JP5578479B2 - 機能性基体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板であっても完全剥離には10時間以上要することになる。
保持する工程と、しかる後に上記機能性基体の温度を変化させることにより、第一の基体と上記膜構造上の接着層との間にせん断方向応力を発生させる工程を含むことを特徴とする、機能性基体から上記剥離層を除去する方法である。
図1(a)に示すように、6インチφの石英基板1の上に酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成し、その上部に加熱硬化型エポキシ接着剤5を薄く塗布してポリエチレンフィルム6を貼り付けた。
実施例1と同様に、6インチφの石英基板1の上に酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成した。
本発明の実施の形態に関して、さらに図面を参照しながら説明する。図2は、本発明の第三の実施の形態にかかる機能性基体および電子デバイスの製造方法を示す図である。
図2(a)に示すように、6インチφの石英基板1の上にゲルマニウム膜21を厚さ200nm、酸化ゲルマニウム膜2を厚さ1μm成膜し、更にカバー膜として酸化シリコン膜3を厚さ0.2μm成膜し、その上にポリシリコン膜からなる薄膜トランジスタアレイ4を形成した。その上部に加熱硬化型エポキシ接着剤5を薄く塗布してホットプレート上で120℃、0.5hで硬化させた。最後にシリコーン接着剤51を用いて厚さ500μmのポリエチレンフィルム6を接着した。
実施例4とまったく同じ構造の6インチφの石英基板1をベースとした機能性基体を用意した。80℃の純水中に機能性基体を2時間浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2の外周部を数ミリ溶出した後、室温雰囲気中に当該積層物を取り出し放置しておいた。取り出し後、剥離が自発的に進み、2〜3分後にPETフィルム付き薄膜トランジスタアレイが完全に剥離した。
実施例3とまったく同じ構造の6インチφの石英基板1をベースとした機能性基体を80℃の純水中に30分浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2の外周部が1mm前後溶出したのを確認後、25℃の純水中に浸漬させて酸化ゲルマニウム膜2が大部分溶出したのを確認した。
2 剥離層
3 カバー膜
4 被転写層
5 接着層
6 第二の基体
7 純水または酸溶液
8 エッチング浴槽(ビ−カー)
21 ゲルマニウム層
51 第二の接着層
Claims (3)
- 純水または酸溶液またはそれらの蒸気中に浸漬する工程と、剥離層を除去する工程と、を含む剥離層除去方法に用いられる機能性基体であって、
第一の基体上に酸化ゲルマニウム膜の剥離層、及び前記剥離層上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを有し、
前記膜構造上に、ガラス転移温度が100℃以上200℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さが10N/mm2以上、T型剥離接着強さが1N/mm2以上、線膨張係数が1.0×10−4以下である、エポキシ系あるいはアクリル系接着剤を用いて第二の基体を接着した構造を有することを特徴とする機能性基体。 - 前記エポキシ系あるいはアクリル系接着剤からなる層と前記第二の基体との間に、シリコーン樹脂、アクリル変成シリコーン樹脂あるいはエポキシ変成シリコーン樹脂の弾性層を挿入した構造を有する、請求項1に記載の機能性基体。
- 純水または酸溶液またはそれらの蒸気中に浸漬する工程と、剥離層を除去する工程と、を含む剥離層除去方法に用いられる機能性基体の製造方法であって、
第一の基体上に、酸化ゲルマニウム膜一層またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜との二層からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを形成する工程と、
前記膜構造上に、ガラス転移温度が100℃以上200℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さが10N/mm2以上、T型剥離接着強さが1N/mm2以上、線膨張係数が1.0×10−4以下である、エポキシ系あるいはアクリル系接着剤を用いて第二の基体を接着する工程と、
を含む、機能性基体の製造方法。
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