KR20080025611A - 저온 경화형 보호막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는보호막, 및 이를 포함하는 기재 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저온 경화로 고강도, 내마모성, 배리어성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 조성물, 이로부터 제조되는 보호막, 이를 포함하는 기재, 및 이를 포함하는 부품 또는 소자에 관한 것으로서, 상기 조성물은 a) 유기실록산 중합체, b) 광염기 발생제(photobase generator) 및 c) 유기용매를 포함한다.
유기실록산 중합체, 광염기 발생제, 보호막, 광학용 기재, 디스플레이 소자

Description

저온 경화형 보호막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는 보호막, 및 이를 포함하는 기재 {AT LOW TEMPERATURE, FAST HARDENING COMPOSITION FOR PREPARING PROTECTING FILM PREPARED THEREFROM, AND SUBSTRATE COMPRISING THE SAME}
도 1은 본 발명에서 제조된 보호막의 온도에 따른 모듈러스 값을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명에서 제조된 보호막의 온도에 따른 경도 값을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명에서 제조된 보호막의 IR(Infrared Specrosopy) 그래프이다.
본 발명은 저온 경화로 고강도, 내마모성, 배리어성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 조성물, 이로부터 제조되는 보호막, 이를 포함하는 기재, 및 이를 포함하는 부품 또는 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 투과도가 우수한 실리콘 복합물을 사용하여, 저온 속경화를 통해 고강도, 내마모성 및 배리어성을 가지는 보호막을 형성할 수 있는 조성물, 이로부터 제조되는 보호막, 이를 포함하는 기재, 및 이를 포함하는 부품 또는 소자에 관한 것이다.
투명 플라스틱 소재는 가볍고 내파열성이 우수한 장점으로 광학용 렌즈 산업, 평판 디스플레이 등에서 기존의 유리 대용품으로 각광을 받고 있다. 특히 최근의 이동 통신 분야의 발달에 따른 휴대용 디스플레이 수요의 증가, 차세대 두루마리 디스플레이의 실현이 가시화 됨에 따라, 그 관심은 배가 되고 있다. 그러나 대부분의 플라스틱 물질은 연질의 표면을 가지고 있어 표면 강도 및 내마모성이 나빠 쉽게 긁히는 단점이 있으며, 덧붙여 산소를 포함한 각종 기체의 배리어 특성이 좋지 않아, 대부분 유기 소재를 근간으로 하는 평판 디스플레이에 대한 적용에는 그 한계를 보이고 있다.
이러한 플라스틱 소재의 한계를 극복하기 위하여 일반적으로 플라스틱 물질의 표면에 유기, 무기, 혹은 유·무기 복합물을 피복제로 이용하여 보호막을 형성하여 사용하고 있다. 특히, 최근 들어서는 실리콘계 피복제가 탁월한 광 투과성, 재생성 등의 이유로 각광을 받고 있다. 덧붙여 실리콘은 주위에서 손쉽게 찾을 수 있다는 편재성이나, 환경이나 인체에 무해하다는 이유로 친환경 물질로서 인식되고 환영받는 만큼, 기타의 유기 고분자 및 금속 피복제 대용의 후보 물질로 더욱 떠 오르고 있다.
하지만 플라스틱 기판을 그 대상으로 하고 있는 만큼 모든 피복 도포 공정은 그 기판 소재가 허용하는 유리전이 온도 이하의 저온 공정에서 이루어져야 한다는 제약 조건이 있다. 그러므로 지금까지 대부분의 고강도 실리콘 피복은, 스퍼터링 (sputtering), 진공 증발법 (vacuum evaporation), 이온 증착 또는 PECVD 등의 고가의 장비를 요하는 설비로 이루어졌다. 그러나 이러한 물리적·화학적 도포 방법 은 비싼 기본 설비에 따른 이윤의 감소 뿐만 아니라, 특정 두께 이상의 피복을 얻기 위해서는 장시간의 공정 시간을 요한다는 단점이 있어 생산성에서도 그 한계를 보이고 있다.
그에 반해, 실리콘계 고분자를 이용한 통상적인 액상 코팅 방법, 즉 스핀코트법, 침지법, 롤코트법, 또는 스프레이법 등은 기본 설비 측면이나 공정 시간 측면에서 분명한 장점을 갖고 있다. 하지만 이렇게 액상으로 도포한 실리콘 피복은 낮은 온도에서 경화 속도가 느리고, 장시간 경화시에도 충분한 경화 반응이 일어나지 않아 충분한 막의 강도, 내마모성의 기계적 물성 및 배리어성 등을 성취할 수 없다. 일반적으로 실록산 중합체 반응을 촉진시키기 위해서는 산, 염기 및 암모늄염 등이 함유된 코팅조성물을 사용하여 반응성을 향상시키는 방법이 알려져 있다. 그러나 산촉매, 암모늄염를 사용하는 경우 충분한 물성 향상을 얻지 못하고, 실리콘계 수지의 축합반응을 촉진시키는 암모니아수, 유기 아민과 같은 염기 촉매를 사용하는 경우 코팅 조성물 자체의 저장성 저하로 실제 공정의 적용 자체가 불가능한 문제점이 있다. 아직까지 종래의 기술들에 있어서 암모니아수 또는 유기 아민과 같은 염기성 촉매를 이용하여 저온 경화가 가능하고 공정상의 문제가 없으며 기재의 기계적 특성, 배리어성 등을 향상시키는 구체적인 방법을 제시한 경우는 없다. 따라서 저온의 공정 조건에서도 기재의 강도, 내마모성 및 배리어성 등을 향상시키기 위한 방법이 절실히 요구된다.
본 발명의 목적은 특정한 촉매를 함유함으로써, 전술한 저온 공정을 수행하 는 경우에도 기계적 강도, 내마모성 및 배리어성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 조성물, 이에 의해 제조되는 보호막, 이를 포함하는 기재, 및 이를 포함하는 부품 또는 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, a) 유기실록산 중합체, b) 광염기 발생제(photobase generator) 및 c) 유기용매를 포함하는 보호막 형성용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
a) 기재상에 상기 보호막 형성용 조성물을 코팅하는 단계; 및
b) 상기 조성물을 건조, 노광 및 열처리하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 조성물로부터 제조된 보호막을 제공한다.
또한, 본 발명은 적어도 일면에 상기 보호막을 구비한 기재를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기재를 포함하는 부품 또는 소자를 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 보호막 형성용 조성물은 a) 유기실록산 중합체, b) 광염기 발생제 및 c) 유기용매를 포함한다.
본 발명에 따른 보호막 형성용 조성물은 통상의 경화 온도, 예컨대 400 ℃ 이상의 고온에서는 기계적 물성 측면에서 오히려 단점을 보이지만, 특정 온도, 즉 대부분의 플라스틱 기재의 유리전이 온도(Tg) 이하인 100 내지 250 ℃에서 열처리를 수행할 시에는 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.
상기 유기실록산 중합체는 실란 화합물로부터 중합된 것이라면 특별히 한정되지 않으나, a) 하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 모노머, b) 상기 모노머로부터 제조되는 다이머, 및 c) 상기 모노머, 다이머, 또는 이들의 혼합물로부터 제조되는 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실란 화합물로부터 중합되는 유기실록산 중합체인 것이 적당하다.
[화학식 1]
Figure 112006067326116-PAT00001
상기 화학식 1에서,
R1은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬, 또는 불소로 치환되지 않은 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고
R2는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 아세톡시, 또는 클로린 등의 가수분해성 관능기이며,
p는 0 내지 2의 정수이다.
[화학식 2]
Figure 112006067326116-PAT00002
상기 화학식 2에서,
R3 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴 또는 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬, 또는 불소로 치환되지 않은 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬이고,
R4 및 R6는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 아세톡시, 또는 클로린 등의 가수분해성 관능기이며,
M은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 또는 아릴렌이고,
q 및 r은 각각 0 내지 2의 정수이다.
상기 유기실록산 중합체의 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산분자량으로 500 이상인 것이 적당하고, 500 내지 100,000인 것이 바람직하고, 500 내지 50,000인 것이 더욱 바람직하다. 상기 유기실록산 중합체의 중량 평균 분자량이 500 미만인 경우에는 보호막의 코팅성이 저하될 수 있고, 100,000 이상인 경우 보호막 강도가 저하될 수 있다.
상기 유기실록산 중합체는 a) 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 모노머, b) 상기 모노머로부터 제조되는 다이머 및 c) 상기 모노머, 다이머, 또는 이들의 혼합물로부터 제조되는 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실란 화합물, 촉매 및 물을 혼합하고, 상 기 실란 화합물을 가수분해 및 축합반응하여 제조할 수 있다.
상기 가수분해 및 축합반응은 필요에 따라 유기용매를 더 첨가하여 진행할 수 있으며, 중합되는 유기실록산 중합체의 분자량 조절을 용이하게 하기 위해서는 유기용매 존재 하에서 가수분해 및 축합반응하는 것이 더 바람직하다.
상기 유기실록산 중합체의 제조에 사용될 수 있는 유기용매는 상기 실란 화합물의 가수분해 및 축합반응에 큰 지장을 주지 않는 것이라면 어느 것이라도 사용할 수 있으나, 지방족 탄화수소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매 및 아미드계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 유기용매의 구체적인 예를 살펴보면 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, 2,2,4-트리메틸펜탄, 시클로헥산, 및 메틸시클로헥산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 에틸벤젠, 및 메틸에틸벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 방향족 탄화 수소계 용매; 메틸알콜, 에틸알콜, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥사놀, 메틸시클로헥사놀, 및 글리세롤로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 알코올계 용매; 메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 다이에틸케톤, 메틸 n-프로필케톤, 메틸n-부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸사이클로헥사논, 및 아세틸아세톤으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 2-메틸 테트라하이드로퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, 이소프로필에테르, 디글라임, 디옥신, 디메틸디옥신, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 및 프로필렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 에테르계 용매; 디에틸카보네이트, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸락테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 및 에틸렌글리콜디아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 에스테르계 용매 및 N-메틸피롤리돈, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N,N-디에틸아세트아미드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 아미드계 용매 등이 있다.
상기 실란 화합물의 가수분해 및 축합반응에 사용되는 촉매는 산 촉매 또는 염기 촉매가 사용될 수 있으며, 일반적으로 고강도 보호막을 목적으로 사용할 경우에는 산촉매로 반응하는 것이 바람직하다.
상기 산 촉매의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 염산, 질산, 황산, 인산, 불산, 포름산, 초산, 프로피온산, 부탄산(butanoic acid), 펜탄산(pentanoic acid), 헥산산(hexanoic acid), 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 옥살산, 말론산, 술폰산, 프탈산, 푸마르산, 구연산, 말레산, 올레산, 메틸말론산, 아디프산, p-아미노벤조산, 및 p-톨루엔술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 염기 촉매의 종류도 특별히 제한되지 않으며, 알칼리금속화합물, 암모니아수, 유기아민, 및 제4급암모늄화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 촉매의 첨가량은 특별히 한정되지 않으며, 촉매의 종류 및 실란 화합물의 종류에 따라 적절한 양을 선택하여 사용할 수 있으므로, 이에 대한 상세 설명은 생략한다.
상기 촉매와 함께 유기실록산 중합체의 제조를 위해 포함되는 물은 실란 화합물의 가수 분해를 위하여 첨가된다. 상기 유기실록산 중합체의 제조공정에서 포함되는 물의 양은 중합에 사용되는 실란 화합물의 가수분해성 관능기 1 몰당 1 내지 30 몰인 것이 바람직하고, 2 내지 20 몰인 것이 더 바람직하다. 물의 함량이 중합에 사용되는 실란 화합물의 가수분해성 관능기 1 몰 당 1 몰 미만인 경우에는 충분한 가수분해 및 축합 반응이 일어나지 않고, 물의 함량이 실란 화합물의 가수분해성 관능기 1몰 당 30 몰을 초과하는 경우에는 가수분해 및 축합반응시 상분리가 되어 불균일한 반응이 일어날 수 있고 코팅성이 저하될 수도 있다.
상기 유기실록산 중합체의 제조공정 중에서 물을 첨가하는 방법은 단속적으로 첨가하는 방법과 연속적으로 첨가하는 방법이 있다. 이 때 상기 촉매는 유기 용매 중에 미리 혼합되어 있어도 좋고, 물에 용해 또는 분산된 수용액 상태로 첨가하여도 좋다.
상기 유기실록산 중합체의 가수분해 및 축합반응은 0 내지 100 ℃에서 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명의 보호막 형성용 조성물에 포함되는 상기 광염기 발생제는 유기실록산 중합체 및 유기용매와 함께 혼합하는 방법으로 첨가할 수 있다.
상기 광염기 발생제는 외부에서 가해진 자외선(UV) 노광에 염기 촉매를 생성 시키는 물질이면 큰 제한은 없으며, 예를 들면 2-나이트로벤질카바메이트, 술폰 아마이드, o-아실록심 또는 니페디핀류 등이 있다. 광염기 발생제의 사용량은 큰 제한은 없으나 유기실록산 고형분 총 중량에 대하여 0.1 내지 15 중량%, 바람직하게는 1 내지 10 중량%가 적당하다. 상기 광염기 발생제의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우에는 보호막의 경화 향상 정도가 미흡하고, 15 중량%를 초과하는 경우에는 저장성이 저하되고 보호막의 강도가 더욱 향상되지 않는다.
상기 광염기 발생제의 좀더 상세한 예로는, 나이트로벤질사이클로헥실카바메이트, 3,5-디메톡시벤질사이클로헥실카바메이트, 3-나이트로페닐사이클로헥실카바메이트, 벤질사이클로헥실카바메이트, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]피페라진, bis[[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, [[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, 비스[[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]-옥타데실아민, 비스[[(α-메틸-2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산, 1,6-디아민, N-[[(2,6,-디나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-(2'-나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2,6-디나이트로페닐)-1-(2',6'-디나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-사이클로헥실-4-메틸페닐술폰아마이드, N-사이클로헥실-2-나프틸술폰아마이드, o-페닐아세틸-2-아세토나프소노심 또는 N-메틸니페디핀 등이 있으나, 위의 예로 한정하는 것은 아니다. 광염기 발생제는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 보호막 형성용 조성물에 포함되는 상기 유기용매의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 상기 유기실록산 중합체의 제조에 사용된 유기용매이거나, 상기 유기실록산 중합체의 제조 후에 새로 첨가된 유기용매이거나, 상기 유기실록산 중합체의 제조에 사용된 유기용매와 새로 첨가된 유기용매의 혼합 용매일 수 있다.
상기 유기용매의 바람직한 예는 유기실록산 중합체의 제조에 사용된 유기용매의 예와 동일하므로, 이하 상세한 설명을 생략한다.
다만, 유기실록산 중합체의 제조에 사용된 유기용매를 포함하는 경우에는 보호막 형성용 조성물의 코팅성을 저해하는 특정의 유기용매, 유기실록산 중합체의 제조 공정중에 생긴 반응 부산물 및 물을 일정량 제거하는 것이 바람직하다.
상기 보호막 형성용 조성물은 조성물 내에 목적에 따라 다른 구성성분을 포함할 수 있다. 예를 들면 기계적 강도를 더욱 향상시키기 위하여 실리카 입자를 포함할 수 있고, 굴절률 조절을 위하여 저굴절 입자 또는 고굴절 무기 입자 등을 포함할 수 있다. 또한 대전 방지 기능을 부여하기 위하여 금속 입자 또는 유/무기염, 전도성 유기물 등의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 또한 에폭시계, 아민계, 아크릴계 등과 같은 일반 실란커플링제, 착색제 또는 코팅성 향상을 위한 레벨링제 등을 그 용도에 맞게 사용하는 것도 가능하다.
본 발명의 보호막은 유기실록산 중합체 및 상기 광염기 발생제를 포함하는 보호막 형성용 조성물을 사용 목적에 따라 선택된 기재 상에 도포하여, 건조, 노광, 그리고 열처리하여 제조할 수 있다.
본 발명은,
a) 기재 상에 상기 보호막 형성용 조성물을 코팅하는 단계; 및
b) 상기 조성물을 건조, 노광 및 열처리하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조방법을 제공한다.
상기 a) 단계는 기재 상에 본 발명의 보호막 형성용 조성물을 코팅하는 단계이다. 상기 기재는 특별히 한정되지 않고, 플라스틱 기판, 유리기판, 금속기판, 실리콘 웨이퍼 또는 SiO2 웨이퍼에 도포가 가능하고, 특히 저온 경화로 고강도, 내마모성 및 배리어성 향상을 요구하는 플라스틱 기판에 적당하다.
상기 보호막 형성용 조성물의 코팅 두께는 조성물 내에 포함되는 고형분의 농도에 따라 조절된다. 상기 보호막 형성용 조성물의 고형분 농도는 2 내지 60 중량%인 것이 바람직하고, 5 내지 40 중량%인 것이 더 바람직하다.
상기 고형분의 농도가 2 중량% 미만인 경우에는 충분한 보호막의 두께를 형성할 수 없으며, 60 중량%를 초과하는 경우에는 코팅성 및 저장 안정성이 저하된다.
상기 보호막 형성용 조성물을 기재 상에 코팅하는 방법은 통상적인 액상 코팅 방법을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 스핀코트법, 침지법, 바코팅법, 롤코트법, 또는 스프레이법 등을 사용할 수 있다.
