JP4654710B2 - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚は温度が低い程大きいので、このように歪Si層の表面にSiを堆積させる工程を800℃以下、特には650℃以下で行なえば、歪Si層に新たなミスフィット転位が生じず、また歪Si層に発生している歪みを維持して、確実に歪Si層を増膜して所望厚さにできる。
このように、Si1−XGeX層をX≧0.1のものとすれば、Si層に十分な格子歪みを導入することができる。特にX≧0.2のものとするのがより好適である。
このように、形成する臨界膜厚以下のSi層の厚さを3nm以上10nm以下とすれば、緩和熱処理の際にミスフィット転位が発生するのを確実に防止でき、また洗浄時のエッチング作用により除去されてしまうおそれもない十分な厚さとできる。
これらの方法によれば、最表面のSi層及びSi1−XGeX層を完全に除去でき、かつ平滑な表面を有する歪Si層を露出させることができる。
このようにベースウェーハがシリコン単結晶ウェーハであれば、熱酸化や気相成長法等により容易に絶縁膜を形成でき、その絶縁膜を介して歪Si層の表面と密着することができる。また、用途に応じて、石英、炭化珪素、アルミナ、ダイヤモンド等の絶縁性のベースウェーハを用いてもよい。
このように、緩和熱処理の温度を900℃以下とすれば、Si1−XGeX層からのGeの拡散を抑制することができ、歪みの大きい歪Si層とすることができる。
本発明者らは、この方法で形成される歪Si層の厚さはSi1−XGeX層のGe濃度Xと温度(Si層の堆積温度や、堆積後の熱処理温度)によって決まる臨界膜厚以下の厚さに限定され、デバイス設計上の自由度がないという問題があることを解決することを考えた。すなわち、Si層をデバイス作製に必要な厚さにしてから緩和熱処理等をするとミスフィット転位等が発生してしまう。一方、Si層の厚さを臨界膜厚以下とすれば、ミスフィット転位の発生を抑えられるが、デバイス作製に必要な厚さに満たなくなることがあった。
そこで本発明者らは、上記の方法を用いてシリコン単結晶ウェーハ上にSi1−XGeX層及び歪Si層を形成したウェーハ(サンプル1〜3)を作製し、その特性を調べるために、Si1−XGeX層の緩和率を顕微ラマン測定法により測定した。この測定は、顕微ラマン法を用いた装置である堀場製作所製RS−3000を用いて実施した。ここで緩和率とは、Si1−XGeX層の格子定数がSiの格子定数と同じである場合を0%、Ge濃度により定まる本来の格子定数である場合を100%として、相対的に格子緩和の程度を表す量である。ウェーハの作製条件と測定結果を表1に示す。なお、いずれのサンプルにおいても、Si1−XGeX層についてはX=0.2とし、水素イオン注入のドーズ量を3.0×1016/cm2とし、Si1−XGeX層及びSi層の堆積温度を650℃、緩和熱処理を900℃で7分間行なった。
一方、サンプル3の様にSi1−XGeX層を堆積する際に、その堆積温度における臨界膜厚を超えたSi1−XGeX層を形成するとミスフィット転位が発生し、その表面にクロスハッチと呼ばれる凹凸が発生するため、その上にSi層を形成してもそのクロスハッチは維持され、これをボンドウェーハとしてベースウェーハと貼り合わせる際のボイド不良の原因となってしまう。従って、形成するSi1−XGeX層はシリコン単結晶ウエーハの表面に堆積する際の堆積温度における臨界膜厚以下でできるだけ厚いものが最適であることが判った。
次に、歪みを導入するSi層の厚さと歪量との関係を調べるために、実験1と同様な方法で厚さの異なるSi層を有するウェーハを作製し、これをボンドウェーハとしてベースウェーハと貼り合わせ、前述の従来法と同様にSSOIウェーハ(サンプル4〜6)を作製し、その歪Si層の歪量を顕微ラマン測定法により測定した。ここで歪量とは、歪Si層の格子定数が、Siの格子定数に対してどの程度伸張または縮小しているかを表す量である。本明細書においては、伸張している場合は正の値とした。その結果を表2に示す。なお、いずれのサンプルにおいても、Si1−XGeX層の厚さを100nmとし、水素イオンのドーズ量を3.0×1016/cm2とし、緩和熱処理を900℃で7分間行なった。また、X=0.2の場合のSi層の900℃における臨界膜厚は約12nmである。従って、サンプル4のみがSi層の膜厚が緩和熱処理温度における臨界膜厚以上である。
そこで本発明者らは、実験を繰り返したところ、このようにSi層の厚さが制限されていても、緩和熱処理行なってSi層に歪みを導入して歪Si層を形成した後に、その表面にSiを堆積すれば、追加して堆積した部分においてもSi1−XGeX層の緩和に相当する歪みが得られることを見出した。特に、Siの堆積を緩和熱処理温度より低い800℃以下、さらには650℃以下の低温で行なえば、堆積して増膜された歪Si層に新たにミスフィット転位が発生するのを確実に防止できる。そしてこれにより転位や表面粗れが防止された、所望の厚さを有する歪Si層が得られることに想到し、本発明を完成させた。
