JP5541265B2 - エッチングマスク膜の評価方法 - Google Patents
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Description
エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるレジスト膜が、エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングされること、また、
パターン形成膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるエッチングマスク膜が、パターン形成膜のパターニングの際にエッチングされること
にあることを知見した。
請求項1:
透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C1)と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C2)とを測定し、両者のクリアタイム比(C1/C2)により、エッチングマスク膜の性能を評価することを特徴とするエッチングマスク膜の評価方法。
請求項2:
上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであり、上記エッチングマスク膜に適用するエッチングが塩素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のエッチングマスク膜の評価方法。
請求項3:
上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチングマスク膜の評価方法。
本発明においては、石英基板等の透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクにおいて、パターン形成膜の上に形成されたエッチングマスク膜、好ましくはパターン形成膜に隣接して形成されたエッチングマスク膜のエッチング性能を評価する。
塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングと、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せ、
塩素ガスと酸素ガスとを異なる比率で含む塩素系エッチングガスを用いた2種の塩素系ドライエッチングの組合せ、
フッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングと、塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せなどを挙げることができる。
(1)エッチングクリアタイムが短い膜組成・膜構成にすること、及び
(2)エッチングマスク膜の膜厚を薄くすること
の少なくとも一方により達せられる。
(3)エッチングクリアタイムが長い膜組成・膜構成にすること、及び
(4)エッチングマスク膜の膜厚を厚くすること
の少なくとも一方により達せられる。
パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C1)と、
エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C2)
とを測定し、両者のクリアタイム比(C1/C2)により、エッチングマスク膜の性能を評価する。
石英基板上に、MoSi系材料の遮光膜を成膜し、この遮光膜上に、エッチングマスク膜としてCr系材料の膜を成膜した。Cr系材料膜の成膜には、ターゲットとして金属クロムを用い、スパッタガスとしてアルゴンと窒素と酸素ガスとを用いた。Cr系材料の単層膜及び多層膜を計4種、成膜条件を変えて遮光膜上に成膜し、4種のフォトマスクブランクの試料A〜Dを作製した。エッチングマスク膜の膜厚は3nmとなるよう成膜時間を調整した。
RF1(RIE:リアクティブイオンエッチング):パルス700V
RF2(ICP:誘導結合プラズマ):CW(連続放電)400W
圧力:6mTorr
Cl2:185sccm
O2:55sccm
He:9.25sccm
RF1(RIE:リアクティブイオンエッチング):CW(連続放電)54W
RF2(ICP:誘導結合プラズマ):CW(連続放電)325W
圧力:5mTorr
SF6:18sccm
O2:45sccm
2 アース
3 下部電極
4 アンテナコイル
5 被処理基板
RF1,RF2 高周波電源
Claims (3)
- 透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C1)と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム(C2)とを測定し、両者のクリアタイム比(C1/C2)により、エッチングマスク膜の性能を評価することを特徴とするエッチングマスク膜の評価方法。
- 上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであり、上記エッチングマスク膜に適用するエッチングが塩素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のエッチングマスク膜の評価方法。
- 上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチングマスク膜の評価方法。
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