RU2009128185A - Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации - Google Patents

Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации Download PDF

Info

Publication number
RU2009128185A
RU2009128185A RU2009128185/28A RU2009128185A RU2009128185A RU 2009128185 A RU2009128185 A RU 2009128185A RU 2009128185/28 A RU2009128185/28 A RU 2009128185/28A RU 2009128185 A RU2009128185 A RU 2009128185A RU 2009128185 A RU2009128185 A RU 2009128185A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
light
emitting layer
lattice constant
single crystal
Prior art date
Application number
RU2009128185/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2454753C2 (ru
Inventor
Патрик Н. ГРИЙО (US)
Патрик Н. ГРИЙО
Натан Ф. ГАРДНЕР (US)
Натан Ф. ГАРДНЕР
Вернер К. ГЕТЦ (US)
Вернер К. ГЕТЦ
Линда Т. РОМАНО (US)
Линда Т. РОМАНО
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2009128185A publication Critical patent/RU2009128185A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2454753C2 publication Critical patent/RU2454753C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый слой 22, причем этот первый слой практически не содержит индия, второй слой 26, выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий, и приборные слои 10, выращенные поверх второго слоя, причем эти приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. ! 2. Прибор по п.1, в котором первым слоем 22 является GaN, а вторым слоем 26 является InGaN. ! 3. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия. ! 4. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 26, расположенный между вторым слоем 26 и светоизлучающим слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий. ! 5. Прибор по п.4, в котором второй слой 32 имеет иное содержание индия, чем третий слой 34. ! 6. Прибор по п.1, дополнительно содержащий слой 35 с градиентным составом, расположенный между светоизлучающим слоем и первым слоем. ! 7. Прибор по п.1, в котором ! светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки аобъем, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя, ! светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки аплоскост, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и ! |(аплоскост-аобъем)|/аобъем в светоизлучающем слое соста

Claims (19)

1. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый слой 22, причем этот первый слой практически не содержит индия, второй слой 26, выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий, и приборные слои 10, выращенные поверх второго слоя, причем эти приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа.
2. Прибор по п.1, в котором первым слоем 22 является GaN, а вторым слоем 26 является InGaN.
3. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия.
4. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 26, расположенный между вторым слоем 26 и светоизлучающим слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий.
5. Прибор по п.4, в котором второй слой 32 имеет иное содержание индия, чем третий слой 34.
6. Прибор по п.1, дополнительно содержащий слой 35 с градиентным составом, расположенный между светоизлучающим слоем и первым слоем.
7. Прибор по п.1, в котором
светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки аобъем, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя,
светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки аплоскост, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и
|(аплоскост-аобъем)|/аобъем в светоизлучающем слое составляет менее чем 1%.
8. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет a-постоянную решетки большую, чем 3,189 Å.
9. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый практически монокристаллический слой 24, второй практически монокристаллический слой 28 и немонокристаллический слой 26, содержащий индий, расположенный между первым и вторым практически монокристаллическими слоями.
10. Прибор по п.9, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, причем второй практически монокристаллический слой 28 расположен между светоизлучающей областью и немонокристаллическим слоем 26.
11. Прибор по п.10, в котором состав первого практически монокристаллического слоя 24 отличается от состава второго практически монокристаллического слоя 28.
12. Прибор по п.10, в котором первый практически монокристаллический слой 24 представляет собой GaN или InGaN, второй практически монокристаллический слой 28 представляет собой InGaN и второй практически монокристаллический слой имеет большее содержание InN, чем первый практически монокристаллический слой.
13. Прибор по п.10, в котором второй практически монокристаллический слой 28 имеет большую плоскостную a-постоянную решетки, чем первый практически монокристаллический слой 24.
14. Прибор по п.10, в котором немонокристаллическим слоем 26 является InGaN.
15. Прибор по п.10, дополнительно содержащий третий практически монокристаллический слой 30, расположенный между первым практически монокристаллическим слоем 24 и немонокристаллическим слоем 26.
16. Прибор по п.10, дополнительно содержащий третий практически монокристаллический слой 31, расположенный между немонокристаллическим слоем 26, содержащим индий, и светоизлучающим слоем.
17. Прибор по п.10, в котором
светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки аобъем, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя,
светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки аплоскост, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и
|(аплоскост-аобъем)|/аобъем в светоизлучающем слое составляет менее чем 1%.
18. Прибор по п.10, в котором светоизлучающий слой имеет a-постоянную решетки большую, чем 3,189 Å.
19. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, причем плотность пронизывающих дислокаций в светоизлучающем слое составляет менее чем 3·109 см-2, и a-постоянная решетки в светоизлучающем слое составляет больше чем 3,200 Е.
RU2009128185/28A 2006-12-22 2007-12-21 Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации RU2454753C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/615,834 2006-12-22
US11/615,834 US7547908B2 (en) 2006-12-22 2006-12-22 III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009128185A true RU2009128185A (ru) 2011-01-27
RU2454753C2 RU2454753C2 (ru) 2012-06-27

