JP5179635B1 - 窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法は、Si単結晶基板(1)の(111)主面上において600℃以上900℃以下の範囲内の基板温度で第1のAlNバッファ層(2a)を堆積させ、この第1のAlNバッファ層上において900℃を超える基板温度で第2のAlNバッファ層(2b)を堆積させることを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の製造方法による基板を用いて作製し得るヘテロ接合電界効果トランジスタの積層構造の一例を模式的断面図で示している。このようなヘテロ接合電界効果トランジスタ用積層構造の作製方法の一例が、以下において説明される。基板1としては、(111)主面を有するSi基板が用いられる。まず、フッ酸系のエッチャントでSi基板1の表面酸化膜を除去した後に、MOCVD(有機金属気相堆積)装置のチャンバ内にその基板がセットされる。
まず、従来技術を利用してSi基板の(111)主面上に形成されたAlNバッファ層の表面状態と本発明の製造方法によってSi基板の(111)主面上に形成されたAlNバッファ層の表面状態とが、AFM(原子間力顕微鏡)観察によって比較された。すなわち、図2は従来技術を利用して作製された基板の表面の一例を示すAFM像であり、図3は本発明の製造方法による基板の表面の一例を示すAFM像である。
図4は、Si基板上に形成されるAlN層の結晶化度に及ぼす堆積温度の影響を調べるためのX線回折測定結果を示すグラフである。すなわち、図4のグラフにおいて、横軸はAlN層の堆積温度を表し、縦軸はAlN層の(0002)面からのX線回折ピークの半値幅(°)を表している。また、グラフ中の黒四角印は200nmの厚さに堆積されたAlN層を表し、黒丸印は20nmの厚さに堆積されたAlN層を表している。
図5は、図2に示されているような従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における微小な凸状欠陥の分布を示す光学暗視野顕微鏡写真である。他方、図6は、図3に示されているような本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面状態を示す光学暗視野顕微鏡写真である。図5と図6のいずれのウエハにおいても、図1において説明された複数の窒化物半導体層3−11がAlNバッファ層上に堆積されており、これらの光学暗視野顕微鏡写真は窒化物半導体層11における表面状態を示している。なお、図5と図6のそれぞれに示されている白抜きの線分によるスケールは200μmの長さを表している。
図9(A)は従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥を示すAFM像であり、(B)は(A)のAFM像中の一走査線に沿った表面の断面凹凸形状を表している。すなわち、図9(B)のグラフの横軸は走査線方向の距離(μm)を表し、縦軸は表面の任意の基準面からの高さ(nm)を表している。そして、図9(B)のグラフ中に示された2つの楔印の間は、(A)のAFM像中に示された2つの楔印の間に対応している。同様に、図10(A)は本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥を示すAFM像であり、(B)は(A)のAFM像中の一走査線に沿った表面の断面凹凸形状を表している。
本発明の製造方法による基板における低温AlNバッファ層2aは、(0001)面に平行な2分子層以上の厚さを有することが好ましい。なぜならば、1分子層の厚さでは、Si基板の表面を均一に覆うことが困難だからである。また、低温AlNバッファ層2aと高温AlNバッファ層2bとは、80nm以上の合計厚さに堆積されることが好ましい。なぜらば、AlNバッファ層の合計厚さが80nm未満であれば、高温AlNバッファ層2bの結晶成長による表面平坦性の改善を十分に得ることが困難になるからである。他方、低温AlNバッファ層2aと高温AlNバッファ層2bとは、300nm以下の合計厚さに堆積されることが好ましい。なぜらば、AlNバッファ層の合計厚さが300nmを超えれば、Siとの格子定数差に基づく歪によって基板が反ってクラックを生じる恐れがあるからである。
Claims (4)
- 窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法であって、
Si単結晶基板の(111)主面上において600℃以上900℃以下の範囲内の基板温度で第1のAlNバッファ層を堆積させ、
前記第1のAlNバッファ層上において900℃を超える基板温度で第2のAlNバッファ層を堆積させることを含み、
前記第1のAlNバッファ層はその(0001)面に平行な2分子層以上の厚さに堆積され、前記第1と第2のAlNバッファ層は80nm以上300nm以下の範囲内の合計厚さに堆積されることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記第2のAlNバッファ層上にAlGaNバッファ層をさらに堆積することを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。
- 前記AlGaNバッファ層はAl組成比が順次低減された複数のサブ層を含むことを特徴とする請求項2に記載の基板の製造方法。
- 前記AlGaNバッファ層上にAlN層/AlGaN層の繰返しを含む超格子バッファ層構造がさらに堆積されることを特徴とする請求項2または3に記載の基板の製造方法。
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