KR101156146B1 - 질소면의 표면상의 구조물 제조를 통한 고효율 3족 질화물계 발광다이오드 - Google Patents

질소면의 표면상의 구조물 제조를 통한 고효율 3족 질화물계 발광다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 질화 갈륨(GaN)계 발광다이오드(LED)에 있어서, 광은 LED의 질소면(N-face)을 통해 추출되고 질소면(N-face)의 표면은 하나 내지 그 이상의 콘 형태로 처리되는 GaN LED에 관한 것으로, 처리된 표면은 LED 내부에서 반복적으로 발생하는 광반사를 감소시키고 따라서 LED 외부로 더 많은 광을 추출할 수 있다. 질소면의 표면은 이방성 에칭에 의해 처리되며, 이방성 에칭은 건식 에칭 또는 PEC 에칭을 포함한다. 실시예에서, 질소면 GaN은 "LLO" 기술에 의해 구현된다. 다른 실시예에서는 LED가 c-평면 GaN 웨이퍼 상에서 성장하며, p형층 표면은 갈륨면이고, n형층의 표면은 질소면이다.
질화 갈륨, 발광다이오드, 표면, 처리, 추출효율, 에칭, 질소면, 갈륨면

Description

질소면의 표면상의 구조물 제조를 통한 고효율 3족 질화물계 발광다이오드{HIGHLY EFFICIENT GROUP-III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA FABRICATION OF STRUCTURES ON AN N-FACE SURFACE}
본 발명은 Stanley Electric Co., Ltd., Mitsubishi Chemical Corp. Rohm, Co., Ltd., Cree, Inc., Matsushita Electric Works, Matsushita Electric Industrial Co., and Seoul Semiconductor Co., Ltd를 포함하는 University of California, Santa Barbara Solid State Lighting, 그리고 Display Center 구성원의 회사들의 지원하에 이루어진 것이다.
본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 더 상세하게는, 표면처리에 의한 고효율 질화 갈륨계 발광다이오드에 관한 것이다.
(주: 본 출원은 하나 이상의 참조번호로 본 명세서 전체를 통해 표시된 바와 같이 상당수 다른 공보를 참고하였다. 상기 참조번호에 따라 정렬된 상기의 다른 공보 목록은 하기의 "참고문헌"이라 명명된 부분에서 찾을 수 있다. 상기 각각의 공보는 참고문헌으로서 이곳에 통합된다.)
GaN(질화 갈륨)계 광대역 반도체 LED(발광 다이오드)는 약 10년간 이용되어 왔다. LED 개발의 발전은 총천연색(full-color) LED 디스플레이, LED 교통 신호기, 백색 LED 등의 실현과 함께 LED 기술에 놀라운 변화를 가져왔다.
고효율 백색 LED는 형광등을 대체할 수 있으므로 최근 많은 관심을 얻게 되었다. 특히, 백색 LED (74 lm/W) [1]의 효율은 통상적인 형광등 (75 lm/W)의 효율 에 가까워지고 있다. 그럼에도 불구하고, 보다 개선된 효율이 바람직하다.
LED 효율의 개선을 위한 접근 원칙이 두 가지 있다. 첫 번째 접근은 결정 품질과 에피텍셜 층 구조에 의해 결정된 내부 양자 효율(ηi)을 증가시키는 것이고, 한편, 두 번째 접근은 광 추출효율(ηextraction)을 증가시키는 것이다.
내부 양자 효율은 쉽게 증가될 수 없다. 청색 LED용 고유의 ηi 값은 70% 이상이고 [2], 저-전위(轉位) GaN 기판 위에서 성장한 자외선(UV) LED는 최근 약 80%의 ηi를 나타낸다 [3]. 이 값들의 개선의 여지는 거의 없다.
반면, 광 추출효율의 개선의 여지는 많다. 많은 쟁점들은, 고반사 거울, 처리된 표면과 같은 저반사면, 고온 분산구조 등을 포함하는, 내부 광손실(internal loss of light)을 제거하는데 초점이 맞추어질 수 있다.
예를 들어, GaN의 굴절률(n ≒ 2.5)과 공기를 고려하면 [4], 광 이스케이프 콘 형상(light escape cone)의 임계각은 약 23°이다. 측벽 및 후면으로부터의 발광을 무시한다고 가정하면, 내부광의 단지 약 4%만 추출될 것으로 예상된다. 이스케이프 콘 형상의 외부광은 기판으로 반사되며, 측벽을 통해 빠져나가지 않는 경우에는, 활성층 내지 전극에 의해 반복적으로 반사되거나 흡수된다.
LED 구조는 얼마나 많은 빛이 발광되는지에 영향을 미친다. 광 추출효율에 미치는 LED 구조의 영향은 예를 통해 가장 적절하게 기술된다. 이하의 예들은 LED 구조의 몇몇 유형을 기술한다.
도 1은 p형 패드 전극(10), 반투명 전극(12), p형 층(14), 활성 영역(16), n형 층(18), n형 전극(20), 그리고 기판(22)을 포함하는 통상적인 LED 구조의 단면도이다. GaN은 일반적으로 사파이어와 같은 절연기판 위에서 성장하였으므로, p형과 n형 전극(10, 20)은 동일한 평면(plane) 위에 만들어져야 하고, 수득한 전극(10, 20)의 소자구조(device structure)로 인해, 전류가 측면으로 흐르게 된다. p형 GaN의 높은 저항으로 인해, 전류가 p형 GaN 위로 퍼지도록 반투명 전극(12)으로서 금속 박막이 채용된다. 반투명 전극(12)의 투명도는 100%인 것이 바람직하나, GaN계 LED에 사용된 얇은 금속 전극의 투명도는 최대 70%이다. 더욱이, LED의 내부로부터 방출되는 광을 가리는 패드 전극(10)은 와이어 결합을 위해 형성되어야 하며, 따라서 추출효율은 상당히 낮을 것으로 예상된다.
도 2는 투명 사파이어 기판(24), n형 층(26), n형 전극(28), 활성 영역(30), p형 층(32), p형 전극(34), 솔더(36), 그리고 호스트 서브마운트(38)를 포함하는 플립-칩 형 LED 구조의 단면도이다. 외부 효율을 개선하기 위해, 광은 플립-칩 형 LED 구조의 투명 사파이어 기판(24)을 통해 추출될 수 있다. 이 방법은 금속 박막과 패드 전극에 의한 광 흡수의 감소와 관련하여 통상적인 LED보다 이점이 있다. 그러나, 활성 영역으로부터 방출된 대부분의 광은 기판(24)과 n형 층(26) 사이의 경계면, 그리고 기판(24)과 공기 사이의 경계면에서 반사된다.
사파이어 기판으로부터 GaN 막을 분리하도록 하는 방법은 "LLO(laser lift off)" 기술이라 불리운다. 이 방법은 플립-칩 형 GaN계 LED에 적용함으로써, 사파이어 기판이 없는 GaN LED가 실현될 수 있다. 그 결과로 생긴 GaN 표면이 비평면 배향되었다고 가정하면, 추출효율의 뚜렷한 개선이 예상된다.
추출효율 증가의 또 다른 접근은, 내부 광반사를 방해하고 광을 위쪽으로 확산시키는 LED 표면을 처리하는 것이다 [5]. 그러나, GaN은 고내구성 소재이고 통상적인 습식 에칭법은 큰 영향을 받지 않으므로, 표면 처리된 LED는 물질의 갈륨 인화물(GaP) 군의 문맥에서만 언급되어왔다. 따라서, 광 산란을 위한 반도체 표면 처리의 아이디어가 1970년대에 처음 고찰되었다고 해도, LED와 같은 종류를 제조하는데 사용되기에는 어렵고 비싸다고 여겨져 왔다.
그러나, 상기한 바와 같이, 전형적인 GaN계 LED는 사파이어 또는 탄화 규소(SiC) 기판상에서 p-GaN/활성층/n-GaN 박막으로 구성된다.
표면 처리하는 것이 일정한 GaN 층 두께를 필요로 할지라도 [6], 광이 p-GaN을 통해 추출되면 p-GaN 표면상의 반투명 접촉을 요구하는 p-GaN의 비교적 높은 저항 때문에 두꺼운 P-GaN 성장은 바람직하지 않고, 표면 처리를 위해 건식 에칭 [7]과 같은 일부의 처리방법은 전기적 손상을 야기할 수 있다. 활성층을 손상하는 마그네슘(Mg) 메모리 효과 [8] 때문에 유기금속 화학 증착법(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)으로 p-측 하강 구조(down structure)를 성장하는 것도 바람직하지 않다.
최근, 기판상에서 성장한 GaN 막으로부터 사파이어 기판을 탈착하기 위해 LLO(Laser Lift Off)법이 사용되어 왔다[9-11]. 더욱이, LLO는 GaN계 LED를 제조하기 위해 사용되어 왔다[12, 13]. 그러나 이러한 기술이 표면 형태나 추출 효율에 미치는 영향에 대한 언급은 없었다.
한편, 본 발명에서는, 플립-칩 기술 [14]과 LLO법을 이용하여, 기판 없는(substrate-free) 질소(N)측 상승(N-side-up) GaN계 LED 구조를 만들 수 있다. 그 후, N측 상승 GaN계 LED의 표면 처리를 위하여 이방성 에칭 공정을 사용할 수 있다. 이에 따라, 광 추출에 유용한 6각형의 "콘 형태와 유사한" 표면이 생겼다. 최적으로 표면 처리된 LED의 추출효율은 처리 전의 LED와 비교하여 100% 이상 증가하였음을 나타낸다.
여기서, 때로는 GaN을 이방성 에칭하는 것은 어렵다는 점에 주목한다. 이는 다른 반도체 재료들과 비교하여 GaN이 화학적으로 안정한 재료이기 때문에 사실이다. 텍스쳐(textured) 표면을 만들기 위해 건식 에칭을 사용할 수 있으나, 포토리소그래피(photolithography)와 같은 부수적인 공정을 요구하며, GaN상에 미세한(fine) 콘 형태와 유사한 표면을 만드는 것은 불가능하다.
PEC 에칭(photo-enhanced chemical etching)이 갈륨 면(Ga-face) GaN에 사용되면, 작은 피트(pit)가 표면상에 형성된다. 이는 뚜렷한(distinct) 콘 형태와 유사한 특징을 야기하는 질소면(N-face) GaN의 PEC 에칭과 대조적이다. LLO 기술을 이용하여 제조된 GaN계 LED를 다루는 보고서는 적으나, 본 발명은 이방성 에칭 방법을 이용하여 GaN계 LED의 질소면 GaN 표면상에 콘 형태와 유사한 구조를 제조한다.
삭제
이하, 도면을 참조함에 있어, 동일한 참조번호는 대응하는 부분을 나타낸다.
도 1은 통상적인 LED 구조의 단면도이고;
도 2는 플립-칩 형 LED 구조의 단면도이며;
도 3은 표면 처리된 LED를 도시한 것이며;
도 4는 본 발명의 실시예에 사용된 공정의 단계를 나타낸 순서도이며;
도 5(a)-(f) 표면 처리를 이용한 LED의 제조 단계를 나타낸 것이며;
도 6(a)는 전류 차단 층을 포함하는 LED를 나타내고, 도 6(b)는 전류 구속 프레임을 나타내며;
도 7(a) 및 도 7(b)는 교차 형상을 한 n-전극과 함께 LED가 Si 기판에 결합된 LLO-LED의 plan-view 현미경 사진이며;
도 8(a) 및 도 8(b)는 PEC 에칭 이후 서로 다른 에칭 시간에서의 GaN의 N-면의 전자 현미경(Scanning Electron Micrograph; SEM) 사진이며;
도 9(a) 및 도 9(b)는 평평한 표면의 LED로부터의 전기장 발광(Electroluminescence; EL) 스펙트럼과 표면 처리된 LED를 나타낸 것이며; 그리고
도 10은 서로 다른 에칭 시간을 가지는 LED의 상온에서의 상승하는 EL 출력 전력 대비 DC 주입 전류(L-I)의 특징을 나타내는 그래프이다.
발명의 요약
본 발명은 질화 갈륨(GaN)계 발광 다이오드(LED)에 있어서, 광이 LED의 질소 면(N-face)을 통해 추출되고 질소면(N-face)의 표면은 하나 내지 그 이상의 콘 형태로 처리되는 GaN LED에 관한 것이다. 처리된 표면은 LED 내부에서 반복적으로 발생하는 광반사를 감소시키고 따라서 LED 외부로 더 많은 광을 추출할 수 있다.
질소 면의 표면은 이방성 에칭에 의해 처리된다. 이방성 에칭은 건식 에칭 또는 PEC 에칭을 포함한다.
일 실시예에서, 질소면 GaN은 "LLO" 기술에 의해 구현된다. 다른 실시예에서 LED는 c-평면 GaN 웨이퍼상에 성장하고, p형층 표면은 갈륨면이며, n형층의 표면은 질소면이다.
발명의 상세한 설명
바람직한 실시예에 따른 이하의 상세한 설명에서, 참고문헌은 본 명세서의 일부분을 구성하는 첨부도면에 만들어지고, 본 발명이 구현될 수 있는 특정의 실시예를 설명하는 방식으로 나타낸다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 실시예들이 이용되고 구조적인 변화가 있을 수 있을 것으로 이해된다.
개요
본 발명은 GaN(질화 갈륨)계 LED(발광 다이오드)의 표면 처리에 의해 추출효율을 증가시키는 수단을 제공한다. 구체적으로, N-면 c-평면 GaN 표면에 이방성 PEC 에칭 방법을 적용하여, 콘 형태의 표면 특징을 얻는다. 이러한 표면 처리는 LED 내에서 반복적으로 발생하는 광반사를 감소시키고, 따라서 LED 외부로 더 많은 광을 추출한다. 더욱이, 재료(material)의 품질을 손상시킬 수 있는 다른 표면 처리 방법에 비하여, 본 발명의 방법은, 간단하고, 반복 가능하며, LED 제조에 본 발명이 더 적합하도록 하는 모든 재료를 손상시키지 않는다.
LED 구조
도 3은 n형 전극(40), n형 층(42), 활성 영역(44), p형 층(46) 및 n형 전극(54)을 포함하는 실리콘(Si) 서브 바운트(52)에 솔더 층(50)을 통하여 플립-칩 결합된(flip-chip bonded) p형 전극(48)을 포함하는 표면 처리된 LED를 나타낸다. n형 층(42), 활성 영역(44), 그리고 p형 층(46)은 (B, Ga, In)N 합금을 포함하여 이루어진다. n형 층(42)의 표면 처리에는 건식 또는 PEC 에칭 방법이 적합하다. 바람직한 표면을 획득할 수 있도록 건식 에칭을 위한 플라즈마 화학(plasma chemistries)과 플라즈마 전력(plasma power), 그리고 PEC 에칭을 위한 전해질(electrolyte) 및 램프 전력(lamp power)과 같은 적정한 조건이 설정되어야 한다. 이방성 에칭은 Ga면(Ga-fce) GaN보다 N-면(N-face) GaN에서 훨씬 더 쉽게 관찰되므로, 이러한 GaN계 LED는 자신의 c-축을 따라 성장하고, 이러한 n형 GaN 표면은 N-면이어야 함은 중요하다.
c-평면 GaN은 단지 Ga 원자만을 포함하는 평면 및 교대로 퇴적되거나(piled) 겹쳐서 쌓인(stack up) N 원자(atoms)만을 포함하는 평면의 구조임에 주목한다. 만약 한 표면이 Ga-면이면 마주하는 표면은 N-면이다. 결정 성장과 소자 성능의 관점으로부터 일반적으로 Ga-면 c-평면 GaN이 선호된다는 사실에 기인하여, N-면 GaN은 LLO 기술에 의해 마련되어야 할 필요가 있고, 또는, 선택적으로, LED 구조가 c-평면 벌크(bulk) GaN 웨이퍼 상에 성장될 수 있다.
활성 영역(44)으로부터 처리된 n형 GaN 표면(42) 쪽으로 방출된 광은 상기 광을 활성 영역으로 되돌려 반사시키지 않는 표면에 의해 산란된다. p형 전극(48)은 광흡수를 감소시키고 n형 GaN 표면(42)으로의 광 반사를 증가시키기 위해 고 반사율 속성을 가지는 것이 바람직하다. 실험을 통해 얻어낸 결과에 의하면, 본 발명은 표면 처리된 LED에 대한 상승 광출력 전력(upward light output power)을 평면 LED와 비교하여 2배 또는 3배 증가시키는 것으로 판단된다.
단계별 설명
도 4는 본 발명의 실시예에 사용된 공정의 단계를 나타낸 순서도이다.
블럭(56)은 MOCVD에 의해 c-평면 사파이어 기판상에 Ga-표면 에피텍셜층을 성장시키는 단계를 나타내며, 그에 따라 샘플을 생성한다.
블럭(58)은 MOCVD 이후에 p형 활성을 위해 샘플을 어닐(anneal)하는 단계를 나타낸다.
블럭(60)은 고 반사 p-GaN 접촉을 만들기 위해, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하나, 이에 한정되지는 않는, 샘플상에 p형 금속화 공정(metallization)을 수행하는 단계를 나타낸다.
블럭(62)은 샘플 위에 두꺼운 금(Au) 층을 증착시키고, 이어서 열 증발기 내에서 Sn 증발(evaporation)에 의해 솔더 금속(solder metal)으로서 주석(Sn)층을 증착시키는 단계를 나타낸다.
블럭(64)은 샘플을 플립(flipping)하고, 상기 샘플을 280℃ 이상의 온도에서 Au 코팅된 Si 기판/서브마운트에 접합(bonding)하는 단계를 나타내며, 여기서, Au/Sn 합금은 Si 기판으로의 샘플의 부착에 기여한다.
블럭(66)은 GaN/사파이어 기판 경계면에서 GaN의 부분적인 분해의 결과에 따라, 크립톤 불화물(KrF) 엑시머 레이저(eximer laser) 광을 이용하여 사파이어 기판의 후면을 통해 샘플의 투명한 사파이어 기판을 빛나게 함으로써 LLO 공정을 실행하는 단계를 나타낸다. 특히, 샘플 위에 KrF 엑시머 레이저 스팟을 주사함으로써, 상기 GaN계 LED 막은 Si 기판/서브마운트로 전사된다.
블럭(68)은 샘플 위에 KrF 레이저를 주사한 뒤, 샘플로부터의 사파이어 기판을 박리하는 단계를 나타낸다.
블럭(70)은 염화 수소산염(HCl) 용액을 이용하여 샘플의 GaN 표면에 부착된 나머지 Ga 작은 방울을 제거하는 단계를 나타낸다.
블럭(72)은 Si 도핑된 N-표면 GaN이 샘플에 노출될 때까지 전사된 GaN을 얇게 하는(thinning) 단계를 나타낸다.
블럭(74)은 n형 접촉이나 전극과 같이 티타늄/알루미늄/티타늄/금(Ti/Al/Ti.Au) 전극을 샘플의 노출된 N-표면 GaN에 증착하는 단계를 나타낸다.
블럭(76)은 수산화 칼륨(KOH)의 전해질 용액에 샘플을 집어넣고 크세논/수은(Xe/Hg) 램프를 사용하여 N-면 GaN 표면을 비추는(irradiating) 것에 의해 PEC 에칭하는 단계를 나타내며, 그와 같은 방법에 의해 상면(top surface)이 처리된다. PEC 에칭은 [15]에 더욱 상세히 설명되어 있다.
블럭(78)은 건식 에칭, 다이싱(dicing) 또는 클리빙(cleaving) 방법을 이용하여 샘플의 Si 기판상에 각 소자를 분리하는 단계를 나타낸다.
도 5(a) ~ (f)는 LED 구조가 p형 전극(80), GaN계 LED 막(82), 솔더 금속(86), 서브마운트(캐리어) 및 n형 전극(90)을 포함할 때, 표면 처리된 LED를 제조하는 단계를 나타내고 있다. 특히, 도 5(a)는 p형 전극(80) 증착 이후의 결과를 나타내고, 도 5(b)는 상기 LED가 호스트 서브마운트(88)에 접합된 후의 결과를 나타내며, 도 5(c)는 LLO에 의해 사파이어 기판(84) 제거 후의 결과를 나타내고, 도 5(d)는 n형 전극(90) 증착 이후의 결과를 나타내며, 도 5(e)는 GaN 표면(82)의 처리 후의 결과를 나타내고, 도 5(f)는 소자 분리(device isolation) 후의 결과를 나타낸다.
가능한 변형
이상 기본적인 구조가 기술되었으나, 어느 정도의 수정 및 변형이 가능하다.
도 6(a)는 전류 차단층을 가지는 LED를 나타내고, 도 6(b)는 전류 구속 프레임을 가지는 LED를 나타내며, 상기 LED는 n형 전극(92), n형 층(94), 활성 층(96), p형 층(98), p형 전극(100), 전류 차단층(102) 및 전류 구속 프레임(104)을 포함한다.
도 6(a)에서, 상기 LED는 n형 전극(92) 아래에 정렬된 전류 차단층(102)을 가진다. 이 전류 차단층(102)은 전류가 n형 전극(92) 아래로 모이는 것을 방지하여 상기 n형 전극(92) 아래에서의 발광의 흡수를 회피할 수 있고 추출효율은 증가할 수 있다. 저항이 있는(resistive) p-GaN 층(98)에서 전류 확산(current spreading)은 거의 발생하기 어려우므로, SiO2와 같은 절연체는 p-GaN 층 위에 위치하는 것이 적합하다.
도 6(b)에 있어서, 상기 LED는 절연체로 만들어진 전류 구속 프레임(104)을 가진다. 건식-에칭 또는 다이싱법이 소자를 분리하는데 사용되면, 표면이 손상을 입었을 경우, 소자의 측벽이 누설전류를 전도할 수 있다. 그러한 누설전류는 LED의 효율과 수명 모두를 감소시킨다. 프레임의 폭이 적절하게 선택되면, 전류 구속 프레임(104)은 LED의 측벽을 통한 누설전류의 억제에 기여하고, 발광영역을 크게 감소시키지 않는다.
LLO 처리에서 Si 기판이 호스트 서브마운트로서 기술되었으나, 본 발명의 실시예에서는 선택적인 기판재료가 사용될 수 있다. Si가 사파이어보다 더 저렴하고 더 높은 열 전도율을 가지더라도, 열전도율의 관점에서는 SiC, 다이아몬드, AIN, 또는, CuW와 같은 다양한 금속기판이 사용하기에 적합할 수 있다.
현재, GaN 소자 또한 SiC 및 Si 기판상에 직접적으로 성장될 수 있다. GaN계 LED가 SiC 또는 Si 위에 성장되면, 종래의 건식 에칭이나 습식 에칭으로 기판을 제거할 수 있다. 벌크(bulk) GaN 기판을 이용함으로써, LLO 처리가 제거될 수 있다.
샘플의 사이즈 또한 LED 제조에 있어서 중요한 점이다. 최근, 큰 사이즈의 LED가 고전력 LED에 대한 수요에 맞추어 주목받고 있다. n형 GaN의 저항이 p형 GaN의 저항보다 낮더라도, 사이즈는 전류 확산(current spreading)의 목적을 위한 n형 전극 형상(geometry)에 영향을 미친다.
실험 결과
발명자에 의한 실험에 있어서, Ga-표면 에피텍셜 층은 MOCVD에 의해 c-평면 사파이어 기판 위에서 성장한다. 상기 구조는 4㎛ 두께의 도핑되지 않은 GaN 층 및 Si 도핑된 GaN층, 5-주기 GaN/InGaN 다중 양자우물(Multi-Quantum- Well; MQW), 20nm 두께의 Mg 도핑된 Al0.2Ga0.8N층 및 0.3㎛ 두께의 Mg 도핑된 GaN을 포함한다. MOCVD 이후, 샘플은 p형 활성화를 위해 어닐(anneal) 되었고 그 후 p형 금속화 처리가 수행되었다. Ag계 전극은 고반사 p-GaN 접촉으로서 적용되었다. 두꺼운 Au가 샘플 위에 증착되고 이어서 열 증발기 내에서 Sn 증발이 수행되었다. 웨이퍼는, 서브 마운트에 웨이퍼의 견고한 부착에 기여하는 Au 및 Sn의 합금을 이루는, 280℃ 온도에서 Au 코팅된 Si 서브마운트에 플립되고 접합되었다. KrF 레이저(248nm)가 LLO 처리에 대하여 사용되었고, 상기 레이저는 GaN과 사파이어 사이의 경계에서 GaN의 부분적인 분해를 야기하는 투명한 사파이어 기판을 통하여 조사되었다. KrF 레이저를 샘플 위로 주사한(rastering) 뒤, 사파이어 기판은 박리된다. 전사된 GaN 표면 위에 남아있는 Ga 작은 방울(droplets)은 HCl 용액에 의해 제거된다. 다음으로, Si 도핑된 GaN이 노출될 때까지 전사된 GaN은 얇아진다(thinned). n-접촉은 노출된 N-면 n-GaN 위에 형성되었고 각 소자는 리액티브 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)에 의해 그 주변으로부터 분리되었다. 최종적으로, 표면의 상단을 처리하기 위해, PEC 에칭이 사용되었다. KOH 용액과 Xe/Hg 램프는 각각 전해질 및 광원으로서 사용되었다. LED의 출력 전력은 LED 칩 위에 7mm의 높이로 세팅된 Si-검출기로 측정되었다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 교차 형상을 한 n-전극을 가지는 LLO-LED의 평면(plan-view) 현미경 사진(micrographs)이며, 여기서, 상기 LED는 Si 기판에 접합되어 있다. 도 7(a)는 처리 이전의 표면을 나타내고, 도 7(b)는 처리 이후의 표면을 나타낸다. n-전극은 PEC 에칭 동안 자외선광을 차단하므로, GaN 아래로는 에칭되지 않고 전극은 표면 처리 후에 GaN 위에 남는다. 인듐 산화 주석(ITO, indium tin oxide)과 같이 투명 전극이 전류 확산 전극으로서 적용될 수 있다.
도 8(a) 및 도 8(b)는 PEC 에칭 이후 서로 다른 에칭 시간에 대하여 PEC 에칭 후의 GaN의 N-면의 전자현미경 사진(SEM, scanning electron micrograph)이다. PEC 에칭된 GaN 표면과 구별되는 PEC 에칭된 N-면 GaN 표면이 복수의 6각형의 콘 형태(hexagonal shaped cones)를 포함하는 것이 Youtsey, et al. [16]에 의해 보고된 바 있음에 유념한다. 이러한 차이는 GaN의 표면 극성에 기인하는 것으로 생각된다. 도 8(a)의 2분간 에칭된 표면과 도 8(b)의 10분간 에칭된 표면을 비교하면, 그 형태의 사이즈는 증가하고, 6각형 콘 형태의 절단면(facets)은 더욱 뚜렷해진다.
콘 형상 표면(cone-shaped surface)은 LED로부터의 광 추출에 있어 매우 효율적인 것으로 나타난다. 더욱이, 실험결과도 콘 형태가 더 많은 광을 추출할 수 있음을 제시하고 있다. 예를 들면, GaN 결정의 청색 LED의 파장은 약 200nm이다. 만약 콘 형태의 사이즈가 상기한 값보다 훨씬 작다면, 광은 처리의 영향을 받지 않을 것이다. 한편, 콘 형태의 사이즈가 상기한 값에 근접하면, 광은 산란되거나 분산된다.
실험결과에서, 처리된 표면은, GaN에 대하여 이하의 값과 동일하거나 작은 각을 가지는 다수의 6각형 콘 형태를 포함하는 것으로 판정되었다:
2sin-1(nair/ns) ≒ 47.2°
(nair는 공기의 굴절률이고, ns는 GaN의 굴절률)
유사하게, 처리된 표면은, 에폭시에 대하여 이하의 값과 동일하거나 작은 각을 가지는 다수의 6각형 콘 형태를 포함하는 것으로 판정되었다:
2sin-1(nenc/ns)
(nenc는 에폭시의 굴절률이고, ns는 GaN의 굴절률)
표면은 콘 형태를 가지지 않을 수도 있고, 격자구조(grating structure)와 광 결정(photonic crystal)이 고려될 수 있다. 이는 광 추출을 위해 더 바람직한 구조일 수 있다. 그러나 광 결정의 제조는, 콘 형태의 표면 처리의 제조보다 더 비싼, 정밀한 디자인 및 처리를 요구한다.
PEC 에칭 이전의 "거울과 같은" 표면은 시간이 증가할수록 변색된다. 고반사 금속이 GaN막의 다른 쪽 면에 증착되면, 표면은 백색을 나타내고, 그렇지 않으면, 더 어둡다(darker). 이는 공기/GaN 경계에서 광-반사 주사(light-reflection restraint)에 기인한 것이라 믿어지며, GaN의 후면에 고반사 금속이 있다면, GaN으로 들어간 광이 다시 나오고, 처리된 표면에서 산란된다.
평평한 표면의 LED로부터의 전기발광(EL, Electroluminescence) 스펙트럼과 표면 처리된 LED가 각각 도 9(a)와 도 9(b)에 나타나 있다. 상기 측정은 상온(RT)에서 25 A/cm2 DC의 전방(forward) 전류밀도로 수행된다. 평평한 표면의 LED의 스펙트럼은, 도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 다중 피크형(multi-peaked) 발광을 가지며, 활성 영역으로부터 방출된 광은 GaN/금속 및 GaN/공기로 이루어진 거울 사이에 낀(sandwitched) 수직의 GaN 구멍(cavity)에서 간섭된다(interfered). 반대로, 도 9(b)에 나타낸 바와 같이, 표면 처리된 LED에서 세로 형태(longitudinal mode)는 관찰되지 않는다. 이는 처리된 GaN/공기 경계면이 광을 산란시켜, 결과적으로 공명의 억제(suppression of resonance)를 야기하는 것을 의미한다.
도 10은 상온에서 서로 다른 에칭 시간을 가지는 LED의 상승(upward) EL 출력전력 대 DC 주입전류(injection current)(L-I) 특성을 나타내는 그래프이다. 이러한 데이터는 PEC 에칭 전후에 동일한 소자로부터 얻어지고, 따라서 표면 형태(surface morphology)를 제외하고 이러한 차이를 야기하는 어떠한 요인도 무시될 수 있다. 모든 L-I 곡선은 50m까지 선형적인 특성을 나타낸다. 사파이어에 비하여 상대적으로 높은 Si의 열전도율 때문에, 이들 소자는 고전력 동작에 유리하다. 주어진 전류에서의 출력전압은 증가하는 PEC 에칭 시간과 함께 증가한다. 평평한 표면의 LED에 대한 출력전압과 10분간 에칭된 표면의 LED에 대한 출력전압을 비교하면, 이러한 표면 처리는 2.3의 계수(factor)로 출력전력의 증가를 야기한다. 다른 소자에 대한 측정으로부터, 상기 전력은 또한 표면 처리 이후 2 내지 3배의 증가를 나타낸다. 평평한 표면의 LED는 광의 측면 전파(propagation of light)로 인해 표면 처리된 LED보다 LED 칩의 측벽으로부터 더 많은 광을 방출하는 경향이 있으므로, 전체 영역(integrating sphere)에서 총 전력(total power)이 측정되었다면 출력전력의 차이는 더 적었을 것이다. 그럼에도 불구하고, 이방성 에칭 기술에 의한 추출효율의 증대는 중대한 개선을 나타낸다.
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결론적으로, 이방 에칭 방법이 추출효율 증가의 목적으로 GaN계 LED에 적용되었다. LED 출력시험 결과는, 추정하기에 GaN막에서 광 전파(light propagation)의 감소로 인해, 처리된 외관과 추출효율 사이에 관계가 있음을 나타낸다. 총 통합 광전력(total integrated optical power)은 측정되지 않았으나, 추출효율의 가장 큰 증가는 100% 이상이다. 표면 처리된 GaN계 LED의 제조에 적합할 것임을 나타내는, 여기에 기술된 기술은 간단하며 복잡한 과정을 요구하지 않는다는 것에 주목할 만하다.
참고문헌
이하의 참고문헌은 참조로서 여기에 포함된다.
1. http://www. cree. asp
2. Y.Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Stat. Sol. (a) 178,331 (2000).
3. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001).
4. A. Billeb, W. Grieshaber, D. Stocker, E. F. Schubert, R. F. Jr. , Appl. Phys. Lett. 70,2790 (1997).
5. A. A. Bergh, M. Hill, R. H. Saul, and S. Plains, U. S. Patent No. 3,739, 217 (1973), entitled "Surface Roughening Of Electroluminescent Diodes."
6. Chul Huh et al. , Appl. Phys. Lett. 93,9383 (2003).
7. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75,2569 (1999).
8. Y. Ohba and A. Hatano, J. Crystal. Growth 145,214 (1994).
9. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72,1999 (1998).
10. P. R. Tavernier and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 89,1527 (2001).
11. C. F. Chu, C. C. Yu, H. C. Cheng, C. F. Lin, and S. C. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L147 (2003).
12. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. D. P. Bour, P. Mei, L. T. Romano, N. M. Johnson, "Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift off,"Appl. Phys. Lett. , 75 (10) 1360 (1999).
13. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. D. P. Bour, P. Mei, L. T. Romano, N. M. Johnson, InXGal-XN light emitting diodes on Si substrates fabricated by Pd-In metal bonding and laser lift-off, "Appl. Phys. Lett. , 77 (18) 2822 (2000).
14. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman, Appl. Phys. Lett. 78,3379 (2001).
15. M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68,1531 (1996).
16. C. Youtsey, L. T. Romano, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73,797 (1998).
결론
본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명을 결론짓는다. 이하에서는 본 발명을 달성하기 위한 몇 가지 선택적인 실시예들을 설명한다.
MOCVD 이외에 다수의 다른 성장방법이 본 발명에 사용될 수 있다.
더욱이, 사파이어 또는 실리콘 카바이드 이외의 기판이 적용될 수 있다.
또한, 다른 LED 구조도 생성될 수 있다. 예를 들면, RCLEDs(Resonant Cavity LEDs) 또는 MCLEDs(Micro Cavity LEDs)도 생성될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예들에 대한 상기한 기재는 도해와 설명의 목적을 위해 제공되었다. 이는 본 발명을 개시된 정확한 형태로만 한정하거나 제한하기 위한 것이 아니다. 상기한 교시(teaching)의 관점에서 다양한 수정(modifications) 및 변경(variations)이 가능하다. 본 발명의 범위는 이러한 상세한 설명에 의해서가 아니라, 여기에 첨부된 청구의 범위에 의해 한정되는 것이다.

Claims (26)

  1. (Al, Ga, In)N 화합물 반도체(compaound semiconductor)의 발광다이오드(LED)에 있어서,
    발광층(emitting layer)으로부터의 광(light)이 기판 제거(substrate removal)에 의해 노출되는(exposed) 상기 발광다이오드의 n형층(n-type layer)의 질소면(nitrogen face(N-face))을 통하여 추출되고(extracted),
    노출된 상기 질소면은 복수의 콘(cones) 형상으로 구조화되며(structured),
    상기 콘 형상의 적어도 일부의 크기(size)는, 상기 발광다이오드 내부에서 반복적으로 발생하는 광반사(light reflections)를 감소시킴으로써 상기 발광층으로부터 질소면 밖으로의 상기 광의 추출을 증가시키기(enhancing) 위해, 상기 발광다이오드 내에서 상기 광이 산란되거나(scattered) 분산되도록(diffracted), 상기 발광다이오드 내에서의 상기 광의 파장(wavelength)보다 작지 않은(not smaller) 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 n형층의 상기 구조화된 질소면의 표면은 이방성 에칭된(anisotropically etched) 질소면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 이방성 에칭된 질소면의 표면은 건식 에칭된(dry etched) 질소면의 표면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 이방성 에칭된 질소면의 표면은 습식 에칭된(wet etched) 질소면의 표면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 습식 에칭된 질소면의 표면은 PEC(photo-enhanced chemical) 에칭된 질소면의 표면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 질소면의 표면은 LLO 기법(laser lift off technique)에 의해 노출된 질소면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 c-평면(c-plane) GaN 웨이퍼(wafer) 상에 성장되고(grown) 갈륨면(Ga-face)은 p형층(p-type layer)의 표면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 n형 전극, n형층, 활성영역, p형층 및 p형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 n형층, 활성영역 및 p형층은 각각 (Al,Ga,In)N 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 p형 전극은 상기 n형층의 표면으로 향하는 광반사를 증가시키고 광흡수(light absorption)를 감소시키기 위해 고반사율 특성(property of high reflection)을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 상기 n형 전극 아래의 발광(light emission)의 흡수는 피할 수 있고 상기 광의 추출효율(efficiency of the extraction of the light)은 증가될 수 있도록, 전류가 n형 전극 밑에(below) 집중되는(concentrate) 것을 방지하기 위해 상기 n형 전극 아래에(under) 정렬된(aligned) 전류 차단층(current-blocking layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 상기 발광다이오드의 측벽(sidewalls)을 통과하는 누설전류(leakage current)를 억제하기(restrain) 위해 절연체로 이루어지는 전류구속 프레임(current-confining frame)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 구조화된 질소면의 표면은 상기 질소면의 표면에 대하여 이하의 각과 같거나 작은 각도의 면(facets)을 가지는 복수의 6각형 콘 형태(hexagonal shaped cones)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
    2sin-1(nair/ns)
    (nair는 공기의 굴절률(reflective index)이고, ns는 (Al, Ga, In)N 화합물 반도체의 굴절률)
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 구조화된 질소면의 표면은 상기 질소면의 표면에 대하여 이하의 각과 같거나 작은 각도의 면을 가지는 복수의 6각형 콘 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
    2sin-1(nenc/ns)
    (상기 질소면의 표면에 적용된 에폭시(epoxy)에 대하여, nenc는 에폭시의 굴절률이고, ns는 (Al, Ga, In)N 화합물 반도체의 굴절률)
  18. (Al, Ga, In)N 화합물 반도체의 발광다이오드 제조방법에 있어서,
    기판 제거에 의해 상기 발광다이오드의 n형층의 질소면(N-face)의 표면을 노출시키는(exposing) 단계와,
    상기 n형층의 상기 노출된 질소면의 표면을 복수의 콘 형상으로 구조화하는(structuring) 단계를 포함하여 구성되고,
    상기 콘 형상의 적어도 일부의 크기는, 상기 발광다이오드 내부에서 반복적으로 발생하는 광반사를 감소시킴으로써 발광층으로부터 질소면 밖으로의 광의 추출을 증가시키기 위해, 상기 발광다이오드 내에서 상기 광이 산란되거나 분산되도록, 상기 발광다이오드 내에서의 상기 광의 파장보다 작지 않은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  19. n형 전극, n형층, 활성영역, p형층 및 p형 전극을 포함하는 (Al, Ga, In)N 화합물 반도체의 발광다이오드 제조방법에 있어서,
    n형층의 질소면의 표면이 기판 제거에 의해 노출되는 단계와,
    상기 노출된 질소면의 표면을 복수의 콘 형상으로 구조화되는 단계를 포함하여 구성되고,
    상기 콘 형상의 적어도 일부의 크기는, 상기 발광다이오드 내부에서 반복적으로 발생하는 광반사를 감소시킴으로써 상기 n형층의 상기 구조화된 질소면의 표면을 통하여 상기 활성영역으로부터의 광의 추출을 증가시키기 위해, 상기 발광다이오드 내에서 상기 광이 산란되거나 분산되도록, 상기 발광다이오드 내에서의 상기 광의 파장보다 작지 않은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  20. 삭제
  21. 제 18항에 있어서,
    상기 n형층의 상기 질소면의 표면은 이방성 에칭을 이용하여 구조화되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 이방성 에칭은 건식 에칭인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 이방성 에칭은 습식 에칭인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 습식 에칭은 PEC 에칭인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  25. 제 18항에 있어서,
    상기 질소 면의 표면이 조면화(roughening) 또는 패터닝(patterning)에 의해 구조화되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
  26. 삭제
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Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060005763A1 (en) * 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7638346B2 (en) * 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
AU2003263727A1 (en) 2003-09-19 2005-04-11 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
EP1697983B1 (en) 2003-12-09 2012-06-13 The Regents of The University of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes having surface roughening
KR20070013273A (ko) 2004-03-15 2007-01-30 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 반도체 장치의 제조
US20050205883A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
KR100568297B1 (ko) * 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2007533133A (ja) 2004-04-07 2007-11-15 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体発光ダイオード上での反射層の作製
JP2007533164A (ja) 2004-04-15 2007-11-15 トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ テクスチャ出しされた半導体層を特徴とする光学装置
US8035113B2 (en) 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US7825006B2 (en) * 2004-05-06 2010-11-02 Cree, Inc. Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7842527B2 (en) 2006-12-11 2010-11-30 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US7345298B2 (en) 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7223998B2 (en) 2004-09-10 2007-05-29 The Regents Of The University Of California White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes
MX2007007939A (es) 2004-12-27 2007-11-07 Quantum Paper Inc Dispositivo de representacion visual emisivo direccionable e imprimible.
US8871547B2 (en) * 2005-01-11 2014-10-28 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate
US8685764B2 (en) * 2005-01-11 2014-04-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method to make low resistance contact
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
KR100638730B1 (ko) * 2005-04-14 2006-10-30 삼성전기주식회사 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
JP5043835B2 (ja) * 2005-06-17 2012-10-10 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光電子応用のための（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法
KR100599012B1 (ko) * 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
US8674375B2 (en) 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
JP2007067290A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子製造装置
SG130975A1 (en) 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
SG131803A1 (en) 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
JP2007150259A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2009515344A (ja) 2005-11-04 2009-04-09 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 高い光抽出効率の発光ダイオード（ｌｅｄ）
KR100640497B1 (ko) * 2005-11-24 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
WO2007065005A2 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 The Regents Of University Of California Improved horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (dfb) lasers fabricated by growth over a patterned substrate with multiple overgrowth
JP5281408B2 (ja) * 2005-12-02 2013-09-04 クリスタル・イズ，インコーポレイテッド ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
KR100661602B1 (ko) * 2005-12-09 2006-12-26 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
JP2007207981A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100844722B1 (ko) * 2006-03-07 2008-07-07 엘지전자 주식회사 나노콘 성장방법 및 이를 이용한 발광 다이오드의제조방법
US8012257B2 (en) * 2006-03-30 2011-09-06 Crystal Is, Inc. Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
JP2007300069A (ja) * 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
US7674639B2 (en) * 2006-08-14 2010-03-09 Bridgelux, Inc GaN based LED with etched exposed surface for improved light extraction efficiency and method for making the same
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
JP2008053685A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
SG140512A1 (en) 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US9111950B2 (en) * 2006-09-28 2015-08-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process for preparing a semiconductor structure for mounting
KR100815225B1 (ko) * 2006-10-23 2008-03-19 삼성전기주식회사 수직구조 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
EP2087563B1 (en) 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
JP5372766B2 (ja) * 2006-11-15 2013-12-18 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光取り出し効率の高い球形ｌｅｄ
JP4980701B2 (ja) * 2006-12-01 2012-07-18 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
WO2008073384A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of University Of California Non-polar and semi-polar light emitting devices
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9437430B2 (en) * 2007-01-26 2016-09-06 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8080833B2 (en) * 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
JP5346443B2 (ja) 2007-04-16 2013-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US20080283503A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Cheng-Yi Liu Method of Processing Nature Pattern on Expitaxial Substrate
US8088220B2 (en) 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8395568B2 (en) 2007-05-31 2013-03-12 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
JP2010534943A (ja) * 2007-07-26 2010-11-11 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア Ｐ型表面を有する発光ダイオード
JP2009076694A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Panasonic Corp 窒化物半導体装置およびその製造方法
EP2218114A4 (en) * 2007-11-30 2014-12-24 Univ California SURFACE MOUNTED ON A NITRIDE WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY THROUGH SURFACE WELDING
US20090141502A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 The Regents Of The University Of California Light output enhanced gallium nitride based thin light emitting diode
US20100295075A1 (en) * 2007-12-10 2010-11-25 3M Innovative Properties Company Down-converted light emitting diode with simplified light extraction
DE102008019268A1 (de) 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
KR101507129B1 (ko) * 2008-03-28 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US8343824B2 (en) * 2008-04-29 2013-01-01 International Rectifier Corporation Gallium nitride material processing and related device structures
KR20110021879A (ko) * 2008-05-12 2011-03-04 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Ｐ형 반도체 헤테로구조들의 광전기화학적 식각
KR20110005734A (ko) * 2008-05-12 2011-01-18 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Ｐ-면이 위쪽인 ＧａＮ계 발광 다이오드들의 광전기화학적 조면화
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US20100003492A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
CN101625971B (zh) * 2008-07-09 2010-12-08 中国科学院半导体研究所 利用光辅助氧化湿法刻蚀ⅲ族氮化物的方法
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
JP2010045156A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8633501B2 (en) 2008-08-12 2014-01-21 Epistar Corporation Light-emitting device having a patterned surface
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
US8569085B2 (en) * 2008-10-09 2013-10-29 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical etching for chip shaping of light emitting diodes
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
CN101771115B (zh) * 2009-01-06 2011-11-09 北京大学 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
TW201029218A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Univ Nat Central Optical diode structure and manufacturing method
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
US20100314551A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Bettles Timothy J In-line Fluid Treatment by UV Radiation
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8400064B2 (en) * 2009-09-09 2013-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zener diode protection network in submount for LEDs connected in series
CN102630349B (zh) 2009-09-18 2017-06-13 天空公司 功率发光二极管及利用电流密度操作的方法
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
CN101673792B (zh) * 2009-09-25 2011-09-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
JP5281536B2 (ja) * 2009-10-09 2013-09-04 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
CN102598314A (zh) * 2009-11-03 2012-07-18 加利福尼亚大学董事会 通过结晶学蚀刻获得的超发光二极管
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
EP2341558B1 (en) * 2009-12-30 2019-04-24 IMEC vzw Method of manufacturing a semiconductor device
KR100993094B1 (ko) * 2010-02-01 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
DE112011100504B4 (de) * 2010-02-10 2023-08-03 Tenneco Automotive Operating Company Inc. Injektor mit Drallfluss unter Druck mit reduzierter Fließvariabilität und Rückfluss
JP4886869B2 (ja) 2010-03-03 2012-02-29 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
KR100969131B1 (ko) * 2010-03-05 2010-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 제조방법
US8642368B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Enhancement of LED light extraction with in-situ surface roughening
US8618565B2 (en) * 2010-03-22 2013-12-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode
US8772805B2 (en) 2010-03-31 2014-07-08 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same
US9548224B2 (en) * 2010-05-11 2017-01-17 Ultra High Vacuum Solutions Ltd. Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices
CN101866996B (zh) * 2010-05-21 2011-11-23 山东大学 基于激光器的led大面积可控表面粗化及刻蚀方法
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
JP5706962B2 (ja) 2010-06-24 2015-04-22 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
US9389408B2 (en) 2010-07-23 2016-07-12 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope and methods of measuring patterned substrates
WO2012015153A2 (en) 2010-07-28 2012-02-02 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
TW201208143A (en) * 2010-08-06 2012-02-16 Semileds Optoelectronics Co White LED device and manufacturing method thereof
CN102374466B (zh) * 2010-08-24 2016-03-09 斯坦雷电气株式会社 灯具
US8502244B2 (en) * 2010-08-31 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with current routing and associated methods of manufacturing
KR101429036B1 (ko) 2010-09-01 2014-08-12 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 다이오드, 다이오드 또는 기타 2-단자 집적 회로의 액체 또는 겔 현탁액의 인쇄 가능한 조성물, 및 이의 제조 방법
CN103228980B (zh) 2010-09-01 2016-11-09 无限科技全球公司 二极体、二极体或其他二端积体电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法
CN102130254B (zh) * 2010-09-29 2015-03-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US8796053B2 (en) 2010-12-21 2014-08-05 Ultratech, Inc. Photolithographic LED fabrication using phase-shift mask
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
JP5702165B2 (ja) * 2011-01-26 2015-04-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード
CN102169930B (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 山东大学 一种金属纳米颗粒辅助实现发光二极管表面粗化的方法
JP5679869B2 (ja) 2011-03-07 2015-03-04 スタンレー電気株式会社 光半導体素子の製造方法
US8409965B2 (en) * 2011-04-26 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for LED with nano-patterned substrate
JP2012231000A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Toshiba Corp 半導体発光装置
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
WO2012174367A2 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US10032956B2 (en) 2011-09-06 2018-07-24 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
WO2013033841A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Trilogy Environmental Systems Inc. Hybrid desalination system
US9324560B2 (en) 2011-09-06 2016-04-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
JP6104915B2 (ja) * 2011-10-06 2017-03-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 半導体発光デバイスの表面処理
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
TWI466323B (zh) 2011-11-07 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
WO2013105004A1 (en) 2012-01-10 2013-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlled led light output by selective area roughening
WO2013105015A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 Koninklijke Philips N.V. Sidewall etching of led die to improve light extraction
KR101286211B1 (ko) * 2012-02-16 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자
EP2823515A4 (en) 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
US8814376B2 (en) 2012-09-26 2014-08-26 Apogee Translite, Inc. Lighting devices
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
JP5460831B1 (ja) * 2012-11-22 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光素子
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
CN105144345B (zh) 2013-03-15 2018-05-08 晶体公司 与赝配电子和光电器件的平面接触
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
KR101471608B1 (ko) * 2013-06-12 2014-12-11 광주과학기술원 나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법
US10551044B2 (en) 2015-11-16 2020-02-04 DMF, Inc. Recessed lighting assembly
US11060705B1 (en) 2013-07-05 2021-07-13 DMF, Inc. Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector
US10563850B2 (en) 2015-04-22 2020-02-18 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US9964266B2 (en) 2013-07-05 2018-05-08 DMF, Inc. Unified driver and light source assembly for recessed lighting
US11255497B2 (en) 2013-07-05 2022-02-22 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US11435064B1 (en) 2013-07-05 2022-09-06 DMF, Inc. Integrated lighting module
US10753558B2 (en) 2013-07-05 2020-08-25 DMF, Inc. Lighting apparatus and methods
US10139059B2 (en) 2014-02-18 2018-11-27 DMF, Inc. Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars
US8994033B2 (en) * 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
CN103367577B (zh) * 2013-07-25 2016-02-03 圆融光电科技有限公司 一种高亮度GaN基发光二极管外延片及其制备方法
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
EP2881982B1 (en) * 2013-12-05 2019-09-04 IMEC vzw Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices
CA3102022C (en) 2015-05-29 2023-04-25 DMF, Inc. Lighting module for recessed lighting systems
USD851046S1 (en) 2015-10-05 2019-06-11 DMF, Inc. Electrical Junction Box
WO2017127461A1 (en) 2016-01-18 2017-07-27 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
CN107464859A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构、组件及其制造方法
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
US10488000B2 (en) 2017-06-22 2019-11-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
WO2018237294A2 (en) 2017-06-22 2018-12-27 DMF, Inc. THIN-PROFILE SURFACE MOUNTING LIGHTING DEVICE
USD905327S1 (en) 2018-05-17 2020-12-15 DMF, Inc. Light fixture
US11067231B2 (en) 2017-08-28 2021-07-20 DMF, Inc. Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus
WO2019108667A1 (en) 2017-11-28 2019-06-06 Dmf. Inc. Adjustable hanger bar assembly
WO2019133669A1 (en) 2017-12-27 2019-07-04 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
CN110034216A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Iii-v族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法
USD877957S1 (en) 2018-05-24 2020-03-10 DMF Inc. Light fixture
CA3103255A1 (en) 2018-06-11 2019-12-19 DMF, Inc. A polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same
USD903605S1 (en) 2018-06-12 2020-12-01 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
WO2020072592A1 (en) 2018-10-02 2020-04-09 Ver Lighting Llc A bar hanger assembly with mating telescoping bars
USD864877S1 (en) 2019-01-29 2019-10-29 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke
USD901398S1 (en) 2019-01-29 2020-11-10 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD1012864S1 (en) 2019-01-29 2024-01-30 DMF, Inc. Portion of a plastic deep electrical junction box
USD966877S1 (en) 2019-03-14 2022-10-18 Ver Lighting Llc Hanger bar for a hanger bar assembly
CN110690327B (zh) * 2019-09-11 2021-11-16 佛山市国星半导体技术有限公司 一种高亮度紫光led芯片的制备方法及led芯片
CA3154491A1 (en) 2019-09-12 2021-03-18 DMF, Inc. Miniature lighting module and lighting fixtures using same
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CA3124976A1 (en) 2020-07-17 2022-01-17 DMF, Inc. Polymer housing for a lighting system and methods for using same
USD990030S1 (en) 2020-07-17 2023-06-20 DMF, Inc. Housing for a lighting system
CA3125954A1 (en) 2020-07-23 2022-01-23 DMF, Inc. Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441403B1 (en) 2000-06-23 2002-08-27 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor device with roughened surface increasing external quantum efficiency
JP2003174191A (ja) 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003277195A (ja) 2002-03-26 2003-10-02 Nec Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板およびその製造方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1585451A (ko) * 1968-07-30 1970-01-23
US3739217A (en) * 1969-06-23 1973-06-12 Bell Telephone Labor Inc Surface roughening of electroluminescent diodes
FR2527934A1 (fr) * 1982-06-03 1983-12-09 Elf Aquitaine Procede de fractionnement de melanges par chromatographie d'elution avec fluide en etat supercritique et installation pour sa mise en oeuvre
FR2584618B1 (fr) * 1985-07-09 1989-11-24 Elf Aquitaine Dispositif pour la mise en oeuvre de procedes d'extraction-separation-fractionnement par fluides supercritiques
JPH06177432A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプおよびその製造方法
DE69507398T2 (de) * 1994-08-05 1999-05-27 Fuji Photo Film Co Ltd Träger aus einer Aluminium-Legierung für eine Hochdruckplatte und Verfahren zur Herstellung dieser Gegenstände
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3259811B2 (ja) 1995-06-15 2002-02-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
JP3905935B2 (ja) * 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US5773369A (en) * 1996-04-30 1998-06-30 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical wet etching of group III nitrides
JP3764792B2 (ja) 1997-02-20 2006-04-12 シャープ株式会社 窒化物半導体のエッチング方法
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US5895223A (en) * 1997-12-10 1999-04-20 Industrial Technology Research Institute Method for etching nitride
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
WO1999067815A1 (en) * 1998-06-23 1999-12-29 Trustees Of Boston University Crystallographic wet chemical etching of iii-nitride material
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
FR2795087B1 (fr) * 1999-06-18 2002-08-02 Vittori Carlo De Procede de fractionnement d'une huile de cuisson
DE19947030A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung
EP1234344B1 (en) 1999-12-03 2020-12-02 Cree, Inc. Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2001246216A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Denso Corp 気液分離装置
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
WO2001082384A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
US6420732B1 (en) * 2000-06-26 2002-07-16 Luxnet Corporation Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4431925B2 (ja) 2000-11-30 2010-03-17 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6884740B2 (en) * 2001-09-04 2005-04-26 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical undercut etching of semiconductor material
JP3864870B2 (ja) * 2001-09-19 2007-01-10 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
JP3801125B2 (ja) 2001-10-09 2006-07-26 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
ATE525755T1 (de) 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP4207781B2 (ja) 2002-01-28 2009-01-14 日亜化学工業株式会社 支持基板を有する窒化物半導体素子及びその製造方法
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
JP3889662B2 (ja) * 2002-05-10 2007-03-07 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
US20030222263A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes
CN1327439C (zh) * 2002-09-04 2007-07-18 新科实业有限公司 磁头致动器机构及其制造方法
DE10245628A1 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10308866A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7012279B2 (en) * 2003-10-21 2006-03-14 Lumileds Lighting U.S., Llc Photonic crystal light emitting device
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
EP1697983B1 (en) 2003-12-09 2012-06-13 The Regents of The University of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes having surface roughening
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441403B1 (en) 2000-06-23 2002-08-27 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor device with roughened surface increasing external quantum efficiency
JP2003174191A (ja) 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003277195A (ja) 2002-03-26 2003-10-02 Nec Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板およびその製造方法

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