Family

ID=39332231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128185/28A RU2454753C2 (ru) 2006-12-22 2007-12-21 Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7547908B2 (ru)
EP (1) EP2097934B1 (ru)
JP (2) JP5455643B2 (ru)
KR (2) KR101505824B1 (ru)
CN (3) CN102569576B (ru)
BR (1) BRPI0720935B1 (ru)
RU (1) RU2454753C2 (ru)
TW (1) TWI427819B (ru)
WO (1) WO2008078302A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615215C2 (ru) * 2012-02-28 2017-04-04 Конинклейке Филипс Н.В. Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674405B1 (en) * 2005-04-13 2014-03-18 Element Six Technologies Us Corporation Gallium—nitride-on-diamond wafers and devices, and methods of manufacture
EP1883141B1 (de) * 2006-07-27 2017-05-24 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht
US20080303033A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
US8664747B2 (en) * 2008-04-28 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding
US8354687B1 (en) * 2008-07-30 2013-01-15 Nitek, Inc. Efficient thermal management and packaging for group III nitride based UV devices
US9117944B2 (en) * 2008-09-24 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates
CN101971364B (zh) 2008-11-06 2013-05-15 松下电器产业株式会社 氮化物类半导体元件及其制造方法
US8227791B2 (en) * 2009-01-23 2012-07-24 Invenlux Limited Strain balanced light emitting devices
JP5291499B2 (ja) * 2009-03-10 2013-09-18 株式会社沖データ 半導体複合装置の製造方法
JP4676577B2 (ja) * 2009-04-06 2011-04-27 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
TWI405409B (zh) * 2009-08-27 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 低電壓差動訊號輸出級
US8525221B2 (en) * 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
US8586963B2 (en) * 2009-12-08 2013-11-19 Lehigh University Semiconductor light-emitting devices having concave microstructures providing improved light extraction efficiency and method for producing same
WO2011077704A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 パナソニック株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
CN102136536A (zh) 2010-01-25 2011-07-27 亚威朗(美国) 应变平衡发光器件
US8536022B2 (en) * 2010-05-19 2013-09-17 Koninklijke Philips N.V. Method of growing composite substrate using a relaxed strained layer
US8692261B2 (en) * 2010-05-19 2014-04-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device grown on a relaxed layer
US8395165B2 (en) 2011-07-08 2013-03-12 Bridelux, Inc. Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US20130026480A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
US8916906B2 (en) 2011-07-29 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon
US8865565B2 (en) 2011-08-02 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Toshiba LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
US9142743B2 (en) 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
US9343641B2 (en) 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
US20130032810A1 (en) 2011-08-03 2013-02-07 Bridgelux, Inc. Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
US8564010B2 (en) 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
US8669585B1 (en) 2011-09-03 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US8558247B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Toshiba Techno Center Inc. GaN LEDs with improved area and method for making the same
US8686430B2 (en) 2011-09-07 2014-04-01 Toshiba Techno Center Inc. Buffer layer for GaN-on-Si LED
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
US8552465B2 (en) 2011-11-09 2013-10-08 Toshiba Techno Center Inc. Method for reducing stress in epitaxial growth
US9184344B2 (en) 2012-01-25 2015-11-10 Invenlux Limited Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same
JP5931653B2 (ja) * 2012-09-03 2016-06-08 シャープ株式会社 光電変換素子
CN102867893A (zh) * 2012-09-17 2013-01-09 聚灿光电科技(苏州)有限公司 一种提高GaN衬底使用效率的方法
JP6426976B2 (ja) * 2014-10-24 2018-11-21 日本特殊陶業株式会社 粒子検知システム
CN108039397B (zh) * 2017-11-27 2019-11-12 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化物半导体发光二极管
US11011377B2 (en) 2019-04-04 2021-05-18 International Business Machines Corporation Method for fabricating a semiconductor device
US11164844B2 (en) * 2019-09-12 2021-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1039247C (zh) * 1994-09-10 1998-07-22 冶金工业部钢铁研究总院 一种涂有二硼化钛涂层的坩埚及其制造方法
EP0732754B1 (en) * 1995-03-17 2007-10-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
JPH08293473A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよび化合物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法
JP2839077B2 (ja) * 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3771952B2 (ja) * 1995-06-28 2006-05-10 ソニー株式会社 単結晶ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、発光素子の製造方法およびトランジスタの製造方法
JP2006344992A (ja) * 1995-11-27 2006-12-21 Sumitomo Chemical Co Ltd ３−５族化合物半導体
JPH10173220A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Rohm Co Ltd 半導体発光素子の製法
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP4783483B2 (ja) * 1997-11-07 2011-09-28 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板および半導体基板の形成方法
JPH11243251A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
SG75844A1 (en) 1998-05-13 2000-10-24 Univ Singapore Crystal growth method for group-iii nitride and related compound semiconductors
TW398084B (en) 1998-06-05 2000-07-11 Hewlett Packard Co Multilayered indium-containing nitride buffer layer for nitride epitaxy
US6265289B1 (en) * 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6233265B1 (en) * 1998-07-31 2001-05-15 Xerox Corporation AlGaInN LED and laser diode structures for pure blue or green emission
JP3505405B2 (ja) * 1998-10-22 2004-03-08 三洋電機株式会社 半導体素子及びその製造方法
US6319313B1 (en) * 1999-03-15 2001-11-20 Memc Electronic Materials, Inc. Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process
JP2001093834A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子および半導体ウエハならびにその製造方法
WO2001033643A1 (en) 1999-10-29 2001-05-10 Ohio University BAND GAP ENGINEERING OF AMORPHOUS Al-Ga-N ALLOYS
JP2001160627A (ja) * 1999-11-30 2001-06-12 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6599362B2 (en) * 2001-01-03 2003-07-29 Sandia Corporation Cantilever epitaxial process
US6800876B2 (en) * 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
US6489636B1 (en) * 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6635904B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6630692B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
US7692182B2 (en) * 2001-05-30 2010-04-06 Cree, Inc. Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure
GB2378039B (en) 2001-07-27 2003-09-17 Juses Chao AlInGaN LED Device
JP3969989B2 (ja) * 2001-10-10 2007-09-05 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
JP2003289175A (ja) * 2002-01-28 2003-10-10 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP2004247563A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Sony Corp 半導体素子
US6989555B2 (en) * 2004-04-21 2006-01-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Strain-controlled III-nitride light emitting device
JP4206086B2 (ja) * 2004-08-03 2009-01-07 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法
RU2262155C1 (ru) * 2004-09-14 2005-10-10 Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" Полупроводниковый элемент, излучающий свет в ультрафиолетовом диапазоне
WO2006054673A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-26 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor light-emitting device
RU2277736C1 (ru) * 2005-02-02 2006-06-10 Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" Полупроводниковый элемент, излучающий свет в синей области видимого спектра
JP4468210B2 (ja) * 2005-02-28 2010-05-26 株式会社東芝 Ｌｓｉパッケージ用インターフェイスモジュール及びｌｓｉ実装体
US20070069225A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Lumileds Lighting U.S., Llc III-V light emitting device
JP4922233B2 (ja) 2008-04-30 2012-04-25 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615215C2 (ru) * 2012-02-28 2017-04-04 Конинклейке Филипс Н.В. Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Also Published As

Publication number Publication date
JP5455643B2 (ja) 2014-03-26
KR101584465B1 (ko) 2016-01-13
TWI427819B (zh) 2014-02-21
JP5723862B2 (ja) 2015-05-27
JP2013080942A (ja) 2013-05-02
CN101636850B (zh) 2013-05-01
CN102544286A (zh) 2012-07-04
EP2097934A2 (en) 2009-09-09
BRPI0720935B1 (pt) 2019-12-31
RU2454753C2 (ru) 2012-06-27
EP2097934B1 (en) 2018-09-19
WO2008078302A2 (en) 2008-07-03
KR20090096531A (ko) 2009-09-10
JP2010514194A (ja) 2010-04-30
US20080149961A1 (en) 2008-06-26
TW200847483A (en) 2008-12-01
WO2008078302A3 (en) 2008-10-23
CN102569576B (zh) 2015-06-03
CN102569576A (zh) 2012-07-11
US7547908B2 (en) 2009-06-16
KR20140058659A (ko) 2014-05-14
CN102544286B (zh) 2015-01-07
BRPI0720935A2 (pt) 2014-03-11
KR101505824B1 (ko) 2015-03-25
CN101636850A (zh) 2010-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009128185A (ru) Iii-нитридные светоизлучающие приборы, выращенные на шаблонах для уменьшения деформации
RU2009128204A (ru) Iii-нитридные светоизлучающие устройства, выращенные на шаблоне для уменьшения деформации
Lee et al. Comparison of InGaN-based LEDs grown on conventional sapphire and cone-shape-patterned sapphire substrate
TWI548115B (zh) 發光裝置
TW200717883A (en) III-V light emitting device
KR101374951B1 (ko) 선택된 열팽창 및/또는 표면 특성들을 갖는 고체조명장치, 및 관련 방법
EP1589592A3 (en) Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
CN103515495B (zh) 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法
CN101339970A (zh) 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
EP1672704A3 (en) Light emitting device
TW200536149A (en) III-Nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency
EP1887636A3 (en) Light-emitting diode, display, electronic device, and optical communication apparatus
TW565957B (en) Light-emitting diode and the manufacturing method thereof
US20210305455A1 (en) Epitaxial structure, preparation method thereof, and led
TW201717424A (zh) 紫外光發光二極體
US8692261B2 (en) Light emitting device grown on a relaxed layer
Shen et al. An 83% enhancement in the external quantum efficiency of ultraviolet flip-chip light-emitting diodes with the incorporation of a self-textured oxide mask
CN103178173A (zh) 高亮度GaN基绿光LED的MQW结构
GB2420013B (en) Light emitting diode and fabrication method thereof
CN203192830U (zh) 高亮度GaN基绿光LED的MQW结构
Masui et al. Optical polarization characteristics of light emission from sidewalls of primary-color light-emitting diodes
KR102066093B1 (ko) 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR101895925B1 (ko) 발광소자
TWI360866B (ru)
CN111326625A (zh) 一种具有多层缓冲层的发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner