JP6041346B2 - グラフェン/SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン/SiC複合材料 - Google Patents
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先ず、坩堝内に、40mgのTiO2 粉末、8mgのC粉末[TiO2 :C=1:2.5(モル比)]、及び1.0gのSiC粉末を入れ、かかる坩堝の上部をカーボンメッシュで蓋をし、かかるカーボンメッシュ上に、SiC単結晶基板を、そのC面が下側(坩堝側)を向くように載置した。そのようにSiC単結晶基板を載置した状態の坩堝を、加熱炉内に入れ、10-4torrの真空下、1500〜1550℃で0.5時間、加熱することにより、SiC単結晶基板のC面上にTiC層を形成した。かかるTiC層が形成されたSiC単結晶基板のTEM写真を、図1に示す。
先ず、坩堝内に、80mgのTiO2 粉末、30mgのC粉末[TiO2 :C=1:2.5(モル比)]、及び1.0gのSiC粉末を入れ、かかる坩堝の上部をカーボンメッシュで蓋をし、かかるカーボンメッシュ上に、SiC単結晶基板を、そのC面が下側(坩堝側)を向くように載置した。そのようにSiC単結晶基板を載置した状態の坩堝を、加熱炉内に入れ、10-4torrの真空下、1800℃で0.5時間、加熱することにより、SiC単結晶基板のC面上にTiC層を形成した。
先ず、坩堝内に、40mgのTiO2 粉末、8mgのC粉末[TiO2 :C=1:2.5(モル比)]、及び1.0gのSiC粉末を入れ、かかる坩堝の上部をカーボンメッシュで蓋をし、かかるカーボンメッシュ上に、SiC単結晶基板を、そのC面が下側(坩堝側)を向くように載置した。そのようにSiC単結晶基板を載置した状態の坩堝を、加熱炉内に入れ、10-4torrの真空下、1500〜1550℃で0.5時間、加熱することにより、SiC単結晶基板のC面上にTiC層を形成した。
Claims (1)
- SiC単結晶基板上に一層又は二層以上のグラフェンが積層形成されてなるグラフェン/SiC複合材料の製造方法にして、
自然酸化によって形成された、SiC単結晶基板の表面を覆う酸化皮膜を除去することにより、該SiC単結晶基板のC面を露出させる工程と、
前記SiC単結晶基板のC面上に、TiC層を形成せしめる工程と、
TiC層が形成された前記SiC単結晶基板を、アルゴンガス雰囲気下、加熱する工程とを、
有することを特徴とするグラフェン/SiC複合材料の製造方法。
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