JP2002525255A - 単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物 - Google Patents
単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物Info
- Publication number
- JP2002525255A JP2002525255A JP2000570400A JP2000570400A JP2002525255A JP 2002525255 A JP2002525255 A JP 2002525255A JP 2000570400 A JP2000570400 A JP 2000570400A JP 2000570400 A JP2000570400 A JP 2000570400A JP 2002525255 A JP2002525255 A JP 2002525255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- layer
- predetermined temperature
- temperature
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 98
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 74
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GJURCGDBQJCAEQ-UHFFFAOYSA-N [Ge+] Chemical compound [Ge+] GJURCGDBQJCAEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012713 reactive precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/08—Germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
方法に関する。
場では、直径200mmのウェハの形状のものが利用可能である。集積回路の性
能における制限は、事実シリコンの固有特性と関連している。これらの特性のう
ち、電子移動度が原因であると言ってもよい。
i)シリコンよりも高い電子移動度を有し、(ii)赤外領域での吸収に優れ、(iii
) シリコンよりも格子パラメータが大きく、それにより周期表の III族〜V族の
半導体物質を用いたヘテロエピタキシャル構造を与えることからシリコンよりも
有用である可能性がある。
外は、大径のゲルマニウムウェハは市場に存在しない。
かし、得られた合金のゲルマニウム含有率が50%を超えることは稀である。
は最初は単結晶堆積である。層厚が増し、ゲルマニウムの含有量が増加するにつ
れて、その層はよりひずみを有するものとなる。ある厚さ以上では、ひずみが大
きくなり過ぎ、転位が発生して層が緩和される。これらの転位は、この層上に後
に構築される回路に有害な影響を持ち、この層の緩和は、ひずみを有するバンド
構造のある種の利点(ひずみ状態による伝導帯および価電子帯(Si/SiGe
またはSiGe/Si)の相殺)を喪失させる。そのため、各々の組成および各
々の製造温度に対応して、ひずみを有する層の最大厚が存在する。
コン基板上で与えられた組成に関する臨界厚さを超えて堆積するが、この層に関
する堆積パラメータを調節することにより、発生した転位が縦方向に伝わらず、
層の面内を伝わり、その後ウェハの端部で消散する概念が開発された。従って、
層からゲルマニウム含有量が増加する堆積が起こり、ゲルマニウム勾配を段階的
に、または連続的に変化させることが可能になる。
比較的低い(<50%)か、または出現する転位密度がマイクロエレクトロニク
スの用途には許容できない。
平衡化された傾斜GeX Si1-X バッファ」という題名の文献,G.Kissi
nger,T.Morgenstern and H.Richter, Ap
pl.Phy.Lett.66(16),17 April 1995)には、
基板上に下記配列の層を堆積する方法が記載されている。 250nm Ge0.05Si0.95+100nm Ge0.1 Si0.9 +100nm Ge0.15Si0.85+150nm Ge0.2 Si0.8
を受ける。比較のため、アニールなしで類似の配列の層を堆積させた。
堆積させた。
有しており、一方、アニールを実施した試験片は103 〜104 cm-2の創発性
転位密度を有していた。
という題名の文献,E.A.Fitzgerald and S.B.Sama
vedam, Thin Solid Films,294,1997,3−1
0)には、100%までゲルマニウムを含む緩和された基板の製造が記されてい
る。しかし、この方法の実施には長時間を要し(1ウェハ当たり約4時間以上)
、結果的に工業的観点では魅力がないものである。さらに、この方法は、可逆的
でない、すなわち、ゲルマニウム基板上にシリコンを堆積させることができない
。
待に反する結果、しかもそれらは、累積的、すなわち、堆積の進行によって粗さ
の発生が増加するだけであるから、期待に反する結果となる可能性のある表面の
粗さが観察される。
、低い創発性転位密度を有するGeX Si1-X 層(Xは0〜1を変化)を形成で
きると提案されている。
時に、活性ガス(例えばSiH4 、GeH4)の流れを継続的に変化させることで
ある。そのようにして、堆積する層を次第に緩和するために、発生した転位が急
速に退けられ除去される。そのようにして、従来の手法では10μm以上(通常
は約25μm)の中間層が必要であったのに対し、4〜5μmの厚さの膜で必要
なゲルマニウム濃度が0%(Si基板)から100%に至る緩和された基板を得
ることが可能になった。
薄く、欠陥(転位の発生)密度が、(従来の手法の106 と比較して)105 欠
陥(defect)/cm2 と低いことである。
ため約4〜5μmのフィルムが必要となる。
間以上という長い堆積時間を要し、それにより、時間当たりのウェハの生産量が
減少し、ウェハの製造コストが増大する。
結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を堆積させるための新規な方法を提
供することにある。
未満と低いCVD方法を提供することにある。
層で約10分間)方法を提供することにある。
ゲルマニウム層を形成する方法は、(a)単結晶シリコン基板の温度を、400
〜500℃、好ましくは430〜460℃の第1の所定の温度(T1)で安定させ
る工程と、 (b)基板上に所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層
が得られるまで、第1の所定の温度(T1)でゲルマニウムの化学気相成長(CV
D)を行う工程と、 (c)ゲルマニウムの化学気相成長温度を第1の所定の温度(T1)から、75
0〜850℃、好ましくは800〜850℃の範囲の第2の所定の温度(T2)ま
で上昇させる工程と、 (d)所望の最終的な厚さの単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、第2の所
定の温度(T2)でゲルマニウムの化学気相成長を継続する工程とを含む。
ゲルマニウム層を形成する方法は、工程(c)の後、かつ工程(d)の前に、 (c1)ゲルマニウムのCVDを停止し、温度を第2の所定の温度(T2)から5
00〜600℃、好ましくは540〜560℃の範囲の第3の所定の温度(T3)
まで下げる工程と、 (c2)所定の厚さを有するSi1-X GeX 合金(X≧0.9)の中間層が得ら
れるまで第3の所定の温度(T3)でSi1-X GeX の化学気相成長を行う工程と
、 (c3)第3の所定の温度で、Si1-X GeX 化学気相成長からGeの化学気相
成長に切り替える移行工程と、 (c4)ゲルマニウムベース層と、Si1-X GeX 合金の中間層と、ゲルマニウ
ム上層を有する、厚さが所望の最終的な厚さ未満の多層スタックが得られるよう
にゲルマニウムのCVDを継続する工程と、 (c5)ゲルマニウム化学気相成長の温度を第3の所定の温度(T3)から750
〜850℃、好ましくは800〜850℃の第4の所定の温度(T4)に上昇させ
