RU2008121906A - СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaN И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ GaN - Google Patents

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaN И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ GaN Download PDF

Info

Publication number
RU2008121906A
RU2008121906A RU2008121906/15A RU2008121906A RU2008121906A RU 2008121906 A RU2008121906 A RU 2008121906A RU 2008121906/15 A RU2008121906/15 A RU 2008121906/15A RU 2008121906 A RU2008121906 A RU 2008121906A RU 2008121906 A RU2008121906 A RU 2008121906A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gan
growing
crystal
gan crystal
substrate
Prior art date
Application number
RU2008121906/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Наоки МАЦУМОТО (JP)
Наоки МАЦУМОТО
Фумитака САТО (JP)
Фумитака САТО
Сейдзи НАКАХАТА (JP)
Сейдзи НАКАХАТА
Такудзи ОКАХИСА (JP)
Такудзи ОКАХИСА
Кодзи УЕМАЦУ (JP)
Кодзи УЕМАЦУ
Original Assignee
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp), Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. filed Critical Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Publication of RU2008121906A publication Critical patent/RU2008121906A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

1. Способ выращивания кристалла GaN для выращивания кристалла GaN на GaN-ой затравочной кристаллической подложке, включающий в себя стадии: ! приготовления упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки, содержащей первую легирующую примесь, таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN, и ! выращивания упомянутого кристалла GaN на упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложке до толщины по меньшей мере 1 мм. ! 2. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомянутая первая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si. ! 3. Способ выращивания кристалла GaN по п.2, в котором упомянутая первая легирующая примесь имеет концентрацию по меньшей мере 5·1015 см-3 и не более 5·1019 см-3. ! 4. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором на упомянутой стадии выращивания упомянутого кристалла GaN в упомянутый кристалл GaN вводят вторую легирующую примесь таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN. ! 5. Способ выращивания кристалла GaN по п.4, в котором упомянутая вторая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si. ! 6. Способ выращивания кристалла GaN по п.5, в котором упомянутые первая и вторая легирующие примеси содержат один и тот же тип элемента. ! 7. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомяну�

Claims (8)

1. Способ выращивания кристалла GaN для выращивания кристалла GaN на GaN-ой затравочной кристаллической подложке, включающий в себя стадии:
приготовления упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки, содержащей первую легирующую примесь, таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN, и
выращивания упомянутого кристалла GaN на упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложке до толщины по меньшей мере 1 мм.
2. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомянутая первая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si.
3. Способ выращивания кристалла GaN по п.2, в котором упомянутая первая легирующая примесь имеет концентрацию по меньшей мере 5·1015 см-3 и не более 5·1019 см-3.
4. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором на упомянутой стадии выращивания упомянутого кристалла GaN в упомянутый кристалл GaN вводят вторую легирующую примесь таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN.
5. Способ выращивания кристалла GaN по п.4, в котором упомянутая вторая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si.
6. Способ выращивания кристалла GaN по п.5, в котором упомянутые первая и вторая легирующие примеси содержат один и тот же тип элемента.
7. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомянутую GaN-ую затравочную кристаллическую подложку получают путем использования подложки, отличающейся по химическому составу от химического состава GaN, в качестве нижележащей подложки, размещения подавляющего рост кристалла вещества в контакте с внешней окружной периферийной поверхностью упомянутой нижележащей подложки, выращивания затравочного кристалла GaN на упомянутой нижележащей подложке и разрезания упомянутого затравочного кристалла GaN параллельно основной поверхности упомянутой нижележащей подложки.
8. Кристаллическая подложка из GaN, полученная обработкой упомянутого кристалла GaN, полученного способом выращивания по п.1.
RU2008121906/15A 2007-06-01 2008-05-30 СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaN И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ GaN RU2008121906A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-147095 2007-06-01
JP2007147095A JP4645622B2 (ja) 2007-06-01 2007-06-01 ＧａＮ結晶の成長方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008121906A true RU2008121906A (ru) 2009-12-10

Family

ID=39672645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008121906/15A RU2008121906A (ru) 2007-06-01 2008-05-30 СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaN И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ GaN

