JP2005252244A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体ウエハ1と透明な絶縁基板2を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法。半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程S1と、半導体ウエハと絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程S2と、熱処理により貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程S3と、半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離工程S4と、絶縁基板に、レーザ光を半導体薄膜層側または透明な絶縁基板側から照射して半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、半導体薄膜層と透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程S5とを備える。
【選択図】 図1
Description
このように形成したSOIウエハは、へき開面が良好な鏡面であり、SOI層の膜厚の均一性の高いSOIウエハが比較的容易に得られる特徴がある。
(2)単結晶シリコンウエハのイオン注入面と絶縁基板を室温で密着させる(密着工程)。
(3)100〜300℃で熱処理して仮接合させる(仮接合工程)。
(4)単結晶シリコン層をアルカリエッチングで厚さ100〜250μmにする(エッチング工程)。
(5)350〜450℃で熱処理して本接合させる(本接合工程)。
(6)単結晶シリコン層を研削,研磨して50μm以下の厚さにする(研削・研磨工程)。
(7)500℃以上に加熱してイオン注入層をへき界面として剥離し、単結晶シリコン層の厚さを0.5μm以下のSOI層にする(剥離工程)。
(8)SOI層表面を鏡面研磨する(鏡面研磨工程)。
(9)800℃以上の熱処理を加えて結合強度を高める(熱処理工程)。
特許文献1の方法によるSOIウエハは、絶縁基板上に単結晶シリコンウエハを結合したものであるため、基板が完全な絶縁体であり、キャリアの移動度が基板に影響されず、極めて高くなる特徴を有する。
特許文献2の「半導体ウエハ及びその製作法」は、図11に示すように、半導体層24a,24bと絶縁層20bとが交互に2周期以上周期的に積層された積層構造を有する半導体ウエハであって、前記絶縁層の少なくとも1層がイオン注入された酸素により形成されたものであることを特徴とするものである。なおこの図で、20aは酸素イオン注入層、22aは水素イオン注入層(微小気泡層)、26は貼り合わせウエハ、28はSOIウエハである。
言い換えれば、従来の半導体基板の製造方法は、半導体薄膜と透明絶縁基板との接合強度を高めるため、通常1000℃以上の熱処理が必要であった。そのため、石英ガラスなどの高融点絶縁基板を用いる必要があり、製造コストが高くなっていた。
また、本発明の第2の目的は、微小気泡層をへき開面としてSiウエハを薄膜状に剥離する前の、仮接合工程とエッチング工程が不要であり、これにより半導体基板の製造工程を減らし、半導体基板の製造作業を簡略化して、作業時間を短縮化できる半導体基板の製造方法を提供することにある。
前記半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程後に、前記半導体ウエハと前記絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程と、
前記貼合わせ工程後に、熱処理により前記貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程と、
前記熱処理工程後に、前記半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離させる剥離工程と、
前記剥離工程後に、絶縁基板に、レーザ光を前記半導体薄膜層側または前記透明な絶縁基板側から照射して前記半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、前記半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法が提供される。
前記レーザ光がパルスレーザの場合、前記半導体ウエハの融点を超える温度で加熱し、前記半導体薄膜を結晶化させる、ことが好ましい。
また、レーザ光は薄膜層のみを吸収し、絶縁基板を透過するため、絶縁基板の直接加熱に寄与するものではなく、また、薄膜層と絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、絶縁基板の構成材料が例えば石英等の高い融点を有する高価なものに限られず、融点の低い安価なものも絶縁基板として用いることができるとともに、半導体基板の製造コストの低下を図ることができる。
図1は、本発明による半導体基板の製造方法のフロー図である。
図1に示すように、本発明の半導体基板の製造方法は、半導体ウエハ1と透明な絶縁基板2を用いて、絶縁基板2上に半導体ウエハの半導体薄膜層3を有する半導体基板4を製造する方法である。
この例において、半導体ウエハ1はSiウエハであり、透明な絶縁基板2はガラス基板である。また以下、半導体ウエハの半導体薄膜層3をSOI薄膜層、半導体基板4をSOI薄膜層ウエハと呼ぶ。
図1に示すように、本発明の半導体基板の製造方法は、薄膜形成工程S1、貼合わせ工程S2、熱処理工程S3、剥離工程S4、及びレーザ光照射工程S5を備えている。
またこの場合、剥離工程を、ウォータージェットを半導体ウエハの表面の多孔質構造に吹き付けて、半導体薄膜を得るのがよい。