상기 b) 단계는 상기 보호막 형성용 조성물을 건조, 노광 및 열처리하는 단계이다. 상기 노광은 보호막 형성용 조성물을 광경화시키고 광염기 발생제로부터 염기 촉매를 발생시키기 위한 것이다. 이때 광원으로는 파장이 250 내지 450 ㎚인 광을 발산하는 수은증기 아크(Arc), 탄소 아크 또는 크세논(Xe) 아크 등을 사용할 수 있다.
상기 보호막 형성용 조성물의 건조는 조성물에 포함된 유기용매의 증발 온도에 따라 0 내지 100℃가 바람직하며, 상기 열처리 온도는 사용한 기재의 열 특성에 따라 100 내지 250℃로 하는 것이 바람직하다.
상기 보호막은 기계적 강도가 우수하고, 내마모성의 특징을 가지고 보호막내의 잔류 관능기가 적기 때문에, 고·저굴절 광학용 렌즈를 포함한 다양한 광학제품, 액정표시소자를 포함한 각종 평판 디스플레이용 보호막 또는 가스 배리어막 등의 용도로 사용될 수 있다.
상기 보호막의 두께는 용도에 따라 다양하게 조절할 수 있는 것이므로, 특별히 한정되지 않으나, 광 투과성을 요구하는 투명 기판용으로 사용할 시에는 0.05 내지 2 ㎛ 의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 제조방법에 의하여 제조된 보호막은 제조방법 중에 사용된 기재와 함께 사용될 수 있으나, 상기 기재와 보호막을 분리하고 그 보호막을 단독으로 시판하거나 다른 기재에 부착시켜 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 보호막을 포함하는 기재를 제공한다. 전술한 바와 같이 이 기재는 그 위에 본 발명의 조성물을 코팅 또는 부착하여 제조할 수 있다.
본 발명은 또한, 상기 기재를 포함하는 부품 또는 소자를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발 명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
(보호막 형성용 조성물의 제조)
유기용매인 i-프로판올 134.1 g에 테트라메톡시실란 (TMS) 104.2 g을 가한 후, 0.01 N 농도의 질산 수용액 44.1 g을 천천히 첨가하였다. 이를 30 분간 실온(25 ℃)에서 반응시킨 후, 80 ℃ 까지 온도를 서서히 올려 가열, 환류하면서 2 시간 반응시켰다.
상기 반응 완료 후, 용액의 온도를 상온으로 낮추고, 134.1 g의 i-프로판올 용매를 더 가하여 주었다. 회전 증발기(rotary evaporator)에서 감압 하에 질산과 과량의 물을 제거하여 20 중량%의 유기실록산 중합체 용액을 제조하였다.
상기 유기실록산 중합체에 광염기 발생제인 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민을 중합체의 고형분 중량 대비 5 중량% 첨가하였다.
상기 광염기 발생제 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민은 하기와 같이 제조하였다.
n-옥틸아이소시아네이트 11.4 ㎖, 2-나이트로벤질알코올 10 g, 그리고 100 mL의 톨루엔을 섞어 환류반응시켰다. 2 시간의 반응 후, 증류수를 이용하여 유기층을 3회 이상 씻어 주었다. 무수 황산나트륨을 이용하여 잔존하는 물을 제거하였으며, 필터 후 회전 증발기(rotary evaporator)에서 감압 하에 용매를 모두 제거하여 분말 상태의 약 12 g의 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민을 제조하였다.
(보호막 제조)
상기 제조된 보호막 형성용 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅하여 보호막을 형성하였고, 80 ℃ 핫플레이트(hot plate)에서 1 분간 건조하여 용매를 증발시켰다.
자외선(UV) 노광기를 이용하여 200 mJ/㎠의 노광량으로 노광을 행하고, 100 ℃의 온도에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 2
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물를 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 120 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 3
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 140 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 4
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 160 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 5
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 180 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 6
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 200 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 7
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 250 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 8
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 400 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 9
(보호막 형성용 조성물의 제조)
유기용매인 i-프로판올 146.7 g에 메틸메톡시실란 (MTMS) 45.0 g, 테트라메톡시실란(TMS) 50.2 g을 가한 후, 0.01 N 농도의 질산 수용액 42.6 g을 천천히 첨가하였다. 이를 30 분간 실온(25 ℃)에서 반응시킨 후, 80 ℃ 까지 온도를 서서히 올려 가열, 환류하면서 밤샘반응(24 시간)시켰다.
상기 반응 완료 후, 실시예 1과 같은 방법으로 20 중량%의 유기실록산 중합체 용액을 제조하였으며, 상기 광염기 발생제를 중합체의 고형분 중량 대비 5 중량%을 첨가하여 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 140 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 10
(보호막 형성용 조성물의 제조)
유기용매인 i-프로판올 175.8 g, 물 23 g에 메틸메톡시실란(MTMS) 25.5 g, 테트라메톡시실란(TMS) 29 g을 가한 후, 암모니아수 4 g을 천천히 첨가하였다. 이를 30 분간 실온(25 ℃)에서 반응시킨 후, 80 ℃ 까지 온도를 서서히 올려 가열, 환류하면서 2시간 반응시켰다.
상기 반응 완료 후, 실시예 1과 같은 방법으로 20 중량%의 유기실록산 중합체 용액을 제조하였으며, 상기 광염기 발생제를 중합체의 고형분 중량 대비 5 중량% 첨가하여 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 140 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 11
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 10의 유기실록산 중합체에 테트라메톡시실란(TMS) 2.9 g을 첨가하여 상온에서 2 시간 반응시켰다.
상기 반응 완료 후, 실시예 1과 같은 방법으로 20 중량%의 유기실록산 중합체 용액을 제조하였으며, 상기 광염기 발생제를 중합체의 고형분 중량 대비 5 중량% 첨가하여 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 140 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 12
(보호막 형성용 조성물의 제조)
니산화학의 콜로이달 실리카(colloidal silica), MIBK-ST 20g에 4-메틸-2-펜탄올 20 g을 첨가하여 15 중량%로 하였으며, 상기의 광염기 발생제를 고형분 대비 5 중량% 첨가하여 코팅 용액을 준비하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅, 건조와 자외선(UV) 노광을 마친 시편을 140 ℃에서 2 분간 열처리하였다.
실시예 13
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 유기실록산을 제조하였으며, 5 중량%의 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민을 첨가하여 보호막 형성용 조성물을 제조였다.
상기 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민 제조는 2-나이트로벤질알코올, 사이클로헥실아이소시아네이트와 톨루엔 용매를 사용하여 상기의 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민 제조법과 동일한 방법으로 이루어졌다.
실시예 14
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제 [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민을 중합체의 고형분 대비 20중량% 첨가하여 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 3과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 1
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 1과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 2
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 2의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 2과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 3
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 3의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 3과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 4
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 4의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 4과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 5
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 5의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 5과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 6
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 6의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 6과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 7
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 7의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 7과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 8
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 8의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 8과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 9
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 9의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 9과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 10
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 10의 유기실록산 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 10과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 11
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 11의 유기실록 중합체에 광염기 발생제를 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 11과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 12
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 12의 코팅 용액에 광염기 발생제을 첨가하지 않고 보호막 형성용 조성물을 준비하였다.
(보호막 제조)
실시예 12과 동일한 방법으로 보호막을 제조하였다.
비교예 13
(보호막 형성용 조성물의 제조)
실시예 1의 유기실록산 중합체에 테트라메틸암모늄을 고형분 대비 5중량% 첨가하여 보호막 조성물을 제조하였다.
(보호막 제조)
실시예 3과 동일한 방법으로 보호막을 제조하려 하였으나, 스핀 코팅이 이루어지기 전 용액 처리 과정에서 모두 겔화되었다.
[보호막 물성 측정]
기계적 강도:
실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 13의 방법에 따라 제조된 보호 막에 대하여 나노인덴터를 이용하여 모듈러스 및 경도를 측정하였다.
내마모 시험 (Wear Test):
상기 실시예 3과 실시예 9 내지 14 및, 비교예 3과 비교예 9 내지 13의 방법에 따라 제조된 보호막에 대하여 나노인덴터를 이용하여 내마모 시험을 실시하였다.
상기 내마모 시험에서는 상기 보호막의 50 × 50 ㎛2의 면적에 대하여 50 μN의 힘으로, 나노인덴터의 탐침을 이용하여 표면을 긁고, 최초 표면과의 비교 및 마모된 깊이를 측정하였다.
상기 측정 결과를 하기 도 1, 도 2 및 표 1에 정리하였다.
