JP2009123761A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１導電型の半導体基板を貫通する貫通電極により受光面電極を裏面電極に接続する光電変換素子において、
   前記半導体基板の裏面に前記貫通電極の周囲に形成した接合分離部と、
   前記接合分離部を覆うように形成され、前記貫通電極が貫通する絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成され、前記受光面電極と接続される前記貫通電極に接続される裏面電極と
   を備えることを特徴とする光電変換素子。
2. 第１導電型の半導体基板と、
   前記半導体基板に形成された基板貫通孔と、
   前記半導体基板の受光面および裏面の一部に設けられた第２導電型の半導体層と、
   前記半導体基板の裏面上に存在し、前記基板貫通孔の周囲を包囲する開口部を有する基板導電層と、
   前記基板導電層と前記半導体層とを電気的に絶縁するために前記基板貫通孔の周囲に形成された接合分離部と、
   前記半導体基板の裏面上に前記接合分離部を覆うように形成され、前記基板貫通孔と連続する絶縁膜貫通孔を有する絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上に位置し、前記基板貫通孔及び絶縁膜貫通孔を通る貫通電極と電気的に接続された裏面電極と、
   前記半導体層の受光面上に前記半導体層と電気的に接続され、前記貫通電極を介して前記裏面電極と接続される受光面電極と
   を有することを特徴とする光電変換素子。
3. 前記裏面電極は、前記接合分離部の径より大きい外径を有することを特徴とする請求項２に記載の光電変換素子。
4. 前記絶縁膜は、前記基板導電層の一部の上にも位置し、前記裏面電極の外径が前記基板導電層の開口部の直径より大きいことを特徴とする請求項２に記載の光電変換素子。
5. 第１導電型の半導体基板に基板貫通孔を形成する工程と、
   前記半導体基板に第２導電型の半導体層を形成する工程と、
   前記半導体基板の裏面上に、前記基板貫通孔の部分を除いて基板導電層を形成する工程と、
   前記半導体基板の裏面の前記基板貫通孔の周囲に接合分離部を形成する工程と、
   前記半導体基板の裏面上及び前記基板導電層上に前記接合分離部を覆い、前記基板貫通孔に連続する絶縁膜貫通孔を有する絶縁膜を形成する工程と、
   前記基板貫通孔及び絶縁膜貫通孔の内部に貫通電極及び前記絶縁膜上に裏面電極を形成する工程と、
   前記半導体基板の受光面上に前記半導体層と電気的に接続され、前記貫通電極を介して前記裏面電極と接続される受光面電極を形成する工程と
   を備えることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
6. 前記裏面電極は、前記接合分離部の少なくとも一部を覆うように形成された前記絶縁膜上にあって、前記接合分離部に少なくとも一部に重なるように形成されることを特徴とする請求項２に記載の光電変換素子。
7. 前記裏面電極は、前記接合分離部の少なくとも一部と前記基板導電層の一部を被覆するように形成された前記絶縁膜上にあって、前記基板導電層の一部に重なるように形成されることを特徴とする請求項２に記載の光電変換素子。