すなわち、この例において、剥離工程S4が終了した後に、レーザ照射装置(図示省略)によってレーザ光(例えば、YAGレーザの2倍波)7をSOI薄膜層3側またはガラス基板2側から照射する。これによって、SOI薄膜層3とガラス基板を強固に結合する。なお、レーザ光7はSOI薄膜層全面に照射するように行う。
(1)試料準備
Siウエハは4インチ径、厚さ525μm、p型、面方位(100)、抵抗値0.5〜40Ωで100nm厚の熱酸化膜付きのものを用いた。ガラスウエハは、HOYA製NA35の無アルカリガラスを用い、4インチ径、厚さ0.7mmにものを作製し、500nmのSiO2膜をスパッタ成膜した。
(2)薄膜形成処理
酸化膜付Siウエハに水素イオン(H+)を加速電圧100kV、注入量5E16cm-2、入射角度0°(ウエハ表面に対して直交方向)で注入した。
(3)貼り合わせ処理
Siウエハおよびガラスウエハに対してSCIおよびSC2レベルのRCA洗浄を実施し、洗浄後、大気中、室温で貼り合わせた。
(4)Si薄膜の剥離処理および剥離後熱処理
Si薄膜の剥離は、Siウエハ同士を貼り合わせた試料に対して550℃、1時間の熱処理で、Siウエハとガラスウエハを貼り合わせた試料に対しては500℃、1時間の熱処理で行った。
Si薄膜の剥離後、窒素雰囲気で550℃、4時間の熱処理を実施し、レーザ照射用試料とした。
(5)レーザ照射工程
YLFレーザ(最大出力20W、波長527nm、繰り返し周波数1kHz)を光源として用い、試料をステージに載せ、搬送しながら照射した。
照射条件は、レーザ出力:4〜15W、ステージ搬送速度:3mm/秒、試料温度:室温で実施した。
本試験のように、パルスレーザを用い、半導体ウエハの融点を超える温度で加熱し、半導体薄膜を結晶化させることにより、半導体ウエハを溶融し、再結晶化することで、結晶品質を高めることができる。
この図から、本発明の方法による半導体基板(無アルカリガラス基板上のSi薄膜)のラマン半値幅は、4.9cm−1、単結晶シリコンウエハのラマン半値幅は、4.6cm−1であり、無アルカリガラス基板上のSi薄膜の結晶品質がほぼ単結晶シリコンウエハの品質を保持していることがわかった。
レーザ光7がガラス基板2を十分に透過し、かつレーザ光7の光エネルギーがSiウエハ1に十分に吸収されるように、予めレーザ光7の波長を選択することが望ましい。すなわち、図5に示すようにレーザ光7の波長が380nm以上で2200nm以下の場合には、ガラスにおけるレーザ光7の透過率が90%になって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過することが判明している。
また、Siのバンドギャップを光の波長に変換すると、1100nm程度であることもあって、図6に示すようにレーザ光7の波長が780nm以下の場合であっても、レーザ光7の光SiウエハがSiウエハ1に十分吸収される。従って、380nm以上で2200nm以下のレーザ光7の波長を予め選択することよって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過しかつレーザ光7の光SiウエハがSiウエハ1に十分に吸収されることを確保できる。
なお、レーザ照射工程が終了した後に、薄膜層3の表面3aを鏡面研磨することが望ましい。
InPの融点は1333Kであり、この図の横軸0.75に相当し、蒸気圧力は、おおよそ2〜10atmとなる。
このような場合、本発明では、半導体ウエハの融点での蒸気圧が大気圧を超え、前記レーザ光を照射して溶融させて結晶化させる場合において、前記蒸気圧を超える圧力の不活性ガス雰囲気にて行うことにより、半導体薄膜層の分解を抑制しかつ半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させることができる。
本発明では、前記レーザ照射工程は、前記半導体薄膜層が転写された絶縁基板を600℃以下の温度に加熱することで、半導体薄膜層の吸収係数が上昇するため、レーザ光の出力を下げることができる。
2 透明な絶縁基板(ガラス基板)、2a 一面、
3 半導体薄膜層(SOI薄膜層)、4 半導体基板(SOI薄膜層ウエハ)、
5 水素イオン(或いは水素分子イオン、希ガスイオンまたはこれらの複合イオン)、
6 微小気泡層(剥離層)、7 レーザ光(YAGレーザの2倍波)
Claims (15)
- 半導体ウエハと透明な絶縁基板を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法において、
前記半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程後に、前記半導体ウエハと前記絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程と、
前記貼合わせ工程後に、熱処理により前記貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程と、
前記熱処理工程後に、前記半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離させる剥離工程と、
前記剥離工程後に、絶縁基板に、レーザ光を前記半導体薄膜層側または前記透明な絶縁基板側から照射して前記半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、前記半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記薄膜形成工程は、前記半導体ウエハの表面に親水性の酸化膜を形成し、その後、水素イオン、水素分子イオン、希ガスイオンまたはこれらの複合イオンを1E16/cm2〜1E17/cm2の範囲のドープ量で注入する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記薄膜形成工程は、前記半導体ウエハの表面に多孔質構造を形成し、その上に前記半導体ウエハと同種のエピタキシャル層を成長させ、さらに、エピタキシャル層の表面に親水性の酸化膜を形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記貼合わせ工程は、室温で貼り合わせた前記半導体ウエハと絶縁基板を500℃以下の温度で加熱し、かつ前記半導体ウエハに正電圧、前記透明な絶縁基板に負電圧を印加して半導体ウエハと絶縁基板とを強固に貼り合わせる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記熱処理工程は、前記半導体ウエハの温度が400℃を超えない温度で熱処理する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記剥離工程は、前記半導体ウエハと絶縁基板を600℃以下の温度で熱処理して行う、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記剥離工程は、ウォータージェットを前記半導体ウエハの表面の多孔質構造に吹き付けて、前記半導体薄膜を得る、ことを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記レーザ光は、前記レーザ光の光エネルギーが前記半導体ウエハおよび薄膜に十分に吸収されるように、予め前記レーザ光の波長を選択する、ことを特徴とする請求項1,2又は3に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記半導体ウエハは、Siウエハ、GaNウエハ、GaAsウエハ、SiCウエハ、InPウエハ、GaPのいずれかの半導体ウエハである、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記透明な絶縁基板は、前記半導体ウエハと熱膨張係数が同じまたは同程度の絶縁基板である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記透明な絶縁基板は、表面に親水性の酸化膜が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記レーザ光がパルスレーザの場合、前記半導体ウエハの融点を超える温度で加熱し、前記半導体薄膜を結晶化させる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記半導体ウエハの融点での蒸気圧が大気圧を超え、前記レーザ光を照射して溶融させて結晶化させる場合において、前記蒸気圧を超える圧力の不活性ガス雰囲気にて前記半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、前記半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記レーザ照射工程は、前記薄膜層が転写された絶縁基板を600℃以下の温度に加熱して行われる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 融点における蒸気圧が大気圧を超える前記半導体ウエハにおいて、前記レーザ光照射前に前記レーザ光を透過する薄膜を形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024838A JP5110772B2 (ja) | 2004-02-03 | 2005-02-01 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004026584 | 2004-02-03 | ||
JP2004026584 | 2004-02-03 | ||
JP2005024838A JP5110772B2 (ja) | 2004-02-03 | 2005-02-01 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008286231A Division JP5358159B2 (ja) | 2004-02-03 | 2008-11-07 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005252244A true JP2005252244A (ja) | 2005-09-15 |
JP2005252244A5 JP2005252244A5 (ja) | 2008-12-25 |
JP5110772B2 JP5110772B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=35032391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005024838A Expired - Fee Related JP5110772B2 (ja) | 2004-02-03 | 2005-02-01 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5110772B2 (ja) |
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---|---|
JP5110772B2 (ja) | 2012-12-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071220 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120625 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |