JP2015532733A5

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Publication number: JP2015532733A5
Application number: JP2015531199A
Authority: JP
Filing date: 2013-09-05
Publication date: 2017-06-22
Anticipated expiration: 2033-09-05

Description

本開示の局面によれば、デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的は、第１の層内の第１の周期的構造を、第１の層下の層中の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に含む。第１のデバイス様構造は、第１の周期的構造内の第１の層内に形成される。第２の周期的構造は、第１の層上の第２の層内において、第１の層内の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に形成される。第２のデバイス様構造が、第２の周期的構造内の第２の層内に形成される。第１の周期的構造および第２の周期的構造ならびに第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、第１の周期的構造および第２の周期的構造間の第１の層および第２の層の相対的位置の差と、第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造間の差とを測定することができるように、構成される。

加えて、隙間４１６をオーバーレイ測定のための光オーバーレイマークとして用いることができる。微細セグメント線４１４のピッチは光学画像化ツールの分解能よりも小さいため、個々の線４１４を画像化ツールによって検出することができない。しかし、隙間４１６はツール分解能よりも大きいため、画像化ツールによる検出が可能である。そのため、隙間４１６を光オーバーレイマークとして用いて、１本の標的線内の隙間４１６が下側の層内の標的内の隙間と良好に整合するかを測定することができる。図３Ａと同様に、ハイブリッドオーバーレイ標的４２０は、４つの作業ゾーン４２２ａ，４２２ｂ，４２２ｃおよび４２２ｄを微細セグメント線４２４および複数の大型隙間４２６と共に含む。

Claims

デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的であって、前記実質的に同一平面上の２つの層の第２の層は、前記実質的に同一平面上の２つの層の第１の層上に配置され、前記標的は、
前記第１の層内に形成された第１の周期的構造であって、前記第１の周期的構造は、前記第１の層下の層中の構造を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第１の周期的構造と、
前記第１の周期的構造内の前記第１の層内に形成された第１のデバイス様構造と、
前記第２の層内に形成された第２の周期的構造であって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記第１の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第２の周期的構造と、
前記第２の周期的構造内の前記第２の層内に形成された第２のデバイス様構造と、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造および前記第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の差と、前記第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造間の差とを測定することができるように、構成される、
標的。
第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造間の相対的位置の差を限界寸法走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）によって測定することができるように、構成される、請求項１に記載の標的。
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造は、集積回路のデバイス要素とサイズおよびピッチがほぼ同じである要素を含む、請求項１に記載の標的。
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造におけるピッチは、約５ｎｍ〜約８０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造における線幅は、約２ｎｍ〜約４０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造は、前記対応する周期的構造の中央部分にそれぞれ設けられる、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、画像化オーバーレイ標的または散乱オーバーレイ標的として構成される、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、光オーバーレイ測定のための要素を含む、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は散乱オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは約１５０ｎｍ〜約１０００ｎｍである、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は散乱オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造における線幅および間隔は約５０ｎｍ〜約７００ｎｍである、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は画像化オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは約２ｎｍ〜約４０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造はＡＩＭツールのための画像化オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは２．５ミクロンを超える、請求項１に記載の標的。
デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定において用いられる標的であって、前記２つの層の第２の層は、前記２つの層の第１の層上に配置され、前記標的は、
前記第１の層内に形成された第１の周期的構造であって、前記第１の周期的構造は、前記第１の層下の層中の構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第１の周期的構造と、
前記第２の層内に形成された第２の周期的構造であって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記第１の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第２の周期的構造と、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の前記相対的位置の差を測定することができるように、構成される、
標的。
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、集積回路の要素とサイズおよびピッチがほぼ同じである要素を含む、請求項１３に記載の標的。
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の前記相対的位置差を限界寸法走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）によって測定することができるように、構成される、請求項１３に記載の標的。
前記第１の周期的構造中の前記窓は、前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の測定において用いられるように、前記第２の周期的構造中の対応する窓とアライメントするように構成される、請求項１３に記載の標的。
第１の周期的構造を第１の層内に、前記第１の層下の層中の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に形成することと、
前記第１の周期的構造内の前記第１の層内に第１のデバイス様構造を形成することと、
第２の周期的構造を前記第１の層上の第２の層内に形成することであって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、ことと、
前記第２の周期的構造内の前記第２の層内に第２のデバイス様構造を形成することと、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の差を測定することができるように、構成される、
方法。
前記第１の周期的構造および前記第１のデバイス様構造間のシフトと、前記第２の周期的構造および前記第２のデバイス様構造間のシフトとを測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
展開ステップの後、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造を用いてオーバーレイ誤差を測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
エッチングステップの後、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造を用いてオーバーレイ誤差を測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。