JP2011146562A - グラフェン膜を有する基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばSiC膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばSiO2膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Si基板上にSiO2層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。
【選択図】図1
Description
Claims (8)
- 絶縁層上の金属炭化物膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜が順次積層されてなる基板。
- 金属炭化物膜がSiC膜であり、金属酸化物膜がSiO2膜であることを特徴とする請求項1記載の基板。
- 絶縁層が、Si基板上にSiO2層が形成されたものであることを特徴とする請求項1又は2記載の基板。
- 絶縁層が、石英基板であることを特徴とする請求項1又は2記載の基板。
- 請求項1記載の基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。
- 金属炭化物膜がSiC膜であり、金属酸化物膜がSiO2膜であることを特徴とする請求項5記載の基板。
- 絶縁層が、Si基板上にSiO2層が形成されたものであることを特徴とする請求項5又は6記載の基板。
- 絶縁層が、石英基板であることを特徴とする請求項5又は6記載の基板。
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