JP2014527714A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 131
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 25
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 109
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 57
- FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[B] Chemical compound [AlH3].[B] FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- DJPURDPSZFLWGC-UHFFFAOYSA-N alumanylidyneborane Chemical compound [Al]#B DJPURDPSZFLWGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 23
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 20
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004460 N cell Anatomy 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
- H01L29/267—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
次いで、窒化ホウ素アルミニウムガリウム(BxAlyGa1−x−yN)33の上位バッファ層を、窒化アルミニウム層32の上に成長させる。最後に、窒化ホウ素アルミニウムガリウム33の最上層の上に、GaN層10を成長させる。
Claims (23)
- Si(111)表面を有するシリコン基板と、
前記基板の前記Si(111)表面の上を覆う窒化ホウ素アルミニウムのバッファ層であって、前記窒化ホウ素アルミニウムが、BxAl1−xNの組成を有し、式中、0.35≦x≦0.45であるバッファ層と、
前記バッファ層の上方の、窒化ガリウムの上層と、
を備えた装置。 - 前記窒化ホウ素アルミニウムは、C面内でのセル単位長が前記Si(111)表面上のシリコンのセル単位長の64%〜68%であるウルツ鉱型結晶構造を有する請求項1記載の装置。
- 前記窒化ホウ素アルミニウムは、少なくとも1つのC面内の層が、2個のアルミニウムの原子に対して約1個のホウ素の原子を含むウルツ鉱型結晶構造を有する請求項1記載の装置。
- 前記Si(111)表面は、Si(111)1×1構造を有し、Si(111)7×7構造を有さない請求項1記載の装置。
- 前記シリコン及び前記窒化ホウ素アルミニウムは、窒化ホウ素アルミニウム<0001>軸とSi<111>軸が平行となるように配向される請求項1記載の装置。
- 前記基板と、前記バッファ層と、の間には、いかなる量の金属アルミニウムも配置されない請求項1記載の装置。
- 窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xN)を含む第2バッファ層を更に備え、
前記窒化アルミニウム ガリウムの第2バッファ層は、前記窒化アルミニウムのバッファ層と、前記窒化ガリウムの上層と、の間に配置される請求項1記載の装置。 - 前記窒化ホウ素アルミニウムのバッファ層は、厚さ100〜150ナノメートルである請求項1記載の装置。
- 前記シリコン基板は、少なくとも200ミリメートルの直径を有するウェーハであり、
前記ウェーハ全体にわたって、実質的に前記窒化ホウ素アルミニウムの窒素原子のみが前記Si(111)表面に対する結合を形成する請求項1記載の装置。 - シリコン基板を収容するチャンバに水素を流す工程と、
前記水素が前記チャンバにまだ流れている間に、第1の量のアンモニアを前記チャンバに流す工程であって、前記第1の量のアンモニアは、前記チャンバを流れる前記水素の、0.01体積%未満である工程と、
前記水素が前記チャンバにまだ流れている間に、トリメチルアルミニウムを前記チャンバに流す工程と、
前記水素が前記チャンバにまだ流れている間に、トリエチルホウ素を前記チャンバに流す工程と、
前記トリメチルアルミニウム及び前記トリエチルホウ素が前記チャンバにまだ流れている間に、第2の量のアンモニアを前記チャンバに流す工程であって、前記第2の量のアンモニアは、前記チャンバを流れる前記水素の0.002体積%超である、工程と、
を備えた方法。 - 前記トリメチルアルミニウム及び前記トリエチルホウ素は、窒化ホウ素アルミニウムの層が、BxAl1−xN(0.35≦x≦0.45)の組成を有して前記基板上に成長する相対量で流される請求項10記載の方法。
- 前記トリメチルアルミニウム及び前記トリエチルホウ素を前記チャンバに流す前記工程は、前記シリコン基板上に、窒化ホウ素アルミニウムの層が、100〜150ナノメートルの厚さに成長するまで実行される請求項10記載の方法。
- 前記シリコンの基板は、Si(111)表面を有する請求項10記載の方法。
- 前記水素を流す前記工程の前に、前記チャンバを950℃を超える温度まで加熱する工程を更に備える請求項10記載の方法。
- 前記第1の量のアンモニアを前記チャンバに流す前記工程は、30秒〜3分の間実行される請求項10記載の方法。
- 6インチ超の直径を有するウェーハであり、かつSi(111)表面を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の上方に設けられ、前記Si(111)表面との間に格子不整合が存在する窒化ガリウム(GaN)の上層と、
前記窒化ガリウムの上層が、低減された応力下で成長することを可能にすることによって、前記格子不整合を補正するための手段であって、BxAl1−xN(0.35≦x≦0.45)の組成を有し、前記ウェーハ全体にわたって実質的に窒素原子のみが前記Si(111)表面に対する結合を形成する手段と、
を備えた装置。 - 前記手段は、前記Si(111)表面と平行な少なくとも1つの原子の層を有し、2個のアルミニウムの原子に対して、約1個のホウ素の原子を含む結晶である請求項16記載の装置。
- 前記Si(111)表面は、Si(111)1×1構造を有し、Si(111)7×7構造を有さない、請求項16記載の装置。
- 窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xN)を含むバッファ層を更に備え、
前記窒化アルミニウムガリウムのバッファ層は、前記手段と、前記窒化ガリウムの上層と、の間に配置される請求項16記載の装置。 - 前記手段は、厚さ100〜150ナノメートルの層である請求項16記載の装置。
- Si(111)表面を有し、前記Si(111)表面の全域にわたってシリコン結晶格子が第1の長さのセル単位を有するシリコン基板と、
アルミニウム原子及び窒素原子を含むウルツ鉱型結晶格子であって、前記Si(111)表面と平行なC面を有し、前記C面内において第2の長さのセル単位を有するウルツ鉱型結晶格子と、
前記第2の長さの3倍が前記第1の長さの2倍に等しくなるように、前記ウルツ鉱型結晶格子のセル単位の前記第2の長さを減少させるための手段であって、前記ウルツ鉱型結晶格子内に組み込まれる手段と、
を備えた装置。 - 前記手段は、その原子と、アルミニウム原子と、窒素原子と、の総数の18%〜22%の量で前記ウルツ鉱型結晶格子内に設けられる請求項21記載の装置。
- 前記ウルツ鉱型結晶格子の窒素原子のみが、実質的に前記Si(111)表面に対する結合を形成する請求項21記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/194,744 | 2011-07-29 | ||
US13/194,744 US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
PCT/US2012/041726 WO2013019316A2 (en) | 2011-07-29 | 2012-06-08 | A boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014527714A true JP2014527714A (ja) | 2014-10-16 |
JP5900910B2 JP5900910B2 (ja) | 2016-04-06 |
Family
ID=47596499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014522821A Active JP5900910B2 (ja) | 2011-07-29 | 2012-06-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8916906B2 (ja) |
JP (1) | JP5900910B2 (ja) |
TW (1) | TWI497757B (ja) |
WO (1) | WO2013019316A2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
CN108400087A (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件 |
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---|---|---|---|---|
US20130026480A1 (en) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | Bridgelux, Inc. | Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow |
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KR20140133085A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
US9882009B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-01-30 | Intel Corporation | High resistance layer for III-V channel deposited on group IV substrates for MOS transistors |
WO2015041802A1 (en) | 2013-09-18 | 2015-03-26 | United Technologies Corporation | Article having coating including compound of aluminum, boron and nitrogen |
KR102188493B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법 |
US11322643B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-05-03 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Optoelectronic device |
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---|---|
US20130026482A1 (en) | 2013-01-31 |
WO2013019316A2 (en) | 2013-02-07 |
US8916906B2 (en) | 2014-12-23 |
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JP5900910B2 (ja) | 2016-04-06 |
TW201314948A (zh) | 2013-04-01 |
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