JP2009200177A - グラフェン基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC基板30を熱処理することによってSiC基板30の表面にグラフェン31を形成し、そのグラフェン31上にアモルファスシリコン20を形成する。このアモルファスシリコン20を介してSiC基板30にSi基板10を貼り合わせる。そして、この貼り合わされたSiC基板30とSi基板10からSiC基板30を剥離する。
【選択図】図6
Description
Claims (19)
- グラフェンと、
前記グラフェンを支持する支持基板と、
前記グラフェンと前記支持基板とを接着する接着層と、
を備えることを特徴とするグラフェン基板。 - 前記支持基板は、カーボンを含まず、シリコンを含む材料からなることを特徴とする請求項1に記載のグラフェン基板。
- 前記支持基板は、シリコン基板および石英基板の少なくとも一方からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のグラフェン基板。
- 前記接着層は、アモルファスシリコン、二酸化ケイ素、アモルファスカーボンのうちの少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のグラフェン基板。
- 単結晶シリコンカーバイド基板を熱処理することによって、前記単結晶シリコンカーバイド基板の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、
前記グラフェン上に接着層を形成する接着層形成工程と、
前記単結晶シリコンカーバイド基板に前記接着層を介して支持基板を貼り合わせる貼り合せ工程と、
前記接着層を介して貼り合わされた前記単結晶シリコンカーバイド基板と前記支持基板から前記単結晶シリコンカーバイド基板を剥離する剥離工程と、
を備えることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。 - 前記グラフェン形成工程においては、前記単結晶シリコンカーバイド基板の主面全体に前記グラフェンを形成することを特徴とする請求項5に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記単結晶シリコンカーバイド基板の表面に部分的に前記グラフェンを形成するグラフェンパターンニング工程を備えることを特徴とする請求項6に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記グラフェンパターンニング工程は、フォトリソグラフフィにて前記グラフェンをパターンニングすることを特徴とする請求項7に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記グラフェン上に形成した前記接着層を前記貼り合せ工程前にパターンニングする接着層パターンニング工程を備えることを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記グラフェンの少なくとも一部に欠陥を導入する欠陥導入工程を備えることを特徴とする請求項5乃至請求項9のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記接着層は、アモルファスシリコン、二酸化ケイ素、アモルファスカーボンのうちの少なくとも一つからなることを特徴とする請求項5乃至請求項10のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記貼り合せ工程は、水素結合にて貼り合わせた後に、熱処理を行い脱水素反応により、共有結合に変換することを特徴とする請求項5乃至請求項11のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記支持基板は、シリコン基板および石英基板の少なくとも一方からなることを特徴と請求項5乃至請求項12のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記支持基板が前記シリコン基板である場合、当該シリコン基板の内部には、前記貼り合せ工程前に、シリコン半導体素子を構成するための素子構成要素が形成されていることを特徴とする請求項13に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記剥離工程は、前記支持基板から前記単結晶シリコンカーバイド基板を機械的に剥離することを特徴とする請求項5乃至請求項13のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記剥離工程は、前記グラフェンと前記単結晶シリコンカーバイド基板との間に気化物質を導入し、当該気化物質の膨張によって剥離することを特徴とする請求項5乃至請求項14のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記気化物質は、前記グラフェン形成工程後に酸処理で導入した硫酸基であることを特徴とする請求項16に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記気化物質は、前記グラフェン形成工程後にイオン注入した水素であることを特徴とする請求項16に記載のグラフェン基板の製造方法。
- 前記剥離工程が終了した後、前記単結晶シリコンカーバイド基板の表面に残留するグラフェンを除去し、表面を平坦にする工程を備えることを特徴とする請求項5乃至請求項18のいずれか一項に記載のグラフェン基板の製造方法。
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