましくは１０〜１００
０の範囲の重合度のものが挙げられる。

【００２５】本発明に用いられるブレンステッド酸基を
有するπ共役系導電性高分子の特に好ましい具体例とし
て、 ｉ）一般式（１）で表される化学構造の一例である５−
スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルの重合体、お
よび／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニ
ウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 ii）一般式（１）で表される化学構造の一例である５−
スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルを８０モル％
以上含有するランダムコポリマー、ポリ（５−スルホイ
ソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナフ
テン−１，３−ジイル）、および／またはそのリチウム
塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモ
ニウム塩、 iii ）一般式（２）で表される化学構造の一例である３
−（３’−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイ
ルの重合体、および／またはそのリチウム塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、 iv）一般式（４）で表される化学構造の一例である２−
スルホ−１，４−イミノフェニレンを５０モル％以上含
有するランダムコポリマー、ポリ（２−スルホ−１，４
−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレ
ン）、および／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、
アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げるこ
とができる。

【００２６】本発明にかかわるＮ−ビニルカルボン酸ア
ミド系ポリマーは、一般式（８）

【化８】 （式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は互いに独立して水素、メチル基、
エチル基、プロピル基またはイソプロピル基を表す）で
表されるＮ−ビニルカルボン酸アミドを主成分とする単
量体から得られる高分子である。一般式（８）で表され
るＮ−ビニルカルボン酸アミドとしてより具体的には、
Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ
−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミドおよびＮ−メチル−
Ｎ−ビニルアセトアミド等が挙げられ、この中で特に好
ましくはＮ−ビニルアセトアミドである。また、Ｎ−ビ
ニルカルボン酸アミド系ポリマーは、アクリル酸の繰り
返し構造単位を１〜５０モル％含む共重合体もしくはア
クリル酸アルカリ金属塩を含む共重合体であってもよ
い。

【００２７】本発明にかかわるＮ−ビニルカルボン酸ア
ミド系ポリマーとしてのＮ−ビニルカルボン酸アミド系
重合体またはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸
との共重合体の分子量は、目的とする導電性高分子複合
体の形状によって異なるために一概に規定できないが、
１, ０００〜５, ０００, ０００が好ましく、より好ま
しくは１０, ０００〜４, ０００, ０００が望ましい。
またＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーとしては、
架橋剤の存在下に重合して得られた、架橋構造を有する
Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系重合体または架橋構造を
有するＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸との共
重合体であってもよい。本発明の導電性高分子複合体に
おいて、均一な溶液もしくはエマルジョンとして使用す
る場合には、架橋構造のない、もしくは架橋構造の少な
い可溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミド系重合体または
Ｎ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸との共重合体
が好ましく、より機械的強度の要求される場合において
は、架橋密度の高い不溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミ
ド系重合体またはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリ
ル酸との共重合体の使用が望ましい。さらに可溶性のＮ
−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸との共重合体
と、不溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミド系重合体また
は不溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸と
の共重合体とを混合して用いることもできる。

【００２８】本発明の導電性高分子複合体の製造にかか
わる溶媒としては、自己ドープ型導電性高分子と、Ｎ−
ビニルカルボン酸アミド系ポリマーまたはＮ−ビニルカ
ルボン酸アミドとアクリル酸もしくはアクリル酸アルカ
リ金属塩との共重合体との双方を溶解する溶媒であれば
特に制限されるものではない。また自己ドープ型導電性
高分子を溶解する溶媒とＮ−ビニルカルボン酸アミド系
ポリマーまたはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル
酸もしくはそのアルカリ金属塩との共重合体を溶解する
異なる溶媒との混合溶媒でもよい。なお、不溶性のＮ−
ビニルカルボン酸アミド系ポリマーまたはＮ−ビニルカ
ルボン酸アミドとアクリル酸もしくはそのアルカリ金属
塩との共重合体を使用する場合は、自己ドープ型導電性
高分子を溶解する溶媒が不溶性のＮ−ビニルカルボン酸
アミド系ポリマーまたはＮ−ビニルカルボン酸アミドと
アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩との共重合体を
膨潤させ得る溶媒であれば特に制限されるものではな
い。

【００２９】より具体的には、水；メタノール、エタノ
ール、プロピルアルコール、イソプロパノール、アリル
アルコール、イソアミルアルコール、イソブチルアルコ
ール、ベンジルアルコール、フェノール等の一価アルコ
ール；エチレングリコール、トリメチレングリコール、
１, ３−ブチレングリコール、プロピレングリコール等
の二価アルコール；グリセリン等の三価アルコール；エ
チレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの炭
酸エステル類；クロロホルム、塩化メチレン等の塩素化
炭化水素；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類；１, ４−ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエー
テル類；アセトニトリル等のニトリル類；ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルアセトアミド等のアミド類；酢酸等の有
機酸；ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン等が挙げられ、より好ましくは、水または水と前記
有機溶媒との混合溶媒が好ましい。

【００３０】以下、本発明の導電性高分子複合体を製造
する方法について述べる。Ｎ−ビニルカルボン酸アミド
系ポリマーには、水等に可溶性で直鎖構造を有するＮ−
ビニルカルボン酸アミド系重合体と架橋構造を有する不
溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミド系重合体が知られて
おり、更に同様に可溶性および不溶性のＮ−ビニルカル
ボン酸アミドとアクリル酸との共重合体が知られてい
る。

【００３１】導電性高分子複合体は、混合順序は自由で
あるが、例えば自己ドープ型導電性高分子を溶解した溶
液に、可溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミド系重合体ま
たはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸との共重
合体を前記溶媒に溶解した溶液を撹拌しながらゆっくり
と添加することによって製造される。この得られた導電
性高分子複合体の溶液は回転塗布、流延塗布、ロール塗
布、スプレー塗布、浸漬塗布、グラビア塗布等の方法に
よって、基材表面に塗布して薄い塗膜とするかあるいは
このようにして得た塗膜を剥離してフィルムとすること
ができる。

【００３２】更に、可溶性のＮ−ビニルカルボン酸アミ
ド系重合体またはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリ
ル酸との共重合体は、増粘作用があることが知られてい
るが、自己ドープ型導電性高分子を添加することによっ
て特異的にＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーの増
粘性が増強されることから、Ｎ−ビニルカルボン酸アミ
ド系重合体またはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリ
ル酸との共重合体と自己ドープ型導電性高分子とよりな
る導電性高分子複合体は容易に高分子ゲル状態もしくは
半固体状態にすることができる。この増粘性が増強され
る特徴により、少量のＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポ
リマーを添加するだけで、効果的に自己ドープ型導電性
高分子にＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーの機械
的強度を付与できる。また、Ｎ−ビニルカルボン酸アミ
ド系重合体溶液またはＮ−ビニルカルボン酸アミドとア
クリル酸との共重合体水溶液の粘度は、ｐＨによって影
響を受けるが、自己ドープ型導電性高分子との導電性高
分子複合体とすることによってもその増粘性はｐＨの影
響を受けなくなる。

【００３３】これらの相乗効果によって、従来増粘性を
期待するに必要とされてきたＮ−ビニルカルボン酸アミ
ド系ポリマーの添加量を顕著に低減できることから、経
済性が向上するとともに、種々の形状に加工可能な導電
性ゲル複合体として利用できる。また架橋構造を有しミ
クロゲル構造を溶媒中で形成するＮ−ビニルカルボン酸
アミド系ポリマーも均一分散体もしくは導電性ゲル複合
体として利用できる。一方、架橋密度が高くもはや溶媒
に不溶となったＮ−ビニルカルボン酸アミド系重合体ま
たはＮ−ビニルカルボン酸アミドとアクリル酸との共重
合体の粉体もしくは成形体に、自己ドープ型導電性高分
子の溶液を吸液させることによって任意の形状の導電性
ゲル複合体を製造することができる。すなわち予め所望
の形状の型材（容器）を用意し、その中にＮ−ビニルカ
ルボン酸アミド系重合体もしくはＮ−ビニルカルボン酸
アミドとアクリル酸との共重合体の粉体を配し、自己ド
ープ型導電性高分子の溶液を添加吸液させ膨潤させるこ
とによって、容器の形状を正確に再現した形状の導電性
ゲル複合体を製造することができる。

【００３４】

【実施例】以下に本発明について実施例および比較例を
用いて具体的に説明するが、これらは説明のための単な
る例示であって、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 （自己ドープ型導電性高分子の製造） （１）ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジ
イル）、（２）ポリ（５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル）のアンモニウム塩、（３）共重合体で
あるポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジイル）（８０
モル％：２０モル％）は、特開平７−４８４３６号公報
で開示されている方法に従って合成した。 （４）ポリ（３−（２’−スルホエチル）チオフェン−
２，５−ジイル）および （５）ポリ（３−（４’−スルホブチル）チオフェン−
２，５−ジイル））は、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａ
ｌｓ誌、３０巻、１９８９年、３０５−３１９頁記載の
方法に従って合成した。（６）ポリ（３−（３’−スル
ホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル）は、Ｊ．Ｃ
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．誌、１９
９０年、１６９４−１６９５頁記載の方法に従って合成
した。

【００３５】（７）ポリ（３−（３’−スルホプロピ
ル）ピロール−２，５−ジイル）および （８）ポリ（３−（４’−スルホブチル）ピロール−
２，５−ジイル）はＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ誌、１巻、６５０〜６５９頁記載の方法で
合成したポリ（３−（３’−スルホプロピル）ピロール
−２，５−ジイル）およびポリ（３−（４’−スルホブ
チル）ピロール−２，５−ジイル）のナトリウム塩をカ
チオン型イオン交換樹脂によりＨ形ポリマーに変換して
調製した。 （９）ポリ（２−メトキシ−３−（３’−スルホプロポ
キシ）−１，４−フェニレンビニレン）はＵＳ特許５３
６７０４１号記載の方法で製造した。共重合体である
（１０）ポリ（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン
−ｃｏ−１，４−イミノフェニレン）（５０モル％：５
０モル％）は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．誌、１１
２巻、２８００−２８０１頁（１９９０年）記載の方法
に従って合成した。 （１１）ポリ（Ｎ−（３’−スルホプロピル）−１，４
−イミノフェニレン）は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃ
ｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．誌、１９９０年、１８０−１８
２頁記載の方法に従って合成したポリ（Ｎ−（３’−ス
ルホプロピル）−１，４−イミノフェニレン）のナトリ
ウム塩をカチオン型イオン交換樹脂によりＨ形ポリマー
に変換して調製した。 （１２）ポリ（Ｎ−（３’−スルホプロピル）ピロール
−２，５−ジイル）は特開平５ー１１７３７３号公報記
載の方法で合成したポリ（Ｎ−（３’−スルホプロピ
ル）ピロール−２，５−ジイル）のナトリウム塩をカチ
オン型イオン交換樹脂によりＨ形ポリマーに変換して調
製した。 （１３）ポリ（９−（３’−スルホプロピル）カルバゾ
ール−２，７−ジイル）は、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．誌１９９０年１３７巻１８０−１８２頁記
載の方法に従って合成したポリ（９−（３’−スルホプ
ロピル）カルバゾール−２，７−ジイル）のナトリウム
塩をカチオン型イオン交換樹脂によりＨ形ポリマーに変
換して調製した。

【００３６】（実施例１）可溶性のポリ（Ｎ−ビニルア
セトアミド） ＧＥー１９１（昭和電工（株）製）の
０. ９％（ｗ／ｗ）の水溶液０. ５ｇを４. ７ｇの蒸留
水で希釈した後、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル）の０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液９. ８
ｇを撹拌しながら混合したところ導電性高分子複合体の
均一な水溶液が得られた。Ｂ型回転粘度計ＢＬロータ
（回転数３０ｒｐｍ、温度２０℃）で粘度を測定したと
ころ３０ｃｐｓであった。上記の複合体水溶液中のポリ
（Ｎ−ビニルアセトアミド）の濃度は０. ０１％（ｗ／
ｗ）であり、この溶液粘度は０.５％（ｗ／ｗ）に相当
する。前記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス
基板にスピン塗布することによってガラス表面に導電性
高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗
値を調べたところ、２. ９×１０⁵ Ω／□であった。ま
た、図１に示す本塗布膜の可視近赤外吸光スペクトルに
よれば導電性高分子複合体に含まれる自己ドープ型導電
性高分子は脱ドーピングしていなかった。

【００３７】（実施例２）可溶性のポリ（Ｎ−ビニルア
セトアミド） ＧＥ−１９１（昭和電工（株）製）の
０. ９％（ｗ／ｗ）の水溶液５. ０ｇとポリ（５−スル
ホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の０. ９２％
（ｗ／ｗ）水溶液９. ８ｇを撹拌しながら混合したとこ
ろ流動性のないゼリー状の高分子ゲル複合体が得られ
た。高分子ゲル複合体のイオン伝導度は１．３×１０^-5
Ｓ／ｃｍであった。

【００３８】（実施例３）可溶性のＮ−ビニルアセトア
ミドとアクリル酸ナトリウムとの共重合体 ＧＥ−１６
７（昭和電工（株）製）の０. ４５％（ｗ／ｗ）の水溶
液０. ５ｇを４.７ｇの蒸留水で希釈した後、ポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の０. ９
２％（ｗ／ｗ）水溶液９. ８ｇを撹拌しながら混合した
ところ均一な水溶液が得られた。Ｂ型回転粘度計ＢＬロ
ータ（回転数３０ｒｐｍ、温度２０℃）で粘度を測定し
たところ１５００ｃｐｓであった。上記の複合体水溶液
中のポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）の濃度は０. ００
５％（ｗ／ｗ）であり、この溶液粘度は０. ５％（ｗ／
ｗ）に相当した。前記、導電性高分子複合体水溶液３ｍ
ｌをガラス基板にスピン塗布することによってガラス表
面に導電性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後そ
の表面抵抗値を調べたところ、３. ５×１０⁵ Ω／□で
あった。

【００３９】（実施例４）不溶性のポリ（Ｎ−ビニルア
セトアミド） ＮＡ−０１０（昭和電工（株）製）の白
色粉末０. １ｇに（ポリ（５−スルホイソチアナフテン
−１，３−ジイル）の０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液１
０. ０ｇを加えたところポリ（Ｎ−ビニルアセトアミ
ド）は自己ドープ型導電性高分子の水溶液を吸収し暗青
色の透明な高分子ゲルが得られた。高分子ゲル複合体の
イオン伝導度は１．２×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【００４０】（実施例５）不溶性のポリ（Ｎ−ビニルア
セトアミド） ＮＡ−０１０（昭和電工（株）製）の白
色粉末５０ｍｇを１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍのガラス容器
に入れた中にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，
３−ジイル）の０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液５. ０ｇを
加えたところポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）は自己ド
ープ型導電性高分子の水溶液を吸収し膨潤しガラス容器
と同一の形状を有する暗青色の透明な高分子ゲルが得ら
れた。高分子ゲル複合体のイオン伝導度は１．２×１０
^-5Ｓ／ｃｍであった。

【００４１】（実施例６）実施例１において、ポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わり
にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイ
ル）の水溶液に、１Ｎ−アンモニア水を加えてｐＨを
５．０に調整し、スルホン酸基のＨ⁺ の一部をＮＨ₄ ⁺に
交換して調製したポリ（５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル）のアンモニウム塩を用いた以外は実施
例１と同様にして均一な導電性高分子複合体の水溶液を
得た。上記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス
基板にスピン塗布することによってガラス表面に導電性
高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗
値を調べたところ、３. ４×１０⁵ Ω／□であった。本
塗布膜の可視近赤外吸光スペクトルは実施例１と同様に
脱ドーピングしていなかった。

【００４２】（実施例７）実施例１において、ポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わり
に共重合体であるポリ（５−スルホイソチアナフテン−
１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジ
イル）（８０モル％：２０モル％）を用いた以外は実施
例１と同様にして均一な導電性高分子複合体の水溶液を
得た。上記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス
基板にスピン塗布することによってガラス表面に導電性
高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗
値を調べたところ、２. １×１０⁵ Ω／□であった。

【００４３】（実施例８）実施例１において、ポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わり
にポリ（３−（２’−スルホエチル）チオフェン−２，
５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして均一
な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電性高
分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布する
ことによってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜が得
られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたところ、
１．５×１０⁶ Ω／□であった。また、図２に示した本
塗布膜の可視近赤外吸光スペクトルによれば導電性高分
子複合体に含まれる自己ドープ型導電性高分子は脱ドー
ピングしていなかった。

【００４４】（実施例９）実施例１において、ポリ（５
−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わり
にポリ（３−（４’−スルホブチル）チオフェン−２，
５−ジイル））を用いた以外は実施例１と同様にして均
一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電性
高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布す
ることによってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜が
得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたところ、
１．４×１０⁶ Ω／□であった。本塗布膜の可視近赤外
吸光スペクトルは実施例８と同様に脱ドーピングしてい
なかった。

【００４５】（実施例１０）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（３−（３’−スルホプロピル）チオフェン
−２，５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にし
て均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導
電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗
布することによってガラス表面に導電性高分子複合体薄
膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたとこ
ろ、１. ６×１０⁶ Ω／□であった。本塗布膜の可視近
赤外吸光スペクトルは実施例８と同様に脱ドーピングし
ていなかった。

【００４６】（実施例１１）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（３−（３’−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして
均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電
性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布
することによってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜
が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたとこ
ろ、２. ９×１０⁶ Ω／□であった。

【００４７】（実施例１２）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（３−（４’−スルホブチル）ピロール−
２，５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして
均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電
性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布
することによってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜
が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたとこ
ろ、３. ５×１０⁶ Ω／□であった。

【００４８】（実施例１３）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（２−メトキシ−３−（３’−スルホプロピ
ル）−１，４−フェニレンビニレン）を用いた以外は実
施例１と同様にして均一な導電性高分子複合体の水溶液
を得た。上記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラ
ス基板にスピン塗布することによってガラス表面に導電
性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵
抗値を調べたところ、４．４×１０⁵ Ω／□であった。

【００４９】（実施例１４）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−
ｃｏ−１，４−イミノフェニレン）（５０モル％：５０
モル％）を用いた以外は実施例１と同様にして均一な導
電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電性高分子
複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布すること
によってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜が得られ
た。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたところ、１．８
×１０⁶ Ω／□であった。

【００５０】（実施例１５）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（Ｎ−（３’−スルホプロピル）−１，４−
イミノフェニレン）を用いた以外は実施例１と同様にし
て均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導
電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗
布することによってガラス表面に導電性高分子複合体薄
膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたとこ
ろ、５．０×１０⁶ Ω／□であった。

【００５１】（実施例１６）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりにポリ（Ｎ−（３’−スルホプロピル）ピロール−
２，５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして
均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上記、導電
性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布
することによってガラス表面に導電性高分子複合体薄膜
が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたとこ
ろ、５. ５×１０⁶ Ω／□であった。

【００５２】（実施例１７）実施例１において、ポリ
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代
わりに、ポリ（９−（３’−スルホプロピル）カルバゾ
ール−２，７−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様
にして均一な導電性高分子複合体の水溶液を得た。上
記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラス基板にス
ピン塗布することによってガラス表面に導電性高分子複
合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べ
たところ、６．３×１０⁶ Ω／□であった。

【００５３】（実施例１８）実施例１の方法で調製した
導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをポリエチレンテレフ
タレートフィルム（サイズ：１０ｃｍ×１０ｃｍ×１０
０μｍ）にバーコート塗布することによって表面に導電
性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵
抗値を調べたところ、２. ６×１０⁵ Ω／□であった。

【００５４】（実施例１９） ［ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル
−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジイル）（７５モ
ル％：２５モル％）の化学構造を有するミクロゲル分散
体とポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）の導電性高分子複
合体の製造方法］特開平８−３１５６号公報に開示され
ている方法に従い製造した、１，３−ジヒドロイソチア
ナフテン−５−スルホン酸ナトリウム１．４ｇと塩化第
二鉄８．０ｇとの混合物中に、水１. ０ｇ、１，４−ジ
オキサン２．０ｇおよび１，３−ジヒドロイソチアナフ
テン０. ３４ｇの混合物を激しく振盪して加え撹拌し
た。３０分後に得られた黒色の反応混合物を、水２００
ｍｌ、およびアセトン４０ｍｌでよく洗い、乾燥して
１．７ｇの黒色粉末を得た。この黒色粉末を１００ｍｌ
の０．１Ｎ ＮａＯＨに良く撹拌しながら溶解し、沈殿
物を除去した後、酸型のイオン交換樹脂でイオン交換す
ることによって目的とする導電性高分子を含むミクロゲ
ル水分散体（ｐＨ＝１．９）を得た。ミクロゲル分散体
の導電性高分子水溶液を蒸発乾固し、得られたポリマー
固体を分取、そして中和滴定により共重合体の一般式
（１）中のスルホン酸置換した構造単位のモル分率を求
めた。その結果、０．６５（６５モル％）であった。

【００５５】更に、他の物性として重量平均分子量は７
７００、電気伝導度は２Ｓ／ｃｍであった。ミクロゲル
分散系水溶液を０．１μｍと０．２μｍの孔径を有する
メンブランフィルターで各々濾過することで、０．１〜
０．２μｍのミクロゲルの存在割合を求めたところ、そ
の存在率は７３％であった。上記、ミクロゲル分散系水
溶液を実施例１の（５−スルホイソチアナフテン−１，
３−ジイル）の０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液の代わりに
用いた以外は実施例１と同様にして均一な導電性高分子
複合体の水溶液を得た。上記、導電性高分子複合体水溶
液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布することによってガ
ラス表面に導電性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作
成後その表面抵抗値を調べたところ、１. ２×１０⁵ Ω
／□であった。

【００５６】（実施例２０） ［ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル
−ｃｏ−５’ーメトキシイソチアナフテン−１，３−ジ
イル）（７９モル％：２１モル％）の化学構造を有する
ミクロゲル分散体とポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）と
の導電性高分子複合体の製造方法］１，３−ジヒドロイ
ソチアナフテン−５−スルホン酸ナトリウム９．０ｇと
塩化第二鉄４０．０ｇとの混合物中に、水５. ０ｇ、
１，４−ジオキサン１０．０ｇおよび５−メトキシ−
１，３−ジヒドロイソチアナフテン０. ７０ｇの混合物
を激しく振盪して加え撹拌した。３０分後に得られた黒
色の反応混合物を、水１０００ｍｌで良く洗い不溶物を
５００ｍｌの０．１Ｎ ＮａＯＨに良く撹拌しながら溶
解した。続いて沈殿物を除去した後、酸型のイオン交換
樹脂でイオン交換することによって目的とする導電性高
分子を含む水分散体（ｐＨ＝１．９）を得た。実施例１
と同様の方法で測定した共重合体の一般式（Ｉ）で示さ
れるスルホン酸置換構造単位のモル分率は０．７９（７
９モル％）であった。その他の物性として、重量平均分
子量は７６００、電気伝導度は１. ８Ｓ／ｃｍであっ
た。実施例１と同様の方法で０．１〜０．２μｍのミク
ロゲルの存在割合を求めたところその存在率は４８％で
あった。上記、ミクロゲル分散系水溶液を実施例１の
（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の
０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液の代わりに用いた以外は実
施例１と同様にして均一な導電性高分子複合体の水溶液
を得た。上記、導電性高分子複合体水溶液３ｍｌをガラ
ス基板にスピン塗布することによってガラス表面に導電
性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵
抗値を調べたところ、１. ５×１０⁵ Ω／□であった。

【００５７】（実施例２１） ［ポリ（３−（３’−スルホプロピル）チオフェン−
２，５−ジイル−ｃｏ−チオフェン−２, ５ージイル）
の化学構造を有するミクロゲル分散体とポリ（Ｎ−ビニ
ルアセトアミド）との導電性高分子複合体の製造方法］
３−（３’−チエニル）−プロパンスルホン酸ナトリウ
ム８．０ｇと塩化第二鉄４０．０ｇとの混合物中に、水
５. ０ｇ、１，４−ジオキサン１０．０ｇおよびチオフ
ェン０. ７４ｇの混合物を激しく振盪して加え撹拌し
た。３０分後に得られた黒色の反応混合物を、水１００
０ｍｌでよく洗い不溶物を５００ｍｌの０．１Ｎ−Ｎａ
ＯＨに良く撹拌しながら溶解した。続いて沈殿物を除去
した後、酸型のイオン交換樹脂でイオン交換することに
よって目的とする導電性高分子を含む水分散体（ｐＨ＝
１．９）を得た。実施例１と同様の方法で測定した共重
合体のスルホン酸置換構造単位のモル分率は０．７５
（７５モル％）であった。その他の物性として、重量平
均分子量は９２００、電気伝導度は１．５Ｓ／ｃｍであ
った。実施例１と同様の膜濾過分別による方法で０．１
〜０．２μｍのミクロゲルの存在割合を求めたところそ
の存在率は３２％であった。上記、ミクロゲル分散系水
溶液を実施例１の（５−スルホイソチアナフテン−１，
３−ジイル）の０. ９２％（ｗ／ｗ）水溶液の代わりに
用いた以外は実施例１と同様にして均一な導電性高分子
複合体の水溶液を得た。上記、導電性高分子複合体水溶
液３ｍｌをガラス基板にスピン塗布することによってガ
ラス表面に導電性高分子複合体薄膜が得られた。塗膜作
成後その表面抵抗値を調べたところ、１. ０×１０⁶ Ω
／□であった。

【００５８】（比較例１）実施例１における可溶性のポ
リ（Ｎ−ビニルアセトアミド） ＧＥ−１９１（昭和電
工（株）製）の０. ９％（ｗ／ｗ）の水溶液０. ５ｇの
代わりに蒸留水０. ５ｇを用いること以外は実施例１と
同様の操作を行い導電性高分子水溶液が得られた。前
記、導電性高分子水溶液３ｍｌをガラス基板にスピン塗
布することによってガラス表面に導電性高分子の薄膜が
得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を調べたところ、
２. ５×１０⁵ Ω／□であった。本塗布膜の可視近赤外
吸光スペクトルを図３に示す。

【００５９】（比較例２）実施例１における可溶性のポ
リ（Ｎ−ビニルアセトアミド） ＧＥ−１９１（昭和電
工（株）製）の代わりに、ポリビニルアルコール（和光
純薬（株）製）を用いること以外は実施例１と同様の操
作を行い導電性高分子の複合体水溶液が得られた。前
記、導電性高分子の複合体水溶液３ｍｌをガラス基板に
スピン塗布することによってガラス表面に導電性高分子
複合体の薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を
調べたところ、３. ５×１０⁹ Ω／□であった。また、
図４に示す本塗布膜の可視近赤外吸光スペクトルによれ
ば導電性高分子複合体に含まれる自己ドープ型導電性高
分子は脱ドーピングしていた。

【００６０】（比較例３）実施例８における可溶性のポ
リ（Ｎ−ビニルアセトアミド） ＧＥ−１９１（昭和電
工（株）製）の代わりに、ポリビニルアルコール（和光
純薬（株）製）を用いること以外は実施例８と同様の操
作を行い導電性高分子の複合体水溶液が得られた。前
記、導電性高分子の複合体水溶液３ｍｌをガラス基板に
スピン塗布することによってガラス表面に導電性高分子
複合体の薄膜が得られた。塗膜作成後その表面抵抗値を
調べたところ、１. ５×１０¹⁰Ω／□であった。また、
図５に示す本塗布膜の可視近赤外吸光スペクトルによれ
ば導電性高分子複合体に含まれる自己ドープ型導電性高
分子は脱ドーピングしていた。水溶液のｐＨは、ガラス
電極式水素イオン濃度計ｐＨ ＭＥＴＥＲ Ｆ−１３
（（株）堀場製作所製）にて測定した。また塗布膜の表
面抵抗は、スピンナー１Ｈ−ＩＩＩ（協栄セミコンダク
ター（株）製）を用いて、水溶液をガラス基板に１５０
０ｒｐｍで回転塗布し、膜厚０．０２μｍの導電性被膜
を作製し、この塗布膜の表面抵抗を表面抵抗測定器メガ
レスタＭＯＤＥＬ ＨＴ−３０１（シシド静電気（株）
製）にて測定した値である。溶液の粘度はＢ型回転粘度
計ＢＬロータ（トキメック（株）製）を使用した。高分
子ゲル複合体のイオン伝導性は、ＦＲＥＱＥＮＣＹ Ｒ
ＥＳＰＯＮＳＥ ＡＮＡＬＹＺＥＲ ５０２０（ＨＦ
エレクトロニック インスツルメント（株）社製）とポ
テンシオガルバノスタットＨＡ５０１（北斗電工（株）
社製）を組み合わせて測定した。ガラス塗布膜の可視近
赤外吸光スペクトルは、自記分光光度計Ｕ−３５００
（日立製作所（株）製）を使用して測定した。

【００６１】

【発明の効果】分子内にドーパント能を持つブレンステ
ッド基を有する自己ドープ型導電性高分子が、親水性高
分子の中でもポリ（Ｎ−ビニルアセトアミド）またはそ
の共重合体などのＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマ
ーと複合体化することによって、自己ドープ型導電性高
分子が脱ドーピングすることなく初期の導電性を維持す
ると共に、更にそれ自体では機械的特性（柔軟性、可撓
性、平滑性等）に乏しい自己ドープ型導電性高分子の機
械的特性を大幅に向上させることを見いだした。本発明
の自己ドープ型導電性高分子とポリ（Ｎ−ビニルアセト
アミド）およびその共重合体などのＮ−ビニルカルボン
酸アミド系ポリマーとの導電性高分子複合体は、塗布等
の方法により高い導電性があり、かつ機械的特性に優れ
た導電性高分子複合体として、薄膜とすることができ、
あるいはゲル状複合体とすることも可能であるので、種
々の形状を有する成形品とすることができる。このた
め、導電性と形状の加工が要求される電極、センサー、
エレクトロニクス表示素子、非線形光学素子、帯電防止
材、アクチュエーターなど各種導電材料あるいは光学材
料として幅広く利用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１で作成した導電性高分子複合体塗膜
の可視近赤外吸光スペクトル図である。

【図２】 実施例８で作成した導電性高分子複合体塗膜
の可視近赤外吸光スペクトル図である。

【図３】 比較例１で作成した導電性高分子塗膜の可視
近赤外吸光スペクトル図である。

【図４】 比較例２で作成した導電性高分子複合体塗膜
の可視近赤外吸光スペクトル図である。

【図５】 比較例３で作成した導電性高分子複合体塗膜
の可視近赤外吸光スペクトル図である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分子内に、ドーパント能を持つブレンス
   テッド酸基を有する自己ドープ型導電性高分子およびＮ
   −ビニルカルボン酸アミド系ポリマーよりなることを特
   徴とする導電性高分子複合体。
2. 【請求項２】 分子内に、ドーパント能を持つブレンス
   テッド酸基を有する自己ドープ型導電性高分子を含む溶
   液およびＮ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマーを含む
   溶液を複合してなる請求項１記載の導電性高分子複合体
   溶液。
3. 【請求項３】 分子内に、ドーパント能を持つブレンス
   テッド酸基を有する自己ドープ型導電性高分子のミクロ
   ゲルを含む導電性ミクロゲル分散体およびＮ−ビニルカ
   ルボン酸アミド系ポリマーを複合してなる請求項１記載
   の導電性高分子複合体。
4. 【請求項４】 Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系ポリマー
   が、アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩との共重合
   体構造を含む請求項１〜３のいずれかに記載の導電性高
   分子複合体。または、『Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系
   ポリマーが、Ｎ−ビニルカルボン酸アミドまたはＮ−ビ
   ニルカルボン酸アミドとアクリル酸またはそのアルカリ
   金属塩との共重合体である請求項１〜３のいずれかに記
   載の導電性高分子複合体。』
5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載のブレン
   ステッド酸基が、スルホン酸基もしくはその塩である導
   電性高分子複合体。
6. 【請求項６】 請求項２記載の導電性高分子複合体溶液
   を基材表面に塗布することを特徴とする自己ドープ型導
   電性高分子複合体薄膜の製造方法。
7. 【請求項７】 成形型に、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド
   系ポリマーの粉体を入れ、これに自己ドープ型導電性高
   分子の溶液を配合し、吸収膨潤させることと特徴とする
   自己ドープ型導電性高分子複合体成形体の製造方法。