JP2002525255A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002525255A5 JP2002525255A5 JP2000570400A JP2000570400A JP2002525255A5 JP 2002525255 A5 JP2002525255 A5 JP 2002525255A5 JP 2000570400 A JP2000570400 A JP 2000570400A JP 2000570400 A JP2000570400 A JP 2000570400A JP 2002525255 A5 JP2002525255 A5 JP 2002525255A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- layer
- temperature
- cvd
- predetermined temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000000370 germanetriyl group Chemical group [H][Ge](*)(*)* 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８００℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第２の所定の温度（Ｔ2)で前記ゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項２】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８５０℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｃ1)前記ゲルマニウムのＣＶＤを停止し、その温度を前記第２の所定の温度（Ｔ2)から５００〜６００℃の第３の所定の温度（Ｔ3 まで下げる工程と、
（ｃ2)所定の厚さのＳｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が得られるまで、前記第３の所定の温度でＳｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤを行う工程と、
（ｃ3)前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤから純粋なゲルマニウムのＣＶＤに移行する工程と、
（ｃ4)前記ゲルマニウムベース層と、前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金の中間層およびゲルマニウム上層を有する、厚さが所望の最終的な厚さ未満の多層スタックを得るために前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程と、
（ｃ5)前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第３の所定の温度（Ｔ3)から７５０〜８００℃の第４の所定の温度（Ｔ4）に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第４の所定の温度（Ｔ4)でＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項３】
前記第３の所定の温度（Ｔ3)が、５４０〜５６０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第４の所定の温度（Ｔ4)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が、５〜１０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤが、ＧｅＨ4 およびＳｉＨ4 を含む前駆体ガスの混合物を用いて実施させることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第２の所定の温度（Ｔ2)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１の所定の温度（Ｔ1)が、４３０〜４６０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ゲルマニウムのＣＶＤに前駆体ガスとしてＧｅＨ4 を用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記（ａ）ないし（ｄ）の工程全てを水素の存在下で実施することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記の工程を全て大気圧下で実施することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）の前に、５００〜６００℃の範囲の温度でシリコン含浸層のＣＶＤを行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含浸層が、１〜５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含浸層のＣＶＤを大気圧下で実施することを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記純粋な単結晶ゲルマニウム層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
枚葉式の反応装置で実施することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた前記ゲルマニウム層を安定化するためのアニール工程を含む請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記アニール工程を６５０℃以上９００℃未満の温度で実施することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記アニール工程を少なくとも１０分間継続することを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、周期表のIII族からＶ族の元素またはそれらの化合物をエピタキシャル再成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記エピタキシャル再成長元素または化合物が、ＧｅまたはＧａＡｓであることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記エピタキシャル再成長層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項１】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８００℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第２の所定の温度（Ｔ2)で前記ゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項２】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８５０℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｃ1)前記ゲルマニウムのＣＶＤを停止し、その温度を前記第２の所定の温度（Ｔ2)から５００〜６００℃の第３の所定の温度（Ｔ3 まで下げる工程と、
（ｃ2)所定の厚さのＳｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が得られるまで、前記第３の所定の温度でＳｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤを行う工程と、
（ｃ3)前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤから純粋なゲルマニウムのＣＶＤに移行する工程と、
（ｃ4)前記ゲルマニウムベース層と、前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金の中間層およびゲルマニウム上層を有する、厚さが所望の最終的な厚さ未満の多層スタックを得るために前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程と、
（ｃ5)前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第３の所定の温度（Ｔ3)から７５０〜８００℃の第４の所定の温度（Ｔ4）に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第４の所定の温度（Ｔ4)でＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項３】
前記第３の所定の温度（Ｔ3)が、５４０〜５６０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第４の所定の温度（Ｔ4)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が、５〜１０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤが、ＧｅＨ4 およびＳｉＨ4 を含む前駆体ガスの混合物を用いて実施させることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第２の所定の温度（Ｔ2)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１の所定の温度（Ｔ1)が、４３０〜４６０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ゲルマニウムのＣＶＤに前駆体ガスとしてＧｅＨ4 を用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記（ａ）ないし（ｄ）の工程全てを水素の存在下で実施することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記の工程を全て大気圧下で実施することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）の前に、５００〜６００℃の範囲の温度でシリコン含浸層のＣＶＤを行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含浸層が、１〜５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含浸層のＣＶＤを大気圧下で実施することを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記純粋な単結晶ゲルマニウム層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
枚葉式の反応装置で実施することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた前記ゲルマニウム層を安定化するためのアニール工程を含む請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記アニール工程を６５０℃以上９００℃未満の温度で実施することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記アニール工程を少なくとも１０分間継続することを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、周期表のIII族からＶ族の元素またはそれらの化合物をエピタキシャル再成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記エピタキシャル再成長元素または化合物が、ＧｅまたはＧａＡｓであることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記エピタキシャル再成長層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
上記方法は、それ故、シリコン上に、非常に高品質で、かつ周期表のIII族〜Ｖ族の元素ならびにＧａＡｓのようなこれらの元素の化合物のヘテロエピタキシー(III−Ｖヘテロエピタキシー）によってさらなる堆積が可能な単結晶構造のゲルマニウム層を得ることができる。
しかし、得られたＧｅ層は、わずかにひずんでおり（格子パラメータがバルクＧｅよりもわずかに小さい）、その後のヘテロエピタキシー層の堆積、例えばＧｅ上でのＧａＡｓの堆積に有害である可能性がある。Ｇｅ層は、このひずみをその後の温度上昇で緩和できるが、これは、表面を再び粗くするという残念な影響をもたらし、それゆえ、例えば、欠陥の発生により、その後のIII−Ｖへテロエピタキシー堆積を阻害する。
例えば、オゾン化水浴、希釈ＨＦ浴およびＩＰＡ存在下での乾燥を用いてウェハを洗浄した後、ヘテロエピタキシー層、例えばＧｅまたはＧａＡｓを堆積させてもよい。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9811313A FR2783254B1 (fr) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Procede d'obtention d'une couche de germanium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin,et produits obtenus |
| FR98/11313 | 1998-09-10 | ||
| PCT/FR1999/002154 WO2000015885A1 (fr) | 1998-09-10 | 1999-09-10 | Procede d'obtention d'une couche de germanium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin, et produits obtenus |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002525255A JP2002525255A (ja) | 2002-08-13 |
| JP2002525255A5 true JP2002525255A5 (ja) | 2010-03-18 |
| JP4486753B2 JP4486753B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=9530304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000570400A Expired - Fee Related JP4486753B2 (ja) | 1998-09-10 | 1999-09-10 | 単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6537370B1 (ja) |
| EP (1) | EP1115920B1 (ja) |
| JP (1) | JP4486753B2 (ja) |
| DE (1) | DE69905179D1 (ja) |
| FR (1) | FR2783254B1 (ja) |
| WO (1) | WO2000015885A1 (ja) |
Families Citing this family (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60125952T2 (de) * | 2000-08-16 | 2007-08-02 | Massachusetts Institute Of Technology, Cambridge | Verfahren für die herstellung eines halbleiterartikels mittels graduellem epitaktischen wachsen |
| GB0111207D0 (en) | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Btg Int Ltd | A method to produce germanium layers |
| US7335545B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
| US20030227057A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US7074623B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
| US6995430B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US6953736B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-10-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Process for transferring a layer of strained semiconductor material |
| US7510949B2 (en) | 2002-07-09 | 2009-03-31 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for producing a multilayer semiconductor structure |
| FR2848334A1 (fr) * | 2002-12-06 | 2004-06-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure multicouche |
| ATE426918T1 (de) * | 2003-01-07 | 2009-04-15 | Soitec Silicon On Insulator | Recycling eines wafers mit einer mehrschichtstruktur nach dem abnehmen einer dunnen schicht |
| US20090325362A1 (en) * | 2003-01-07 | 2009-12-31 | Nabil Chhaimi | Method of recycling an epitaxied donor wafer |
| WO2004061943A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-22 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Recycling by mechanical means of a wafer comprising a taking-off structure after taking-off a thin layer thereof |
| JP5288707B2 (ja) | 2003-03-12 | 2013-09-11 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | シリコンゲルマニウムの、平坦化及び欠陥密度を減少させる方法 |
| TWI336102B (en) * | 2003-03-13 | 2011-01-11 | Asm Inc | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
| US7238595B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-07-03 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
| US7682947B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
| JP4714422B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2011-06-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 |
| JP4954448B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2012-06-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 有機金属化合物 |
| JP2007505477A (ja) | 2003-07-23 | 2007-03-08 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | シリコン−オン−インシュレーター構造及びバルク基板に対するＳｉＧｅの堆積 |
| EP1649495A2 (en) | 2003-07-30 | 2006-04-26 | ASM America, Inc. | Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers |
| FR2858460B1 (fr) * | 2003-07-30 | 2005-10-14 | Soitec Silicon On Insulator | Structure semiconducteur-sur-isolant contrainte ayant une tenue des contraintes aux hautes temperatures |
| KR20060054387A (ko) | 2003-08-04 | 2006-05-22 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 증착 전 게르마늄 표면 처리 방법 |
| US7285308B2 (en) | 2004-02-23 | 2007-10-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high conductivity, adherent thin films of ruthenium |
| JP4982355B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2012-07-25 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ゲルマニウム膜の形成方法 |
| EP1745165B1 (en) * | 2004-04-30 | 2011-03-30 | Dichroic cell s.r.l. | Method for producing virtual ge substrates for iii/v-integration on si(001) |
| US7495313B2 (en) * | 2004-07-22 | 2009-02-24 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Germanium substrate-type materials and approach therefor |
| US7320931B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-01-22 | Freescale Semiconductor Inc. | Interfacial layer for use with high k dielectric materials |
| US7247545B2 (en) * | 2004-11-10 | 2007-07-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Fabrication of a low defect germanium film by direct wafer bonding |
| US7704896B2 (en) | 2005-01-21 | 2010-04-27 | Asm International, N.V. | Atomic layer deposition of thin films on germanium |
| US7037856B1 (en) | 2005-06-10 | 2006-05-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of fabricating a low-defect strained epitaxial germanium film on silicon |
| US7678420B2 (en) * | 2005-06-22 | 2010-03-16 | Sandisk 3D Llc | Method of depositing germanium films |
| US20070104441A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Laterally-integrated waveguide photodetector apparatus and related coupling methods |
| US7305157B2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Vertically-integrated waveguide photodetector apparatus and related coupling methods |
| US7266263B2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-09-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Integrated waveguide photodetector apparatus with matching propagation constants and related coupling methods |
| JP2007173354A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板およびｓｏｉ基板の製造方法 |
| FR2896337A1 (fr) * | 2006-01-17 | 2007-07-20 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'une couche monocristalline sur une couche dielectrique |
| FR2896338B1 (fr) * | 2006-01-17 | 2008-04-18 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'une couche monocristalline sur une couche dielectrique |
| US7901968B2 (en) | 2006-03-23 | 2011-03-08 | Asm America, Inc. | Heteroepitaxial deposition over an oxidized surface |
| US7785995B2 (en) * | 2006-05-09 | 2010-08-31 | Asm America, Inc. | Semiconductor buffer structures |
| US20070262296A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Matthias Bauer | Photodetectors employing germanium layers |
| US7648853B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-01-19 | Asm America, Inc. | Dual channel heterostructure |
| US20080076236A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jih-Shun Chiang | Method for forming silicon-germanium epitaxial layer |
| US7651880B2 (en) * | 2006-11-04 | 2010-01-26 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Ge short wavelength infrared imager |
| US8157914B1 (en) | 2007-02-07 | 2012-04-17 | Chien-Min Sung | Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products |
| US7799600B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-09-21 | Chien-Min Sung | Doped diamond LED devices and associated methods |
| CA2703499A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Epispeed Sa | Apparatus and method for producing epitaxial layers |
| US8237126B2 (en) * | 2007-08-17 | 2012-08-07 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Mictrotechnique Sa | X-ray imaging device and method for the manufacturing thereof |
| US7851378B2 (en) * | 2007-09-11 | 2010-12-14 | National Applied Research Laboratories | Method for growing Ge expitaxial layer on patterned structure with cyclic annealing |
| FR2929758B1 (fr) * | 2008-04-07 | 2011-02-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert a l'aide d'un substrat ferroelectrique |
| JP5583943B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2014-09-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| KR20110081803A (ko) * | 2008-10-02 | 2011-07-14 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 전자 디바이스 및 반도체 기판의 제조 방법 |
| JP5593050B2 (ja) | 2008-10-02 | 2014-09-17 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| US8188512B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Growth of germanium epitaxial thin film with negative photoconductance characteristics and photodiode using the same |
| KR20100064742A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 한국전자통신연구원 | 낮은 침투전위 밀도를 갖는 순수 게르마늄 박막 성장법 |
| US8663735B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials |
| TWI562195B (en) | 2010-04-27 | 2016-12-11 | Pilegrowth Tech S R L | Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication |
| US8466502B2 (en) | 2011-03-24 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Metal-gate CMOS device |
| US8445363B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-05-21 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating an epitaxial layer |
| US8324059B2 (en) | 2011-04-25 | 2012-12-04 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a semiconductor structure |
| US8426284B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-04-23 | United Microelectronics Corp. | Manufacturing method for semiconductor structure |
| US8481391B2 (en) | 2011-05-18 | 2013-07-09 | United Microelectronics Corp. | Process for manufacturing stress-providing structure and semiconductor device with such stress-providing structure |
| US8431460B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-04-30 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| US8716750B2 (en) | 2011-07-25 | 2014-05-06 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having epitaxial structures |
| US8575043B2 (en) | 2011-07-26 | 2013-11-05 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8647941B2 (en) | 2011-08-17 | 2014-02-11 | United Microelectronics Corp. | Method of forming semiconductor device |
| US8674433B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-03-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
| US8455292B2 (en) | 2011-09-09 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Deposition of germanium film |
| US8476169B2 (en) | 2011-10-17 | 2013-07-02 | United Microelectronics Corp. | Method of making strained silicon channel semiconductor structure |
| US8691659B2 (en) | 2011-10-26 | 2014-04-08 | United Microelectronics Corp. | Method for forming void-free dielectric layer |
| US8754448B2 (en) | 2011-11-01 | 2014-06-17 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having epitaxial layer |
| US8647953B2 (en) | 2011-11-17 | 2014-02-11 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating first and second epitaxial cap layers |
| US8709930B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
| US9093269B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-07-28 | Asm America, Inc. | In-situ pre-clean prior to epitaxy |
| US9653639B2 (en) * | 2012-02-07 | 2017-05-16 | Apic Corporation | Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications |
| US20130224899A1 (en) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | International Business Machines Corporation | Enhancing efficiency in solar cells by adjusting deposition power |
| US9214577B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-12-15 | International Business Machines Corporation | Reduced light degradation due to low power deposition of buffer layer |
| US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
| US9136348B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-09-15 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and fabrication method thereof |
| US9202914B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-12-01 | United Microelectronics Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US8664069B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-03-04 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and process thereof |
| US8866230B2 (en) | 2012-04-26 | 2014-10-21 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor devices |
| US8835243B2 (en) | 2012-05-04 | 2014-09-16 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
| US8951876B2 (en) | 2012-06-20 | 2015-02-10 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8796695B2 (en) | 2012-06-22 | 2014-08-05 | United Microelectronics Corp. | Multi-gate field-effect transistor and process thereof |
| US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
| US8710632B2 (en) | 2012-09-07 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Compound semiconductor epitaxial structure and method for fabricating the same |
| US9330899B2 (en) | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
| US9117925B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-08-25 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial process |
| US8753902B1 (en) | 2013-03-13 | 2014-06-17 | United Microelectronics Corp. | Method of controlling etching process for forming epitaxial structure |
| US9034705B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-05-19 | United Microelectronics Corp. | Method of forming semiconductor device |
| US9064893B2 (en) | 2013-05-13 | 2015-06-23 | United Microelectronics Corp. | Gradient dopant of strained substrate manufacturing method of semiconductor device |
| US8853060B1 (en) | 2013-05-27 | 2014-10-07 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial process |
| US9076652B2 (en) | 2013-05-27 | 2015-07-07 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process for modifying shape of recess |
| US8765546B1 (en) | 2013-06-24 | 2014-07-01 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating fin-shaped field-effect transistor |
| US8895396B1 (en) | 2013-07-11 | 2014-11-25 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial Process of forming stress inducing epitaxial layers in source and drain regions of PMOS and NMOS structures |
| US8981487B2 (en) | 2013-07-31 | 2015-03-17 | United Microelectronics Corp. | Fin-shaped field-effect transistor (FinFET) |
| US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
| FR3028094B1 (fr) * | 2014-11-05 | 2018-02-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de determination de parametres de depot preferentiels pour une couche mince en materiau iii-v |
| WO2024005276A1 (ko) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 주식회사 비아트론 | 에피택시 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259918A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Heteroepitaxial growth of germanium on silicon by UHV/CVD |
| FR2678647A1 (fr) | 1991-07-05 | 1993-01-08 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication d'un cristal a gradient de maille. |
| DE19650058A1 (de) * | 1996-12-03 | 1998-06-04 | Deere & Co | Häckseltrommel |
| US6180480B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Germanium or silicon-germanium deep trench fill by melt-flow process |
-
1998
- 1998-09-10 FR FR9811313A patent/FR2783254B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-10 US US09/786,996 patent/US6537370B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-10 DE DE69905179T patent/DE69905179D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 JP JP2000570400A patent/JP4486753B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-10 WO PCT/FR1999/002154 patent/WO2000015885A1/fr active IP Right Grant
- 1999-09-10 EP EP99941731A patent/EP1115920B1/fr not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002525255A5 (ja) | ||
| JP4486753B2 (ja) | 単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物 | |
| US5760426A (en) | Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13 | |
| JP5013859B2 (ja) | 半導体装置、および薄層歪緩和バッファ成長方法 | |
| JP4117156B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法 | |
| KR100832152B1 (ko) | 반도체 헤테로구조, 반도체 헤테로구조의 형성방법 및 반도체 헤테로구조를 포함하는 절연층 위의 스트레인층 웨이퍼 | |
| US7550370B2 (en) | Method of forming thin SGOI wafers with high relaxation and low stacking fault defect density | |
| KR101556054B1 (ko) | AlzGa1-zN 층을 갖는 반도체 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법 | |
| US5037774A (en) | Process for the production of semiconductor devices utilizing multi-step deposition and recrystallization of amorphous silicon | |
| JP2009505938A (ja) | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | |
| US9147734B2 (en) | High quality GaN high-voltage HFETs on silicon | |
| JP2007176790A (ja) | マルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法 | |
| JP7290135B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及びｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| US7968438B2 (en) | Ultra-thin high-quality germanium on silicon by low-temperature epitaxy and insulator-capped annealing | |
| JPWO2007023911A1 (ja) | 半導体基板製造方法 | |
| KR100742680B1 (ko) | 실리콘-게르마늄층을 가진 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| JP2006080497A (ja) | 化合物半導体デバイス、及び化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2006319310A (ja) | 積層層構造およびその形成方法 | |
| EP2045836B1 (en) | Method for producing semiconductor substrate | |
| US7696533B2 (en) | Indium nitride layer production | |
| JP4213896B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP4130389B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 | |
| JP2005203666A (ja) | 化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2007250676A (ja) | 異種材料の積層基板の製造方法 | |
| JP3758528B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置及びそれを用いたｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 |