JP2013179270A5 - - Google Patents
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Claims (26)
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。 - 基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。 - 前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも2組有する多角形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする請求項2に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記補助マークの長辺は、25μm以上600μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、
該反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有することを特徴とする反射型マスクブランク。 - 前記基準マークは、前記吸収体膜に形成されていることを特徴とする請求項8記載の反射型マスクブランク。
- 前記基準マークは、前記メインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されていることを特徴とする請求項8又は9記載の反射型マスクブランク。
- 前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも2組有する多角形状であることを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
- 前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする請求項10又は11記載の反射型マスクブランク。
- 前記補助マークの長辺は、25μm以上600μm以下であることを特徴とする請求項12に記載の反射型マスクブランク。
- 請求項7乃至13のいずれかに記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされていることを特徴とする反射型マスク。
- 基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、
該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。 - 基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、
該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。 - 請求項15又は16に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする請求項18又は19に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 請求項18乃至20のいずれかに記載の前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項7乃至13のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 請求項7乃至13のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 請求項15又は16に記載のマスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、
前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 請求項15又は16に記載のマスクブランクの製造方法であって、
前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする請求項24又は25に記載のマスクブランクの製造方法。
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