図1(a)〜(i)は、本発明に従った半導体ウェーハの製造工程の一例を示す図である。
一方、Si1−XGeX層2の表面に形成するSi層3の厚さは、後の工程で行う緩和熱処理温度においてミスフィット転位の発生しない臨界膜厚以下とする。Si層3の堆積時の臨界膜厚は、Si1−XGeX層2と同様にGeの濃度XとSi層3の堆積温度により定まるが、その後の工程においてSi層3の堆積温度よりも高温での緩和熱処理が予定されているので、この緩和熱処理温度においてミスフィット転位の発生しない臨界膜厚以下とする必要がある。従って、Si1−XGeX層2の表面に形成するSi層3の厚さは、Si1−XGeX層2のGeの濃度Xと緩和熱処理温度により定まり、例えばX=0.2とし、緩和熱処理を900℃で行なう場合には、約12nmである。
これらの臨界膜厚と、Geの濃度Xおよび熱処理温度との関係は実験的に求めることができる。
尚、臨界膜厚は熱処理温度が高い程小さくなるので、臨界膜厚以下で堆積したSi1−XGeX層2が、その堆積温度より高温の緩和熱処理を受けると新たにミスフィット転位が発生してしまうが、その場合のミスフィット転位の発生は、シリコン単結晶ウエーハの表面とSi1−XGeX層2の界面付近であるため、Si層3への影響は抑制される。
さらに、Si1−XGeX層2をX≧0.1のものとすることが好ましく、特にX≧0.2のものとするのが特に好適である。これによって、後に行なう緩和熱処理の際にSi層に十分な歪みを導入することができる。
この除去を、研磨、エッチング、酸化性雰囲気下800℃以下の温度での熱酸化後の酸化膜除去のうち少なくとも一つにより行なえば、最終的に露出させる歪Si層6の表面を平滑なものとできるので好ましい。特に研磨によれば、Si層10の表面に残留する剥離時に発生した面粗れを改善しながらSi層10及びSi1−XGeX層2を除去できるので好ましい。この研磨は、例えば従来のCMPを用いることができる。
また、エッチングの場合は、Si層10に対してはNH4OHとNH4NO3との混合水溶液、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)、又はNH4OH水溶液をエッチング液として用いることができる。これらのエッチング液によれば、Si層10が除去されエッチング液がSi1−XGeX層2に達したときにはエッチング液の選択性によりエッチングが停止する、すなわちエッチストップが起こる。また、Si1−XGeX層2に対してはHFとH2O2とCH3COOHとの混合水溶液、NH4OHとH2O2との混合水溶液、又はHFとHNO3との混合水溶液をエッチング液として用いることができる。この場合エッチング液が歪Si層6に達したときにエッチストップが起こる。このようなエッチストップ法によりSi層10及Si1−XGeX層2を完全に除去でき、露出する歪Si層6の表面は平滑なものとなるので好ましい。
また、800℃以下の熱酸化とその後の酸化膜除去によれば、低温の熱処理であるのでミスフィット転位が確実に発生せず好ましい。熱酸化は酸化性雰囲気下、例えばウェット酸素100%の雰囲気下で行なうことができる。また酸化膜除去は例えば15%のHF水溶液にウェーハを浸漬することにより行なうことができる。そして、これらの異なる方法での除去工程を適宜組み合わせれば、露出する歪Si層の表面をより平滑にできる。
これらの工程によって、転位や表面粗れが防止され、かつ様々な仕様のデバイス設計に対応できる所望の厚さを有する歪Si層が形成されたSSOIウェーハを製造できる。
(実施例1、2、比較例1、2)
図1に示す工程に従い、SSOIウェーハを作製した(実施例1、2)。また、歪Si層の厚さを増加させる工程を行なわない以外は図1に示す工程に従い、SSOIウェーハを作製した(比較例1、2)。そして、これらのSSOIウェーハの歪Si層の歪量を測定した。なお、歪量測定は、顕微ラマン法を用いた装置である堀場製作所製RS−3000を用いて実施した。また、実施例1、2、比較例1ではSi1−XGeX層上に形成するSi層の厚さを緩和熱処理温度(900℃)における臨界膜厚以下の10nmとし、比較例2では臨界膜厚以上の25nmとした。その他の作製条件及び歪量の測定結果を表3に示す。
なお、最終的な歪Si層の厚さが堆積するSi層の膜厚の総和よりも若干薄くなっているが、これは貼り合わせ前に歪Si層をSC−1洗浄したときのエッチング作用、およびSi1−XGeX層をエッチング除去した時のオーバーエッチングに起因するものである。
比較例1のSSOIウェーハの歪Si層の表面にSiを堆積させて該歪Si層の厚さを20nmだけ増加させた。なおこのときの堆積温度は650℃である。そして再度歪Si層の歪量を測定したところ0.52%であり、実施例1〜2と同等レベルの十分な歪量となっていることが確認された。また歪Si層の厚さについても、22.5nmと十分な厚さとなった。
4…緩和用イオン注入層、 5…歪Si層、 6…厚さを増加させた歪Si層、
7…剥離用イオン注入層、 8…ベースウェーハ、 9…シリコン酸化膜、
10…最表層のSi層。
Claims (8)
- 半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面に層の堆積温度における臨界膜厚以下のSi1−XGeX層(0<X<1)及び後の緩和熱処理温度における臨界膜厚以下のSi層を順次形成し、前記Si層を通して水素イオン、希ガスイオン、またはSiイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に緩和用イオン注入層を形成し、その後緩和熱処理を行なうことにより前記Si1−XGeX層を格子緩和させるとともに前記Si層に格子歪を導入して歪Si層を形成した後、前記歪Si層の表面に前記緩和熱処理温度より低い800℃以下の温度でSiを堆積させて該歪Si層の厚さを増加させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記厚さを増加させた歪Si層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に剥離用イオン注入層を形成し、該シリコン単結晶ウェーハをボンドウェーハとして前記厚さを増加させた歪Si層の表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記剥離用イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した最表面のSi層及び前記Si1−XGeX層を除去することにより前記歪Si層を露出させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面に層の堆積温度における臨界膜厚以下のSi1−XGeX層(0<X<1)及び後の緩和熱処理温度における臨界膜厚以下のSi層を順次形成し、前記Si層を通して水素イオン、希ガスイオン、またはSiイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に緩和用イオン注入層を形成し、その後緩和熱処理を行なうことにより前記Si1−XGeX層を格子緩和させるとともに前記Si層に格子歪を導入して歪Si層を形成した後、前記歪Si層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記シリコン単結晶ウェーハ内部に剥離用イオン注入層を形成し、該シリコン単結晶ウェーハをボンドウェーハとして前記歪Si層の表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記剥離用イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した最表面のSi層及び前記Si1−XGeX層を除去することにより前記歪Si層を露出させ、前記歪Si層の表面に前記緩和熱処理温度より低い800℃以下の温度でSiを堆積させて該歪Si層の厚さを増加させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記Si1−XGeX層をX≧0.1のものとすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記形成する臨界膜厚以下のSi層の厚さを3nm以上10nm以下とすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記最表面のSi層及び/又は前記Si1−XGeX層の除去を、研磨、エッチング、酸化性雰囲気下800℃以下の温度での熱酸化後の酸化膜除去のうち少なくとも一つにより行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記ベースウェーハとしてシリコン単結晶ウェーハまたは絶縁性ウェーハを用いることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法において、前記緩和熱処理の温度を900℃以下とすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
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