JP2009163264A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009163264A5 JP2009163264A5 JP2009102116A JP2009102116A JP2009163264A5 JP 2009163264 A5 JP2009163264 A5 JP 2009163264A5 JP 2009102116 A JP2009102116 A JP 2009102116A JP 2009102116 A JP2009102116 A JP 2009102116A JP 2009163264 A5 JP2009163264 A5 JP 2009163264A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask blank
- light
- shielding film
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (15)
- 透光性基板上に、金属を主成分とする一層又は多層の遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、２００ｎｍ以下の露光波長に供されるフォトマスクを製造するために用いられ、
前記遮光膜上に、シリコンと、酸素及び／又は窒素とを少なくとも含む反射防止膜を有し、
前記遮光膜は、前記反射防止膜に対してエッチング耐性を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は、塩素系ガスを用いたドライエッチングが可能な材料からなり、前記反射防止膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングが可能な材料からなることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がタンタル又はこれら金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がクロム又はこれら金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がタングステン又はこれら金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射防止膜は、金属を含むことを特徴とする請求項１〜５から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜に対してエッチング耐性を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項１〜６から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項１〜７から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有し、
１５０〜３００ｎｍの波長帯域に亘って表面反射率が１５％以下であることを特徴とする請求項１〜７から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有し、
１５０〜２５０ｎｍの波長帯域に亘って表面反射率が１０％以下であることを特徴とする請求項１〜７から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記遮光膜を構成する材料の屈折率よりも大きく前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項１〜１０から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射率低減膜は、クロムを含むことを特徴とする請求項７〜１１から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射防止膜の透過率は、２００ｎｍ以下の波長に対して７０％以上であり、前記反射率低減膜の透過率よりも高いことを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 請求項１〜１３のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするフォトマスク。
- 請求項１４に記載のフォトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009102116A JP4907688B2 (ja) | 2003-02-03 | 2009-04-20 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003025485 | 2003-02-03 | ||
| JP2003025485 | 2003-02-03 | ||
| JP2009102116A JP4907688B2 (ja) | 2003-02-03 | 2009-04-20 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005504812A Division JP4451391B2 (ja) | 2003-02-03 | 2004-02-02 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009163264A JP2009163264A (ja) | 2009-07-23 |
| JP2009163264A5 true JP2009163264A5 (ja) | 2010-06-24 |
| JP4907688B2 JP4907688B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=32844109
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005504812A Expired - Lifetime JP4451391B2 (ja) | 2003-02-03 | 2004-02-02 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
| JP2009102116A Expired - Lifetime JP4907688B2 (ja) | 2003-02-03 | 2009-04-20 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005504812A Expired - Lifetime JP4451391B2 (ja) | 2003-02-03 | 2004-02-02 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060057469A1 (ja) |
| JP (2) | JP4451391B2 (ja) |
| KR (3) | KR101049624B1 (ja) |
| DE (1) | DE112004000235B4 (ja) |
| TW (1) | TWI229780B (ja) |
| WO (1) | WO2004070472A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314690B2 (en) * | 2003-04-09 | 2008-01-01 | Hoya Corporation | Photomask producing method and photomask blank |
| CN101120433B (zh) | 2004-06-04 | 2010-12-08 | 伊利诺伊大学评议会 | 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法 |
| US7521292B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates |
| TW200909997A (en) * | 2004-07-09 | 2009-03-01 | Hoya Corp | Photomask blank, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2006078825A (ja) | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| TWI375114B (en) * | 2004-10-22 | 2012-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof |
| MY145225A (en) * | 2005-06-02 | 2012-01-13 | Univ Illinois | Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp |
| JP5178996B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2013-04-10 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
| WO2007029826A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Hoya Corporation | フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4726010B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-07-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
| TWI569092B (zh) * | 2005-12-26 | 2017-02-01 | Hoya Corp | A mask substrate and a mask for manufacturing a flat panel display device |
| JP4968740B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-07-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4551344B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
| JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP4883278B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4737426B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| EP2045635B1 (en) * | 2006-07-20 | 2013-03-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical/electrical mixed mounting substrate |
| DE102007028800B4 (de) * | 2007-06-22 | 2016-11-03 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske |
| US8512916B2 (en) * | 2008-03-31 | 2013-08-20 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask blank |
| JP5372403B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2013-12-18 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多階調フォトマスク、及びパターン転写方法 |
| WO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5658435B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-28 | リンテック株式会社 | マスクフィルム用部材、それを用いたマスクフィルムの製造方法及び感光性樹脂印刷版の製造方法 |
| JP5201361B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの加工方法 |
| JP5257256B2 (ja) | 2009-06-11 | 2013-08-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| JP2012002908A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | フォトマスク |
| KR20120069006A (ko) * | 2010-11-02 | 2012-06-28 | 삼성전기주식회사 | 포토마스크 |
| US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
| JP2011228743A (ja) * | 2011-07-26 | 2011-11-10 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
| JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
| JP5701946B2 (ja) * | 2013-08-14 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| WO2018074512A1 (ja) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7420065B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2024-01-23 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク |
| JP7254599B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2023-04-10 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
| JP7303077B2 (ja) | 2019-09-10 | 2023-07-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク |
| JP7331793B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-08-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
| JP3041802B2 (ja) * | 1990-04-27 | 2000-05-15 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP3037763B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
| JPH0695363A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びその製造方法並びにフォトマスク |
| JPH07159974A (ja) | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | パターン転写マスクおよびその製造方法 |
| JP2000012428A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、前記ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置、前記ｘ線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法、および該製造方法によって製造された半導体デバイス |
| EP1022614B1 (en) * | 1998-07-31 | 2012-11-14 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same, and method of forming micropattern |
| JP2983020B1 (ja) * | 1998-12-18 | 1999-11-29 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR100322537B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-25 | 윤종용 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 |
| US6472107B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for photomask plasma etching |
| JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
| JP4497263B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
| JP2002229183A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-14 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法 |
| KR100375218B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2003-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지막 및 자기정렬 콘택 기술을 사용하는 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 |
| JP4088742B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
| JP4696365B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2011-06-08 | 凸版印刷株式会社 | レベンソン型位相シフトマスク |
| JP4020242B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-12-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、及びマスク |
| US7166392B2 (en) * | 2002-03-01 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Halftone type phase shift mask blank and halftone type phase shift mask |
| EP2317382B1 (en) | 2002-04-11 | 2016-10-26 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
| JP4212025B2 (ja) | 2002-07-04 | 2009-01-21 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
-
2004
- 2004-02-02 DE DE112004000235.4T patent/DE112004000235B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-02 WO PCT/JP2004/000992 patent/WO2004070472A1/ja active Application Filing
- 2004-02-02 KR KR1020097025788A patent/KR101049624B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-02 JP JP2005504812A patent/JP4451391B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-02 KR KR1020057014226A patent/KR100960193B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-02 KR KR1020097007865A patent/KR101029162B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-02 US US10/543,467 patent/US20060057469A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-03 TW TW093102355A patent/TWI229780B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-04-20 JP JP2009102116A patent/JP4907688B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-10-13 US US13/272,988 patent/US20120034553A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009163264A5 (ja) | ||
| JP7047046B2 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
| TWI620977B (zh) | 極紫外光刻空白掩膜以及使用其的光掩膜 | |
| JP6301127B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
| TWI682233B (zh) | 遮罩基底、相移遮罩及相移遮罩之製造方法、與半導體裝置之製造方法 | |
| JP2009244752A5 (ja) | ||
| JP2009244793A5 (ja) | ||
| KR20110036054A (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크 | |
| TW200949431A (en) | Photo mask blank, photo mask and manufacturing method for photo mask blank | |
| JP2015200883A5 (ja) | ||
| JP2011059502A5 (ja) | ||
| JP5317310B2 (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
| JP6526938B1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| TW201001061A (en) | Photo mask blank, photo mask and manufacturing method for photo mask blank | |
| TW201113635A (en) | Method for manufacturing mask blank, method for manufacturing mask for transfer, and method for manufacturing reflective mask | |
| JP6279858B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
| KR102660488B1 (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| TWI791837B (zh) | 遮罩基底、相移遮罩及半導體元件之製造方法 | |
| KR102561571B1 (ko) | 레지스트층을 구비한 마스크 블랭크, 레지스트층을 구비한 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 | |
| JP2020042208A (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| TW202038002A (zh) | 遮罩基底、相移遮罩、相移遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法 | |
| JP2008257274A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| CN113242995B (zh) | 掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 | |
| JP2012008606A5 (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |