JP2012031012A - 立方晶炭化珪素膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si基板1の表面を炭化させて下地層2を形成し、次いで、Si基板1の下地層2上に原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層3をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層3の表面3aをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層3上に再度、原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層4をエピタキシャル成長させる。
【選択図】図1
Description
この炭化珪素(SiC)の結晶生成温度は、シリコン(Si)と比べて高く、高品質の結晶を生成することが難しいとされているが、炭化珪素(SiC)の中でも立方晶炭化珪素(3C−SiC)は、結晶生成温度が比較的低温であり、安価なシリコン基板上にエピタキシャル成長(ヘテロエピタキシー)させることが可能であることが知られている。
さらに、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素膜には、結晶欠陥が高密度で形成され易く、また、膜応力に起因する膜の異常成長が発生し易く、表面が平坦な立方晶炭化珪素膜を得ることが難しい。
そこで、結晶方位が(100)面のシリコン基板の表面に、[110]方向に平行に周期的な起伏構造を形成し、この周期的な起伏構造を有するシリコン基板上に立方晶炭化珪素を成長させる方法が提案されている(特許文献1)。
この方法では、結晶欠陥が少ない立方晶炭化珪素膜を得ることができる。
また、シリコン基板の表面に周期的な起伏構造を形成するために、フォトリソグラフィ、プレス加工、レーザ加工、超音波加工、研磨加工等が必要となり、したがって、工程数が増加し、製造コストが上昇するという問題点があった。
すなわち、本発明の立方晶炭化珪素膜の製造方法は、基板の上に立方晶炭化珪素膜を形成する方法であって、立方晶炭化珪素層をエピタキシャル成長させる第1の工程及びエピタキシャル成長させた前記立方晶炭化珪素層の表面をクリーニングする第2の工程を、1回以上繰り返し行うことにより、前記基板上に複数の立方晶炭化珪素層を積層してなる立方晶炭化珪素膜を形成することを特徴とする。
そこで、この下地層上に、立方晶炭化珪素層をエピタキシャル成長させた後、この立方晶炭化珪素層の表面の異物を除去するという一連の工程を、1回以上繰り返し行うこととすれば、格子歪みや結晶欠陥が少ない立方晶炭化珪素層を複数層、積層した構造の立方晶炭化珪素膜を得ることができる。
この立方晶炭化珪素膜の製造方法では、立方晶炭化珪素層の表面の異物を除去する第2の工程を、水素、塩素または塩化水素を含むガス雰囲気下にて行うことにより、結晶欠陥や異常成長が生じ易い立方晶炭化珪素層の表面の異物が効率よく除去され、表面の平坦性も十分に確保される。
この立方晶炭化珪素膜の製造方法では、前記ガス雰囲気が水素原子を含むことにより、立方晶炭化珪素層の表面に存在する結晶欠陥が水素原子により終端され、この立方晶炭化珪素層の表面における再成長時の結晶性を向上させることができる。
この立方晶炭化珪素膜の製造方法では、第1の工程と第2の工程とを繰り返し行うことにより、下側の立方晶炭化珪素層の上に形成される立方晶炭化珪素層は格子歪みや結晶欠陥が少なく、表面の平坦性が確保される。これにより、結晶欠陥が少なく異物も無い立方晶炭化珪素層を複数層有する構造の立方晶炭化珪素膜を得ることができる。
本実施形態においては、発明の内容の説明を容易にするために、構造上の各部分の形状等については、適宜、実際の形状と異ならせてある。
まず、図1(a)に示すように、シリコン(Si)基板1を用意し、このSi基板1の表面を希フッ酸(DHF)溶液を用いてエッチングし、このSi基板1の表面に形成されている酸化膜を除去し、この表面を清浄面とする。
また、メチルシラン(SiH3CH3)、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)等のガスを用いると、炭化珪素(SiC)膜からなる下地層2をエピタキシャル成長させることができる。
ここで、原料ガス雰囲気としては、炭素を含むガスと珪素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる混合ガス雰囲気、炭素と珪素とを所定の割合にて含む炭素及び珪素を含むガス雰囲気、炭素を含むガスと珪素を含むガスと炭素及び珪素を含むガスとを所定の割合にて混合してなる複数種混合ガス雰囲気、のいずれかの雰囲気が好ましい。
また、珪素を含むガスとしては、モノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)、トリシラン(Si3H8)、テトラシラン(Si4H10)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、テトラクロロシラン(SiCl4)、トリクロロシラン(SiHCl3)、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)等が好適に用いられる。
また、炭素及び珪素を含むガスとしては、メチルシラン(SiH3CH3)、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)等が好適に用いられる。
これらの結晶欠陥11は、エピタキシャル成長が進行して膜厚が厚くなるのに伴い、結晶欠陥11同士が打ち消し合い、消滅12するものもある。したがって、立方晶炭化珪素層3は、膜厚が厚くなるにしたがって結晶欠陥11の密度も減少する傾向がある。
一方、立方晶炭化珪素層3の表面では、結晶欠陥11が残存したり、あるいは、膜応力等の影響により異常成長した核等の異物13が生じたりするので、表面の凹凸は大きくなる。
エッチングガスg3としては、立方晶炭化珪素層3の表面3aをエッチングすることができる水素(H2)ガス、塩素(Cl2)ガス、塩化水素(HCl)ガス等が好適に用いられる。
よって、立方晶炭化珪素層3の表面が平坦化される。特に、水素(H2)ガスや塩化水素(HCl)ガス等の水素(H)原子を含むガスを用いたクリーニングでは、立方晶炭化珪素層3の表面に存在する結晶欠陥11が水素(H)原子により終端されることで、終端部14が形成され、クリーニング後の立方晶炭化珪素層3の表面における再成長時の結晶性を向上させることができる。
以上により、Si基板1の下地層2上に、立方晶炭化珪素層3、立方晶炭化珪素層4を順次積層させた2層構造の高品質の立方晶炭化珪素膜21を形成することができる。
この多層構造の立方晶炭化珪素膜では、上層の立方晶炭化珪素層ほど結晶欠陥11が少ないので、多層構造の立方晶炭化珪素膜では、最上層の立方晶炭化珪素層nの結晶欠陥11は極めて少ないものとなる。
また、同一チャンバー内で原料ガスg2とエッチングガスg3を切り換えることで、エッチングとエピタキシャル成長とを容易に切り換えることができる。したがって、立方晶炭化珪素膜の成膜プロセスを簡単化することができ、製造工程のコストダウンを図ることができる。
この多層構造の立方晶炭化珪素膜では、上層の立方晶炭化珪素層ほど結晶欠陥11が少ないので、結晶欠陥が極めて少ない高品質の立方晶炭化珪素膜を安価に得ることができる。
Claims (7)
- 基板の上に立方晶炭化珪素膜を形成する方法であって、
立方晶炭化珪素層をエピタキシャル成長させる第1の工程及びエピタキシャル成長させた前記立方晶炭化珪素層の表面をクリーニングする第2の工程を、1回以上繰り返し行うことにより、前記基板上に複数の立方晶炭化珪素層を積層してなる立方晶炭化珪素膜を形成することを特徴とする立方晶炭化珪素膜の製造方法。 - シリコン基板の表面を炭化処理して下地層を形成した後、当該下地層上に、前記第1の工程及び前記第2の工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項1記載の立方晶炭化珪素膜の製造方法。
- 前記第1の工程は、炭素を含むガスと珪素を含むガスとを混合してなる混合ガス雰囲気、炭素及び珪素を含むガス雰囲気、炭素を含むガスと珪素を含むガスと炭素及び珪素を含むガスとを混合してなる複数種混合ガス雰囲気、のいずれかの雰囲気下にて行うことを特徴とする請求項1または2記載の立方晶炭化珪素膜の製造方法。
- 前記第2の工程は、水素、塩素または塩化水素を含むガス雰囲気下にて行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の立方晶炭化珪素膜の製造方法。
- 前記ガス雰囲気は、水素原子を含むことを特徴とする請求項4記載の立方晶炭化珪素膜の製造方法。
- 基板の上に立方晶炭化珪素膜を形成する方法であって、
前記基板の上に第1の立方晶炭化珪素層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、
前記第1の立方晶炭化珪素層の表面をクリーニングして、前記立方晶炭化珪素膜の一部を構成する第2の立方晶炭化珪素層を形成する第2の工程と、
を含むことを特徴とする立方晶炭化珪素膜の製造方法。 - 前記第1の工程と、前記第2の工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項6記載の立方晶炭化珪素膜の製造方法。
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