JP3272002B2 - ポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法 - Google Patents
ポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラダー状分子構造を有
し、耐熱性、硬度、絶縁性等の面で、優れた特性を示す
超高分子量のポリオルガノシルセスキオキサンの製造方
法に関する。
し、耐熱性、硬度、絶縁性等の面で、優れた特性を示す
超高分子量のポリオルガノシルセスキオキサンの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】宇宙開発に伴いポリイミドをはじめとす
る一群の高耐熱性樹脂が開発され、最近では電気、電子
産業分野における小型、軽量化、高性能化の要請に応え
るため、更に自動車産業の軽量化などの進展につれてそ
の市場が大幅に拡大され、耐熱樹脂に対する要望はます
ます増大していると共に、より一層の耐熱性の向上が求
められている。
る一群の高耐熱性樹脂が開発され、最近では電気、電子
産業分野における小型、軽量化、高性能化の要請に応え
るため、更に自動車産業の軽量化などの進展につれてそ
の市場が大幅に拡大され、耐熱樹脂に対する要望はます
ます増大していると共に、より一層の耐熱性の向上が求
められている。
【０００３】しかしながら、炭素骨格のプラスチックは
耐熱性の点では一定の限界がある事は止むを得ない事で
あり、その点では珪素骨格のプラスチック材料は一層高
度な性能を実現しうる可能性を秘めている。
耐熱性の点では一定の限界がある事は止むを得ない事で
あり、その点では珪素骨格のプラスチック材料は一層高
度な性能を実現しうる可能性を秘めている。
【０００４】ところで、ラダーシリコーンの略称で知ら
れるポリオルガノシルセスキオキサンは、シロキサン骨
格結合の分子の動きが固定されていてシリカ類似の骨格
構造を有しており、硬度、耐熱性等の目的に対しては理
想的な構造を有している。とりわけ側鎖がメチルのポリ
メチルシルセスキオキサンは分子構造上も特に無機的な
性質を示し硬度、耐熱性が高い。
れるポリオルガノシルセスキオキサンは、シロキサン骨
格結合の分子の動きが固定されていてシリカ類似の骨格
構造を有しており、硬度、耐熱性等の目的に対しては理
想的な構造を有している。とりわけ側鎖がメチルのポリ
メチルシルセスキオキサンは分子構造上も特に無機的な
性質を示し硬度、耐熱性が高い。
【０００５】しかしながら、上記のような側鎖の大部分
がメチル基であるポリオルガノシルセスキオキサンは合
成上多くの障害があって広く一般に使用されるには問題
があることも知られている。その理由の一つは、ポリメ
チルシルセスキオキサンは側鎖による立体障害が少な
く、末端基のシラノール及びアルコキシ基の反応性が高
いため、合成時や保存時にゲル化しやすいことが知られ
ている。このため高分子量のものはこれまで合成されて
おらず、オリゴマー領域のものが唯一製品化されている
にすぎない（商品名；グラスレジン 米国ＯＩ−ＮＥＧ
社）。
がメチル基であるポリオルガノシルセスキオキサンは合
成上多くの障害があって広く一般に使用されるには問題
があることも知られている。その理由の一つは、ポリメ
チルシルセスキオキサンは側鎖による立体障害が少な
く、末端基のシラノール及びアルコキシ基の反応性が高
いため、合成時や保存時にゲル化しやすいことが知られ
ている。このため高分子量のものはこれまで合成されて
おらず、オリゴマー領域のものが唯一製品化されている
にすぎない（商品名；グラスレジン 米国ＯＩ−ＮＥＧ
社）。
【０００６】上記のオリゴマーの溶液は例えば金属、プ
ラスチック等の基材にコーティングし、溶剤の揮発後加
熱すると末端基のシラノール基、アルコキシ基間での脱
水、脱アルコールを伴う縮合反応により三次元硬化する
ためコーティング被膜として用いられている。この被膜
は硬度、耐熱性は高いものの、極めてもろく、基材の大
きな変形には充分追随することができないことが第２の
問題点であり、従って実用的には数ミクロン程度の薄膜
としてのみ利用されている。
ラスチック等の基材にコーティングし、溶剤の揮発後加
熱すると末端基のシラノール基、アルコキシ基間での脱
水、脱アルコールを伴う縮合反応により三次元硬化する
ためコーティング被膜として用いられている。この被膜
は硬度、耐熱性は高いものの、極めてもろく、基材の大
きな変形には充分追随することができないことが第２の
問題点であり、従って実用的には数ミクロン程度の薄膜
としてのみ利用されている。
【０００７】また、上述したように三次元硬化するに当
り、加熱硬化が不可欠であることが第３の問題点であ
り、実際には使用する基材によっては適用温度の制約が
あり、更に硬化に長時間を要することはコストとプロセ
ス面での難点を伴うことにもつながっている。
り、加熱硬化が不可欠であることが第３の問題点であ
