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- 基板上に設けられた単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を種結晶として、多元系酸化物半導体層を結晶成長させて、単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 基板上に、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を種結晶として、単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、
第1の加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に多元系酸化物半導体層を形成し、
第2の加熱処理を行って、前記多元系酸化物半導体層を結晶成長させて、単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、
加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に、加熱しながらスパッタリング法により単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、
第1の加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に多元系酸化物半導体層を形成し、
第2の加熱処理を行って、前記多元系酸化物半導体層を結晶成長させて、単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を島状にエッチングし、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、
加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に、加熱しながらスパッタリング法により単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を島状にエッチングし、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に一元系酸化物半導体層を形成し、
第1の加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に多元系酸化物半導体層を形成し、
第2の加熱処理を行って、前記多元系酸化物半導体層を結晶成長させて、単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を島状にエッチングし、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に一元系酸化物半導体層を形成し、
加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に加熱しながらスパッタリング法により単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成し、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を島状にエッチングし、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、
前記第1の加熱処理または前記加熱処理は、500℃以上1000℃以下の加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至9のいずれか一項において、
前記多元系酸化物半導体層は、前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を種として結晶成長し、前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層となることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層は、表面に平行なa−b面を有し、前記表面に対して垂直方向にc軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至11のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、表面に平行なa−b面を有し、前記表面に対して垂直方向にc軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至12のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、六方晶構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至13のいずれか一項において、
前記一元系酸化物半導体層は、酸化亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至14のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、脱水化または脱水素化されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至15のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、キャリア密度が1×1014cm−3未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至16のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、キャリア密度が1.45×1010cm−3未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至17のいずれか一項において、
前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び前記単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層は、真性半導体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010280703A JP5802009B2 (ja) | 2009-12-18 | 2010-12-16 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009288494 | 2009-12-18 | ||
JP2009288494 | 2009-12-18 | ||
JP2010280703A JP5802009B2 (ja) | 2009-12-18 | 2010-12-16 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146698A JP2011146698A (ja) | 2011-07-28 |
JP2011146698A5 true JP2011146698A5 (ja) | 2014-01-16 |
JP5802009B2 JP5802009B2 (ja) | 2015-10-28 |
Family
ID=44149803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010280703A Expired - Fee Related JP5802009B2 (ja) | 2009-12-18 | 2010-12-16 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9034104B2 (ja) |
JP (1) | JP5802009B2 (ja) |
KR (1) | KR101830195B1 (ja) |
TW (1) | TWI555056B (ja) |
WO (1) | WO2011074506A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11101266B2 (en) * | 2009-10-12 | 2021-08-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D device and devices with bonding |
SG188112A1 (en) | 2009-10-30 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
KR101844972B1 (ko) | 2009-11-27 | 2018-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
CN105023942B (zh) | 2009-12-28 | 2018-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体装置的方法 |
KR20190093706A (ko) * | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
KR101567114B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2015-11-06 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광 장치와 그 제조 방법 |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI525818B (zh) | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
KR20210034703A (ko) * | 2011-01-28 | 2021-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치 |
TWI624878B (zh) | 2011-03-11 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
US8716073B2 (en) * | 2011-07-22 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
US9660092B2 (en) * | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
KR102108572B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101976212B1 (ko) * | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
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US9577446B2 (en) * | 2012-12-13 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device |
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JP2015079946A (ja) | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9805952B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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JP6587497B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6725317B2 (ja) | 2016-05-19 | 2020-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7228564B2 (ja) | 2018-03-12 | 2023-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物 |
JP2020181985A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026119A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP4540201B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2010-09-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 |
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JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
WO2006051993A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
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JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
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US20070287221A1 (en) | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xerox Corporation | Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
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JP5291928B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-09-18 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
KR101496148B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR101457837B1 (ko) | 2009-06-30 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
-
2010
- 2010-12-06 KR KR1020127018471A patent/KR101830195B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-06 WO PCT/JP2010/072304 patent/WO2011074506A1/en active Application Filing
- 2010-12-15 US US12/968,367 patent/US9034104B2/en active Active
- 2010-12-16 TW TW099144235A patent/TWI555056B/zh active
- 2010-12-16 JP JP2010280703A patent/JP5802009B2/ja not_active Expired - Fee Related
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