る工程とを含み、 工程(d)は第2の所定の温度(T2)と同一であるか、または異なる温度であ
る第4の所定の温度(T4)で実施されるが、好ましくはT4 はT2 と同一の温度
である。
使用してもよい。よく知られているように、ゲルマニウム前駆体ガスは、水素の
ようなキャリアガスを用いて希釈する。希釈係数は10〜1000であってよい
。好ましくはGeH4 /H2 の体積比は10%である。
発性転位密度が増加するので、ゲルマニウムの堆積は大気圧下で実施するのが好
ましい。
に、H2 であるキャリアガスは存在する状態で実施する。
粋の、またはそうでないもの)を使用することが好ましい。
好ましく、流量は一般に標準条件で30〜400cm3 /minであり、300
cm3 /minが最適値である(もちろん、これらの数値は、H2 で体積比10
%まで希釈したGeH4 の名目上の流量である)。
所望の厚さにより決定される。
、工程(b)を10分間、工程(c)を60秒間、工程(d)を120秒間実施
し、非常に創発性転位密度が低い(10欠陥/cm2 未満の可能性もある)約1
μmの純粋な単結晶ゲルマニウムの層が得られる。
は水素の存在下、また好ましくは大気圧下で実施する。
ス、例えば水素は存在する状態で実施する。
含むSi1-X GeX 合金膜を得る上で所望の割合のゲルマニウム前駆体ガスとシ
リコン前駆体ガスの混合ガスを用いて実施する。推奨するゲルマニウム前駆体ガ
スはGeH4 である。推奨するシリコン前駆体ガスはSiH4 、Si2 H6 、S
iH2 Cl2 、SiHCl3 、SiCl4 、Si(CH3)4 であり、SiH4 が
好ましい。
を有し、もちろんこの層を堆積させるCVD条件は、層の厚さとゲルマニウム含
有量に関する要件に適合するように選択される。特に、このSiGe合金の中間
層のゲルマニウム含有量が90%未満である場合、創発性転位密度が増加する。
00℃、好ましくは550℃の温度で、シリコンのCVD気相堆積により、基板
の表面を含浸する工程を含んでもよい。このCVD堆積工程もまた、大気圧下で
実施するのが好ましい。好ましい前駆体ガスはSiH4 であり、よく知られてい
るように、堆積はキャリアガス、好ましくは水素の存在下で実施する。
る。
度を減少させる。
程を実施する。
l(NH2 OH+H2 O2)およびSC2(HCl+H2 O2)溶液、または(H2 S
O4 +H2 O2)のようなシリコン表面の金属および有機物残渣を洗浄する液相ま
たは気相による方法であってもよい。全ての場合において、希釈したHF水溶液
での処理段階とそれに続く水洗浄によって終了する。
m2 以下であり、10欠陥/cm2 未満の可能性もある。
減らすことがなお望ましい。
れているいかなる種類の化学機械研磨をも使用することができる。
を研磨材を吸着させた布上で、圧力をかけながら、このウェハを布に対して動か
して、こすり合わせることからなる。機械的作用と化学的作用の組み合わせによ
り、突き出た領域の研磨された材料の分子が、優先的に除去され、研磨されるべ
き材料が、平坦化される。
制御されるか、または目視もしくは顕微鏡観察により質的におよび/または原子
間力顕微鏡技術[rmsまたは山/谷平均粗さの測定]により量的に研磨位置外
で制御される。
機械的ブラッシングと洗浄により除去する。
の処理が必要な場合もある。このエッチングタイプの処理は、それにもかかわら
ず、全ての活性層を消滅させないように実施する必要がある。このためにいくつ
かの手順が可能である。
i)面を酸化し、その後酸化物を溶解する方法が可能である。これら2つの手段
は、ゲルマニウムが酸素(酸素ガス、オゾン、水に溶解させたオゾン、オゾンプ
ラズマ等)に対して極端に敏感であり、Ge酸化物が揮発性または不安定である
ことを利用している。
よるエピタキシーの再開が可能である。この好ましい場合において、所望の表面
仕上げ(欠陥数)と、こうして保証された層が、直ちに得られ、想像される用途
により、層の厚さを調節することが可能である。加えて、不純物は基礎となる転
位網によってトラップされる。
V族の元素ならびにGeAsのようなこれらの元素の化合物のヘテロエピタキシ
ー(III−Vヘテロエピタキシー)によってさらなる堆積が可能な単結晶構造のゲ
ルマニウム層を得ることができる。
Geよりもわずかに小さい)、その後のヘテロエピタキシー層の堆積、例えばG
e上でのGeAsの堆積に有害である可能性がある。Ge層は、このひずみをそ
の後の温度上昇で緩和できるが、これは、表面を再び粗くするという残念な影響
をもたらし、それゆえ、例えば、欠陥の発生により、その後の III−Vへテロエ
ピタキシー堆積を阻害する。
ム層を安定化する工程を含む。この安定化工程は、ゲルマニウム層の堆積の終端
(化学機械研磨の前)に導入され、(1)ひずみを緩和させ、ゲルマニウムの理
論上の格子パラメータを回復させ、(2)結果的にその後のアニール処理時に構
造を安定化する効果を有する。
下、650℃以上900℃未満の範囲の温度で、十分な時間、一般には約10分
以上のアニール処理からなる。アニール処理の時間は、明らかに、アニール温度
とゲルマニウム層の厚さとに依存する。
で、アニール温度は900℃以下であるのが好ましい。
ウェハ)炉内において炭素および酸素種による汚染を防止するため、もとの位置
(ゲルマニウム層の堆積後)で実施することが好ましい。
ハを洗浄した後、ヘテロエピタキシー層、例えばGeまたはGeAsを堆積させ
てもよい。
以下に説明する。 単結晶シリコンウェハ(200mm)を枚葉式工業炉中に設置する。 図1の曲線Bおよび対応する曲線Aの部分によって図式的に示される以下の条
件での化学気相成長によりウェハの表面にシリコンを含浸させる。 全体圧:大気圧 堆積温度:550℃ SiH4 前駆体ガス:350cm3 /min H2 キャリアガス:20l/min 堆積速度:30秒 約3nmの厚さのシリコン層が堆積される。
る。 全体圧:大気圧 堆積温度:450℃ GeH4 前駆体ガス:300cm3 /min H2 キャリアガス:20l/min 堆積時間:10分 厚さが1μmよりもわずかに薄いGe層が得られる。
を維持しつつ、ゲルマニウムの堆積を60秒間続ける。 (d)最後に、厚さ1μmの純粋な単結晶ゲルマニウム層を得るため、850
℃(T2)で120秒間ゲルマニウムの堆積を維持する。
図4は、膜の平面の電子顕微鏡写真である。これらの図は、ゲルマニウム膜に創
発性転位が発生していないことを示している。
を決定した。 その結果を表1に示す。
に説明する。 本方法の実施は、前もってウェハの表面を含浸することで開始され、工程(a
)、(b)および(c)を実施する。
。 全体圧:大気圧 堆積温度:550℃ GeH4 流量:300cm3 /min SiH4 流量:10cm3 /min H2 流量:20l/min 堆積時間:120秒 厚さ約15nmのSi0.1 Ge0.9 合金層が得られる。
る。 (c4)その後、550℃でゲルマニウムを60秒間堆積し続ける(ゲルマニウ
ム流量:300cm3)。 (c5)その後、ゲルマニウムの堆積を続けながら、120秒間をかけて温度を
550℃から850℃(T4)まで上げる。そして、 (d)SiGe合金層を含んだ約1μmの所望の厚さの単結晶ゲルマニウム層
を得るために、850℃でゲルマニウムの堆積を続ける。
繰り返す。 各々の温度の組み合わせについて、転位密度を測定した。その結果を表2に示
す。
マニウム層で被覆されたウェハに対し、以下の工程を実施した。 ・オゾン水浴、希釈HF浴およびIPA下での乾燥を用いて、ウェハを乾燥する
工程 ・枚葉式装置中で約650℃の温度で30分間ウェハをアニールする(温度上昇
は約1分間続ける)工程、そして ・アニールされたゲルマニウム層(I)上に、以下の条件で化学気相成長(CV
D)を行い、新たなゲルマニウム層(II)をエピタキシャル再成長させる工程 前駆体ガス:GeH4 キャリアガス:H2 圧力:2666Pa(20Torr) 温度:約760℃ エピタキシャル再成長したゲルマニウム層(II)は、厚さ500nmを有してい
る。
で実施してもよい。 比較のため、アニール工程を行わないこと以外は同一の方法で得られたウェハ
上にゲルマニウム層(II)をエピタキシャル再成長させた。
I)上にエピタキシャル再成長したゲルマニウム層(II)(図6)(平均粗度 Ra
=0.311nm)は、安定化していないゲルマニウム層(I)上にエピタキシ
