JP2014181178A5

JP2014181178A5 -

Info

Publication number: JP2014181178A5
Application number: JP2014052911A
Authority: JP
Filing date: 2014-03-17
Publication date: 2017-04-20

Claims

約２×１０^１８原子／ｃｍ^３未満の炭素濃度または約２×１０^１８原子／ｃｍ^３未満のケイ素濃度の少なくとも一方を有する格子構造を含み、約３００ｎｍの波長かそれ未満でＵＶ透過性である、ＩＩＩ族窒化物結晶。
非化学量論的である、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
式Ｉｎ_（ｗ）Ａｌ_（ｘ）Ｇａ_（ｙ）Ｃ_（ａ）Ｓｉ_（ｂ）Ｎ_（ｚ）（式中、１−ｘ−ｗ≠ｙ、ｗ−ｚ−ｙ≠０、ｗ＋ｘ＋ｙ−ｚ≠０、（２≧ｗ≧０）、（２≧ｘ≧０）、（２≧ｙ≧０）、（２≧ｚ≧０）、（ａ≦２×１０^１８原子／ｃｍ^３）、（ｂ≦２×１０^１８原子／ｃｍ^３））を有し、
１ｍｍ^２より大きい面積を有する少なくとも１つの表面を有する、
請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
前記炭素濃度が、前記格子構造内の任意の位置に存在し得る、請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
前記ケイ素濃度が、前記格子構造内の任意の位置に存在し得る、請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
約７００^−５ｍｍ^３以上の体積を有する、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
化学蒸着（ＣＶＤ）によりＩＩＩ族窒化物結晶を製造する方法であって、
炭素は前記結晶内に導入されず、
前記方法は、
実質的に炭素を含まないリアクターにＩＩＩ族源を供給することと、
前記ＩＩＩ族源を加熱することと、
窒化物源を導入することと、
少なくとも１３００℃の最低温度を有する温度勾配を維持することと、
ＩＩＩ族窒化物結晶を冷却することと、
を含み、
前記リアクターは露出した炭素を含まない、
方法。
前記温度勾配は、
成長ゾーンにおける１３００℃以上の第１温度と、
ソースゾーンにおける約４００〜１５００℃の第２温度と、
を含み、
前記リアクターの内部コンポーネントは全て、１７００℃を超える温度に耐えることができる、
請求項７に記載の方法。
請求項７に記載の方法によって得られるＩＩＩ族窒化物結晶であって、
前記ＩＩＩ族源が、７００^−５ｍｍ^３より大きな体積を有するシード結晶である、
ＩＩＩ族窒化物結晶。
前記ＩＩＩ族窒化物結晶の成長をシードするために基板結晶が使用される、請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
自立ＩＩＩ族窒化物結晶を提供するために前記基板結晶が成長後に除去される、請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
約３００ｎｍの波長かそれ未満でＵＶ透過性である、請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
前記ＩＩＩ族窒化物結晶は、約３００ｎｍの波長かそれ未満でＵＶ透過性であり、
前記ＩＩＩ族源として、ＩＩＩ族窒化物基板結晶が使用され、
自立ＩＩＩ族窒化物結晶を提供するために前記ＩＩＩ族窒化物基板結晶が除去され、
前記基板結晶が、機械的除去、熱的除去または化学的除去の少なくとも１つにより除去される、
請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
化学蒸着によりＩＩＩ族窒化物結晶を製造するためのリアクターであって、
多結晶ＡｌＮで構成された１以上の内部コンポーネントを含む、
リアクター。
少なくとも１０ミクロンの厚さを有する多結晶ＡｌＮでコーティングされた少なくとも１つの内部コンポーネントを含む、請求項１４に記載のリアクター。
前記１以上の内部コンポーネントが、強化支持材を更に含む、請求項１４に記載のリアクター。
約２×１０^１８原子／ｃｍ^３未満の炭素濃度またはケイ素濃度の少なくとも一方を有するＩＩＩ族窒化物結晶またはＩＩＩ族窒化物結晶基板の少なくとも一方の上に形成された少なくとも１つのＰＮ接合部を含み、
前記ＩＩＩ族窒化物結晶が、約３００ｎｍかそれ未満でＵＶ透過性である、
ＵＶ半導体デバイス。