JP6517660B2 - マスク基板及びマスク基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係るマスク基板の構成を模式的に示した断面図である。図1のマスク基板は、露光マスクである。具体的には、図1のマスク基板は、EUV光を用いたEUVリソグラフィに用いられる反射型の露光マスクである。
次に、第2の実施形態について説明する。なお、基本的な事項は第1の実施形態と同様であるため、第1の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
20…中間層 21…第1の層 22…第2の層
30…多層反射膜
40…キャップ層
50…ハードマスク層(ハードマスクパターン)
60…レジスト膜(レジストパターン)
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられた反射膜と、
前記反射膜上に設けられたキャップ層と、
を備え、
前記中間層は、前記キャップ層に含有される主要元素の原子量よりも小さい原子量を有する主要元素を含有する第1の層と、前記第1の層と前記基板との間に設けられ且つ前記第1の層の導電率よりも高い導電率を有する第2の層と、を含み、
前記第1の層は、主要元素としてホウ素(B)及び炭素(C)を含有し、
前記第2の層は、主要元素としてルテニウム(Ru)を含有している
ことを特徴とするマスク基板。 - 前記第1の層は、前記キャップ層の二次電子放出効率よりも低い二次電子放出効率を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク基板。 - 前記第1の層は、前記キャップ層の密度よりも小さい密度を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク基板。 - 前記キャップ層に含有される主要元素は、ルテニウム(Ru)である
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク基板。 - 前記反射膜及び前記キャップ層はパターニングされている
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク基板。 - 基板を用意することと、
前記基板上に中間層を形成することと、
前記中間層上に反射膜を形成することと、
前記反射膜上にキャップ層を形成することと、
を備え、
前記中間層は、第1の層と前記第1の層と前記基板との間に設けられた第2の層とを含み、
前記第1の層は、主要元素としてホウ素(B)及び炭素(C)を含有し、
前記第2の層は、主要元素としてルテニウム(Ru)を含有している
ことを特徴とするマスク基板の製造方法。 - 前記キャップ層上にハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層上にレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記ハードマスク層をパターニングしてハードマスクパターンを形成することと、
前記ハードマスクパターンをマスクとして用いて前記反射膜をパターニングすることと、
をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載のマスク基板の製造方法。
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