CN102403404A - 一种背接触式光伏电池的制备方法 - Google Patents
一种背接触式光伏电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102403404A CN102403404A CN2011103738409A CN201110373840A CN102403404A CN 102403404 A CN102403404 A CN 102403404A CN 2011103738409 A CN2011103738409 A CN 2011103738409A CN 201110373840 A CN201110373840 A CN 201110373840A CN 102403404 A CN102403404 A CN 102403404A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- preparation
- film
- silicon chip
- sensitive surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 9
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 7
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 5
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种背接触式光伏电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；(2)在硅片受光面扩散制结，在其受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)去除磷硅或硼硅玻璃后，在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4)对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结；镀设减反射膜；(5)在硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，得到背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。本发明制备得到的背接触式光伏电池的受光面没有电极遮挡，避免了遮光损失，显著提高了光电转化效率；需要开设的孔洞也大大减少，从而大大降低了碎片率，而且简化了制备工序。
Description
技术领域
本发明涉及一种背接触式光伏电池的制备方法，属于晶体硅太阳电池制造领域。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能，硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。因此，研发高性价比的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向之一。
硅太阳能电池的发电原理是基于半导体PN结的光伏效应。目前太阳能电池有很多种类和结构，比较普遍的做法是将太阳能电池的正负极分别置于其受光面和背光面，同类太阳能电池可通过低电阻的金属实现正负互联。然而，这类太阳能电池因其受光面上很多区面积被电极遮挡而存在较大的遮光损失，从而损失了一部分电流。
为改善上述结构带来的光电转化的损失，现有多种结构的太阳能电池被开发，其中有一类称为“背接触”电池，其特点是电池的正负极均设于背光面，该结构可减少受光面的遮光损失，增加光电转换效率，而且有利于太阳能电池之间的相互连接。
现有技术中，实现“背接触”太阳能电池器件有以下几种方案：
一种是PN结设置在器件的背光面，而受光面没有PN结，可参考文献(R.A. Sinton, Y. Kwark, J.Y. Gan, R.M. Swanson, IEEE Electron Device Letters, Vol. ED- 7. No. 10, October 1986)；该结构的电池需要质量极佳的硅片(主要是少数载流子寿命足够大)，以保证受光面产生的电流能穿越整个基区达到背光面的电极；所以，该类太阳太阳能电池对原材料十分挑剔，在目前的制造水平下很难有大规模推广，而且制造成本很高。
第二种方案是MWT电池（Metal wrap through），其PN结仍然做在器件的受光面，同时制作十几至几十个贯穿整个器件的孔洞，孔洞内壁设有低电阻的电极与受光面电极相连接；于是受光面产生的光电流可由孔洞内电极传导至器件的背光面相应电极处。该方案很好地解决了前述背接触太阳能电池的弱点，可以利用现有水平的硅片生产制造更高光电转化效率的太阳能电池，同时几乎不增加成本。目前已有多个专利公开了其相应技术，如WO2010126346、JP2010080576、JP2010080578、US20100276772、 US20090188550、US20090178707和KR1020100098993等，这些结构的共同特征是受光面还保留少部分的电极，因而还会存在一定的遮光损失，影响了光电转化效率的进一步提高。
为了解决上述问题，又有研究者提出了受光面无电极的新结构电池器件(Emitter wrap through，简称EWT)；其特点是PN结仍然做在器件的受光面，同时制作数万个贯穿整个器件的孔洞，孔内壁高浓度掺杂有PN结，且通过低电阻的电极与背光面的相应电极连接，于是受光面产生的光电流可由孔洞内电极传导至器件的背光面处。多个专利涉及了相应技术，如US7851696、CA2596827、US7144751、CA2530743、US20090320922、US20110086466、WO2005006402、CA2530684、US7649141、WO2005018007、WO2005076959、WO2005076960、WO2006029250、US7863084以及KR1020110011053。尽管该技术避免了正面电极带来的遮光损失，但是为了保证受光面电流无损失地传输至背面，需要设置上万个孔洞，且孔洞内需要形成高浓度掺杂，这些条件既导致了其制备工艺十分复杂，成本高；同时，过多的孔洞也影响了器件的机械强度，生产时会出现大量硅片破碎的情况。
发明内容
本发明目的是提供一种背接触式光伏电池的制备方法。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种背接触式光伏电池的制备方法，包括如下步骤：
(1) 在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；
(2) 在上述硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；
(3) 去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；
(4) 对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；
(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。
上文中，所述硅片可以是p型或n型。所述背钝化场是与所述硅片导电类型相同的掺杂物质或者介质钝化膜，或者是两种均有。背钝化场和背金属电极电连通，且两者与贯孔电极仅靠空气绝缘隔离且电极极性相反。
所述步骤(5)中的硅片的非镀膜面是指硅片未镀设减反膜的面，即硅片非镀减反射膜面。
所述步骤(4)中对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结，因而孔洞内仅有贯孔电极。
上述技术方案中，所述步骤(1)中孔洞的数量为2~500个。优选的，所述步骤(1)中孔洞的数量为9~100个。
上述技术方案中，所述步骤(3)中的透明导电膜为ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。这些都是现有技术，其中，ITO薄膜是指锡掺杂的氧化铟透明导电膜，FTO薄膜是指SnO2掺杂F的透明导电膜。当然，上述透明导电膜还可以选自CuGaO2、CuInO2、SrCu2O2，或ZnO掺B、Al、Ga、In等。
上述技术方案中，所述步骤(3)中的透明导电膜的厚度为80~1000 nm。优选的，所述透明导电膜的厚度为100~500 nm。
与之相应的另一种技术方案，一种背接触式光伏电池的制备方法，包括如下步骤：
(1) 在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；
(2) 在上述硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；
(3) 去除磷硅或是硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；
(4) 对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；
(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。
上述技术方案中，所述步骤(1)中孔洞的数量为2~500个。
上述技术方案中，所述步骤(3)中的透明导电膜为ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
上述技术方案中，所述步骤(3)中的透明导电膜的厚度为80~1000 nm。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1．本发明制备得到了一种新的背接触式光伏电池，与现有的MWT电池相比，本发明的光伏电池受光面没有电极遮挡，避免了遮光损失，显著提高了光电转化效率；与现有的EWT电池相比，本发明的电池需要开设的孔洞大大减少，因而大大降低了碎片率，而且简化了制备工序。
2．本发明的制备方法简单，且不需要高质量的硅片，因而成本低廉、适于规模化生产。
3．本发明利用透明导电膜代替受光面上的电极，兼顾了透光与电流收集，因而没有受光面电极的遮挡，显著提高了光电转化效率，且外观统一美观。
附图说明
附图1~8是本发明实施例一的制备过程示意图；
附图9是本发明实施例一中背接触式光伏电池的结构示意图。
其中：1、硅片；2、PN结；3、透明导电ITO薄膜；4、孔洞；5、减反射膜；6、贯孔电极；7、背金属电极；8、背钝化场。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
参见图1~9所示，一种背接触硅太阳能电池的制备方法，硅片为p型，包括如下步骤：
第一步，制绒；其目的是通过化学反应使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的结构以延长光在其表面的传播路径，从而提高硅片1对光的吸收；制绒后硅片的结构示意图如图1所示；
第二步，在硅片上开设孔洞4，数目为100个，其作用是在孔洞4内可以设置电极将电池片受光面的电流引到电池片的背光面，这样就可以使得电池片的正极和负极都位于电池片的背面；在本申请所有实施例中，可以采用激光、机械钻孔或化学腐蚀的方式进行开孔；孔洞4后硅片的结构示意图如图2所示；
第三步，在硅片的表面进行磷扩散，在受光面形成PN结2，同时孔洞内壁以及硅片1周边也形成PN结2，并用氢氟酸去除磷硅玻璃；形成PN结2后的结构示意图如图3所示；
第四步，将500nm厚的透明导电ITO薄膜3镀在PN结上，包括孔洞4内壁和硅片周边PN结上，如图4所示；这里透明导电ITO薄膜的目的是代替传统的金属电极，有效地收集传导受光面产生的光电流，而不遮挡入射光；镀ITO薄膜的方法有很多种，比如磁控溅射、有机金属气相沉积、真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶－凝胶法、静电喷雾辅助气相沉积等方法；在本发明实施例中，ITO薄膜采用磁控溅射的方式镀膜；
第五步，周边和孔内刻蚀；目的是去除孔内和硅片周边的透明导电ITO薄膜3和PN结2，避免短路；刻蚀的方式有多种，可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀，其中，湿法刻蚀包括：化学液腐蚀，化学腐蚀浆料腐蚀等，干法刻蚀包括等离子气体腐蚀等；在本发明实施例中，采用硝酸、氢氟酸的混合溶液湿法刻蚀，孔内和硅片周边刻蚀后的结构示意图如图5所示；
第六步，在ITO薄膜上镀氮化硅减反射膜5，该膜的作用是减小阳光的反射，最大限度地利用太阳能；在本发明实施例中，采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法）在硅片1上形成减反射膜；另外，采用PECVD只是本发明的一个实施例，不应构成对本发明的限制，在本发明其他实施例中，镀膜方法还可以采用本领域技术人员所熟知的其他方法；镀减反射膜5后硅片的结构示意图如图6所示；
第七步，在硅片非镀减反射膜面上丝网印刷贯孔电极6作为负极；在本发明所有实施例中，还可以通过真空蒸发、溅射等方法将贯孔电极6沉积在硅片1上；制备贯孔电极6与透明导电ITO薄膜3电学连通，其的结构示意图如图7所示；
第八步，在硅片非镀减反射膜面上丝网印刷背金属电极7作为正极；在本发明所有实施例中，还可以通过真空蒸发、溅射等方法将背金属电极沉积在硅片1上；制备背金属电极的结构示意图如图8所示；
第九步，在硅片非镀减反射膜面上丝网印刷铝背钝化场8；在本发明实施例中，还可以通过真空蒸发、溅射等方法将铝背钝化场沉积在硅片上；制备铝背钝化场的结构示意图如图9所示；其中，铝背钝化场8与背金属电极7电学连通，这两者与贯孔电极6仅靠空气绝缘隔离。
图9所示即是根据本发明方法实施得到的最终光伏电池的结构示意图。
实施例二
一种背接触硅太阳能电池的制备方法，硅片为n型，包括如下步骤：
第一步，制绒；其目的是通过化学反应使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的结构以延长光在其表面的传播路径，从而提高硅片对光的吸收；
第二步，在硅片上开设孔洞，数目为60个，其作用是在孔洞内可以设置电极将电池片受光面的电流引到电池片的背光面，这样就可以使得电池片的正极和负极都位于电池片的背面；在本申请所有实施例中，可以采用激光、机械钻孔或化学腐蚀的方式进行开孔；
第三步，在硅片的表面进行硼扩散，同时孔洞内壁以及硅片周边也形成PN结，并用氢氟酸去除硼硅玻璃；
第四步，将300nm厚的透明导电SnO2:F薄膜镀在PN结上，包括孔内壁和硅片周边PN结上；这里透明导电SnO2:F薄膜的目的是代替传统的金属电极，有效地收集传导受光面产生的光电流，而不遮挡入射光；镀SnO2:F薄膜的方法有很多种，比如磁控溅射、有机金属气相沉积、真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶－凝胶法、静电喷雾辅助气相沉积等方法；在本发明实施例中，SnO2:F薄膜采用磁控溅射方法镀膜；
第五步，周边和孔内刻蚀；目的是去除周边的透明导电SnO2:F薄膜和PN结，避免短路；刻蚀的方式有多种，可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀，其中，湿法刻蚀包括：化学液腐蚀，化学腐蚀浆料腐蚀等，干法刻蚀包括等离子气体腐蚀等；在本发明实施例中，采用硝酸、氢氟酸的混合溶液湿法刻蚀；
第六步，采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法）在SnO2:F薄膜上镀二氧化硅减反射膜，该膜的作用是减小阳光的反射，最大限度地利用太阳能；在本发明实施例中，在硅片上形成减反射膜；
第七步，在硅片非镀减反射膜面上丝网印刷贯孔银电极作为正极；在本发明所有实施例中，还可以通过真空蒸发、溅射等方法将贯孔电极沉积在硅片上；制备贯孔电极与透明导电SnO2:F薄膜电学连通；
第八步，在硅片非镀减反射膜面上丝网印刷背银电极作为负极；在本发明所有实施例中，还可以通过真空蒸发、溅射等方法将背电极沉积在硅片上；
第九步，在硅片非镀减反射膜面进行丝网印刷磷浆掺杂并用PECVD法生长氮化硅，作为复合的背钝化场；另外，采用丝网印刷磷浆掺杂和PECVD法生长氮化硅只是本发明的一个实施例，不应构成对本发明的限制，在本发明其他实施例中，磷掺杂或镀膜方法还可以采用本领域技术人员所熟知的其他方法；其中，复合背钝化层与背银电极电学连通，这两者与贯孔银电极仅靠空气绝缘隔离。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；
(2) 在上述硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；
(3) 去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；
(4) 对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；
(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。
2.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中孔洞的数量为2~500个。
3.根据权利要求2所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中孔洞的数量为9~100个。
4.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的透明导电膜为ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
5.根据权利要求1所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的透明导电膜的厚度为80~1000 nm。
6.根据权利要求5所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述透明导电膜的厚度为100~500 nm。
7.一种背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；
(2) 在上述硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；
(3) 去除磷硅或是硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；
(4) 对硅片周边和孔洞内进行刻蚀，去除硅片周边和孔洞内的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；
(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触式光伏电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。
8.根据权利要求7所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中孔洞的数量为2~500个。
9.根据权利要求7所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的透明导电膜为ITO薄膜、SnO2薄膜、In2O3薄膜、ZnO薄膜、Cd2SnO4薄膜或FTO薄膜。
10.根据权利要求7所述的背接触式光伏电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的透明导电膜的厚度为80~1000 nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103738409A CN102403404A (zh) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 一种背接触式光伏电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103738409A CN102403404A (zh) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 一种背接触式光伏电池的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102403404A true CN102403404A (zh) | 2012-04-04 |
Family
ID=45885411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011103738409A Pending CN102403404A (zh) | 2011-11-22 | 2011-11-22 | 一种背接触式光伏电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102403404A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102623574A (zh) * | 2012-04-16 | 2012-08-01 | 英利能源（中国）有限公司 | Mwt结构太阳能电池组件及其制造方法 |
| CN102709389A (zh) * | 2012-05-27 | 2012-10-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN104659136A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-05-27 | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 | 高压背接触太阳能组件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080174028A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via |
| WO2009063754A1 (ja) * | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光電変換素子及びその製造方法 |
| US20090211628A1 (en) * | 2005-04-16 | 2009-08-27 | Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh | Rear contact solar cell and method for making same |
| CN102132423A (zh) * | 2008-08-27 | 2011-07-20 | 应用材料股份有限公司 | 背接触式太阳能电池模块 |
-
2011
- 2011-11-22 CN CN2011103738409A patent/CN102403404A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090211628A1 (en) * | 2005-04-16 | 2009-08-27 | Institut Fur Solarenergieforschung Gmbh | Rear contact solar cell and method for making same |
| US20080174028A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via |
| WO2009063754A1 (ja) * | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光電変換素子及びその製造方法 |
| US20100252903A1 (en) * | 2007-11-12 | 2010-10-07 | Tsutomu Yamazaki | Photoelectric transducer and manufacturing method therefor |
| CN102132423A (zh) * | 2008-08-27 | 2011-07-20 | 应用材料股份有限公司 | 背接触式太阳能电池模块 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102623574A (zh) * | 2012-04-16 | 2012-08-01 | 英利能源（中国）有限公司 | Mwt结构太阳能电池组件及其制造方法 |
| CN102709389A (zh) * | 2012-05-27 | 2012-10-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN102709389B (zh) * | 2012-05-27 | 2015-04-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN104659136A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-05-27 | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 | 高压背接触太阳能组件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108807565A (zh) | 一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法 | |
| TWI718703B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| CN201966219U (zh) | 一种n型硅太阳能电池 | |
| US20090255574A1 (en) | Solar cell fabricated by silicon liquid-phase deposition | |
| CN103996746B (zh) | 一种可量产的perl晶体硅太阳电池的制作方法 | |
| US8916410B2 (en) | Methods of manufacturing light to current converter devices | |
| CN102881732B (zh) | 一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN102956723B (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109346549A (zh) | N型双面太阳电池及其制备方法 | |
| US20120270356A1 (en) | Method for manufacturing a solar cell | |
| CN102468365A (zh) | 双面太阳能电池的制造方法 | |
| CN103985778B (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| KR20090075421A (ko) | 태양 전지 | |
| CN106449850B (zh) | 一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法 | |
| CN102403406B (zh) | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN102403404A (zh) | 一种背接触式光伏电池的制备方法 | |
| CN102629641A (zh) | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法 | |
| KR20110079107A (ko) | 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법 | |
| CN209056506U (zh) | 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池 | |
| CN102403407A (zh) | 背接触式光伏电池的制备方法 | |
| CN103943693B (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法 | |
| CN102403405B (zh) | 背接触硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN109103299A (zh) | N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法 | |
| CN208521952U (zh) | 一种背接触异质结n型单晶硅太阳电池 | |
| CN109309147B (zh) | 一种n型单晶硅基太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120404 |