JP2010153823A5 - - Google Patents

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  1. 第１の基板上に第１の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記第１の単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  2. 第１の基板と所定の深さに脆化層が形成された単結晶半導体基板とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、
    前記単結晶半導体基板と前記第１の基板とを前記脆化層から分離して、前記第１の基板上に第１の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記第１の単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
    を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  3. 第１の基板上に単結晶半導体層を設ける工程と、
    前記単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて、光電変換層を設ける工程と、
    前記光電変換層上に第１の導電膜を設ける工程と、
    前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に、前記単結晶半導体層、前記光電変換層、及び前記第１の導電層を設ける工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを前記単結晶半導体層と前記光電変換層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第１の導電層及び前記光電変換層を設ける工程と、
    前記光電変換層上に第２の導電層を設ける工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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