JP2007150223A - 機能性基体、機能性基体を製造する方法および剥離層除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜電子回路の作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造と転写先の基体とをガラス転移温度が100℃以上、150℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さ10N/mm2以上、T型剥離接着強さ1N/mm2以上、線膨張率1.0×10-4以下であることを特徴とするエポキシ系あるいはアクリル系接着層の単層のみか、または当該エポキシ系あるいはアクリル系接着層の上にシリコーン樹脂、アクリル変成シリコーン樹脂あるいはエポキシ変成シリコーン樹脂材料からなる弾性層を伴った機能性基体でもって転写プロセスを行う。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第一の実施の形態にかかる機能性基体(電子デバイス)の構造および製造方法を示す図である。
図1(a)に示すように、6インチφの石英基板1の上に酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成し、その上部に加熱硬化型エポキシ接着剤5を薄く塗布してポリエチレンフィルム6を貼り付けた。
続いて図1(b)に示すように、浴槽8に純水7を溜め、この浴槽全体を温度80℃を保つよう加熱した。実際の加熱には浴槽として耐熱ガラスでできたビーカーに純水を入れ、その中に図1(a)に示す機能性基体を浸漬させ、ビーカー全体を湯煎にかけて加熱した。この状態でおよそ4時間浸漬したところ、酸化ゲルマニウムはほぼ溶解して、石英基板からPETフィルム付き薄膜トランジスタアレイ4を剥離することができた。
実施例1と同様に、6インチφの石英基板1の上に酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成した。
実施例1と異なる点は、薄膜トランジスタアレイ4の上部に熱硬化型エポキシ接着剤5をローラーで極薄に塗布して加熱硬化した後、さらにその上部に弾性接着剤51を薄く塗り転写先基板となるPETフィルム6を貼り付けた点である。 剥離層に用いた酸化ゲルマニウムおよび薄膜トランジスタについては実施例1で示したものとまったく同じ製法かつ同じ条件で作製した。
本発明の実施の形態に関して、さらに図面を参照しながら説明する。
図2は、本発明の第三の実施の形態にかかる機能性基体および電子デバイスの製造方法を示す図である。
図2(a)に示すように、6インチφの石英基板1の上にゲルマニウム膜21を厚さ200nm、酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成した。その上部に加熱硬化型エポキシ接着剤5を薄く塗布してホットプレート上で120℃、0.5hで硬化させた。最後にシリコーン接着剤51を用いて厚さ500μmのポリエチレンフィルム6を接着した。
実施例4とまったく同じ構造の6インチφの石英基板1をベースとした機能性基体を用意した。80℃の純水中に機能性基体を2時間浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2の外周部を数ミリ溶出した後、室温雰囲気中に当該積層物を取り出し放置しておいた。取り出し後、剥離が自発的に進み、2〜3分後にPETフィルム付き薄膜トランジスタアレイが完全に剥離した。
実施例3とまったく同じ構造の6インチφの石英基板1をベースとした機能性基体を80℃の純水中に30分浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2の外周部が1mm前後溶出したのを確認後、25℃の純水中に浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2が大部分溶出したのを確認した。
2 剥離層
3 カバー膜
4 被転写層
5 接着層
6 第二の基体
7 純水または酸溶液
8 エッチング浴槽(ビ−カー)
21 ゲルマニウム層
51 第二の接着層
Claims (9)
- 第一の基体上に酸化ゲルマニウム膜の剥離層、その上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを有し、当該膜構造上に樹脂系接着剤を用いて第2の基体を接着した構造であることを特徴とする機能性基体。
- 樹脂系接着剤は、ガラス転移温度が100℃以上で200℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さ10N/mm2以上、T型剥離接着強さ1N/mm2以上、線膨張率1.0×10-4以下であるエポキシ系樹脂あるいはアクリル系樹脂系接着剤であることを特徴とする請求項1に記載の機能性基体。
- 上記エポキシ系あるいはアクリル系接着剤からなる層と上記第2の基体の間にシリコーン樹脂、アクリル変成シリコーン樹脂あるいはエポキシ変成シリコーン樹脂の弾性層を挿入した構造をもつ請求項1または2記載の機能性基体。
- 基体と、この基体上に酸化ゲルマニウム膜一層またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜の二層からなる剥離層と、この剥離層の上に形成された薄膜電子回路または電子回路素子またはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造と、当該膜構造の上に形成された、上記基体とは異なる熱膨張係数を持つ単層あるいは複数の層からなる接着層とからなる機能性基体。
- 第一の基体と、この第一の基体の上に形成された、酸化ゲルマニウム膜またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜の二層からなる剥離層と、この剥離層の上に形成された薄膜電子回路または電子回路素子またはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造と、当該膜構造の上に第一の基体と異なる熱膨張係数を持つ単層あるいは複数の層からなる接着層と、その接着層の上に設けられた第二の基体とからなることを特徴とする機能性基体。
- 第一の基体上に酸化ゲルマニウム膜一層またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜の二層からなる剥離層を形成する工程と、その剥離層の上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを形成する工程と、当該膜構造上に第一の基体と異なる熱膨張係数を持つ単層あるいは複数の層からなる接着層を形成する工程とからなる、機能性基体の製造方法。
- 第一の基体上に酸化ゲルマニウム膜一層またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜の二層からなる剥離層を形成する工程と、その剥離層の上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを形成する工程と、当該膜構造上に第一の基体と異なる熱膨張係数を持つ単層あるいは複数の層からなる接着層を形成して機能精基体を製造する工程と、上記機能性基体を純水または酸溶液に浸漬する工程と、上記機能性基体の温度を変化させて上記機能性基体から上記剥離層を除去する工程とからなる剥離層除去方法。
- 請求項7記載の方法において、少なくとも40℃以上の酸溶液または純水中またはそれらの蒸気中で上記機能性基体を浸漬する工程と、上記機能性基体を前記酸溶液または純水またはそれらの蒸気の温度よりも少なくとも20℃以上温度を下げて上記機能性基体の温度を変化させる工程からなる剥離層除去方法。
- 請求項8記載の剥離層除去方法において、少なくとも40℃以上の酸溶液または純水中またはそれらの蒸気中で上記機能性基体を浸漬する工程と、上記機能性基体を前記酸溶液または純水またはそれらの蒸気の温度よりも少なくとも20℃以上温度を下げて上記機能性基体の温度を変化させる工程を複数回繰り返すことを特徴とする剥離層除去方法。
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