JPH03250438A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH03250438A JPH03250438A JP2046239A JP4623990A JPH03250438A JP H03250438 A JPH03250438 A JP H03250438A JP 2046239 A JP2046239 A JP 2046239A JP 4623990 A JP4623990 A JP 4623990A JP H03250438 A JPH03250438 A JP H03250438A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は高密度、大記録容量を可能とする光記録媒体特
にテープ状の光記録媒体に関する。
にテープ状の光記録媒体に関する。
口、従来の技術
光記録システムとしては光デイスクシステムが存在する
。第２図は斯かる光デイスクシステムの概略を示してお
り、対物レンズ８によって集束されたビームＢが透明の
ディスク基盤５を経て記録層６に到達し、その反射ビー
ムが対物レンズ８を経て７オトセンサ（図示せず）に到
達し、情報の再生が行われる。このシステムに於いては
、ｉｆ５の厚みはある程度厚く、従ってディスク基盤５
の表面の湯、ホコリ等が記録・再生に与える影響が少な
くなっていることは良く知られている。
。第２図は斯かる光デイスクシステムの概略を示してお
り、対物レンズ８によって集束されたビームＢが透明の
ディスク基盤５を経て記録層６に到達し、その反射ビー
ムが対物レンズ８を経て７オトセンサ（図示せず）に到
達し、情報の再生が行われる。このシステムに於いては
、ｉｆ５の厚みはある程度厚く、従ってディスク基盤５
の表面の湯、ホコリ等が記録・再生に与える影響が少な
くなっていることは良く知られている。
尚、記録層６は保護膜７によって保護されている。とこ
ろで、斯かるディスクに於いて、入射ビームＢの全てが
記録層６には到達せず、一部はディスク基盤５の表面に
於いて反射されることになるが、この反射ビームＢ゛
もフォトセンサに戻ることになり、この反射光Ｂ“は情
報を含んでおらず、ノイズとなる。
ろで、斯かるディスクに於いて、入射ビームＢの全てが
記録層６には到達せず、一部はディスク基盤５の表面に
於いて反射されることになるが、この反射ビームＢ゛
もフォトセンサに戻ることになり、この反射光Ｂ“は情
報を含んでおらず、ノイズとなる。
しかしながら、この反射ビームＢ゛の反射位置は情報を
含んでいる正規の反射ビームの反射位置とはディスク基
盤５の厚み分だけづれており、対物レンズ８を通過した
後も平行光とならず発散光となる為、フォトセンサに到
達する光量は極めて微かであり、左程間組とはならない
。
含んでいる正規の反射ビームの反射位置とはディスク基
盤５の厚み分だけづれており、対物レンズ８を通過した
後も平行光とならず発散光となる為、フォトセンサに到
達する光量は極めて微かであり、左程間組とはならない
。
ハ３発明が解決しようとする課組
一方、特開昭６２−１．４９０３６号公報（ＧｌＩ Ｂ
７ ／ Ｏ８５）には光テープに対して光学的に記録
再生するシステムが開示されている。このシステムでは
、光テープの厚みが薄い為、前述したディスクの場合と
は相違して、情報を含んでいる正規の反射の反射位置と
、光テープ表面に於ける反射ビームの反射位置は接近し
ている為、このテープ表面に於ける反射ビームは情報の
再生に対して無視てきないノイズとなる。本発明は斯か
る不都合を防止せんとするものである。
７ ／ Ｏ８５）には光テープに対して光学的に記録
再生するシステムが開示されている。このシステムでは
、光テープの厚みが薄い為、前述したディスクの場合と
は相違して、情報を含んでいる正規の反射の反射位置と
、光テープ表面に於ける反射ビームの反射位置は接近し
ている為、このテープ表面に於ける反射ビームは情報の
再生に対して無視てきないノイズとなる。本発明は斯か
る不都合を防止せんとするものである。
二１課題を解決するための手段
そこで、本発明に於いては、光記録媒体を、比較的薄い
透明基盤と、透明基盤の一側に設けられた記録層と、透
明基盤の他側に設けられた反射防止膜にて構成する。
透明基盤と、透明基盤の一側に設けられた記録層と、透
明基盤の他側に設けられた反射防止膜にて構成する。
ホ１作用
透明基盤の表面による不所望な反射は、反射防止膜によ
り防止される。
り防止される。
透明基盤（屈折率ｎ、）上に屈折率ｎの薄膜を形成した
場合、空気の屈折率を００とすると、この膜に垂直入射
した光の反射率Ｒは に＝２ｚ／λ、△＝１ｄ、Ａ；光の波長、ｄ：薄膜の厚
さとなる。
場合、空気の屈折率を００とすると、この膜に垂直入射
した光の反射率Ｒは に＝２ｚ／λ、△＝１ｄ、Ａ；光の波長、ｄ：薄膜の厚
さとなる。
△の変化にとらないＲが極値をとるところを求めると、
２Ｒ／２△＝０より、ｋ二＝（２＼＋１）ス／Ｑｌ′Ｎ
＋整数）となる。このとき、 Ｒ＝ Ｉ （ｎ、ｎ、−ｎ′）／ （ｎａｒ＋＋＋ｎ’
）ｌ ’となる。もし、ｎ ０＜ ｎ ＜ ｎ 、の
とき、ｎ ｏ ＋１＋ ｎ ’＝０となる条件が得ら
れれば、Ｒ＝Ｏ即ち反射をなくすことができる。 つま
り、ｎ＝５７５の屈折率を有する薄膜を に△＝ ２ｒｎｄ／λ＝（２＼＋１）ｒ／２、ｈ＝０と
すれば、ｎｄ＝ａ／４の厚さで形成すれば、この薄膜は
反射防止膜となる。
＋整数）となる。このとき、 Ｒ＝ Ｉ （ｎ、ｎ、−ｎ′）／ （ｎａｒ＋＋＋ｎ’
）ｌ ’となる。もし、ｎ ０＜ ｎ ＜ ｎ 、の
とき、ｎ ｏ ＋１＋ ｎ ’＝０となる条件が得ら
れれば、Ｒ＝Ｏ即ち反射をなくすことができる。 つま
り、ｎ＝５７５の屈折率を有する薄膜を に△＝ ２ｒｎｄ／λ＝（２＼＋１）ｒ／２、ｈ＝０と
すれば、ｎｄ＝ａ／４の厚さで形成すれば、この薄膜は
反射防止膜となる。
へ、実施例
第１図に本発明の光記録媒体の構造を示す。１は反射防
止膜、２は透明基盤、３は記録層、４は保護層である。
止膜、２は透明基盤、３は記録層、４は保護層である。
本実施例においてはフレキシブル透明基盤としてポリエ
チレン系高分子材料（厚さ２０ ／ｌ ｍ、屈折率ｎ、
＝＝１．８）を、記録層として５ｂＴｅ系相変化材料（
膜厚７００人）を、保護層は厚さ１０００人のＺｎＳ層
を使用し、反射防止膜としては、屈折率ｎがう「「丁ｎ
＋＝１．３４に近い材料としてフッ化マグネシウム（ｎ
＝１．３８）を厚さ１５００人基盤表面に形成した。
チレン系高分子材料（厚さ２０ ／ｌ ｍ、屈折率ｎ、
＝＝１．８）を、記録層として５ｂＴｅ系相変化材料（
膜厚７００人）を、保護層は厚さ１０００人のＺｎＳ層
を使用し、反射防止膜としては、屈折率ｎがう「「丁ｎ
＋＝１．３４に近い材料としてフッ化マグネシウム（ｎ
＝１．３８）を厚さ１５００人基盤表面に形成した。
評価は波長Ａ＝ ８００ ｎ ｍの半導体レーザ光をＮ
Ａ＝０．５の対物レンズを使用し、出力１ｍＷで基盤側
から記録層の記録済部分と未記録部分に照射を行い、反
射率を測定した。
Ａ＝０．５の対物レンズを使用し、出力１ｍＷで基盤側
から記録層の記録済部分と未記録部分に照射を行い、反
射率を測定した。
尚比較例として反射防止膜を形成しない従来構成の試料
も同様の方法で評価を行なった。
も同様の方法で評価を行なった。
その結果は表に示す様に未記録部と記録部の反射率変化
は比較例よりも実施例の方が大きく、従って変調度も比
較例４８％に対し実施例６３％と大きくなっている。従
って反射防止膜を形成しない比較例では変調度が低いた
めにＣＮ比の劣化等の再生出力の劣化がおこるものと考
えられる。
は比較例よりも実施例の方が大きく、従って変調度も比
較例４８％に対し実施例６３％と大きくなっている。従
って反射防止膜を形成しない比較例では変調度が低いた
めにＣＮ比の劣化等の再生出力の劣化がおこるものと考
えられる。
尚本発明は本実施例に制限される事はなく比較的薄い基
盤を使用する光テープ、光ディスク、光カード等に適用
することができる。
盤を使用する光テープ、光ディスク、光カード等に適用
することができる。
反射比＝（記録部分／′未記録部分）Ｘ１１１０ｏＩ。
変調度＝（１００−反射比）
ト９発明の効果
以上述べた本発明に依れば、透明基盤の表面で生じる反
射を防止することができ、再生出力の低下を防ぐことが
できる。
射を防止することができ、再生出力の低下を防ぐことが
できる。
第１図は本発明にかかる光記録媒体を示す図、第２図は
従来の光記録媒体を示す図である。 １・・・反射防止膜、２・・透明基盤、３・・・記録層
１．１・・・保護層
従来の光記録媒体を示す図である。 １・・・反射防止膜、２・・透明基盤、３・・・記録層
１．１・・・保護層
Claims (1)
- （１）比較的薄い透明基盤と、前記透明基盤の一側に設
けられた記録層と、前記透明基盤の他側に設けられた反
射防止膜を有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046239A JPH03250438A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046239A JPH03250438A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250438A true JPH03250438A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12741582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046239A Pending JPH03250438A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250438A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| WO2002027716A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations et dispositif d'enregistrement/lecture d'informations |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US8853668B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting regions for use with light emitting devices |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2046239A patent/JPH03250438A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| WO2002027716A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations et dispositif d'enregistrement/lecture d'informations |
| US7126905B2 (en) | 2000-09-29 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and information recording/reproducing apparatus to increase recording density |
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8546832B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Thin-film LED with p and n contacts electrically isolated from the substrate |
| US8871539B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US9142742B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8684749B2 (en) | 2009-11-25 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US9012953B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED with improved injection efficiency |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9070833B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8981410B1 (en) | 2011-09-01 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US9018643B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US8853668B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting regions for use with light emitting devices |
| US9123853B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-09-01 | Manutius Ip, Inc. | Series connected segmented LED |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
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