JP2015078093A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015078093A5
JP2015078093A5 JP2013216306A JP2013216306A JP2015078093A5 JP 2015078093 A5 JP2015078093 A5 JP 2015078093A5 JP 2013216306 A JP2013216306 A JP 2013216306A JP 2013216306 A JP2013216306 A JP 2013216306A JP 2015078093 A5 JP2015078093 A5 JP 2015078093A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sic
layer
sic epitaxial
substrate
epitaxial layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013216306A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015078093A (ja
JP6248532B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2013216306A priority Critical patent/JP6248532B2/ja
Priority claimed from JP2013216306A external-priority patent/JP6248532B2/ja
Priority to US14/514,993 priority patent/US9758902B2/en
Publication of JP2015078093A publication Critical patent/JP2015078093A/ja
Publication of JP2015078093A5 publication Critical patent/JP2015078093A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6248532B2 publication Critical patent/JP6248532B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. Ｓｉ基板上を炭化処理してバッファー層を形成する工程と、
    前記バッファー層上に、上方に向けて密度が小さくなる結晶欠陥を有する第１の３Ｃ−ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程と、
    前記第１の３Ｃ−ＳｉＣ層の酸化をする工程と、
    前記第１の３Ｃ−ＳｉＣ層表面の酸化膜を除去する工程と、
    前記酸化膜の除去後、前記第１の３Ｃ−ＳｉＣ層上に第２の３Ｃ−ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程と
    を有する３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  2. 前記酸化は、１１００〜１２００℃の熱酸化により行われる
    ことを特徴とする請求項１に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  3. 前記熱酸化は、酸素雰囲気で行われる
    ことを特徴とする請求項２に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  4. 前記熱酸化は、酸素および水蒸気雰囲気で行われる
    ことを特徴とする請求項２に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  5. 前記酸化膜の除去は、ウェットエッチングにより行われる
    ことを特徴とする請求項１に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  6. 前記Ｓｉ基板は、Ｓｉ（１００）基板である
    ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法。
  7. Ｓｉ基板と、
    前記Ｓｉ基板の一部を炭化処理して形成されたバッファー層と、
    前記バッファー層上に形成され、上方に向けて密度が小さくなる結晶欠陥を有する第１の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層と、
    前記第１の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層上に形成された第２の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層と
    を有し、
    前記第１の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の結晶欠陥内に酸化膜が形成されてなる
    ことを特徴とする３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板。
  8. 前記バッファー層は、格子定数がＳｉより小さく３Ｃ−ＳｉＣより大きい立方晶系の材料で形成される
    ことを特徴とする請求項７に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板。
  9. 請求項７または８に記載の３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板を用いた半導体装置。
JP2013216306A 2013-10-17 2013-10-17 ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置 Active JP6248532B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013216306A JP6248532B2 (ja) 2013-10-17 2013-10-17 ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置
US14/514,993 US9758902B2 (en) 2013-10-17 2014-10-15 Method for producing 3C-SiC epitaxial layer, 3C-SiC epitaxial substrate, and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013216306A JP6248532B2 (ja) 2013-10-17 2013-10-17 ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015078093A JP2015078093A (ja) 2015-04-23
JP2015078093A5 true JP2015078093A5 (ja) 2016-10-06
JP6248532B2 JP6248532B2 (ja) 2017-12-20

Family

ID=52825414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013216306A Active JP6248532B2 (ja) 2013-10-17 2013-10-17 ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9758902B2 (ja)
JP (1) JP6248532B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102203025B1 (ko) * 2014-08-06 2021-01-14 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법
GB2534357B (en) * 2015-01-14 2020-02-19 Anvil Semiconductors Ltd Wafer bow reduction
JP6592961B2 (ja) 2015-05-19 2019-10-23 セイコーエプソン株式会社 炭化ケイ素基板および炭化ケイ素基板の製造方法
CN107465983B (zh) * 2016-06-03 2021-06-04 无锡华润上华科技有限公司 Mems麦克风及其制备方法
KR20200056022A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼
CN116525420B (zh) * 2023-06-09 2023-12-19 中电科先进材料技术创新有限公司 在硅片表面生长3C-SiC薄层的方法及3C-SiC层

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3841352A1 (de) * 1988-12-08 1990-06-21 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer strahlungslithographie-masken
JPH0543399A (ja) * 1991-03-08 1993-02-23 Ricoh Co Ltd 薄膜機能部材
JP3230650B2 (ja) * 1996-03-27 2001-11-19 富士電機株式会社 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
US6273950B1 (en) * 1996-04-18 2001-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. SiC device and method for manufacturing the same
JP3841537B2 (ja) 1997-12-22 2006-11-01 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
FR2774214B1 (fr) * 1998-01-28 2002-02-08 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET EN PARTICULIER SiCOI
JP3201475B2 (ja) * 1998-09-14 2001-08-20 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3754294B2 (ja) 2000-12-28 2006-03-08 株式会社東芝 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
JP3761418B2 (ja) * 2001-05-10 2006-03-29 Ｈｏｙａ株式会社 化合物結晶およびその製造法
TWI222104B (en) * 2001-09-06 2004-10-11 Toshiba Ceramics Co Semiconductor wafer and method of fabricating the same
JP4378950B2 (ja) * 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4539140B2 (ja) * 2004-03-29 2010-09-08 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板およびその製造方法
EP1619276B1 (en) * 2004-07-19 2017-01-11 Norstel AB Homoepitaxial growth of SiC on low off-axis SiC wafers
WO2006090432A1 (ja) * 2005-02-22 2006-08-31 Neomax Co., Ltd. ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
US9153645B2 (en) * 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
JP2008024554A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Toyota Motor Corp 単結晶の製造方法
KR20110015009A (ko) * 2008-06-10 2011-02-14 에어 워터 가부시키가이샤 질소 화합물 반도체 기판의 제조 방법 및 질소 화합물 반도체 기판, 단결정 ＳｉＣ 기판의 제조 방법 및 단결정 ＳｉＣ 기판
JP5406279B2 (ja) * 2009-03-26 2014-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法および結晶性炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の製造方法
JP5471258B2 (ja) * 2009-10-02 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 半導体基板とその製造方法
US9556501B2 (en) * 2010-04-02 2017-01-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Magnesium-based composite member, heat radiation member, and semiconductor device
JP5605005B2 (ja) * 2010-06-16 2014-10-15 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置
JP2012004270A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体の洗浄方法、炭化珪素半導体および炭化珪素半導体装置
JP5585268B2 (ja) * 2010-07-22 2014-09-10 セイコーエプソン株式会社 単結晶炭化珪素膜付き基材及び単結晶炭化珪素膜の製造方法並びに単結晶炭化珪素膜付き基材の製造方法
JP2012031012A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Seiko Epson Corp 立方晶炭化珪素膜の製造方法
US20120056194A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Qs Semiconductor Australia Pty Ltd Barrier structures and methods of forming same to facilitate silicon carbide epitaxy and silicon carbide-based memory fabrication
GB2484506A (en) * 2010-10-13 2012-04-18 Univ Warwick Heterogrowth
DE112012004193T5 (de) * 2011-10-07 2014-07-03 Asahi Glass Co., Ltd. Siliziumcarbid-Einkristallsubstrat und Polierlösung
GB2495949B (en) * 2011-10-26 2015-03-11 Anvil Semiconductors Ltd Silicon carbide epitaxy

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015078093A5 (ja)
JP2012084860A5 (ja)
JP2011146697A5 (ja)
JP2011142310A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012051795A5 (ja)
JP2011121847A5 (ja)
JP2014078706A5 (ja)
JP2014057054A5 (ja) 半導体装置
JP2016139777A5 (ja) 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2009111373A5 (ja)
JP2008508696A5 (ja)
JP2012004273A5 (ja)
JP2016175807A5 (ja)
TWI458672B (zh) 具有微構造的外延結構體
JP2013149733A (ja) 半導体基板及び半導体基板の製造方法
JP2014189422A (ja) 単結晶４Ｈ−ＳｉＣ基板及びその製造方法
RU2015151126A (ru) Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания
JP5585268B2 (ja) 単結晶炭化珪素膜付き基材及び単結晶炭化珪素膜の製造方法並びに単結晶炭化珪素膜付き基材の製造方法
JP5997258B2 (ja) オフ角を備えているシリコン単結晶とｉｉｉ族窒化物単結晶の積層基板と、その製造方法
JP2013105966A5 (ja)
JP2015202990A (ja) 化合物半導体基板の製造方法
CN103903973A (zh) 利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高k介质的方法
JP6041346B2 (ja) グラフェン／ＳｉＣ複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン／ＳｉＣ複合材料
JP2015214448A5 (ja)
JP2013222893A5 (ja)