JP5656212B2 - グラフェン膜を有する基板の製造方法 - Google Patents
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- 絶縁層上の金属炭化物膜を酸化処理する工程を有する、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜が順次積層されてなる基板の製造方法。
- 金属炭化物膜がSiC膜であり、金属酸化物膜がSiO2膜であることを特徴とする請求項1記載の基板の製造方法。
- 絶縁層が、Si基板上にSiO2層が形成されたものであることを特徴とする請求項1又は2記載の基板の製造方法。
- 絶縁層が、石英基板であることを特徴とする請求項1又は2記載の基板の製造方法。
- 絶縁層上の金属炭化物膜を酸化処理する工程と、前記工程により表面に形成された金属酸化物膜を除去する工程とを有する、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板の製造方法。
- 金属炭化物膜がSiC膜であり、金属酸化物膜がSiO2膜であることを特徴とする請求項5記載の基板の製造方法。
- 絶縁層が、Si基板上にSiO2層が形成されたものであることを特徴とする請求項5又は6記載の基板の製造方法。
- 絶縁層が、石英基板であることを特徴とする請求項5又は6記載の基板の製造方法。
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