JP4982355B2 - ゲルマニウム膜の形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は一般的にゲルマニウム膜を堆積させる方法に関し、より詳細には、製造価値のある(production-worthy)化学蒸着装置を使用して形成可能な高品質のヘテロエピタキシャルゲルマニウム膜に関する。
ゲルマニウムは、光電子工学及び量子ビットコンピュータのような、広く様々な用途において使用されている。例えば、従来のシリコン光検出器は光通信に使用される近赤外光を検出できないため、ゲルマニウムは特に光検出器の製造に有用である。ゲルマニウム膜はまた、集積回路への応用、及び、現存するシリコンテクノロジーとの適合性に良好な電気キャリア運搬特性を有利に提供する。しかし、純粋なゲルマニウムウエハは比較的高価であり、また、多くの応用において使用される物理特性を有するゲルマニウム薄膜を形成するための製造価値のある技術は利用できない。このような物理特性の例はエッチピット密度及び表面粗さである。
前述に従うと、改良方法は、広く多様な応用に有利である物理特性を有する薄いゲルマニウム膜を製造するために開発された。例えば、方法は、転位を垂直に成長させる、または、「貫通(threading)」ような、転位の特定のタイプを最小にする様式で、ゲルマニウム含有膜、そして特に「純粋」なゲルマニウム含有膜を堆積するために開発された。ここで使用する場合、「純粋」なゲルマニウム含有膜は、ドープされた及びドープされていないゲルマニウム含有膜の両方を含む。ある応用において、貫通転位(threading dislocation)は、過度の表面粗さ、キャリア移動性の減少、電流の漏出、デバイスパフォーマンスの低下、及び、デバイスの欠陥を不利に導く。ゲルマニウム構造を製造する方法には、これまで、高価なゲルマニウムウエハまたは超高真空化学蒸着(「UHVCVD」)技術の使用が含まれてきたが、両者ともに幾つかの不利を被る。
ここで提供する開示は、表面粗さ及びエッチピット密度のような、改良された物理特性を有するゲルマニウ膜を含む、ゲルマニウム膜を堆積するためのいくつかの方法を記載する。ゲルマニウム膜は、ゲルマニウム基板に対する低コスト代替物を提供する。ここに記載する特定の方法を使用すると、ゲルマニウム膜は、従来のCVD加工装置を使用して堆積される。特に該堆積は十分な高圧範囲において生じるため、UHVCVDの使用は必要とされず、また、より良い品質の膜が得られる。特定の実施形態において、該ゲルマニウム膜は、シリコン基板のようなシリコン含有膜上に堆積される。ここで使用する用語「基板」は、覆われていないウエハ、または、その上に既に形成された層を備えたワークピースのようなものと同様に、その一般的な意味を指す。
ここに記載するブロセスは、好適なプロセスチャンバーにおいて実施される。好適なプロセスチャンバーの例は、バッチ式炉及びシングルウエハリアクターを含む。例示のチャンバーは、放射的に加熱されたシングルウエハ、水平ガスフローリアクターである。このタイプの好適なリアクターは市販されており、そして、エーエスエム アメリカ、インク.(ASM America,Inc.)(フェニックス(Phoenix)、AZ)から市販されているシングルウエハエビタキシャルリアクターのイプシロン(Epsilon)(登録商標)シリーズを含む。図2は、米国特許出願公開2002/0173130(2002年11月21日発行)により詳細に記載されている(この全開示はこれよりここで参考文献として取り入れる)このようなリアクターを説明する。
堆積エピタキシャル層の質は、一般的に、堆積される基板のクリーンさ及び結晶クオリティーに左右される。基板表面は堆積層のテンプレートとして作用するため、基板表面の汚染物質は堆積層の質を落とす結果となる。多数のエピタキシャル堆積プロセスは、エピタキシャル堆積前に、酸素や炭素のような表面の汚染物質を取り除くために基板を加熱する、いわゆる「ベーク」工程を行う。
水素ベーク工程110、冷却工程120及び続く堆積工程の間、パージガスは、必要に応じて、リアクター壁に沿って流される。このパージガスフローは、基板表面から離れた汚染物質を除去するために、そして、ゲルマニウム膜の形成前または形成中の基板表面上における酸化生成物の形成を減少させるために設定される。該パージガスフローは、ガスの「シールド」でリアクターを効果的に覆い、そして、基板表面に接触する酸素及び水蒸気の量を減少させる。一つの実施形態において、該パージガスフローは、リアクター壁に沿った、高フローレートの高純度水素ガスを含む。好ましくは、該パージガスフローは、約5slmと約200slmの間で、さらに好ましくは約10slmと約150slmの間で、最も好ましくは約50slmと約100slmの間で供給される水素ガスを含む。水素はまた、ベーク工程110において、及び、他の工程中に、還元剤として有利に作用する。水素以外のパージガスは、多結晶堆積システムのような他の堆積システムにおいて、必要に応じて使用される。
上述するように、ゲルマニウム膜加工技術の一つの実施形態は、シード堆積130と共に始まる。図1に説明するように、該シード堆積130は、反応チャンバーが適切な温度に冷却されたとき、例えば冷却工程120の後に、開始される。例示の実施形態において、該シード堆積130は、堆積される物質のアイランド形成を減少または回避するために十分に低い温度で開始する。好ましくは、該シード堆積130は、約450℃より低くで開始する。他の実施形態において、該シード堆積工程130は、約350℃より低くで開始する。他の実施形態において、該シード堆積工程130は、約330℃で開始する。さらに好ましくは、該シード堆積工程130は、約330℃と約370℃の間で開始する。他の実施形態において、該シード堆積工程130は、約330℃と約450℃の間で開始する。一般的に、ゲルマニウム前駆体の熱的安定性が減少するにつれて、より低い堆積温度がさらにふさわしくなる傾向がある。該パージガスフローは、該シード堆積工程の間、必要に応じて続けられる。
図3に現在言及するように、ゲルマニウム膜の堆積は、温度ランプ140中において続く。例えば、一つの実施形態において、ゲルマニウム前駆体のフローレート及び堆積チャンバー内の圧力は、シード堆積130から続く。好ましくは、温度ランプ140中の堆積チャンバー内へのゲルマニウム前駆体のフローレートは、シード堆積130中のフローレートの約1%と約200%の間である。さらに好ましくは、温度ランプ140中の堆積チャンバー内へのゲルマニウム前駆体のフローレートは、シード堆積130中のフローレートの約10%と約100%の間である。最も好ましくは、温度ランプ140中の堆積チャンバー内へのゲルマニウム前駆体のフローレートは、シード堆積130中のフローレートの約50%と約100%の間である。例えば、ゲルマニウム膜の堆積は、ゲルマニウム前駆体のフローレートが実質的にシード堆積130と温度ランプ140の間で変化しない場合に実証された。
図1に説明するように、反応チャンバー中の温度が温度ランプ140中に増加した後、ゲルマニウム堆積は、バルク堆積150において続く。例示の実施形態において、ゲルマニウム堆積は、高温で及び実質的に一定の温度で続く。例示の実施形態において、バルク堆積150の間の堆積チャンバー中の圧力は、シード堆積130及び温度ランプ140の間の圧力と比較して実質的に変化しないままである。バルク堆積150の間の堆積されたゲルマニウム層は、あらかじめ堆積された厚みに応じて、通常緩和している。一つの実施形態において、ゲルマニウム層は、バルク堆積150の間、約500Å min−1と約900Å min−1の間の速度で成長する。他の実施形態において、ゲルマニウム層は、バルク堆積150の間、約500Å min−1と約700Å min−1の間の速度で成長する。バルク堆積150後、約50nmと約10μmの間の凝集体厚を有するゲルマニウム膜が生じる。他の実施形態において、約1μmと約2μmの間の凝集体厚を有するゲルマニウム膜が生じる。
必要に応じたポスト−アニール工程160は、バルク堆積150の後に行われる。アニーリングは、ゲルマニウム層の外側を滑らかにするよう転位することを有利に許容する。ポストアニール工程160の一つの実施形態において、該ゲルマニウム膜は、約930℃で、及び、約5分間大気圧に保たれる。ポストアニール工程160の他の実施形態において、熱サイクリングアニーリングプロセスが行われ、ここで、ゲルマニウム膜は、あらかじめ決定した時間、加熱と冷却が繰り返される。例示の実施形態において、ポストアニール工程160はスパイクアニールである。例えば、前述のイプシロン(Epsilon)(登録商標)リアクターにおいて、約950℃から約1150℃のピーク温度に到達するまで、200℃ sec−1と同じくらい早く温度を変化させることができる。たとえプラトーアニーリング(plateau annealing)を伴わなくとも、特定の実施形態において、このようなスパイクアニールは、特に高ゲルマニウム濃度を有する膜における欠陥を排除するのに十分である。例えば、これは、ここで開示した説明した「純粋な」ゲルマニウム膜のような、20%より高いゲルマニウム濃度を有する膜に特に適用でき、これはドープされたとドープされていないゲルマニウム膜の両方を含む。
ここで開示する技術の特定の実施形態は、エッチピット密度、表面粗さ、及び、膜厚を含む、有利な特性を有するゲルマニウム膜を生み出す。図面に含まれているものは、ここに開示の方法を使用して堆積させた例示のエッチピット装飾ゲルマニウム膜の表面スキャンである。この発明は理論に束縛されないが、ゲルマニウム膜、特に比較的薄い、及び/または、比較的高いゲルマニウム含量を有するゲルマニウム膜は、膜中の転位の滑面成長(gliding propagation)が急速に進められるメディウムを提供すると考えられる。例えば、Erich Kasper et al.に編集されたR. Hull, 「Metastable stained layer configuations in the SiGe/Si system」、 EMIS Datareviews, Series No. 24: Properties of SiGe and SiGe:C, INSPEC, 2000 (ロンドン UK)を参照する。この利点は、アニーリングが必要に応じて行われるにもかかわらず、ポスト−アニール工程を伴わなくとも得られ得る。
前述の詳細な記載は本発明の幾つかの実施形態を開示するが、この開示は単に説明的なものであり、また、本発明を限定していないと理解されるべきである。開示される特有の構成及び処理は上記記載のものと異なり、また、ここで記載した方法は、ゲルマニウム膜の堆積とは別の内容で使用され得ると認識すべきである。
Claims (17)
- 第一圧力で保持されている反応チャンバーにおいて、第一温度でシリコン含有表面上に純粋なゲルマニウムのシード層を堆積すること、
該シード層堆積後、純粋なゲルマニウムを堆積し続けながら該反応チャンバーの温度を上昇させること、及び
純粋なゲルマニウムを堆積し続けながら、第一温度より高い第二温度範囲であり、且つ第一圧力より低い第二圧力で、チャンバーを保持すること、
を含むゲルマニウム膜の形成方法。 - 該シード層が、1モノレイヤーと1000Åの間の厚みに堆積される、請求項1の方法。
- 該シード層が、3分未満の期間堆積される、請求項1の方法。
- 該堆積されたゲルマニウムが、3Å rms未満の表面粗さを有する、請求項1の方法。
- 該堆積されたゲルマニウムが、103cm−2未満のエッチピット密度を有する、請求項1の方法。
- 該反応チャンバーを通してパージガスを供給すること、ここで、
該パージガスはH2を含むこと、
該パージガスは、シード層の堆積中に、第一フローレートで該反応チャンバーを通過する流れを有すること、
該パージガスは、該反応チャンバーが第二温度範囲に保持される間、第二フローレートで該反応チャンバーを通して流れること、
及び
該第二フローレートは該第一フローレートより大きいこと、
をさらに含む請求項1の方法。 - 該シリコン含有表面から酸化生成物を除去するためにベーキングプロセスを行うこと、
該ベーキングプロセス後、及び、該シード層堆積前に、該シリコン含有表面を第一温度に冷却すること、及び
該シリコン含有表面を冷却している間に、該パージガスを、第一フローレートより大きい第三フローレートで反応チャンバーを通して流すこと、
をさらに含む、請求項6の方法。 - 該シリコン含有表面がミスカットを有する基板である、請求項1の方法。
- 該第二圧力が、第一圧力より90torrと50torrの間で低い、請求項1の方法。
- 該第二圧力が、第一圧力より80torrと60torrの間で低い、請求項1の方法。
- 該第二圧力が、10torrと40torrの間である、請求項1の方法。
- 該第一圧力が、100torrと10torrの間である、請求項1の方法。
- 該反応チャンバーが第二温度範囲に保持されている間に、塩素供給源を該反応チャンバーに供給することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 該塩素供給源がHClである、請求項13の方法。
- 該塩素供給源がCl2である、請求項13の方法。
- 該塩素供給源がクロロゲルマンである、請求項13の方法。
- 該塩素供給源が、25sccmと200sccmの間のフローレートで該反応チャンバーに供給される、請求項13の方法。
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Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274292B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US7495313B2 (en) * | 2004-07-22 | 2009-02-24 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Germanium substrate-type materials and approach therefor |
US7678420B2 (en) * | 2005-06-22 | 2010-03-16 | Sandisk 3D Llc | Method of depositing germanium films |
US20070154637A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic composition |
US7785995B2 (en) * | 2006-05-09 | 2010-08-31 | Asm America, Inc. | Semiconductor buffer structures |
WO2007133837A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
US7648853B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-01-19 | Asm America, Inc. | Dual channel heterostructure |
US7608526B2 (en) * | 2006-07-24 | 2009-10-27 | Asm America, Inc. | Strained layers within semiconductor buffer structures |
KR20120118060A (ko) | 2006-11-02 | 2012-10-25 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 박막의 cvd/ald용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체 |
WO2009084238A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
CN101896998B (zh) | 2007-12-28 | 2013-03-27 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件 |
CN101896999B (zh) | 2007-12-28 | 2012-08-08 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件 |
US20090179160A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate manufacturing apparatus |
US20090215225A1 (en) | 2008-02-24 | 2009-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
WO2009134989A2 (en) | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
US8645123B2 (en) * | 2008-10-27 | 2014-02-04 | Microsoft Corporation | Image-based semantic distance |
US8188512B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Growth of germanium epitaxial thin film with negative photoconductance characteristics and photodiode using the same |
US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
US7927942B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-04-19 | Asm International N.V. | Selective silicide process |
US20100183500A1 (en) * | 2009-01-17 | 2010-07-22 | Henry Lee | Germane gas production from germanium byproducts or impure germanium compounds |
KR20160084491A (ko) | 2009-05-22 | 2016-07-13 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 저온 gst 방법 |
EP2275591B1 (en) * | 2009-07-10 | 2014-03-19 | Imec | Method for manufacturing a mono-crystalline layer of germanium or aluminium on a substrate |
US9305779B2 (en) * | 2009-08-11 | 2016-04-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for growing germanium epitaxial films |
KR101287196B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2013-07-16 | 한국전자통신연구원 | 광 검출기 및 그 제조방법 |
US8741394B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-06-03 | Novellus Systems, Inc. | In-situ deposition of film stacks |
KR101706809B1 (ko) | 2010-03-26 | 2017-02-15 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 게르마늄 안티몬 텔루라이드 물질 및 이를 포함하는 장치 |
US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
JP5544343B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
US8455292B2 (en) | 2011-09-09 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Deposition of germanium film |
US9085045B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling a spike anneal process |
US9093269B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-07-28 | Asm America, Inc. | In-situ pre-clean prior to epitaxy |
FR2984142B1 (fr) * | 2011-12-20 | 2013-12-20 | Oreal | Composition comprenant un polymere acrylique particulier et copolymere silicone, procede de traitement des fibres keratiniques le mettant en oeuvre |
JP5780981B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲルマニウム薄膜の成膜方法 |
US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
US9165788B2 (en) | 2012-04-06 | 2015-10-20 | Novellus Systems, Inc. | Post-deposition soft annealing |
KR102117124B1 (ko) | 2012-04-30 | 2020-05-29 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 유전체 물질로 중심-충전된 상 변화 합금을 포함하는 상 변화 메모리 구조체 |
US9117668B2 (en) * | 2012-05-23 | 2015-08-25 | Novellus Systems, Inc. | PECVD deposition of smooth silicon films |
US20130334571A1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | International Business Machines Corporation | Epitaxial growth of smooth and highly strained germanium |
US9388491B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Method for deposition of conformal films with catalysis assisted low temperature CVD |
US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
WO2014070682A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-08 | Advaned Technology Materials, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
US9330899B2 (en) | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
US9275861B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-03-01 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming group III-V semiconductor materials on group IV substrates and the resulting substrate structures |
US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
JP6258813B2 (ja) | 2014-08-12 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲルマニウム膜の成膜方法および成膜装置 |
TWI646581B (zh) * | 2015-02-09 | 2019-01-01 | 聯華電子股份有限公司 | 製作鍺磊晶層之方法以及應用其之製作元件之方法 |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
CN110707006B (zh) * | 2018-07-09 | 2023-10-17 | 日升存储公司 | 锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法 |
JP7058575B2 (ja) | 2018-09-12 | 2022-04-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US207127A (en) * | 1878-08-20 | Improvement in plaiting-machines | ||
US124818A (en) * | 1872-03-19 | Improvement in hanging-baskets | ||
US157787A (en) * | 1874-12-15 | Improvement in printing-telegraphs | ||
US79692A (en) * | 1868-07-07 | scantlin | ||
US82300A (en) * | 1868-09-22 | Improved oak-spring | ||
US5221556A (en) * | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
JP3163267B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2001-05-08 | 株式会社日立国際電気 | 気相成長方法 |
US5259918A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Heteroepitaxial growth of germanium on silicon by UHV/CVD |
JPH05217921A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-08-27 | Motorola Inc | 材料膜のエピタキシアル成長を行うための温度制御された処理 |
JPH05326467A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2759594B2 (ja) * | 1993-01-30 | 1998-05-28 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル基板の製造方法 |
US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
JP2954039B2 (ja) * | 1996-09-05 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | SiGe薄膜の成膜方法 |
JP2953567B2 (ja) | 1997-02-06 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100400808B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2003-10-08 | 매사츄세츠 인스티튜트 오브 테크놀러지 | 그레이드된 GeSi층 및 평탄화를 사용한 Si상의 Ge의 쓰레딩 전위 밀도 제어 |
FR2773177B1 (fr) * | 1997-12-29 | 2000-03-17 | France Telecom | Procede d'obtention d'une couche de germanium ou silicium monocristallin sur un substrat de silicium ou germanium monocristallin, respectivement, et produits multicouches obtenus |
FR2783254B1 (fr) | 1998-09-10 | 2000-11-10 | France Telecom | Procede d'obtention d'une couche de germanium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin,et produits obtenus |
US6319782B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6635110B1 (en) * | 1999-06-25 | 2003-10-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Cyclic thermal anneal for dislocation reduction |
US6373112B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-04-16 | Intel Corporation | Polysilicon-germanium MOSFET gate electrodes |
WO2001041544A2 (en) | 1999-12-11 | 2001-06-14 | Asm America, Inc. | Deposition of gate stacks including silicon germanium layers |
US6633066B1 (en) | 2000-01-07 | 2003-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS integrated circuit devices and substrates having unstrained silicon active layers |
JP4406995B2 (ja) | 2000-03-27 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 半導体基板および半導体基板の製造方法 |
DE10025871A1 (de) * | 2000-05-25 | 2001-12-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Epitaxierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6592942B1 (en) * | 2000-07-07 | 2003-07-15 | Asm International N.V. | Method for vapour deposition of a film onto a substrate |
JP2002093735A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101050377B1 (ko) | 2001-02-12 | 2011-07-20 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 |
US7026219B2 (en) * | 2001-02-12 | 2006-04-11 | Asm America, Inc. | Integration of high k gate dielectric |
JP3660897B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2005-06-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US6875279B2 (en) * | 2001-11-16 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Single reactor, multi-pressure chemical vapor deposition for semiconductor devices |
US20030124818A1 (en) | 2001-12-28 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming silicon containing films |
US6723622B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-04-20 | Intel Corporation | Method of forming a germanium film on a semiconductor substrate that includes the formation of a graded silicon-germanium buffer layer prior to the formation of a germanium layer |
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US6887773B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-05-03 | Luxtera, Inc. | Methods of incorporating germanium within CMOS process |
US7238595B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-07-03 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US20050067377A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Ryan Lei | Germanium-on-insulator fabrication utilizing wafer bonding |
US7132338B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-11-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process |
US7199021B2 (en) * | 2004-06-22 | 2007-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Methods and systems to mitigate etch stop clipping for shallow trench isolation fabrication |
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