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7723142B2 (ru)
EP (1) EP2000565A1 (ru)
JP (1) JP4645622B2 (ru)
KR (1) KR20080106085A (ru)
CN (1) CN101319402A (ru)
RU (1) RU2008121906A (ru)
TW (1) TW200914652A (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565042B1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-20 株式会社トクヤマ Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法
KR101118742B1 (ko) * 2009-09-24 2012-03-14 시스솔루션 주식회사 Ｉｉｉ족 금속 질화물 반도체 결정 성장 장치 및 방법
JP5416650B2 (ja) * 2010-05-10 2014-02-12 日立金属株式会社 窒化ガリウム基板
JP5548905B2 (ja) * 2010-08-30 2014-07-16 古河電気工業株式会社 窒化物系化合物半導体素子およびその製造方法
JP5938871B2 (ja) 2010-11-15 2016-06-22 住友電気工業株式会社 ＧａＮ系膜の製造方法
US8697564B2 (en) 2010-11-16 2014-04-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing GaN-based film
US9184228B2 (en) 2011-03-07 2015-11-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite base including sintered base and base surface flattening layer, and composite substrate including that composite base and semiconductor crystalline layer
JP5808208B2 (ja) * 2011-09-15 2015-11-10 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法
JP6094243B2 (ja) * 2013-02-07 2017-03-15 住友電気工業株式会社 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
CN105027262B (zh) * 2013-03-07 2018-04-03 学校法人名城大学 氮化物半导体晶体及其制备方法
WO2015037232A1 (ja) * 2013-09-11 2015-03-19 国立大学法人東京農工大学 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置
WO2015114732A1 (ja) 2014-01-28 2015-08-06 株式会社サイオクス 半導体基板の製造方法
CN105047692B (zh) * 2015-06-10 2018-08-24 上海新傲科技股份有限公司 用于高电子迁移率晶体管的衬底
DE102015224481A1 (de) * 2015-12-08 2017-06-08 Robert Bosch Gmbh Laser-Reseal mit verschiedenen Kappenmaterialien
JP6513165B2 (ja) * 2017-11-08 2019-05-15 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法
JP7231352B2 (ja) * 2018-07-31 2023-03-01 住友化学株式会社 窒化物結晶成長用基板の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW417315B (en) * 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
JP4145437B2 (ja) 1999-09-28 2008-09-03 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
JP4513326B2 (ja) 2004-01-14 2010-07-28 日立電線株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法
KR100728533B1 (ko) * 2004-11-23 2007-06-15 삼성코닝 주식회사 질화갈륨 단결정 후막 및 이의 제조방법
JP4849296B2 (ja) * 2005-04-11 2012-01-11 日立電線株式会社 ＧａＮ基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP2000565A1 (en) 2008-12-10
JP4645622B2 (ja) 2011-03-09
JP2008297175A (ja) 2008-12-11
US7723142B2 (en) 2010-05-25
US20080296585A1 (en) 2008-12-04
KR20080106085A (ko) 2008-12-04
TW200914652A (en) 2009-04-01
CN101319402A (zh) 2008-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008121906A (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaN И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ GaN
EP1883103A3 (en) Deposition of group III-nitrides on Ge
Ou et al. Advances in wide bandgap SiC for optoelectronics
TW200715373A (en) Nitride crystal, nitride crystal substrate, epilayer-containing nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
MY149217A (en) Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method
JP2014522364A5 (ru)
RU2009128204A (ru) Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на шаблоне для уменьшения деформации
WO2009095764A8 (en) Method for growing p-type sic semiconductor single crystal and p-type sic semiconductor single crystal
TW200723563A (en) Nitride semiconductor element and method for growing nitride semiconductor crystal layer
WO2006060466A3 (en) Near single-crystalline, high-carrier-mobility silicon thin film on a polycrystalline/amorphous substrate
TW200733194A (en) Method for the manufacture of substrates, in particular for the optical, electronic or optoelectronic areas, and the substrate obtained in accordance with the said method
WO2002001608A3 (en) METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES
RU2006127075A (ru) Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления
TW200600620A (en) Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing methods thereof
TW200710295A (en) Nitride semiconductor substrate, and method for working nitride semiconductor substrate
EP2524979A4 (en) A CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III ELEMENT NITRIDE RESIN RECORDED THEREWITH, AND METHOD FOR PRODUCING A GROUP III ELEMENT NITRIDE ROCK
TW200802614A (en) A method of ultra-shallow junction formation using si film alloyed with carbon
RU2008130820A (ru) Способ роста кристаллов нитрида галлия, подложки из кристаллов нитрида галлия, способ получения эпитаксиальных пластин и эпитаксиальные пластины
TW200636821A (en) Semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer, and process for producing the semiconductor wafer
CN106544643A (zh) 一种氮化物薄膜的制备方法
TW200633266A (en) Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, method for fabrication thereof, gallium nitride-based semiconductor device and lamp using the device
TW200940756A (en) Group III nitride semiconductor crystal growing method, group III nitride semiconductor crystal substrate fabrication method, and group III nitride semiconductor crystal substrate
WO2005043582A3 (en) Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor, and group iii nitride semiconductor light-emitting device
Zhang et al. Effects of carrier gas on carbon incorporation in GaN
JP2014181178A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20110818