り、実際には使用する基材によっては適用温度の制約が
あり、更に硬化に長時間を要することはコストとプロセ
ス面での難点を伴うことにもつながっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は側鎖がメチル
基を主体とするポリオルガノシルセスキオキサンの上述
の問題点を解決する目的でなされたものであり、超高分
子量であって、加熱硬化をしなくても強靱さ、硬度、耐
熱性を示す新しいポリオルガノシルセスキオキサンの製
造方法を提供することを目的とする。
基を主体とするポリオルガノシルセスキオキサンの上述
の問題点を解決する目的でなされたものであり、超高分
子量であって、加熱硬化をしなくても強靱さ、硬度、耐
熱性を示す新しいポリオルガノシルセスキオキサンの製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明のポリオ
ルガノシルセスキオキサンの製造方法は、一般式（Ｉ）
で構造が示され、数平均分子量が１００，０００以上で
あるポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法におい
て、（１）トリアルコキシシラン、またはトリクロロシ
ランを、有機溶媒を加えずに、酸触媒の存在下で加水分
解縮合反応させて、初期加水分解縮合物を製造する第１
工程と、（２）初期加水分解縮合物を、有機溶剤中、固
形分濃度０．５〜３０重量％の濃度でアルカリを触媒と
して、６０〜１４０℃に加熱して更に縮合する第２工程
とを有することを特徴とする。
ルガノシルセスキオキサンの製造方法は、一般式（Ｉ）
で構造が示され、数平均分子量が１００，０００以上で
あるポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法におい
て、（１）トリアルコキシシラン、またはトリクロロシ
ランを、有機溶媒を加えずに、酸触媒の存在下で加水分
解縮合反応させて、初期加水分解縮合物を製造する第１
工程と、（２）初期加水分解縮合物を、有機溶剤中、固
形分濃度０．５〜３０重量％の濃度でアルカリを触媒と
して、６０〜１４０℃に加熱して更に縮合する第２工程
とを有することを特徴とする。
【００１０】
【化２】
【００１１】（一般式（Ｉ）において、全側鎖Ｒ 1 の５
０〜１００モル％がメチル基であり、残部が炭素原子数
２ないし３個のアルキル基か置換または非置換フェニル
基であり、Ｒ2 は炭素原子数１ないし３個のアルキル基
または水素原子を示し、ｎは整数である。）
０〜１００モル％がメチル基であり、残部が炭素原子数
２ないし３個のアルキル基か置換または非置換フェニル
基であり、Ｒ2 は炭素原子数１ないし３個のアルキル基
または水素原子を示し、ｎは整数である。）
【００１２】
【００１３】以下、本発明を詳しく説明する。一般式
（Ｉ）で示される本発明の製造方法で得られるポリオル
ガノシルセスキオキサンにおいて、側鎖Ｒ1 は炭素１〜
３のアルキル基、置換または非置換フェニル基を示し、
このうち５０モル％以上、好ましくは８０モル％以上が
メチル基であることを必要とする。メチル基が５０モル
％未満では本発明の目的とする耐熱性、硬度が不満足と
なる。また側鎖Ｒ1 のメチル基以外の残りの基としては
炭素原子数４以上のアルキル基は耐熱性に悪影響を及ぼ
すため好ましくない。
（Ｉ）で示される本発明の製造方法で得られるポリオル
ガノシルセスキオキサンにおいて、側鎖Ｒ1 は炭素１〜
３のアルキル基、置換または非置換フェニル基を示し、
このうち５０モル％以上、好ましくは８０モル％以上が
メチル基であることを必要とする。メチル基が５０モル
％未満では本発明の目的とする耐熱性、硬度が不満足と
なる。また側鎖Ｒ1 のメチル基以外の残りの基としては
炭素原子数４以上のアルキル基は耐熱性に悪影響を及ぼ
すため好ましくない。
【００１４】本発明の製造方法で得られるポリオルガノ
シルセスキオキサンにおいて末端基を示すＲ2 は炭素原
子数１ないし３個のアルキル基または水素原子であり、
これらは原料のトリアルコキシシランまたはトリクロロ
シランに由来するものである。炭素原子数は４個以上の
トリアルコキシシランを原料とする場合では加水分解、
縮合速度が遅く非実用的である。末端基を例えばトリメ
チルクロロシラン、トリメチルメトキシシランなどを用
いてキャッピングして保存安定性を高めて使用すること
も可能である。
シルセスキオキサンにおいて末端基を示すＲ2 は炭素原
子数１ないし３個のアルキル基または水素原子であり、
これらは原料のトリアルコキシシランまたはトリクロロ
シランに由来するものである。炭素原子数は４個以上の
トリアルコキシシランを原料とする場合では加水分解、
縮合速度が遅く非実用的である。末端基を例えばトリメ
チルクロロシラン、トリメチルメトキシシランなどを用
いてキャッピングして保存安定性を高めて使用すること
も可能である。
【００１５】本発明の製造方法で得られるポリオルガノ
シルセスキオキサンの数平均分子量はＧＰＣ装置と標準
分子量物質を用いることにより測定されるものであり、
数平均分子量としては１００，０００以上であることが
必要である。数平均分子量は１００，０００未満では溶
液を基材に塗布後溶剤が揮散した後も被膜がべたついた
り、耐溶剤性や表面硬度が不充分となるので好ましくな
い。
シルセスキオキサンの数平均分子量はＧＰＣ装置と標準
分子量物質を用いることにより測定されるものであり、
数平均分子量としては１００，０００以上であることが
必要である。数平均分子量は１００，０００未満では溶
液を基材に塗布後溶剤が揮散した後も被膜がべたついた
り、耐溶剤性や表面硬度が不充分となるので好ましくな
い。
【００１６】本発明の製造方法では、まず対応する原料
のトリアルコキシシランまたはトリクロロシランを有機
溶媒を加えずに、酸触媒の存在下で加水分解縮合反応さ
せて、初期縮合物を製造する第１工程を行う。この初期
加水分解縮合での触媒は、反応のコントロールのしやす
さから酸触媒を使用する。次いでこの初期縮合物を、有
機溶剤中、固形分濃度０．５〜３０重量％の濃度でアル
カリを触媒として、６０〜１４０℃に加熱して数平均分
子量が１００，０００以上となるよう、更に縮合を進め
る第２工程を行う。
のトリアルコキシシランまたはトリクロロシランを有機
溶媒を加えずに、酸触媒の存在下で加水分解縮合反応さ
せて、初期縮合物を製造する第１工程を行う。この初期
加水分解縮合での触媒は、反応のコントロールのしやす
さから酸触媒を使用する。次いでこの初期縮合物を、有
機溶剤中、固形分濃度０．５〜３０重量％の濃度でアル
カリを触媒として、６０〜１４０℃に加熱して数平均分
子量が１００，０００以上となるよう、更に縮合を進め
る第２工程を行う。
【００１７】本発明において縮合時、すなわち第２工程
で使用する有機溶剤としてはメタノール、エタノール、
２−プロパノール、ブタノール等のアルコール類、テト
ラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテルのようなエーテル類、メチルエチルケト
ン、アセトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン
類、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチルのようなエス
テル類、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素類、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリク
ロロエチレン、クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素類、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド等の溶剤が例示される。
で使用する有機溶剤としてはメタノール、エタノール、
２−プロパノール、ブタノール等のアルコール類、テト
ラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテルのようなエーテル類、メチルエチルケト
ン、アセトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン
類、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチルのようなエス
テル類、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素類、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリク
ロロエチレン、クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素類、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド等の溶剤が例示される。
【００１８】縮合時の触媒としては水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムなど
アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジエチレ
ントリアミン、ｎ−ブチルアミン、ジメチルアミノエタ
ノール、トリエタノールアミンなどのアミン類、テトラ
メチルアンモニウムハイドロキサイドのような四級アン
モニウム塩類を使用することができる。
水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムなど
アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジエチレ
ントリアミン、ｎ−ブチルアミン、ジメチルアミノエタ
ノール、トリエタノールアミンなどのアミン類、テトラ
メチルアンモニウムハイドロキサイドのような四級アン
モニウム塩類を使用することができる。
【００１９】本発明のポリオルガノシルセスキオキサン
の製造方法では、前述の有機溶剤に対して固形分濃度は
３０重量％以下とすることがよく、これを超えた固形分
濃度では縮合の進行と共にゲル化が生じやすくなる。ま
たゲル化が避けられても、生成物の保存安定性が乏しく
保管時にゲル化が起りやすい。一方０．５重量％未満の
濃度では縮合反応の速度が遅く、実用的ではない。
の製造方法では、前述の有機溶剤に対して固形分濃度は
３０重量％以下とすることがよく、これを超えた固形分
濃度では縮合の進行と共にゲル化が生じやすくなる。ま
たゲル化が避けられても、生成物の保存安定性が乏しく
保管時にゲル化が起りやすい。一方０．５重量％未満の
濃度では縮合反応の速度が遅く、実用的ではない。
【００２０】縮合反応の温度は６０〜１４０℃であり、
６０℃未満では反応を効率的に進めることができず、１
４０℃を超えると逆にゲル化を抑制することが難しい。
縮合反応の停止は反応溶液を中和することにより行い、
その際に生じる塩は必要に応じて瀘過または水洗等によ
り除去する。また微量の水が問題となる場合は脱水剤を
用いて取り除くことができる。縮合反応のもう一つの副
生物であるアルコールは加熱あるいは減圧蒸留によって
容易に除去することが可能である。このようにして本発
明によればポリオルガノシルセスキオキサンをゲル化す
ることなく安定に製造することができる。
６０℃未満では反応を効率的に進めることができず、１
４０℃を超えると逆にゲル化を抑制することが難しい。
縮合反応の停止は反応溶液を中和することにより行い、
その際に生じる塩は必要に応じて瀘過または水洗等によ
り除去する。また微量の水が問題となる場合は脱水剤を
用いて取り除くことができる。縮合反応のもう一つの副
生物であるアルコールは加熱あるいは減圧蒸留によって
容易に除去することが可能である。このようにして本発
明によればポリオルガノシルセスキオキサンをゲル化す
ることなく安定に製造することができる。
【００２１】このポリオルガノシルセスキオキサンを使
用するに当っては、そのまま溶液として、濃縮、稀釈等
濃度や溶剤組成を修正して用いることもできるし、溶剤
を全て除いたフィルムや粉末状として取り出すこともで
きる。また本発明のポリオルガノシルセスキオキサンに
は必要に応じて各種の添加剤例えば充填剤、染料、顔
料、安定剤、紫外線吸収剤、防カビ剤、界面活性剤、レ
ベリンク剤などを添加して用いることもできる。
用するに当っては、そのまま溶液として、濃縮、稀釈等
濃度や溶剤組成を修正して用いることもできるし、溶剤
を全て除いたフィルムや粉末状として取り出すこともで
きる。また本発明のポリオルガノシルセスキオキサンに
は必要に応じて各種の添加剤例えば充填剤、染料、顔
料、安定剤、紫外線吸収剤、防カビ剤、界面活性剤、レ
ベリンク剤などを添加して用いることもできる。
【００２２】本発明の製造方法で得られたポリオルガノ
シルセスキオキサンはその溶液を基材表面に塗布し、溶
剤を揮散させるだけで、強靱で、硬く、また５００℃の
耐熱性を有する被膜を形成させることができるが、この
被膜を加熱硬化することにより、更に硬度、耐溶剤性等
の向上を図ることも可能である。
シルセスキオキサンはその溶液を基材表面に塗布し、溶
剤を揮散させるだけで、強靱で、硬く、また５００℃の
耐熱性を有する被膜を形成させることができるが、この
被膜を加熱硬化することにより、更に硬度、耐溶剤性等
の向上を図ることも可能である。
【００２３】
【実施例】以下、実施例及び比較例をあげて本発明を更
に詳しく説明する。なお、実施例及び比較例中のポリオ
ルガノシルセスキオキサンの基本物性測定は下記の方法
により行った。
に詳しく説明する。なお、実施例及び比較例中のポリオ
ルガノシルセスキオキサンの基本物性測定は下記の方法
により行った。
【００２４】〔数平均分子量〕ＧＰＣ法による。装置は
島津製作所製ＣＲ−３Ａを使用しカラムは昭和電工
（株）製ショウデックスＫＦ８０１，ＫＦ８０２，ＫＦ
８０３，ＫＦ８０４を連結して使用し、標準試料ポリス
チレンとの比較換算により求めた。
島津製作所製ＣＲ−３Ａを使用しカラムは昭和電工
（株）製ショウデックスＫＦ８０１，ＫＦ８０２，ＫＦ
８０３，ＫＦ８０４を連結して使用し、標準試料ポリス
チレンとの比較換算により求めた。
【００２５】〔赤外線吸収スペクトル〕島津製作所製Ｉ
Ｒ−４３５を使用し、透過率測定により赤外吸収スペク
トルを調べた。
Ｒ−４３５を使用し、透過率測定により赤外吸収スペク
トルを調べた。
【００２６】〔Ｘ線回析〕理学電機（株）製ＲＩＧＡＫ
Ｕ ＲＯＤ−Ｂシステム（Ｘ線源はＣｕターゲット）を
使用した。