구분 첨가물 (중량%) 열처리온도 (℃) 모듈러스 (Gpa) 경도 (Gpa) 마모깊이 (㎛)
실시예 1 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 100 16.45 1.12 -
실시예 2 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 120 19.72 1.45 -
실시예 3 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 140 21.62 1.66 0.11
실시예 4 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 160 22.21 1.76 -
실시예 5 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 180 22.81 1.84 -
실시예 6 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 200 23.46 1.95 -
실시예 7 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 250 24.50 2.01 -
실시예 8 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 400 27.01 2.23 -
실시예 9 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 140 9.26 0.78 0.19
실시예 10 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 140 3.86 0.22 0.45
실시예 11 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 140 3.33 0.19 0.38
실시예 12 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (5%) 140 6.72 0.46 0.51
실시예 13 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 사이클로헥실아민 (5%) 140 21.41 1.61 0.10
실시예 14 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 옥틸아민 (20%) 140 16.54 1.12 0.71
비교예 1 - 100 9.68 0.85 -
비교예 2 - 120 14.82 1.04 -
비교예 3 - 140 17.06 1.18 0.63
비교예 4 - 160 18.71 1.34 -
비교예 5 - 180 20.03 1.53 -
비교예 6 - 200 21.25 1.71 -
비교예 7 - 250 24.75 2.03 -
비교예 8 - 400 29.33 2.54 -
비교예 9 - 140 8.42 0.40 0.79
비교예 10 - 140 2.81 0.14 0.86
비교예 11 - 140 1.84 0.08 0.85
비교예 12 - 140 4.96 0.21 0.91
비교예 13 테트라메틸암모늄 (5%) 140 - - -
상기 표 1의 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 8의 결과에서 보는 바와 같이, 상기 광염기 발생제를 함유하고 있는 보호막 조성물로부터 제조된 보호막은 이를 포함하지 않는 보호막에 비해 100 내지 250 ℃ 온도 범위 내에서 모듈러스 및 경도 모두 향상된 결과를 보였다. 하지만 이러한 향상은 온도가 올라가면서 둔화되며, 250 ℃ 이상의 열처리 온도에서는 비교예에서 제조된 보호막이 실시예에서 제조된 보호막보다 모듈러스 및 경도의 측정값이 더 좋아짐을 알 수 있다. 특히 실시예 8과 비교예 8에서와 같이 통상의 유기실록산 중합체를 400 ℃에서 열처리 한 보호막의 경우는 광염기 발생제를 포함하지 않는 쪽이 더 유리하게 나타났다.
도 1은 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 8에 따른 모듈러스 값을 나타내는 그래프이다.
도 2는 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 8에 따른 경도 값을 나타내는 그래프이다.
상기 표 1의 실시예 3과 실시예 9 내지 12, 그리고 비교예 3과 비교예 9 내지 12의 비교에서 보는 바와 같이 각기 다른 방법(산, 염기, 또는 염기와 산 촉매)으로 준비한, 그리고 각기 다른 영역의 기계적 물성을 보이는 모든 경우에 대하여 상기 광염기 발생제를 함유하고 있는 쪽이 모듈러스, 경도, 그리고 내마모성 측면에서 모두 우수한 것으로 나타났다. 특히, 실시예 12과 비교예 12에서와 같이 통상의 유기실리콘 중합체의 기계적 물성 향상을 위해 첨가되는 실리카 콜로이드 자체에 대해서도 상기 광염기 발생제의 효과를 확인할 수 있다. 또한 실리카 콜로이드를 함유한 실록산 조성물에서도 같은 경향을 보였다.
상기 광염기 발생제의 효과는 상기 표 1의 실시예 13의 [[(2-나이트로 벤질)옥시]카보닐] 사이클로헥실아민 5 중량%을 첨가한 경우 또한 상기 실시예 3과 비교예 3의 비교에서처럼 기계적 물성 측면에서 확연한 효과를 보여주고 있다.
하지만 상기 광염기 발생제의 기계적 물성 측면에서의 향상 효과는 실시예 14에서처럼 그 첨가량이 과다할 시에는 다소 적게 나타났다.
아울러 비교예 13의 테트라메틸암모늄과 같은 통상의 염기 촉매를 첨가하였을 경우에는 첨가와 동시에 축합반응이 급격히 진행되어, 결국에는 겔화됨에 따라 보호막 형성조차 불가능한 것으로 나타났다.
도 3은 광염기 발생제를 함유한 조성물로 제조된 보호막과 함유하지 않은 각각 실시예 3과 비교예 3의 IR(Infrared Specroscopy) 그래프로 광염기 발생제를 함유한 조성물로 제조한 보호막의 경우 Si-OH 관능기가 현저히 감소하여 내습성 수분에 대한 배리어성 특성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명의 보호막 형성용 조성물을 이용하여, 특히 100 내지 250 ℃의 저온에서 보호막을 제조할 경우 우수한 기계적 강도, 내마모성 및 배리어성 특성을 가지는 보호막을 제조할 수 있다.

Claims (20)

  1. a) 유기실록산 중합체;
    b) 광염기 발생제(photobase generator); 및
    c) 유기용매
    를 포함하는 보호막 형성용 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 a) 유기실록산 중합체는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 실란 화합물로부터 중합된 것인 보호막 형성용 조성물;
    [화학식 1]
    Figure 112006067326116-PAT00003
    상기 화학식 1에서, R1은 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬, 또는 불소로 치환되지 않은 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬이고, R2는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 아세톡시, 또는 클로린으로 이루어진 가수분해성 관능기이고, p는 0 내지 2의 정수이다.
    [화학식 2]
    Figure 112006067326116-PAT00004
    상기 화학식 2에서, R3 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬, 또는 불소로 치환되지 않은 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬이고, R4 및 R6는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 아세톡시, 또는 클로린으로 이루어진 가수분해성 관능기이고 M은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 또는 아릴렌이고, q 및 r은 각각 0 내지 2의 정수이다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 a) 유기실록산 중합체는 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 모노머, 상기 모노머로부터 제조되는 다이머, 및 상기 모노머, 다이머, 또는 이들의 혼합물로부터 제조되는 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실란 화합물로부터 중합되는 것인 보호막 형성용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 c) 유기용매는 지방족 탄화수소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매 및 아미드계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 보호막 형성용 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 b) 광염기 발생제는 2-나이트로벤질카바메이트, 술 폰 아마이드, o-아실록심 및 니페디핀류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 보호막 형성용 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서 상기 b) 광염기 발생제는 나이트로벤질사이클로헥실카바메이트, 3,5-디메톡시벤질사이클로헥실카바메이트, 3-나이트로페닐사이클로헥실카바메이트, 벤질사이클로헥실카바메이트, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]피페라진, bis[[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, [[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, bis[[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]-옥타데실아민, bis[[(α-메틸-2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산, 1,6-디아민, N-[[(2,6,-디나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-(2'-나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2,6-디나이트로페닐)-1-(2',6'-디나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-사이클로헥실-4-메틸페닐술폰아마이드, N-사이클로헥실-2-나프틸술폰아마이드, o-페닐아세틸-2-아세토나프소노심 및 N-메틸니페디핀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 보호막 형성용 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 b) 광염기 발생제는 유기실록산 고형분 총 중량에 대하여 0.1 내지 15 중량%인 것인 보호막 형성용 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 보호막 형성용 조성물은 실리카 입자, 저굴절 입자, 고굴절 입자, 대전 방지 부여제, 실란 커플링제, 착색제 또는 레벨링제 중 선택되는 1이상의 화합물을 포함하는 것인 보호막 형성용 조성물.
  9. a) 기재상에 상기 보호막 형성용 조성물을 코팅하는 단계; 및
    b) 상기 조성물을 건조, 노광 및 열처리하는 단계
    를 포함하는 보호막의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 기재는 플리스틱 기판, 유리기판, 금속기판, 실리콘 웨이퍼 또는 SiO2 웨이퍼인 것인 보호막 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 건조는 0 내지 100 ℃의 온도에서 수행하는 것인 보모막의 제조방법.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 노광은 파장이 250 내지 450 nm인 광을 발산하는 수은증기 아크, 탄소 아크 또는 크세논 아크인 것인 보호막 제조방법.
  13. 청구항 9에 있어서, 상기 열처리는 100 내지 250 ℃의 온도에서 수행하는 것 인 보호막 제조방법.
  14. 청구항 9에 있어서, 상기 보호막 형성용 조성물의 고형분의 농도는 2 내지 60 중량%인 것인 보호막 제조방법.
  15. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 따른 보호막 형성용 조성물로부터 제조된 보호막.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 보호막의 두께는 0.05 내지 2 ㎛인 것인 보호막.
  17. 청구항 15의 보호막을 포함하는 기재.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 기재는 플리스틱 기판, 유리기판, 금속기판, 실리콘 웨이퍼 또는 SiO2 웨이퍼인 것인 기재.
  19. 청구항 17의 기재를 포함하는 부품.
  20. 청구항 17의 기재를 포함하는 소자.
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