RU2009128204A - Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на шаблоне для уменьшения деформации - Google Patents

Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на шаблоне для уменьшения деформации Download PDF

Info

Publication number
RU2009128204A
RU2009128204A RU2009128204/28A RU2009128204A RU2009128204A RU 2009128204 A RU2009128204 A RU 2009128204A RU 2009128204/28 A RU2009128204/28 A RU 2009128204/28A RU 2009128204 A RU2009128204 A RU 2009128204A RU 2009128204 A RU2009128204 A RU 2009128204A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
single crystal
crystal layer
light
lattice constant
Prior art date
Application number
RU2009128204/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2466479C2 (ru
Inventor
Патрик Н. ГРИЙО (US)
Патрик Н. ГРИЙО
Натан Ф. ГАРДНЕР (US)
Натан Ф. ГАРДНЕР
Вернер К. ГЕТЦ (US)
Вернер К. ГЕТЦ
Линда Т. РОМАНО (US)
Линда Т. РОМАНО
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2009128204A publication Critical patent/RU2009128204A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2466479C2 publication Critical patent/RU2466479C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

1. Способ, в котором выращивают III-нитридную структуру на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: шаблон, содержащий: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, по существу, свободен от индия; первый, по существу, монокристаллический слой 24, выращенный над данным первым слоем; второй слой 26, выращенный над данным первым, по существу, монокристаллическим слоем, где второй слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные над шаблоном, причем слои устройства содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. ! 2. Способ по п.1, в котором шаблон дополнительно содержит второй, по существу, монокристаллический слой 28, выращенный над вторым слоем 26. ! 3. Способ по п.2, в котором первый, по существу, монокристаллический слой 24 представляет собой GaN слой, а второй, по существу, монокристаллический слой 28 представляет собой InGaN слой с содержанием InN от 0,5 до 20%. ! 4. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит: третий слой, выращенный над вторым, по существу, монокристаллическим слоем 28, где данный третий слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий, по существу, монокристаллический слой, выращенный над данным третьим слоем. ! 5. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит: ! третий, по существу, монокристаллический слой 30, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26. ! 6. Способ по п.5, где объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как третий, по существу, монокристаллический слой 30, больше, чем объемная постоянная решетки материала

Claims (23)

1. Способ, в котором выращивают III-нитридную структуру на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: шаблон, содержащий: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, по существу, свободен от индия; первый, по существу, монокристаллический слой 24, выращенный над данным первым слоем; второй слой 26, выращенный над данным первым, по существу, монокристаллическим слоем, где второй слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные над шаблоном, причем слои устройства содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа.
2. Способ по п.1, в котором шаблон дополнительно содержит второй, по существу, монокристаллический слой 28, выращенный над вторым слоем 26.
3. Способ по п.2, в котором первый, по существу, монокристаллический слой 24 представляет собой GaN слой, а второй, по существу, монокристаллический слой 28 представляет собой InGaN слой с содержанием InN от 0,5 до 20%.
4. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит: третий слой, выращенный над вторым, по существу, монокристаллическим слоем 28, где данный третий слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий, по существу, монокристаллический слой, выращенный над данным третьим слоем.
5. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит:
третий, по существу, монокристаллический слой 30, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26.
6. Способ по п.5, где объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как третий, по существу, монокристаллический слой 30, больше, чем объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как первый, по существу, монокристаллический слой 24.
7. Способ по п.5, где содержание InN во втором, по существу, монокристаллическом слое 28 больше, чем содержание InN в третьем, по существу, монокристаллическом слое 30.
8. Способ по п.5, где разница между температурой выращивания второго, по существу, монокристаллического слоя 28 и температурой выращивания второго слоя 26 составляет, по меньшей мере, 250°С.
9. Способ по п.2, где шаблон дополнительно содержит: третий, по существу, монокристаллический слой 31, расположенный между вторым слоем и светоизлучающим слоем.
10. Способ по п.9, где содержание InN во втором, по существу, монокристаллическом слое 28 отличается от содержания InN в третьем, по существу, монокристаллическом слое 31.
11. Способ по п.1, где второй слой 26 имеет содержание углерода от 1·1018 до 1·1020 см-3.
12. Способ по п.1, где один слой из второго слоя 26, слоя, непосредственно над вторым слоем, и слоя, непосредственно под вторым слоем, имеет плотность дефектов, параллельных поверхности раздела, расположенной между слоями устройства и первым, по существу, монокристаллическим слоем, от 1·102 до 1·107 см-1.
13. Способ по п.1, где дополнительно: соединяют данную III-нитридную структуру с опорой 84; и удаляют подложку 20 выращивания.
14. Способ по п.13, где дополнительно удаляют часть шаблона после того, как удаляют подложку 20 выращивания.
15. Способ по п.1, где: светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки, приблизительно соответствующую постоянной решетки свободно находящегося материала с такой же композицией, как светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки abulk, соответствующую постоянной решетки свободно находящегося материала с такой же композицией, как светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки ain-plain, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в данной структуре; и |(ain-plain-abulk)|/abulk в светоизлучающем слое меньше, чем 1%.
16. Способ по п.1, где а-постоянная решетки светоизлучающего слоя больше чем 3,189 Е.
17. Способ по п.1, где данную структуру выращивают на поверхности подложки, которая наклонена к основной кристаллографической плоскости подложки 20, по меньшей мере, на 0,1°.
18. Способ по п.1, где светоизлучающий слой имеет толщину больше чем 15 Å.
19. Способ по п.1, где светоизлучающий слой легируют кремнием до концентрации легирующей примеси от 1·1018 до 1·1020 см-3.
20. Способ по п.1, где: первый слой 22 представляет собой не монокристаллический GaN слой, имеющий толщину меньше, чем 500 Å; первый, по существу, монокристаллический слой 24 представляет собой GaN или AlInGaN и имеет толщину больше, чем 500 Å; и второй слой 26 представляет собой не монокристаллический InGaN слой, имеющий толщину меньше, чем 500 Å, и содержание InN больше, чем 0, и меньше, чем 20%.
21. Способ по п.1, в котором разница между температурой выращивания первого, по существу, монокристаллического слоя 24 и температурой выращивания второго слоя 26 составляет, по меньшей мере, 300°С.
22. Способ по п.1, в котором шаблон дополнительно содержит: второй, по существу, монокристаллический слой 30, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26; где объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как данный второй, по существу, монокристаллический слой, больше, чем объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как первый, по существу, монокристаллический слой.
23. Способ, в котором: выращивают III-нитридную структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, где: плотность введенных дислокаций в светоизлучающем слое меньше, чем 3·109 см-2; и а-постоянная решетки в светоизлучающем слое больше, чем 3,200 Е.
RU2009128204/28A 2006-12-22 2007-12-21 Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на структуре для уменьшения деформации RU2466479C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/615,826 2006-12-22
US11/615,826 US7534638B2 (en) 2006-12-22 2006-12-22 III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009128204A true RU2009128204A (ru) 2011-01-27
RU2466479C2 RU2466479C2 (ru) 2012-11-10

Family

ID=39273393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128204/28A RU2466479C2 (ru) 2006-12-22 2007-12-21 Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на структуре для уменьшения деформации

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7534638B2 (ru)
EP (1) EP2126984B1 (ru)
JP (1) JP5754886B2 (ru)
KR (1) KR101505833B1 (ru)
CN (1) CN101636849B (ru)
BR (1) BRPI0721105A2 (ru)
RU (1) RU2466479C2 (ru)
TW (1) TWI452717B (ru)
WO (1) WO2008078300A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615215C2 (ru) * 2012-02-28 2017-04-04 Конинклейке Филипс Н.В. Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674405B1 (en) * 2005-04-13 2014-03-18 Element Six Technologies Us Corporation Gallium—nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture
US7777490B2 (en) 2005-10-11 2010-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. RF antenna with integrated electronics
US8183577B2 (en) * 2009-06-30 2012-05-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling pit formation in a III-nitride device
TWI442455B (zh) 2010-03-29 2014-06-21 Soitec Silicon On Insulator Iii-v族半導體結構及其形成方法
JP5259660B2 (ja) * 2010-09-06 2013-08-07 株式会社東芝 半導体発光素子
US10158044B2 (en) 2011-12-03 2018-12-18 Sensor Electronic Technology, Inc. Epitaxy technique for growing semiconductor compounds
WO2013082592A1 (en) * 2011-12-03 2013-06-06 Sensor Electronic Technology, Inc. Epitaxy technique for growing semiconductor compounds
US10490697B2 (en) 2011-12-03 2019-11-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Epitaxy technique for growing semiconductor compounds
US10211048B2 (en) 2012-02-01 2019-02-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Epitaxy technique for reducing threading dislocations in stressed semiconductor compounds
JP5228122B1 (ja) 2012-03-08 2013-07-03 株式会社東芝 窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハ
CN103682005B (zh) * 2012-09-12 2016-12-07 顾玉奎 Led磊晶制程
US10199535B2 (en) 2014-02-22 2019-02-05 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
US9412902B2 (en) 2014-02-22 2016-08-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
US11621371B2 (en) * 2019-09-30 2023-04-04 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Epitaxial structure, preparation method thereof, and LED

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69637304T2 (de) * 1995-03-17 2008-08-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung
JPH08293473A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよび化合物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法
JP2839077B2 (ja) * 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3771952B2 (ja) * 1995-06-28 2006-05-10 ソニー株式会社 単結晶ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、発光素子の製造方法およびトランジスタの製造方法
JP3712770B2 (ja) 1996-01-19 2005-11-02 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
JPH10290051A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置とその製造方法
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP4783483B2 (ja) * 1997-11-07 2011-09-28 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板および半導体基板の形成方法
JPH11243251A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
SG75844A1 (en) 1998-05-13 2000-10-24 Univ Singapore Crystal growth method for group-iii nitride and related compound semiconductors
TW398084B (en) 1998-06-05 2000-07-11 Hewlett Packard Co Multilayered indium-containing nitride buffer layer for nitride epitaxy
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US6265289B1 (en) * 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6233265B1 (en) * 1998-07-31 2001-05-15 Xerox Corporation AlGaInN LED and laser diode structures for pure blue or green emission
JP3505405B2 (ja) * 1998-10-22 2004-03-08 三洋電機株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP4298023B2 (ja) * 1998-10-28 2009-07-15 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
JP2001160627A (ja) * 1999-11-30 2001-06-12 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP3778765B2 (ja) * 2000-03-24 2006-05-24 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP2002100837A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US6599362B2 (en) * 2001-01-03 2003-07-29 Sandia Corporation Cantilever epitaxial process
US6635904B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6489636B1 (en) * 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6630692B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
GB2378039B (en) 2001-07-27 2003-09-17 Juses Chao AlInGaN LED Device
JP3969989B2 (ja) * 2001-10-10 2007-09-05 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
JP2006324685A (ja) * 2002-07-08 2006-11-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
JP4727169B2 (ja) * 2003-08-04 2011-07-20 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板、当該エピタキシャル基板の製造方法、当該エピタキシャル基板の反り抑制方法、および当該エピタキシャル基板を用いた半導体積層構造
US6989555B2 (en) * 2004-04-21 2006-01-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Strain-controlled III-nitride light emitting device
RU2262155C1 (ru) * 2004-09-14 2005-10-10 Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" Полупроводниковый элемент, излучающий свет в ультрафиолетовом диапазоне
RU2277736C1 (ru) * 2005-02-02 2006-06-10 Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" Полупроводниковый элемент, излучающий свет в синей области видимого спектра
JP4692072B2 (ja) * 2005-05-19 2011-06-01 三菱化学株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP5137825B2 (ja) * 2005-06-15 2013-02-06 イッサム リサーチ デベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティ オブ エルサレム Ｉｉｉ−ｖ族半導体コア−ヘテロシェルナノクリスタル
KR100753152B1 (ko) * 2005-08-12 2007-08-30 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615215C2 (ru) * 2012-02-28 2017-04-04 Конинклейке Филипс Н.В. Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Also Published As

Publication number Publication date
US20080153191A1 (en) 2008-06-26
US7534638B2 (en) 2009-05-19
KR101505833B1 (ko) 2015-03-25
CN101636849B (zh) 2011-06-29
JP5754886B2 (ja) 2015-07-29
RU2466479C2 (ru) 2012-11-10
EP2126984A2 (en) 2009-12-02
KR20090094150A (ko) 2009-09-03
TW200845427A (en) 2008-11-16
WO2008078300A2 (en) 2008-07-03
EP2126984B1 (en) 2018-09-05
WO2008078300A3 (en) 2008-10-23
CN101636849A (zh) 2010-01-27
BRPI0721105A2 (pt) 2014-03-04
TWI452717B (zh) 2014-09-11
JP2010514192A (ja) 2010-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009128204A (ru) Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на шаблоне для уменьшения деформации
RU2009128176A (ru) Светоизлучающие устройства на основе нитридов iii группы, выращенные на шаблонах для уменьшения напряжения
RU2009128185A (ru) Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации
CN100479206C (zh) 氮化物半导体发光器件及其制备方法
US10014436B2 (en) Method for manufacturing a light emitting element
CN104037287A (zh) 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
SG178573A1 (en) Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods
CN103515495B (zh) 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法
CN101728472A (zh) 一种多层led芯片结构及其制备方法
TW200603445A (en) Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, production method thereof, and compound semiconductor and light-emitting device each using the stacked structure
RU2008128490A (ru) КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ AlxGayIn1-x-yN, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
US7755094B2 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
WO2021062799A1 (zh) 一种磊晶结构及其制备方法、led
TW200633266A (en) Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, method for fabrication thereof, gallium nitride-based semiconductor device and lamp using the device
CN1905132B (zh) 用于III族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底及其形成方法
CN104218126A (zh) 异质结发光二极管
CN106229397A (zh) 一种发光二极管外延片的生长方法
CN101740360B (zh) 一种提高镁在ⅲ-ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
US8878213B2 (en) Semiconductor light emitting device
CN101710569A (zh) 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
KR100814920B1 (ko) 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
Moon et al. A study of the morphology of GaN seed layers on in situ deposited SixNy and its effect on properties of overgrown GaN epilayers
CN105633232B (zh) 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
Cao et al. Homoepitaxial growth and electrical characterization of GaN-based Schottky and light-emitting diodes
Xu et al. Improvements in characteristics of N-polar Si-doped AlGaN epi-layer grown on mis-oriented c-plane sapphire substrate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20121222