Ｕ ＲＯＤ−Ｂシステム（Ｘ線源はＣｕターゲット）を
使用した。
【００２７】（実施例１）１リットルの４つ口フラスコ
に、メチルトリエトキシシラン４８１．４ｇ（２．７モ
ル）、フェニルトリメトキシシラン５９．５ｇ（０．３
モル）、塩酸０．０００４モル、水１０８ｇ（６モル）
を仕込んだ後、フラスコ内の温度を５０℃まで昇温し、
撹拌しながら３０分間保持した。続いて７０℃に昇温
し、２時間反応させた後、エバポレーターを用いて水及
びアルコールを除いたところ、反応物約２６０ｇを得
た。次にこれをメチルイソブチルケトンに固形分濃度が
１５重量％になるよう溶解しトリエチルアミン０．００
８２モルを滴下し、８０℃で３時間反応せしめた後、塩
酸０．００８７モルを加えて中和した。
に、メチルトリエトキシシラン４８１．４ｇ（２．７モ
ル）、フェニルトリメトキシシラン５９．５ｇ（０．３
モル）、塩酸０．０００４モル、水１０８ｇ（６モル）
を仕込んだ後、フラスコ内の温度を５０℃まで昇温し、
撹拌しながら３０分間保持した。続いて７０℃に昇温
し、２時間反応させた後、エバポレーターを用いて水及
びアルコールを除いたところ、反応物約２６０ｇを得
た。次にこれをメチルイソブチルケトンに固形分濃度が
１５重量％になるよう溶解しトリエチルアミン０．００
８２モルを滴下し、８０℃で３時間反応せしめた後、塩
酸０．００８７モルを加えて中和した。
【００２８】この反応物の分子量をＧＰＣにより求めた
ところ、数平均分子量は３５０，０００であった。ＧＰ
Ｃ溶出曲線から見られるこの反応物の分子量分布は一般
のシリコーン系化合物に比して狭かった。またこの溶液
をシリコンウェハー上にスピンコートし、溶剤を完全に
除去した後のフィルムの赤外吸収スペクトルではＳｉ−
Ｏ−Ｓｉの伸縮振動が１０３０ｃｍ-1と１１００ｃｍ-1
とに大きく分岐し、ポリシルセスキオキサンの構造が確
認された。なお、このスペクトルの帰属については第３
回無機高分子講演要旨集第３５頁の記載を引用、準拠し
た。
ところ、数平均分子量は３５０，０００であった。ＧＰ
Ｃ溶出曲線から見られるこの反応物の分子量分布は一般
のシリコーン系化合物に比して狭かった。またこの溶液
をシリコンウェハー上にスピンコートし、溶剤を完全に
除去した後のフィルムの赤外吸収スペクトルではＳｉ−
Ｏ−Ｓｉの伸縮振動が１０３０ｃｍ-1と１１００ｃｍ-1
とに大きく分岐し、ポリシルセスキオキサンの構造が確
認された。なお、このスペクトルの帰属については第３
回無機高分子講演要旨集第３５頁の記載を引用、準拠し
た。
【００２９】また上記フィルムのＸ線回析図は、４．５
Åに明瞭な回析ピークを有しており、Brownらがポリシ
ルセスキオキサンに対して測定した値に一致した。
Åに明瞭な回析ピークを有しており、Brownらがポリシ
ルセスキオキサンに対して測定した値に一致した。
【００３０】上記フィルムは、鉛筆硬度Ｈの比較的硬い
被膜であり、うすい金属板にコーティングした被膜では
１８０度折り曲げにも追従しうる柔軟性を示した。ま
た、これを５００℃で１時間熱処理を行ったが何ら損傷
は見られず、鉛筆硬度は６Ｈに向上した。
被膜であり、うすい金属板にコーティングした被膜では
１８０度折り曲げにも追従しうる柔軟性を示した。ま
た、これを５００℃で１時間熱処理を行ったが何ら損傷
は見られず、鉛筆硬度は６Ｈに向上した。
【００３１】（比較例１）実施例１において、縮合時の
固形分濃度を０．２重量％とする以外は実施例１と同様
な操作、処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを
合成した。８０℃３時間後の反応物のＧＰＣによる数平
均分子量は５０，０００であった。この溶液を固形分濃
度１５％となるよう濃縮し、実施例１と同様にシリコン
ウェハー上にスピンコートし、溶剤を完全に除去した
が、フィルムはベタつき、硬度は全く得られなかった。
固形分濃度を０．２重量％とする以外は実施例１と同様
な操作、処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを
合成した。８０℃３時間後の反応物のＧＰＣによる数平
均分子量は５０，０００であった。この溶液を固形分濃
度１５％となるよう濃縮し、実施例１と同様にシリコン
ウェハー上にスピンコートし、溶剤を完全に除去した
が、フィルムはベタつき、硬度は全く得られなかった。
【００３２】（比較例２）実施例１において、縮合時の
固形分濃度を３５重量％とする以外は実施例１と同様な
操作、処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合
成した。８０℃３時間後の反応物の数平均分子量は６５
０，０００であった後、常温で保存一昼夜後この溶液は
ゲル化を生じた。
固形分濃度を３５重量％とする以外は実施例１と同様な
操作、処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合
成した。８０℃３時間後の反応物の数平均分子量は６５
０，０００であった後、常温で保存一昼夜後この溶液は
ゲル化を生じた。
【００３３】（比較例３）実施例１において、縮合時の
反応温度を５０℃とする以外は実施例１と同様な操作、
処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合成し
た。３時間後の反応物の数平均分子量は６２，０００で
あり、本発明の目的とする分子量域には達していなかっ
た。
反応温度を５０℃とする以外は実施例１と同様な操作、
処方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合成し
た。３時間後の反応物の数平均分子量は６２，０００で
あり、本発明の目的とする分子量域には達していなかっ
た。
【００３４】（比較例４）実施例１において、縮合時の
溶剤をシクロヘキサノール、縮合時の反応温度を１４５
℃とする以外は実施例１と同様な操作、処方によりポリ
オルガノシルセスキオキサンを合成した。反応２時間後
にゲル化し、沈澱を生じた。
溶剤をシクロヘキサノール、縮合時の反応温度を１４５
℃とする以外は実施例１と同様な操作、処方によりポリ
オルガノシルセスキオキサンを合成した。反応２時間後
にゲル化し、沈澱を生じた。
【００３５】（実施例２）１リットルの４つ口フラスコ
に、メチルトリエトキシシラン３２０．９ｇ（１．８モ
ル）、プロピルトリエトキシシラン２４７．６ｇ（１．
２モル）、塩酸０．０００４モル、水１０８ｇ（６モ
ル）を仕込んだ後、フラスコ内の温度を５０℃まで昇温
し、撹拌しながら３０分間保持した。続いて７０℃に昇
温し、２時間反応させた後、エバポレーターを用いて水
及びアルコールを除いたところ、反応物約２７０ｇを得
た。次にこれを酢酸ブチルに固形分濃度が５重量％にな
るよう溶解し、エタノールアミン０．００８２モルを滴
下し、７０℃で５時間反応せしめた後、酢酸０．００８
７モルを加えて中和した。この反応物の分子量をＧＰＣ
により求めたところ、数平均分子量は１，１５０，００
０であった。実施例１と同様にこれをシリコンウェハー
上にスピンコートし、溶剤を完全に除去したところ、鉛
筆硬度Ｆの比較的硬い被膜が得られた。さらにこの被膜
に３００℃で１時間熱処理を行ったが、何ら異常は見ら
れず鉛筆硬度は２Ｈに向上した。
に、メチルトリエトキシシラン３２０．９ｇ（１．８モ
ル）、プロピルトリエトキシシラン２４７．６ｇ（１．
２モル）、塩酸０．０００４モル、水１０８ｇ（６モ
ル）を仕込んだ後、フラスコ内の温度を５０℃まで昇温
し、撹拌しながら３０分間保持した。続いて７０℃に昇
温し、２時間反応させた後、エバポレーターを用いて水
及びアルコールを除いたところ、反応物約２７０ｇを得
た。次にこれを酢酸ブチルに固形分濃度が５重量％にな
るよう溶解し、エタノールアミン０．００８２モルを滴
下し、７０℃で５時間反応せしめた後、酢酸０．００８
７モルを加えて中和した。この反応物の分子量をＧＰＣ
により求めたところ、数平均分子量は１，１５０，００
０であった。実施例１と同様にこれをシリコンウェハー
上にスピンコートし、溶剤を完全に除去したところ、鉛
筆硬度Ｆの比較的硬い被膜が得られた。さらにこの被膜
に３００℃で１時間熱処理を行ったが、何ら異常は見ら
れず鉛筆硬度は２Ｈに向上した。
【００３６】（比較例５）実施例２におけるメチルトリ
エトキシシランを１．２モル、プロピルトリエトキシシ
ラン１．８モルとする以外は実施例１と同様な操作、処
方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合成した。
反応３時間後の数平均分子量は９８０，０００であっ
た。シリコンウェハー上に作製した被膜は鉛筆硬度２Ｂ
と軟らかく、また３００℃で１時間加熱処理を行ったと
ころ多数のクラックを生じた。
エトキシシランを１．２モル、プロピルトリエトキシシ
ラン１．８モルとする以外は実施例１と同様な操作、処
方によりポリオルガノシルセスキオキサンを合成した。
反応３時間後の数平均分子量は９８０，０００であっ
た。シリコンウェハー上に作製した被膜は鉛筆硬度２Ｂ
と軟らかく、また３００℃で１時間加熱処理を行ったと
ころ多数のクラックを生じた。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によればポリオルガノシルセスキオキサンをゲル化する
ことなく安定に製造することができる。そして、本発明
の製造方法で得られたポリオルガノシルセスキオキサン
は、その溶液を基材にコーティングし溶剤を揮発させる
だけで、強靱で硬度が高く、また５００℃に耐える耐熱
性の被膜を形成することができる。このため、プロセス
的にも簡便となる他、従来加熱硬化に適しない基材にも
適用することができ、広い用途に使用することが可能で
ある。
によればポリオルガノシルセスキオキサンをゲル化する
ことなく安定に製造することができる。そして、本発明
の製造方法で得られたポリオルガノシルセスキオキサン
は、その溶液を基材にコーティングし溶剤を揮発させる
だけで、強靱で硬度が高く、また５００℃に耐える耐熱
性の被膜を形成することができる。このため、プロセス
的にも簡便となる他、従来加熱硬化に適しない基材にも
適用することができ、広い用途に使用することが可能で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−13632（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−20331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−49540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−108628（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 77/04 - 77/398
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）で構造が示され、数平均分
子量が１００，０００以上であるポリオルガノシルセス
キオキサンの製造方法において、 （１）トリアルコキシシラン、またはトリクロロシラン
を、有機溶媒を加えずに酸触媒の存在下で加水分解縮合
反応させて、初期加水分解縮合物を製造する第１工程
と、 （２）初期加水分解縮合物を、有機溶剤中、固形分濃度
０．５〜３０重量％の濃度でアルカリを触媒として、６
０〜１４０℃に加熱して更に縮合する第２工程とを有す
ることを特徴とするポリオルガノシルセスキオキサンの
製造方法。 【化１】 （一般式（Ｉ）中、全側鎖Ｒ 1 の５０〜１００モル％が
メチル基であり、残部が炭素原子数２ないし３個のアル
キル基か置換または非置換フェニル基であり、Ｒ 2 が炭
素原子数１ないし３個のアルキル基または水素原子であ
り、ｎが整数である。）
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22189891A JP3272002B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | ポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22189891A JP3272002B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | ポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125187A JPH05125187A (ja) | 1993-05-21 |
| JP3272002B2 true JP3272002B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=16773897
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22189891A Expired - Fee Related JP3272002B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | ポリオルガノシルセスキオキサンの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3272002B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8007860B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-08-30 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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| JP3635181B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2005-04-06 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 剥離性硬化皮膜形成用組成物 |
| JP3635179B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2005-04-06 | ダウ コーニング アジア株式会社 | シリル化ポリメチルシルセスキオキサン、その製造方法、それを用いた組成物 |
| US5962067A (en) | 1997-09-09 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Method for coating an article with a ladder siloxane polymer and coated article |
| TWI234787B (en) | 1998-05-26 | 2005-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Silica-based coating film on substrate and coating solution therefor |
| WO2000077575A1 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Alliedsignal Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| KR20000063142A (ko) * | 2000-02-17 | 2000-11-06 | 이응찬 | 폴리오르가노실세스키옥산 제조용 출발물질,폴리오르가노실세스키옥산 및 폴리오르가노실세스키옥산제조방법 |
| US7550249B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-06-23 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Base soluble polymers for photoresist compositions |
| US7759046B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-07-20 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
| US8927636B2 (en) | 2009-09-14 | 2015-01-06 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation | Polycarbonate resin composition and molded article |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| DE102011087931A1 (de) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Wacker Chemie Ag | Herstellung hochmolekularer Siliconharze |
| TW202120601A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-06-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 硬化性組合物、硬化物及硬化性組合物的使用方法 |
| US20230312918A1 (en) | 2020-08-31 | 2023-10-05 | Covestro Deutschland Ag | Hydrolysis-Resistant Polycarbonate Composition |
| EP4377395A1 (en) | 2021-07-27 | 2024-06-05 | Covestro Deutschland AG | Hydrolysis-resistant polycarbonate composition |
| EP4230697A1 (en) | 2022-02-16 | 2023-08-23 | Covestro Deutschland AG | Hydrolysis-resistant polycarbonate composition |
| WO2023156339A1 (en) | 2022-02-16 | 2023-08-24 | Covestro Deutschland Ag | Flame-retardant polycarbonate composition |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP22189891A patent/JP3272002B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8007860B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-08-30 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05125187A (ja) | 1993-05-21 |
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