ャル再成長したゲルマニウム層(II)(図5)(平均粗度 Ra=1.412nm)
に比べて極めて低い粗度を有していた。
数で表したグラフ(曲線A)であり、前駆体ガスSiH4 およびGeH4 の流量
を時間の関数で表したグラフ(曲線B、C)である。
線B、D)、前駆体ガスGeH4 の流量を時間の関数で表したグラフであり(曲
線C、E)、堆積速度を時間の関数で表したグラフである(曲線A)。
膜y(電子顕微鏡でウェハ上に観察された領域)で被覆された単結晶シリコン基
板の断面の顕微鏡写真である。
で被覆された単結晶シリコン基板の面(平面の電子顕微鏡で観察された領域)の
電子顕微鏡写真である。
上にエピタキシャル再成長させたゲルマニウム層の原子間力顕微鏡(AFM)プ
ロフィールである。
エピタキシャル再成長させたGe層のAFMプロフィールである。
Claims (22)
- 【請求項1】 (a)単結晶シリコン基板の温度を、400〜500℃の第1の所定の温度(
T1)に安定させる工程と、 (b)前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベ
ース層が得られるまで、前記第1の所定の温度(T1)で、ゲルマニウムの化学気
相成長(CVD)を行う工程と、 (c)前記ゲルマニウムのCVDの温度を、前記第1の所定の温度(T1)から
750〜800℃の第2の所定の温度(T2)に上昇させる工程と、 (d)前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、
前記第2の所定の温度(T2)で前記ゲルマニウムのCVDを継続する工程とを含
むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方
法。 - 【請求項2】 (a)単結晶シリコン基板の温度を、400〜500℃の第1の所定の温度(
T1)に安定させる工程と、 (b)前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベ
ース層が得られるまで、前記第1の所定の温度(T1)で、ゲルマニウムの化学気
相成長(CVD)を行う工程と、 (c)前記ゲルマニウムのCVDの温度を、前記第1の所定の温度(T1)から
750〜850℃の第2の所定の温度(T2)に上昇させる工程と、 (c1)前記ゲルマニウムのCVDを停止し、その温度を前記第2の所定の温度
(T2)から500〜600℃の第3の所定の温度(T3 )まで下げる工程と、 (c2)所定の厚さのSi1-X GeX 合金(X≧0.9)の中間層が得られるま
で、前記第3の所定の温度でSi1-X GeX 合金のCVDを行う工程と、 (c3)前記第3の所定の温度(T3)で前記Si1-X GeX 合金のCVDから純
粋なゲルマニウムのCVDに移行する工程と、 (c4)前記ゲルマニウムベース層と、前記Si1-X GeX 合金の中間層および
ゲルマニウム上層を有する、厚さが所望の最終的な厚さ未満の多層スタックを得
るために前記第3の所定の温度(T3)で前記純粋なゲルマニウムのCVDを継続
する工程と、 (c5)前記純粋なゲルマニウムのCVDの温度を、前記第3の所定の温度(T 3 )から750〜800℃の第4の所定の温度(T4 )に上昇させる工程と、 (d)前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、
前記第4の所定の温度(T4)でCVDを継続する工程とを含むことを特徴とする
単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。 - 【請求項3】 前記第3の所定の温度(T3)が、540〜560℃の温度範囲から選ばれるこ
とを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】 前記第4の所定の温度(T4)が、800〜850℃の温度範囲から選ばれるこ
とを特徴とする請求項2または3に記載の方法。 - 【請求項5】 前記Si1-X GeX 合金(X≧0.9)の中間層が、5〜10nmの厚さを有
することを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の方法。 - 【請求項6】 前記Si1-X GeX 合金のCVDが、GeH4 およびSiH4 を含む前駆体ガ
スの混合物を用いて実施させることを特徴とする請求項2ないし5のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項7】 前記第2の所定の温度(T2)が、800〜850℃の温度範囲から選択される
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。 - 【請求項8】 前記第1の所定の温度(T1)が、430〜460℃の温度範囲から選択される
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。 - 【請求項9】 前記ゲルマニウムのCVDに前駆体ガスとしてGeH4 を用いることを特徴と
する請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。 - 【請求項10】 前記(a)ないし(d)の工程全てを水素の存在下で実施することを特徴とす
る請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。 - 【請求項11】 前記の工程を全て大気圧下で実施することを特徴とする請求項1ないし10の
いずれかに記載の方法。 - 【請求項12】 前記工程(a)の前に、500〜600℃の範囲の温度でシリコン含浸層のC
VDを行う工程を含むことを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の
方法。 - 【請求項13】 前記シリコン含浸層が、1〜5nmの厚さを有することを特徴とする請求項1
2に記載の方法。 - 【請求項14】 前記シリコン含浸層のCVDを大気圧下で実施することを特徴とする請求項1
2または13に記載の方法。 - 【請求項15】 前記純粋な単結晶ゲルマニウム層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴と
する請求項1ないし14のいずれかに記載の方法。 - 【請求項16】 枚葉式の反応装置で実施することを特徴とする請求項1ないし15のいずれか
に記載の方法。 - 【請求項17】 (e)前記工程(d)で得られた前記ゲルマニウム層を安定化するためのアニ
ール工程を含む請求項1ないし16のいずれかに記載の方法。 - 【請求項18】 前記アニール工程を650℃以上900℃未満の温度で実施することを特徴と
する請求項17に記載の方法。 - 【請求項19】 前記アニール工程を少なくとも10分間継続することを特徴とする請求項17
または18に記載の方法。 - 【請求項20】 さらに、周期表の III族からV族の元素またはそれらの化合物をエピタキシャ
ル再成長させる工程を含むことを特徴とする請求項17ないし19のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項21】 前記エピタキシャル再成長元素または化合物が、GeまたはGeAsであるこ
とを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 【請求項22】 前記エピタキシャル再成長層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする
請求項20または21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR98/11313 | 1998-09-10 | ||
FR9811313A FR2783254B1 (fr) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Procede d'obtention d'une couche de germanium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin,et produits obtenus |
PCT/FR1999/002154 WO2000015885A1 (fr) | 1998-09-10 | 1999-09-10 | Procede d'obtention d'une couche de germanium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin, et produits obtenus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002525255A true JP2002525255A (ja) | 2002-08-13 |
JP2002525255A5 JP2002525255A5 (ja) | 2010-03-18 |
JP4486753B2 JP4486753B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=9530304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000570400A Expired - Fee Related JP4486753B2 (ja) | 1998-09-10 | 1999-09-10 | 単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6537370B1 (ja) |
EP (1) | EP1115920B1 (ja) |
JP (1) | JP4486753B2 (ja) |
DE (1) | DE69905179D1 (ja) |
FR (1) | FR2783254B1 (ja) |
WO (1) | WO2000015885A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140453A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 直接ウェハ結合による低欠陥のゲルマニウム膜の製造 |
JP2008501226A (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-17 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ゲルマニウム堆積 |
JP2009536786A (ja) * | 2006-05-09 | 2009-10-15 | エス.オー.アイ. テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ エス.アー. | 半導体バッファ構造 |
JP2010235633A (ja) * | 2003-04-05 | 2010-10-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
JP4762547B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2011-08-31 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 多層構造の製造方法 |
US8686472B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
US9929009B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-03-27 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
US10553423B2 (en) | 2012-09-05 | 2020-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
WO2024005276A1 (ko) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 주식회사 비아트론 | 에피택시 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치 |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573126B2 (en) * | 2000-08-16 | 2003-06-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth |
GB0111207D0 (en) * | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Btg Int Ltd | A method to produce germanium layers |
US7335545B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
US20030227057A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US6995430B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US7074623B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
US6953736B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-10-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Process for transferring a layer of strained semiconductor material |
US7510949B2 (en) * | 2002-07-09 | 2009-03-31 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for producing a multilayer semiconductor structure |
WO2004061943A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-22 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Recycling by mechanical means of a wafer comprising a taking-off structure after taking-off a thin layer thereof |
US20090325362A1 (en) * | 2003-01-07 | 2009-12-31 | Nabil Chhaimi | Method of recycling an epitaxied donor wafer |
DE602004020181D1 (de) * | 2003-01-07 | 2009-05-07 | Soitec Silicon On Insulator | Recycling eines wafers mit einer mehrschichtstruktur nach dem abnehmen einer dünnen schicht |
WO2004081986A2 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Asm America Inc. | Method to planarize and reduce defect density of silicon germanium |
US7682947B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US7238595B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-07-03 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
JP4782670B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2011-09-28 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | エピタキシャルGe含有膜の成長方法及びエピタキシャル半導体成膜システム |
JP4714422B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2011-06-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 |
KR20060056331A (ko) | 2003-07-23 | 2006-05-24 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 절연체-상-실리콘 구조 및 벌크 기판 상의 SiGe 증착 |
FR2858460B1 (fr) * | 2003-07-30 | 2005-10-14 | Soitec Silicon On Insulator | Structure semiconducteur-sur-isolant contrainte ayant une tenue des contraintes aux hautes temperatures |
JP2007511892A (ja) | 2003-07-30 | 2007-05-10 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 緩和シリコンゲルマニウム層のエピタキシャル成長 |
US7202166B2 (en) | 2003-08-04 | 2007-04-10 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition on germanium |
US7285308B2 (en) | 2004-02-23 | 2007-10-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high conductivity, adherent thin films of ruthenium |
ATE503866T1 (de) * | 2004-04-30 | 2011-04-15 | Dichroic Cell S R L | Verfahren zur herstellung von virtuellen ge- substraten zur iii/v-integration auf si(001) |
JP4950047B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2012-06-13 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | ゲルマニウムの成長方法及び半導体基板の製造方法 |
US7320931B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-01-22 | Freescale Semiconductor Inc. | Interfacial layer for use with high k dielectric materials |
US7704896B2 (en) | 2005-01-21 | 2010-04-27 | Asm International, N.V. | Atomic layer deposition of thin films on germanium |
US7037856B1 (en) | 2005-06-10 | 2006-05-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of fabricating a low-defect strained epitaxial germanium film on silicon |
US7678420B2 (en) | 2005-06-22 | 2010-03-16 | Sandisk 3D Llc | Method of depositing germanium films |
US7305157B2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Vertically-integrated waveguide photodetector apparatus and related coupling methods |
US20070104441A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Laterally-integrated waveguide photodetector apparatus and related coupling methods |
US7266263B2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-09-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Integrated waveguide photodetector apparatus with matching propagation constants and related coupling methods |
JP2007173354A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soi基板およびsoi基板の製造方法 |
FR2896337A1 (fr) * | 2006-01-17 | 2007-07-20 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'une couche monocristalline sur une couche dielectrique |
FR2896338B1 (fr) | 2006-01-17 | 2008-04-18 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'une couche monocristalline sur une couche dielectrique |
US7901968B2 (en) | 2006-03-23 | 2011-03-08 | Asm America, Inc. | Heteroepitaxial deposition over an oxidized surface |
US20070262296A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Matthias Bauer | Photodetectors employing germanium layers |
US7648853B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-01-19 | Asm America, Inc. | Dual channel heterostructure |
US20080076236A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jih-Shun Chiang | Method for forming silicon-germanium epitaxial layer |
US7651880B2 (en) * | 2006-11-04 | 2010-01-26 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Ge short wavelength infrared imager |
US8157914B1 (en) | 2007-02-07 | 2012-04-17 | Chien-Min Sung | Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products |
US7799600B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-09-21 | Chien-Min Sung | Doped diamond LED devices and associated methods |
EP2207911A1 (en) * | 2007-08-17 | 2010-07-21 | Epispeed S.A. | Apparatus and method for producing epitaxial layers |
US8237126B2 (en) * | 2007-08-17 | 2012-08-07 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Mictrotechnique Sa | X-ray imaging device and method for the manufacturing thereof |
US7851378B2 (en) * | 2007-09-11 | 2010-12-14 | National Applied Research Laboratories | Method for growing Ge expitaxial layer on patterned structure with cyclic annealing |
FR2929758B1 (fr) * | 2008-04-07 | 2011-02-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert a l'aide d'un substrat ferroelectrique |
WO2010038464A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
WO2010038460A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
US8188512B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Growth of germanium epitaxial thin film with negative photoconductance characteristics and photodiode using the same |
KR20100064742A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 한국전자통신연구원 | 낮은 침투전위 밀도를 갖는 순수 게르마늄 박막 성장법 |
US8663735B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials |
TWI562195B (en) | 2010-04-27 | 2016-12-11 | Pilegrowth Tech S R L | Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication |
US8466502B2 (en) | 2011-03-24 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Metal-gate CMOS device |
US8445363B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-05-21 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating an epitaxial layer |
US8324059B2 (en) | 2011-04-25 | 2012-12-04 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a semiconductor structure |
US8426284B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-04-23 | United Microelectronics Corp. | Manufacturing method for semiconductor structure |
US8481391B2 (en) | 2011-05-18 | 2013-07-09 | United Microelectronics Corp. | Process for manufacturing stress-providing structure and semiconductor device with such stress-providing structure |
US8431460B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-04-30 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
US8716750B2 (en) | 2011-07-25 | 2014-05-06 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having epitaxial structures |
US8575043B2 (en) | 2011-07-26 | 2013-11-05 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8647941B2 (en) | 2011-08-17 | 2014-02-11 | United Microelectronics Corp. | Method of forming semiconductor device |
US8674433B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-03-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
US8455292B2 (en) | 2011-09-09 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Deposition of germanium film |
US8476169B2 (en) | 2011-10-17 | 2013-07-02 | United Microelectronics Corp. | Method of making strained silicon channel semiconductor structure |
US8691659B2 (en) | 2011-10-26 | 2014-04-08 | United Microelectronics Corp. | Method for forming void-free dielectric layer |
US8754448B2 (en) | 2011-11-01 | 2014-06-17 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device having epitaxial layer |
US8647953B2 (en) | 2011-11-17 | 2014-02-11 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating first and second epitaxial cap layers |
US8709930B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
US9093269B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-07-28 | Asm America, Inc. | In-situ pre-clean prior to epitaxy |
US9653639B2 (en) * | 2012-02-07 | 2017-05-16 | Apic Corporation | Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications |
US9214577B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-12-15 | International Business Machines Corporation | Reduced light degradation due to low power deposition of buffer layer |
US20130224899A1 (en) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | International Business Machines Corporation | Enhancing efficiency in solar cells by adjusting deposition power |
US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
US9136348B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-09-15 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and fabrication method thereof |
US9202914B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-12-01 | United Microelectronics Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US8664069B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-03-04 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and process thereof |
US8866230B2 (en) | 2012-04-26 | 2014-10-21 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor devices |
US8835243B2 (en) | 2012-05-04 | 2014-09-16 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process |
US8951876B2 (en) | 2012-06-20 | 2015-02-10 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8796695B2 (en) | 2012-06-22 | 2014-08-05 | United Microelectronics Corp. | Multi-gate field-effect transistor and process thereof |
US8710632B2 (en) | 2012-09-07 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Compound semiconductor epitaxial structure and method for fabricating the same |
US9330899B2 (en) | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
US9117925B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-08-25 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial process |
US8753902B1 (en) | 2013-03-13 | 2014-06-17 | United Microelectronics Corp. | Method of controlling etching process for forming epitaxial structure |
US9034705B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-05-19 | United Microelectronics Corp. | Method of forming semiconductor device |
US9064893B2 (en) | 2013-05-13 | 2015-06-23 | United Microelectronics Corp. | Gradient dopant of strained substrate manufacturing method of semiconductor device |
US9076652B2 (en) | 2013-05-27 | 2015-07-07 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor process for modifying shape of recess |
US8853060B1 (en) | 2013-05-27 | 2014-10-07 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial process |
US8765546B1 (en) | 2013-06-24 | 2014-07-01 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating fin-shaped field-effect transistor |
US8895396B1 (en) | 2013-07-11 | 2014-11-25 | United Microelectronics Corp. | Epitaxial Process of forming stress inducing epitaxial layers in source and drain regions of PMOS and NMOS structures |
US8981487B2 (en) | 2013-07-31 | 2015-03-17 | United Microelectronics Corp. | Fin-shaped field-effect transistor (FinFET) |
FR3028094B1 (fr) * | 2014-11-05 | 2018-02-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de determination de parametres de depot preferentiels pour une couche mince en materiau iii-v |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5259918A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Heteroepitaxial growth of germanium on silicon by UHV/CVD |
FR2678647A1 (fr) * | 1991-07-05 | 1993-01-08 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication d'un cristal a gradient de maille. |
DE19650058A1 (de) * | 1996-12-03 | 1998-06-04 | Deere & Co | Häckseltrommel |
US6180480B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Germanium or silicon-germanium deep trench fill by melt-flow process |
-
1998
- 1998-09-10 FR FR9811313A patent/FR2783254B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-10 WO PCT/FR1999/002154 patent/WO2000015885A1/fr active IP Right Grant
- 1999-09-10 EP EP99941731A patent/EP1115920B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 JP JP2000570400A patent/JP4486753B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-10 US US09/786,996 patent/US6537370B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-10 DE DE69905179T patent/DE69905179D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4762547B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2011-08-31 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 多層構造の製造方法 |
JP2010235633A (ja) * | 2003-04-05 | 2010-10-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
JP2008501226A (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-17 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ゲルマニウム堆積 |
JP2006140453A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 直接ウェハ結合による低欠陥のゲルマニウム膜の製造 |
JP4651099B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-03-16 | シャープ株式会社 | 直接ウェハ結合による低欠陥のゲルマニウム膜の製造 |
JP2009536786A (ja) * | 2006-05-09 | 2009-10-15 | エス.オー.アイ. テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ エス.アー. | 半導体バッファ構造 |
US8686472B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
US10553423B2 (en) | 2012-09-05 | 2020-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
US10811249B2 (en) | 2012-09-05 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
US9929009B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-03-27 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
US10741388B2 (en) | 2013-12-19 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
WO2024005276A1 (ko) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 주식회사 비아트론 | 에피택시 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1115920A1 (fr) | 2001-07-18 |
FR2783254A1 (fr) | 2000-03-17 |
EP1115920B1 (fr) | 2003-01-29 |
US6537370B1 (en) | 2003-03-25 |
JP4486753B2 (ja) | 2010-06-23 |
WO2000015885A1 (fr) | 2000-03-23 |
FR2783254B1 (fr) | 2000-11-10 |
DE69905179D1 (de) | 2003-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4486753B2 (ja) | 単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を得る方法およびそれにより得られた生成物 | |
US6429098B1 (en) | Process for obtaining a layer of single-crystal germanium or silicon on a substrate of single-crystal silicon or germanium, respectively, and multilayer products obtained | |
US8187377B2 (en) | Non-contact etch annealing of strained layers | |
US7666799B2 (en) | Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers | |
JP2002525255A5 (ja) | ||
WO2008075449A1 (ja) | 歪Si基板の製造方法 | |
US20070134901A1 (en) | Growth of GaAs expitaxial layers on Si substrate by using a novel GeSi buffer layer | |
JPH05347249A (ja) | 低温シリコン・エピタキシアル成長方法 | |
US7147709B1 (en) | Non-contact etch annealing of strained layers | |
JP4654710B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4700472B2 (ja) | 基板およびこの上にヘテロエピタキシャル堆積した珪素とゲルマニウムからなる層を有する多層構造体の製造方法 | |
EP2045836B1 (en) | Method for producing semiconductor substrate | |
JPH11100299A (ja) | 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ | |
JP4120163B2 (ja) | Siエピタキシャルウェーハの製造方法及びSiエピタキシャルウェーハ | |
Aoyama et al. | Surface cleaning for Si epitaxy using photoexcited fluorine gas | |
JP2987926B2 (ja) | 気相成長方法 | |
JP3078927B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
CN113517174A (zh) | 一种ε-Ga2O3薄膜的制备方法及ε-Ga2O3薄膜 | |
JPS5982744A (ja) | Sos基板の製造法 | |
Yew et al. | High structural quality epi/oxide boundaries of selective epitaxy grown by SiH4/H2 chemical vapor deposition using growth‐sputter cycles | |
JP2001351869A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
Hsieh et al. | Si and GexSi1− x Epitaxial Growth on SOI Structures by Rapid Thermal Processing Chemical Vapor Deposition | |
Alberts | Photoluminescence study of GaAs grown on (001) Si | |
Araki et al. | Effect of hydrogen for preservation of reconstructed surfaces | |
JPH0737811A (ja) | 半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |