JP2011059502A5 - - Google Patents

Description

ここで、表面反射防止層は、酸素を５０原子％以上含有するタンタル酸化物を主成分とすることが好ましく、さらに表面反射防止層は、タンタル酸化物、タンタル窒化物、およびタンタル酸窒化物から選ばれるタンタル化合物からなる材料、または、タンタル化合物にホウ素および炭素から選ばれる１以上の元素を含有する材料からなることが好ましい。加えて、表面反射防止層は、膜厚が２０ｎｍ以下であることが好ましい。

また、遮光膜は、遮光層と透光性基板との間に、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むクロム化合物からなる層を有する構成であってもよい。

クロム化合物からなる層は、膜中のクロムの含有比率が５０原子％以下であり、かつ膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の第３の特徴は、フォトマスクの製造方法であって、前記のフォトマスクブランクのうち、裏面反射防止層がクロム化合物からなる構成のものを用い、エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングマスク膜に、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして前記表面反射防止層および遮光層に、フッ素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、前記表面反射防止層および遮光膜へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行って、遮光層に形成されたパターンをマスクとして前記クロム化合物からなる層にパターンを転写し、かつ前記エッチングマスク膜を除去する工程と、を備えることを要旨とする。

Claims (11)

1. ＡｒＦ露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられ、透光性基板上に、順次、遮光膜、エッチングマスク膜が形成されたフォトマスクブランクであって、
   前記遮光膜は、少なくとも遷移金属シリサイドを含む遮光層と、該遮光層の上に形成され、かつ酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むタンタル化合物を主成分とする表面反射防止層と、を備え、
   前記エッチングマスク膜は、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むクロム化合物からなる
   ことを特徴とするフォトマスクブランク。
2. 前記表面反射防止層は、酸素を５０原子％以上含有するタンタル酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
3. 前記表面反射防止層は、タンタル酸化物、タンタル窒化物、およびタンタル酸窒化物から選ばれるタンタル化合物からなる材料、または、前記タンタル化合物にホウ素および炭素から選ばれる１以上の元素を含有する材料からなることを特徴とする
   請求項１に記載のフォトマスクブランク。
4. 前記表面反射防止層は、膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする
   請求項１から３のいずれか一項に記載のフォトマスクブランク。
5. 前記遮光層は、モリブデンシリサイドを含み、膜中のモリブデンの含有比率が９原子％以上、４０原子％以下であり、前記遮光膜の合計膜厚が６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のフォトマスクブランク。
6. 前記エッチングマスク膜は、クロムに加えて、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、膜中のクロム含有比率が５０原子％以下であり、かつ膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のフォトマスクブランク。
7. 前記遮光膜は、前記遮光層の下に、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含む遷移金属シリサイド化合物からなる裏面反射防止層を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のフォトマスクブランク。
8. 前記遮光膜は、前記遮光層と前記透光性基板との間に、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むクロム化合物からなる層を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のフォトマスクブランク。
9. 前記クロム化合物からなる層は、膜中のクロムの含有比率が５０原子％以下であり、かつ膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のフォトマスクブランク。
10. 請求項１から７のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクを用い、
    前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記エッチングマスク膜に、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、
    前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして前記遮光膜に、フッ素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、
    前記遮光膜へのパターン転写後、前記エッチングマスク膜を、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行い除去する工程と、
    を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
11. 請求項８または９に記載のフォトマスクブランクを用い、
    前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記エッチングマスク膜に、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、
    前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして前記表面反射防止層および遮光層に、フッ素系ガスを用いるドライエッチングを行いパターン転写する工程と、
    前記表面反射防止層および遮光層へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行って、遮光層に形成されたパターンをマスクとして前記クロム化合物からなる層にパターン転写し、かつ前記エッチングマスク膜を除去する工程と、
    を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。