TWI705484B - 反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法 - Google Patents

反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI705484B
TWI705484B TW107117547A TW107117547A TWI705484B TW I705484 B TWI705484 B TW I705484B TW 107117547 A TW107117547 A TW 107117547A TW 107117547 A TW107117547 A TW 107117547A TW I705484 B TWI705484 B TW I705484B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
substrate
reflective
multilayer reflective
mark
Prior art date
Application number
TW107117547A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201909239A (zh
Inventor
笑喜勉
濱本和宏
池邊洋平
Original Assignee
日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Publication of TW201909239A publication Critical patent/TW201909239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI705484B publication Critical patent/TWI705484B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30204—Marker

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供一種反射型光罩基底，該反射型光罩基底無多層反射膜之污染風險或清洗損傷，且形成有用以高精度地進行缺陷之座標管理之基準標記。於本發明中，於基板上形成反射EUV光之多層反射膜而形成附多層反射膜之基板，對該附多層反射膜之基板進行缺陷檢查。於上述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體膜，於該吸收體膜形成成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準之基準標記，從而形成反射型光罩基底。以上述基準標記為基準而進行反射型光罩基底之缺陷檢查。對照附多層反射膜之基板與反射型光罩基底之各缺陷檢查資料，獲取以基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。

Description

反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法
本發明係關於一種半導體裝置等之製造中所使用之反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法。
一般而言，於半導體裝置之製造步驟中，使用光微影法而形成微細圖案。又，於該微細圖案之形成中，通常使用若干枚被稱為光罩之轉印用光罩。該轉印用光罩一般係於透光性之玻璃基板上設置包含金屬薄膜等之微細圖案而成者，於該轉印用光罩之製造中亦使用光微影法。
於利用光微影法之轉印用光罩之製造中，使用如下光罩基底，該光罩基底具有用以於玻璃基板等透光性基板上形成轉印圖案(光罩圖案)之薄膜(例如遮光膜等)。使用有該光罩基底之轉印用光罩之製造係包括如下步驟而進行，即，描繪步驟，其對形成於光罩基底上之光阻膜描繪所期望之圖案；顯影步驟，其於描繪之後，使上述光阻膜顯影而形成所期望之光阻圖案；蝕刻步驟，將該光阻圖案作為掩膜而對上述薄膜進行蝕刻；以及將殘存之光阻圖案剝離除去之步驟。於上述顯影步驟中，對形成於光罩基底上之光阻膜描繪所期望之圖案之後，供給顯影液，使可溶於顯影液之光阻膜之部位溶解，從而形成光阻圖案。又，於上述蝕刻步驟中，將該光阻圖案作為掩膜，藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻而將露出有未形成光阻圖案之薄膜之部位除去，藉此，於透光性基板上形成所期望之光罩圖案。如此，形成轉印用光罩。
作為轉印用光罩之種類，除了先前之於透光性基板上具有包含鉻系材料之遮光膜圖案之二元型光罩之外，相位偏移型光罩已為人所知。
又，近年來，於半導體產業中，隨著半導體器件之高積體化，需要超過先前之使用有紫外光之光微影法之轉印極限的微細圖案。為了能夠形成此種微細圖案，期望出現使用有極紫外(Extreme Ultra Violet：以下稱為「EUV」)光之曝光技術即EUV微影技術。此處，所謂EUV光，係指軟X射線區域或真空紫外線區域之波帶之光，具體而言係指波長為0.2nm~100nm左右之光。作為該EUV微影技術中所使用之光罩，已提出有反射型光罩。此種反射型光罩係於基板上形成有反射曝光光線即EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上呈圖案狀地形成有吸收EUV光之吸收體膜者。
如上所述，由於微影步驟中之對於微細化之要求提高，故而該微影步驟中之問題逐步變得顯著。該問題之一係與微影步驟中所使用之光罩基底用基板等之缺陷資訊相關之問題。
先前，於基底檢查等中，將基板中心作為原點(0，0)，以自該原點之位置算起之距離而特定出基板缺陷之存在位置。因此，位置精度低，且裝置之間亦存在檢測偏差，於圖案描繪時，即使在避開缺陷而圖案化為圖案形成用薄膜之情形下，亦難以實現微米(μm)級別之回避。因此，改變圖案轉印之方向，或以毫米(mm)級別粗略地使轉印位置錯開而避開缺陷。
於此種狀況下，以提高缺陷位置之檢查精度為目的，已提出例如於光罩基底用基板形成基準標記，將該基準標記作為基準位置而特定出缺陷之位置。
於專利文獻1(國際公開2008/129914號公報)中揭示有如下內容：以 可正確地特定出以球當量直徑計為30nm左右之微小缺陷之位置之方式，於EUV微影技術用反射型光罩基底用基板之成膜面，形成以球當量直徑計之大小為30nm~100nm之至少3個標記。
根據上述專利文獻1所揭示之使用用以特定出缺陷位置之基準標記之方法，可提高光罩基底之缺陷位置之檢查精度。
然而，對於將EUV光用作曝光光線之反射型光罩而言，尤其存在於多層反射膜中之缺陷幾乎無法修正，且會於轉印圖案上成為重大之相位缺陷，因此，為了減少轉印圖案缺陷，多層反射膜上之缺陷資訊較為重要。因此，理想的是至少於多層反射膜成膜之後進行缺陷檢查而獲取缺陷資訊。因此，認為較佳為於如下附多層反射膜之基板之例如多層反射膜形成基準標記，該附多層反射膜之基板係於基板上形成多層反射膜而製作者。
然而，於在多層反射膜上形成基準標記之情形時，會產生如下所述之各種問題。
首先，於在多層反射膜上形成基準標記之製程中，存在使多層反射膜表面受到污染之風險。對於反射型光罩而言，多層反射膜表面之污染會產生重大問題，例如會產生新的異物缺陷，或導致反射率下降等。異物缺陷等亦有因清洗而被除去之可能性，但於清洗之後必需進行高感度檢查，根據情形，需要反覆地進行檢查與清洗，不僅檢查成本增加，而且亦有可能會增加新的污染風險。又，通常，於多層反射膜表面上設置用以保護多層反射膜之具有蝕刻終止功能之保護膜(亦稱為覆蓋層或緩衝層)，於多數情形下，一般使用Ru或其合金材料作為此種保護膜，但該Ru或其合金材 料缺乏耐清洗性，由上述清洗造成之損傷大。
又，以形成於多層反射膜之基準標記為基準而進行多層反射膜上之缺陷檢查，於其後之光罩製造之電子束描繪步驟中，利用形成有吸收體膜之後之基準標記進行對準，因此，存在如下可能性，即，因於凹形狀之基準標記上形成吸收體膜而引起之標記形狀之變化會成為對準誤差。又，多層反射膜例如係Si層與Mo層之40~60個週期左右之交替積層膜，因此，當例如利用蝕刻而於多層反射膜形成基準標記時，該基準標記之剖面形狀容易變為斜坡，此種剖面為斜坡形狀之基準標記會使對準精度下降。
又，當於多層反射膜形成基準標記時，若於深度方向上完全對多層反射膜進行蝕刻，則會導致蝕刻進行至玻璃基板表面為止，從而產生如下問題，即，難以循環使用玻璃基板。
因此，本發明係鑒於如上所述之先前之問題而成者，其目的在於：第一，提供如下反射型光罩基底，該反射型光罩基底並無於多層反射膜形成基準標記時之多層反射膜之污染風險或由清洗引起之損傷，且電子束描繪步驟中之相對於基準標記之對準精度提高；第二，提供如下反射型光罩，該反射型光罩使用上述反射型光罩基底而減少缺陷。
本發明者為了解決上述問題，尤其著眼於基準標記之形成位置而進行了仔細研究，結果發現：第一，於基板上形成多層反射膜，對多層反射膜僅進行通常之缺陷檢查，其後，於多層反射膜上形成積層膜，於該積層膜之上部形成基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記，其後，以基準標記為基準而進行反射型光罩基底之缺陷檢查，藉此，可解決上述問題。本發明者發現：第二，於基板上形成多層 反射膜，對多層反射膜僅進行通常之缺陷檢查，其後，於多層反射膜上形成吸收體膜，於該吸收體膜形成基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記，其後，以基準標記為基準而進行反射型光罩基底之缺陷檢查，藉此，可解決上述問題。
本發明者根據以上之明確事實，進而繼續進行了仔細研究，結果完成了本發明。
即，為了解決上述問題，本發明具有以下構成。
(構成1)
一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有積層膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述積層膜；於上述積層膜之上部形成成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準之基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；以及以上述基準標記為基準而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查。
(構成2)
一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述吸收體膜；於上述吸收體膜形成成為缺陷資訊中之缺陷位 置之基準之基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；以及以上述基準標記為基準而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查。
如構成1或構成2，於形成於多層反射膜上之積層膜或吸收體膜形成基準標記，藉此，具有如下所述之作用效果。
1.對於基板上所形成之多層反射膜僅進行通常之缺陷檢查，而不形成基準標記，因此，於多層反射膜形成基準標記時之多層反射膜之污染風險消失。又，無需進行用以除去由多層反射膜之污染引起之缺陷之清洗，從而不會產生由清洗引起之多層反射膜表面(保護膜表面)之損傷。進而，亦無需反覆地進行用以除去由多層反射膜之污染引起之缺陷之清洗與檢查，因此，亦不會產生檢查成本增大、或新的污染風險增大之問題。
2.對於反射型光罩基底之缺陷檢查係以形成於積層膜或吸收體膜之基準標記為基準而進行，於其後之光罩製造之電子束描繪步驟中，可使用與上述相同之基準標記而進行對準，因此，對準精度提高。又，積層膜或吸收體膜之膜厚較多層反射膜之膜厚薄，而且吸收體膜為單一層，或至多為2~3層之積層膜，因此，可縮短加工時間，從而可形成垂直性高之剖面形狀之基準標記，故而對準精度提高。
3.於在積層膜或吸收體膜上形成基準標記之過程中，不會產生對於玻璃基板之蝕刻損傷，因此，易於循環使用玻璃基板。
又，藉由獲得如上所述之於積層膜或吸收體膜形成有基準標記之反射型光罩基底，於缺陷檢查中，可決定缺陷位置之基準點而獲取包含缺陷位置(基準點與缺陷之相對位置)資訊之精度佳之缺陷資訊(缺陷映射)。進而，於光罩之製造中，可根據該缺陷資訊而與預先設計之描繪資料(光罩 圖案資料)進行對照，以減小由缺陷造成之影響之方式，高精度地對描繪資料進行修正(補正)，其結果，可減少最終製造之反射型光罩中之缺陷。
(構成3)
如構成1或2之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：根據藉由上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由上述反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷一致的缺陷，對照上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與上述反射型光罩基底之缺陷檢查資料，藉此，獲取以形成於上述吸收體膜之上述基準標記為基準之上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
如構成3，即使未於附多層反射膜之基板之多層反射膜形成基準標記，亦可根據藉由構成1或2之附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷一致的缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，進行以形成於積層膜或吸收體膜之基準標記為基準之座標轉換，藉此，除了獲取以形成於積層膜或吸收體膜之基準標記為基準之反射型光罩基底的缺陷檢查資料之外，亦獲取以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
(構成4)
如構成1至3中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：對於上述附多層反射膜之基板上的至少圖案形成區域之整個面，進行上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查，對於藉由上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷中的至少一部分之缺陷，特定出其位置而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查。
如構成4，對於附多層反射膜之基板上的至少圖案形成區域之整個面，進行附多層反射膜之基板之缺陷檢查，對於藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷中的至少一部分之缺陷，特定出其位置而進行反射型光罩基底之缺陷檢查，即進行所謂之部分檢查，藉此，可大幅度地縮短檢查時間。
(構成5)
如構成1至4中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上形成偽缺陷，根據藉由上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之偽缺陷與藉由上述反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之對應於上述偽缺陷之缺陷，對照上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與上述反射型光罩基底之缺陷檢查資料。
如構成5，由於目的在於使藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷重合而求出兩者一致的缺陷，故而亦可並非為實際之缺陷，因此，亦可如構成5，預先於附多層反射膜之基板之多層反射膜上形成偽缺陷，根據藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之偽缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之對應於上述偽缺陷之缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料與反射型光罩基底之缺陷檢查資料。
(構成6)
如構成1至5中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：於自以上述基板之邊緣座標為基準而設定之原點算起之特定位置，形成上述基準標記，使形成有上述基準標記之上述反射型光罩基底、與上述基準標記之形成位置資訊建立對應關係。
如構成6，使反射型光罩基底與上述基準標記之形成位置資訊建立對應關係而製造反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於自以基板之邊緣座標為基準而設定之原點算起之特定位置形成有上述基準標記，藉此，被提供了該反射型光罩基底之使用者可利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記。
(構成7)
如構成1至5中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：於形成上述基準標記之後，利用座標測量器特定出上述基準標記之形成位置，使形成有上述基準標記之上述反射型光罩基底、與上述基準標記之形成位置資訊建立對應關係。
如構成7，於吸收體膜形成基準標記之後，利用座標測量器特定出上述基準標記之形成位置，使形成有上述基準標記之反射型光罩基底、與上述基準標記之形成位置資訊建立對應關係而製造反射型光罩基底，藉此，被提供了該反射型光罩基底之使用者可利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記。又，利用座標測量器特定出基準標記之形成位置，藉此，可轉換電子束描繪機之基準座標。因此，被提供了該反射型光罩基底之使用者可高精度地對照容易根據基準標記而藉由缺陷檢查裝置所特定出之缺陷位置與描繪資料，從而能夠可靠地減少最終製造之光罩中之缺陷。
(構成8)
如構成6或7之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：於上述基準標記之形成位置資訊中，進而加入以上述基準標記為基準之缺陷資訊。
如構成8，於上述基準標記之形成位置資訊中，進而加入以上述基準 標記為基準之附多層反射膜之基板或反射型光罩基底中之缺陷資訊而製造反射型光罩基底，藉此，被提供了該反射型光罩基底之使用者可利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記，並且於光罩之製造中，可根據該缺陷資訊，以減小由缺陷造成之影響之方式，高精度地修正(補正)描繪資料，從而可減少最終製造之光罩中之缺陷。
(構成9)
一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：將藉由如構成1至8中任一項之反射型光罩基底之製造方法獲得之反射型光罩基底的上述積層膜或上述吸收體膜圖案化，形成積層膜圖案或吸收體膜圖案。
就使上述構成之反射型光罩基底之吸收體膜圖案化而獲得之反射型光罩而言，可獲得如下者，即，藉由基於附多層反射膜之基板或反射型光罩基底之缺陷資訊的描繪資料之補正、修正，而減少了缺陷。
根據本發明，可提供如下反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於積層膜或吸收體膜形成基準標記，藉此，無於多層反射膜形成基準標記時之多層反射膜之污染風險或由清洗引起之損傷，且光罩製造之電子束描繪步驟中的相對於基準標記之對準精度提高，而且可藉由形成基準標記而高精度地進行缺陷之座標管理(基準標記與缺陷之相對位置管理)。
又，根據本發明，使用上述反射型光罩基底，根據上述缺陷資訊而進行描繪資料之修正，藉此，可提供減少了缺陷之反射型光罩。
11:玻璃基板
13:基準標記
13a:主標記
13b~13e、13b1~13b6:輔助標記
20、23:黑點
21:基底層
30:附多層反射膜之基板
31:多層反射膜
32:保護膜
40:反射型光罩基底
40A、40B:端面
41:吸收體膜
41a:吸收體膜圖案
42:背面導電膜
50:反射型光罩
51:光阻膜
61:硬遮罩膜
A:虛線
B:特定區域
L:縱橫之長度
O:原點
P:交點
X、Y:方向
圖1係表示本發明中之基準標記之配置例之平面圖。
圖2係表示構成本發明中之基準標記之主標記及輔助標記之形狀例及 配置例的圖。
圖3係用以對使用有本發明中之基準標記之決定基準點之方法進行說明的圖。
圖4(a)-圖4(c)係表示主標記之其他形狀例之圖。
圖5係表示輔助標記之其他形狀例之圖。
圖6係用以對輔助標記之檢測方法之一例進行說明之圖。
圖7係用以對以邊緣為基準而形成基準標記之方法進行說明之圖。
圖8係用以對以邊緣為基準而形成基準標記之方法進行說明之圖。
圖9(a)-圖9(d)係表示以邊緣為基準而形成時之基準標記之形狀例及配置例之圖。
圖10(a)-圖10(d)係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之剖面圖。
圖11(a)、圖11(b)係用以對本發明中之缺陷檢查進行說明之附多層反射膜之基板及反射型光罩基底的平面圖。
圖12(a)-圖12(d)係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之其他實施形態的剖面圖。
圖13(a)-圖13(f)係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之其他實施形態的剖面圖。
圖14(a)-圖14(e)係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之其他實施形態的剖面圖。
以下，對本發明之實施形態進行詳述。
[基準標記]
首先，詳細地說明本發明中之基準標記(以下，亦稱為「本發明之基準標記」)。
圖1係表示基準標記之配置例之反射型光罩基底之平面圖。
於圖1中，例如作為一例，於反射型光罩基底40之吸收體膜上之角附近的4處形成有本發明之基準標記13。如後文中所詳細說明，本發明之特徵在於將基準標記形成於積層膜或吸收體膜。
再者，雖未圖示，但亦可於本發明之基準標記附近形成粗對準標記，該粗(rough)對準標記相對大於該基準標記，其自身雖不具有基準標記之作用，但其與上述基準標記13之位置關係已預先決定，從而具有易於檢測上述基準標記13之位置之作用。
於圖1中，基準標記13較佳為均形成於反射型光罩基底主表面上的虛線A所示之圖案形成區域之邊界線上、或較圖案形成區域更靠外周緣側。然而，若過於靠近基板外周緣，則存在與其他種類之識別標記交叉之可能性，因此欠佳。
基準標記之個數並無特別限定。最少需要3個基準標記，但基準標記亦可為3個以上。
圖2係表示構成本發明之基準標記之主標記及輔助標記的形狀例及配置例之圖。又，圖3係用以對使用有本發明之基準標記之決定基準點之方法進行說明的圖。
上述基準標記係成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準的基準標記，但本發明之基準標記13包含：主標記，其用以決定成為缺陷位置之基準之位置(基準點)；以及輔助標記，其配置於該主標記周圍。而且，上述主標記較佳呈點對稱之形狀，且相對於電子束或缺陷檢查光之掃描方向而具有 200nm以上10μm以下之寬度之部分。
於圖2及圖3中，將包含上述主標記13a、與配置於該上述主標記13a周圍之兩個輔助標記13b、13c之基準標記13表示為一例。
於本發明中，上述主標記13a較佳呈如下多邊形狀，該多邊形狀具有至少兩組與電子束描繪機或缺陷檢查光之掃描方向(圖3中之X方向及Y方向)垂直且平行之邊。如此，由於上述主標記13a呈如下多邊形狀，該多邊形狀具有至少兩組與電子束或缺陷檢查光之掃描方向垂直且平行之邊，故而可使電子束描繪機、缺陷檢查裝置之檢測容易性(可靠性)提高，而且，可抑制缺陷檢測位置之偏差。於圖2及圖3中，作為具體例，表示了上述主標記13a呈縱橫(X及Y方向)為相同長度之正方形之情形。於該情形時，縱橫之長度(L)分別為200nm以上10μm以下。
上述主標記13a較佳呈點對稱之形狀。並不限於上述正方形，例如亦可為如圖4(a)所示之正方形之角部帶有弧度之形狀、或圖4(b)所示之八邊形之形狀、或圖4(c)所示之十字形狀。於該情形時，主標記13a之大小(縱橫之長度)L)亦較佳設為200nm以上10μm以下。作為具體例，於主標記13a呈十字形狀之情形時，其大小(縱橫之長度)可設為5μm以上10μm以下。又，雖未圖示，但上述主標記13a亦可設為直徑為200nm以上10μm以下之正圓形。
又，上述兩個輔助標記13b、13c係沿著電子束或缺陷檢查光之掃描方向(圖3中之X方向及Y方向)而配置於上述主標記13a周圍。於本發明中，上述輔助標記13b、13c較佳呈如下矩形狀，該矩形狀具有與電子束或缺陷檢查光之掃描方向垂直之長邊及與電子束或缺陷檢查光之掃描方向平行之短邊。由於輔助標記呈如下矩形狀，該矩形狀具有與電子束或缺陷 檢查光之掃描方向垂直之長邊及與電子束或缺陷檢查光之掃描方向平行之短邊，故而可藉由電子束描繪機、缺陷檢查裝置之掃描而可靠地進行檢測，因此，可容易地特定出主標記之位置。於該情形時，理想的是長邊為可藉由電子束描繪機、缺陷檢查裝置之儘可能最小次數之掃描而被檢測之長度。例如，理想的是具有25μm以上600μm以下之長度。另一方面，若長邊之長度短，例如若未達25μm，則有可能無法藉由電子束描繪機、缺陷檢查裝置之掃描而檢測出輔助標記。又，若長邊之長度長，例如若超過600μm，則根據基準標記之形成方法，每一處之加工時間會超過一小時，因此欠佳。理想的是長邊之長度更佳為25μm以上400μm以下，進而更佳為25μm以上200μm以下。
又，上述輔助標記13b、13c與主標記13a可隔開特定間隔，亦可不隔開。於使輔助標記與主標記隔開之情形時，間隔並無特別限制，但於本發明中，例如較佳設為25μm~50μm左右之範圍。
再者，上述主標記13a、輔助標記13b、13c均將剖面形狀設為凹形狀，於基準標記之高度方向設置所期望之深度，藉此，形成可識別之基準標記。根據使電子束或缺陷檢查光之檢測精度提高之觀點，較佳呈以自凹形狀之底部向表面側擴大之方式而形成之剖面形狀，該情形時之基準標記之側壁之傾斜角度較佳為75度以上。理想的是更佳設為80度以上，進而更佳設為85度以上。基準標記之側壁之傾斜角度之上限較佳為105度以下。更佳為100度以下，進而更佳為95度以下。理想的是基準標記之側壁之傾斜角度設為75度以上105度以下，更佳設為80度以上100度以下，進而更佳設為85度以上95度以下。
使用上述基準標記，以如下方式決定成為缺陷位置之基準之基準點 (參照圖3)。
於上述輔助標記13b、13c上，使電子束或缺陷檢查光沿著X方向、Y方向掃描，檢測該等輔助標記，藉此，可大致特定出主標記13a之位置。於位置已特定出之上述主標記13a上，使電子束或檢查光沿著X方向及Y方向掃描之後，根據(藉由上述輔助標記之掃描而檢測出之)主標記13a上之交點P(通常為主標記之大致中心)而決定基準點。
如上所述，上述輔助標記13b、13c較佳呈如下矩形狀，該矩形狀具有與電子束或缺陷檢查光之掃描方向垂直之長邊及與電子束或缺陷檢查光之掃描方向平行之短邊，於該情形時，長邊較佳為具有可藉由電子束描繪機、缺陷檢查裝置之儘可能最小次數之掃描而被檢測出之長度，例如25μm以上600μm以下之長度。然而，例如若利用聚焦離子束而形成該數百μm左右之長度，則加工時間需要長時間。
因此，如圖5所示，可將上述輔助標記分割為若干個矩形。圖6係具體地表示此種態樣之例子，沿著5μm×5μm之大小之主標記13a之一方(Y方向)，等間隔地配置50μm×1μm之大小之矩形狀之輔助標記13b1~13b6，各輔助標記間之間隔(空間)設為50μm。
於該情形時，例如可於第1掃描(第一次之掃描)中避開輔助標記，於向上(Y方向)偏移60μm之第2掃描(第二次之掃描)中亦避開輔助標記，於進而向上偏移60μm之第3掃描(第三次之掃描)中檢測輔助標記13b5。
以上述方式分割輔助標記，即使縮短分割之後的各個輔助標記之長邊之長度，亦可決定掃描規則而以儘可能少之掃描次數可靠地檢測輔助標記。又，以上述方式分割輔助標記，藉此，整體之加工時間縮短。
再者，對於將EUV光用作曝光光線之反射型光罩而言，尤其存在於 多層反射膜中之缺陷幾乎無法修正，且會於轉印圖案上成為重大之相位缺陷，因此，為了減少轉印圖案缺陷，多層反射膜上之缺陷資訊較為重要。因此，理想的是至少於多層反射膜成膜之後進行缺陷檢查而獲取缺陷資訊。然而，若於附多層反射膜之基板的例如多層反射膜形成本發明之基準標記，則會產生如上所述之各種問題，因此，於本發明中，於多層反射膜上進行高感度之缺陷檢查，基準標記形成於在多層反射膜上成膜之積層膜或吸收體膜，其後，使用基準標記而進行反射型光罩基底之缺陷檢查。
如以上之說明所述，本發明之基準標記可由電子束描繪機、光學式缺陷檢查裝置中之任一者容易地檢測，換言之，可由電子束描繪機、光學式缺陷檢查裝置中之任一者可靠地檢測。而且，由於具有點對稱之形狀，可使藉由電子束或缺陷檢查光之掃描決定之缺陷位置之基準點之偏移減小。因此，根據基準標記而檢查出之缺陷檢測位置之偏差小。藉此，於缺陷檢查中，可決定缺陷位置之基準點而獲取包含缺陷位置(基準點與缺陷之相對位置)資訊之精度佳之缺陷資訊(缺陷映射)。進而，於光罩之製造中，可根據該缺陷資訊而與預先設計之描繪資料(光罩圖案資料)進行對照，以減小由缺陷造成之影響之方式，高精度地修正(補正)描繪資料，其結果，可減少最終製造之反射型光罩中之缺陷。
再者，於以上之實施形態中說明了如下例子，即，於上述主標記13a周圍，沿著電子束描繪機或缺陷檢查裝置之掃描方向(X方向、Y方向)而配置有兩個輔助標記13b、13c，但本發明並不限定於此種實施形態。例如於缺陷檢測不依賴於檢查光之掃描之方式中，若主標記與輔助標記之位置關係已特定，則輔助標記相對於主標記之配置位置任意。又，於該情形時，亦可以邊緣而非以主標記之中心為基準點。
如上所述，本發明之基準標記13較佳為形成於反射型光罩基底主表面上的虛線A所示之圖案形成區域之邊界線上、或較圖案形成區域更靠外周緣側之任意位置(參照圖1)，但於該情形時，較佳為以邊緣為基準而形成基準標記，或於形成基準標記之後，利用座標測量器特定出基準標記形成位置。
首先，對上述以邊緣為基準而形成基準標記之方法進行說明。
圖7及圖8分別係用以對以邊緣為基準而形成基準標記之方法進行說明之圖。
例如當採用FIB(focused ion beam，聚焦離子束)作為基準標記形成方法而於吸收體膜形成基準標記時，檢測具備吸收體膜之反射型光罩基底之基板邊緣。於利用FIB加工出基準標記之情形時，可利用2次電子像、2次離子像或光學像而識別反射型光罩基底之基板邊緣。於利用光微影法加工出基準標記之情形時，可利用光學像而識別反射型光罩基底之邊緣，或可將反射型光罩基底按壓至載置其之平台之單側而識別邊緣。又，於利用其他方法(例如壓痕)加工出基準標記之情形時，可利用光學像進行識別。如圖7所示，例如確認反射型光罩基底40之基板的四條邊之8個部位(標記有圓圈之部位)之邊緣座標，進行傾斜補正而尋出原點(0，0)。可任意地設定該情形時之原點，該原點可為基板之角部亦可為中心。
如此，於自以邊緣為基準而設定之原點算起之特定位置，利用FIB而形成基準標記。於圖8中表示了如下情形，即，於自以邊緣為基準而設定於基板之任意角部之原點O(0，0)算起之特定位置，具體而言，於與原點O兩側之端面40A之邊緣相距X距離，且與端面40B之邊緣相距Y距離之位置形成基準標記13。於該情形時，以原點O(0，0)為基準之基準標記形成 座標(X，Y)成為基準標記之形成位置資訊。對於形成於其他位置之基準標記而言亦相同。
當利用缺陷檢查裝置或電子束描繪裝置，檢測此種以邊緣為基準而形成之反射型光罩基底之基準標記時，由於基準標記之形成位置資訊即自邊緣算起之距離已知，故而可容易地特定出基準標記形成位置。
又，亦可應用如下方法，即，於反射型光罩基底之積層膜或吸收體膜上之任意位置形成基準標記之後，利用座標測量器特定出基準標記形成位置。該座標測量器係以邊緣為基準而測量基準標記之形成座標者，例如可使用高精度圖案位置測定裝置(KLA-Tencor公司製造之LMS-IPRO4)，所特定出之基準標記形成座標成為基準標記之形成位置資訊。又，座標測量器亦有轉換為電子束描繪機之基準座標之作用，因此，被提供了反射型光罩基底之使用者可高精度地對照容易根據基準標記而藉由缺陷檢查裝置所特定出之缺陷位置與描繪資料，從而能夠可靠地減少最終製造之光罩中之缺陷。
如以上之說明所述，根據以邊緣為基準而形成基準標記，或於任意位置形成基準標記之後，利用座標測量器特定出基準標記形成位置之方法，可利用缺陷檢查裝置或電子束描繪裝置而容易地特定出反射型光罩基底上之基準標記之形成位置，因此，可減小基準標記之尺寸。具體而言，於本發明之基準標記13包含上述主標記與輔助標記之情形時，主標記之寬度可設為200nm以上10μm以下之尺寸，輔助標記之長邊例如可設為25μm以上250μm以下之尺寸。於以上述方式減小基準標記之尺寸之情形下，當採用例如上述FIB作為基準標記之形成方法時，可縮短基準標記之加工時間，因此較佳。又，亦可縮短基準標記之檢測時間，因此較佳。
於圖9中，表示有以上所說明之以邊緣為基準而形成時之基準標記之形狀例及配置例，圖9(a)之包含主標記13a與輔助標記13b、13c之基準標記為代表例。又，如上所述，可減小基準標記之尺寸，因此，未必需要輔助標記，例如可僅設為如圖9(b)所示之主標記13a。而且，亦可設為如圖9(c)所示之於主標記13a周圍配置有4個輔助標記13b~13e之基準標記、或如圖9(d)所示之十字形之基準標記。
又，使如下反射型光罩基底與該情形時之基準標記之形成位置資訊(基準標記形成座標)建立對應關係而提供給使用者，藉此，使用者例如可於光罩製造步驟中，利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記，上述反射型光罩基底於自以基板之邊緣座標為基準而設定之原點算起之特定位置形成有上述基準標記。
又，於反射型光罩基底形成基準標記之後，利用座標測量器特定出上述基準標記之形成位置，使形成有上述基準標記之反射型光罩基底與該情形時之基準標記之形成位置資訊(已特定出之基準標記之位置座標)建立對應關係而提供給使用者，藉此，使用者可利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記。又，利用座標測量器特定出基準標記之形成位置，藉此，可轉換為電子束描繪機之基準座標。因此，被提供了反射型光罩基底之使用者可高精度地對照容易根據基準標記而藉由缺陷檢查裝置所特定出之缺陷位置與描繪資料，從而能夠可靠地減少最終製造之光罩中之缺陷。
又，於上述基準標記之形成位置資訊中進而加入以基準標記為基準之缺陷資訊(位置資訊、尺寸等)且提供給使用者，藉此，使用者可利用該基準標記之形成位置資訊，於短時間內可靠地檢測出基準標記，並且可根 據該缺陷資訊，以減小由缺陷造成之影響之方式，高精度地修正(補正)描繪資料，從而可減少最終製造之光罩中之缺陷。
[反射型光罩基底]
其次，對本發明之形成有上述基準標記之反射型光罩基底之製造方法進行說明。
如上述構成1，本發明之反射型光罩基底之製造方法之特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有積層膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述積層膜；於上述積層膜之上部形成成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準之基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；以及以上述基準標記為基準而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查。
又，如上述構成2，本發明之反射型光罩基底之製造方法之特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述吸收體膜；於上述吸收體膜形成成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準之基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；以及以上述基準標記為基準而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查。
圖10係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之剖面圖。以下，根據圖10所示之步驟而進行說明。
再者，於以下之說明中，對構成2之反射型光罩基底之製造方法進行說明，但以下之說明亦可適用於將吸收體膜41或吸收體膜41與硬遮罩膜61之關係改換為積層膜之構成1的反射型光罩基底之製造方法。詳情後述，但吸收體膜41不限於單層膜，亦可包含相同材料之積層膜、不同材料之積層膜。又，本發明之反射型光罩基底可採用如上所述之積層膜或單層膜之吸收體膜與硬遮罩膜之積層膜之構成。於如上述構成1般，在多層反射膜上形成積層膜而形成反射型光罩基底之情形時，只要除去積層膜之至少上部而形成基準標記即可，但亦可於厚度方向上完全除去積層膜而形成基準標記。例如於包含如上所述之吸收體膜與硬遮罩膜之積層膜之構成之情形時，只要至少於硬遮罩膜形成基準標記即可。
首先，作為基板，於玻璃基板11上依序形成基底層21、反射EUV光之多層反射膜31、及保護膜32，從而製作附多層反射膜之基板30(參照圖10(a))。
於EUV曝光用之情形時，作為基板，較佳為使用玻璃基板11，尤其為了防止由曝光時之熱引起之圖案之變形，較佳為使用具有0±1.0×10-7/℃之範圍內，更佳為0±0.3×10-7/℃之範圍內之低熱膨脹係數之玻璃基板。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2-TiO2系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。
至少根據獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點，上述玻璃基板11的形成轉印圖案之一側之主表面以達到高平坦度之方式而經表面加工。於EUV曝光用之情形時，於玻璃基板11之形成轉印圖案之一側之主表面142 mm×142mm之區域中，平坦度較佳為0.1μm以下，尤佳為0.05μm以下。又，形成轉印圖案之一側的相反側之主表面係放置於曝光裝置時被靜電夾持之面，於142mm×142mm之區域中，平坦度為0.1μm以下，較佳為0.05μm以下。
又，作為上述玻璃基板11，如上所示，使用SiO2-TiO2系玻璃等具有低熱膨脹係數之素材，但此種玻璃素材難以藉由精密研磨而實現作為表面粗糙度之例如RMS(Root Mean Square，均方根)為0.1nm以下之高平滑性。因此，以減小玻璃基板11之表面粗糙度或減少玻璃基板11表面之缺陷為目的，較佳為於玻璃基板11之表面形成基底層21。作為此種基底層21之材料，可較佳地選擇如下材料，該材料無需對於曝光光線具有透光性，對基底層表面進行精密研磨時可獲得高平滑性，且缺陷品質良好。例如Si或含有Si之矽化合物(例如SiO2、SiON等)於進行精密研磨時可獲得高平滑性，且缺陷品質良好，因此，可較佳地被使用。Si尤佳。
基底層21之表面較佳設為以達到作為反射型光罩基底用基板所需之平滑度之方式而經精密研磨之表面。理想的是以使均方根粗糙度(RMS)為0.15nm以下，尤佳為0.1nm以下之方式，對基底層21之表面進行精密研磨。又，若考慮對形成於基底層21上之多層反射膜31之表面造成之影響，則理想的是在與最大高度(Rmax)之關係方面，Rmax/RMS較佳為2~10，尤佳為以使Rmax/RMS達到2~8之方式，對基底層21之表面進行精密研磨。
對於基底層21之膜厚而言，例如10nm~300nm之範圍較佳。
上述多層反射膜31係使低折射率層與高折射率層交替地積層所得之多層膜，一般使用如下多層膜，該多層膜係重元素或其化合物之薄膜、與 輕元素或其化合物之薄膜交替地積層40~60個週期左右所得之多層膜。
例如作為相對於波長為13nm~14nm之EUV光之多層反射膜，較佳為使用Mo膜與Si膜交替地積層40個週期左右所得之Mo/Si週期積層膜。此外，作為EUV光之區域中所使用之多層反射膜，存在Ru/Si週期多層膜、Mo/Be週期多層膜、Mo化合物/Si化合物週期多層膜、Si/Nb週期多層膜、Si/Mo/Ru週期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo週期多層膜、及Si/Ru/Mo/Ru週期多層膜等。只要根據曝光波長而適當地選擇材質即可。
通常，於吸收體膜之圖案化或圖案修正時，以保護多層反射膜為目的，於上述多層反射膜31上設置上述保護膜32(有時亦稱為覆蓋層或緩衝膜)。作為此種保護膜32之材料，除了矽之外，亦可使用釕、或於釕中含有鈮、鋯、銠中之一種以上之元素之釕化合物，此外，有時亦可使用鉻系材料。
保護膜32之膜厚例如較佳為處於1nm~5nm左右之範圍。
以上之基底層21、多層反射膜31、及保護膜32之成膜方法並無特別限定，但通常，離子束濺鍍法或磁控濺鍍法等較佳。
其次，對以上述方式製作之附多層反射膜之基板30進行缺陷檢查。於該情形時，由於在附多層反射膜之基板之階段未形成有基準標記，故而藉由缺陷檢查裝置，例如以主表面之中心為基準點而對附多層反射膜之基板30進行缺陷檢查，獲取缺陷檢查所檢測出之缺陷與位置資訊。又，對至少圖案形成區域之整個面進行該情形時之缺陷檢查。圖11(a)係模式性地表示對附多層反射膜之基板30進行之缺陷檢查之結果的圖，圖示之黑點(●)20表示作為一例而檢測出之缺陷之位置。
其次，於上述附多層反射膜之基板30之上述保護膜32上，形成吸收 EUV光之吸收體膜41，從而製作反射型光罩基底40(參照圖10(b))。
再者，對於圖10(b)所示之反射型光罩基底40而言，於玻璃基板11之形成有多層反射膜等之一側之相反側設置有背面導電膜42。
上述吸收體膜41具有吸收曝光光線即EUV光之功能，於使用反射型光罩基底40而製作之反射型光罩50中，該吸收體膜41只要係於由上述多層反射膜31、保護膜32產生之反射光、與由吸收體膜圖案41a產生之反射光之間具有所期望之反射率差者即可。例如於0.1%以上40%以下之間，選定吸收體膜41對於EUV光之反射率。又，除了上述反射率差之外，亦可為於由上述多層反射膜31、保護膜32產生之反射光、與由吸收體膜圖案41a產生之反射光之間具有所期望之相位差者。再者，當於由上述多層反射膜31、保護膜32產生之反射光、與由吸收體膜圖案41a產生之反射光之間具有所期望之相位差時，有時將反射型光罩基底40中之吸收體膜41稱為相位偏移膜。當於由上述多層反射膜31、保護膜32產生之反射光、與由吸收體膜圖案41a產生之反射光之間設置所期望之相位差而提高對比度時，較佳為將相位差設定於180度±10度之範圍，且較佳為將吸收體膜41之反射率設定為3%以上40%以下。
上述吸收體膜41可為單層，亦可為積層構造。於積層構造之情形時，亦可為相同材料之積層膜、不同材料之積層膜。積層膜可設為材料或組成於膜厚方向上階段性及/或連續性地發生變化者。
作為上述吸收體膜41之材料，例如可較佳地使用鉭(Ta)單體或包含Ta之材料。作為含有Ta之材料，可使用包含Ta與B之材料、包含Ta與N之材料、包含Ta與B且進而包含O與N中之至少任一者之材料、包含Ta與Si之材料、包含Ta、Si及N之材料、包含Ta與Ge之材料、包含Ta、Ge及N 之材料、包含Ta與Pd之材料、以及包含Ta與Ru之材料等。又，Ta以外之材料亦可為Cr單體或含有Cr之材料、Ru單體或含有Ru之材料、Pd單體或含有Pd之材料、以及Mo單體或含有Mo之材料。於吸收體膜41為積層膜之情形時，可設為組合有上述列舉之材料之積層構造。
上述吸收體膜41之膜厚例如較佳為處於30nm~100nm左右之範圍。吸收體膜41之成膜方法並無特別限定，但通常，磁控濺鍍法或離子束濺鍍法等較佳。
其次，於以上述方式製作之反射型光罩基底40形成上述基準標記。由於已詳細地對基準標記進行了說明，故而此處省略說明。
此處，於反射型光罩基底40之吸收體膜41上之特定位置，使用聚焦離子束(FIB)而形成有例如十字形狀之基準標記13(參照圖10(c))。
再者，圖10(c)中表示如下例子，即，以使保護膜32露出之方式而除去吸收體膜41，從而形成基準標記13，但亦可除去至吸收體膜41之中途為止而形成基準標記13。
其次，對以上述方式製作之形成有基準標記之反射型光罩基底40進行缺陷檢查。
於該情形時，以上述之基準標記13為基準，藉由缺陷檢查裝置而進行缺陷檢查，獲取缺陷檢查所檢測出之缺陷與位置資訊。圖11(b)係模式性地表示對反射型光罩基底40進行之缺陷檢查之結果的圖，圖示之黑點(●)23表示作為一例而檢測出之缺陷之位置。
於本發明中，由於在對於附多層反射膜之基板之缺陷檢查之階段未形成有基準標記，故而可以如下方式進行反射型光罩基底之缺陷檢查、與以基準標記為基準之缺陷之座標管理。
如上所述，吸收體膜41形成於多層反射膜31上，因此，該反射型光罩基底40之缺陷檢查資料亦反映上述已獲取之附多層反射膜之基板30之缺陷檢查。因此，根據附多層反射膜之基板之缺陷與反射型光罩基底之缺陷一致的缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，藉此，可獲得以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料。
即，於本發明中，即使未於附多層反射膜之基板30中之多層反射膜31形成基準標記，亦可根據藉由附多層反射膜之基板30之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底40之缺陷檢查所檢測之缺陷一致的缺陷，對照附多層反射膜之基板30之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底40之缺陷檢查資料，進行以形成於吸收體膜41之基準標記13為基準之座標轉換，藉此，除了獲取以形成於吸收體膜41之基準標記13為基準之反射型光罩基底40之缺陷檢查資料之外，亦獲取以上述基準標記13為基準之附多層反射膜之基板30之缺陷檢查資料。
又，上述附多層反射膜之基板30之缺陷檢查係對於附多層反射膜之基板上的至少圖案形成區域之整個面進行，關於反射型光罩基底40之缺陷檢查，當然亦可進行整面檢查，但可藉由進行部分檢查而大幅度縮短檢查時間。即，於反射型光罩基底40之缺陷檢查中，對於藉由附多層反射膜之基板30之缺陷檢查所檢測出之缺陷中的至少一部分之缺陷，特定出其位置而於1mm見方左右之區域中進行缺陷檢查。區域係考慮檢查之位置偏移而設定。例如，特定出包含如下各缺陷之缺陷位置23之特定區域B，進行反射型光罩基底40之缺陷檢查，上述各缺陷與藉由附多層反射膜之基板30之缺陷檢查所檢測出之缺陷中的一部分(複數個)缺陷相對應(參照圖 11(b))。例如於對100mm×100mm之區域進行整面檢查之情形時，通常需要約4小時左右，可藉由進行上述部分檢查而例如將檢查時間大幅度縮短為約10分鐘以下。
形成上述基準標記13之方法並不限定於上述使用聚焦離子束之方法。例如於基準標記之剖面形狀為凹形狀之情形時，可藉由光微影法、或利用雷射光形成凹部、使鑽石針掃描之後之加工痕、由微小壓頭產生之壓痕、由壓印法產生之壓紋等而形成上述基準標記13。
於圖12所示之反射型光罩基底之製造步驟中，表示了藉由光微影法而形成上述基準標記13之情形。再者，對與圖10同等之部位附上相同符號，此處省略重複說明。
於利用光微影法而形成基準標記之情形時，如圖12(b)所示，於反射型光罩基底40之表面形成光阻膜51。對於該光阻膜51，描繪基準標記13之圖案或進行曝光且進行顯影，從而形成對應於基準標記13之光阻圖案。繼而，將該光阻圖案作為掩膜，對吸收體膜41進行例如乾式蝕刻，藉此，於吸收體膜41上之特定位置形成所期望之基準標記13(參照圖12(c))。
由使用有以上之乾式蝕刻之光微影法形成之基準標記與由聚焦離子束形成之基準標記相比較，被精加工為側壁之垂直性更良好之剖面形狀，因此，例如可使光罩製造之電子束描繪步驟中之基準標記之對準精度進一步提高。
再者，於本發明中，由於目的在於使藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷重合而求出兩者一致的缺陷，故而亦可並非為實際之缺陷，因此，亦可預先於附多層反射膜之基板之多層反射膜上形成偽缺陷，根據藉由附多層反 射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之偽缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之對應於上述偽缺陷之缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料與反射型光罩基底之缺陷檢查資料。
如以上之說明所述，於本發明中，不於多層反射膜形成基準標記，而是於多層反射膜上所形成之吸收體膜形成基準標記，藉此，產生如下所述之作用效果。
1.對於基板上所形成之多層反射膜僅進行通常之缺陷檢查，而不形成基準標記，因此，於多層反射膜形成基準標記時之多層反射膜之污染風險消失。又，無需進行用以除去由多層反射膜之污染引起之缺陷之清洗，從而不會產生由清洗引起之多層反射膜表面(保護膜表面)之損傷。進而，亦無需反覆地進行用以除去由多層反射膜之污染引起之缺陷之清洗與檢查，因此，亦不會產生檢查成本增大、或新的污染風險增大之問題。
2.對於反射型光罩基底之缺陷檢查係以形成於吸收體膜之基準標記為基準而進行，於其後之光罩製造之電子束描繪步驟中，可使用與上述相同之基準標記而進行對準，因此，對準精度提高。又，吸收體膜之膜厚較多層反射膜之膜厚薄，而且吸收體膜為單一層，或至多為2~3層之積層膜，因此，可縮短標記形成之加工時間，從而可形成垂直性高之剖面形狀之基準標記，故而對準精度提高。
3.於在吸收體膜上形成基準標記之過程中，不會產生對於玻璃基板之蝕刻損傷，因此，易於循環使用玻璃基板。
又，如上述說明所述，藉由獲得如上所述之於吸收體膜形成有基準標記之反射型光罩基底，於缺陷檢查中，可決定缺陷位置之基準點而獲取包含缺陷位置(基準點與缺陷之相對位置)資訊之精度佳之缺陷資訊(缺陷 映射)。進而，於光罩之製造中，可根據該缺陷資訊而與預先設計之描繪資料(光罩圖案資料)進行對照，以減小由缺陷造成之影響之方式，高精度地對描繪資料進行修正(補正)，其結果，可減少最終製造之反射型光罩中之缺陷。
再者，上述說明之本發明之反射型光罩基底40亦包含如下態樣，即，於上述吸收體膜41上形成有光阻膜51。如上所述，此種光阻膜可用於如下情形，該情形係指利用光微影法而於吸收體膜或積層膜形成基準標記之情形。又，此種光阻膜亦可於藉由光微影法而使形成有基準標記之反射型光罩基底之吸收體膜或積層膜圖案化時使用。
又，本發明之反射型光罩基底40亦包含如下態樣，即，於上述吸收體膜41與上述光阻膜51之間形成有硬遮罩膜(亦稱為蝕刻遮罩膜)。硬遮罩膜係於使吸收體膜41圖案化時具有遮罩功能者，且包含蝕刻選擇性與吸收體膜41最上層之材料不同之材料。例如，於吸收體膜41為Ta單體或包含Ta之材料之情形時，硬遮罩膜可使用鉻或鉻化合物、或者矽或矽化合物等之材料。作為鉻化合物，可列舉包含Cr與選自N、O、C、H之至少一種元素之材料。作為矽化合物，可列舉包含Si與選自N、O、C、H之至少一種元素之材料、或者於矽或矽化合物中包含金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等之材料。作為金屬矽化合物，可列舉包含金屬、Si與選自N、O、C、H之至少一種元素之材料。於吸收體膜41為自多層反射膜31側包含Ta之材料、與包含Cr之材料之積層膜之情形時，硬遮罩膜之材料可選擇蝕刻選擇性與包含Cr之材料不同之矽、矽化合物、金屬矽化物、及金屬矽化物化合物等。
又，本發明之反射型光罩基底40亦可設為如下構成，即，利用包含 蝕刻選擇性互不相同之材料之最上層與除其以外之層之積層膜構成吸收體膜，且最上層具有作為相對於除其以外之層之硬遮罩膜之功能。
圖13及圖14分別係表示本發明之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之其他實施形態的剖面圖。再者，對與圖10同等之部位附上相同符號，此處省略重複說明。
於吸收體膜41上形成有硬遮罩膜之反射型光罩基底40可採用具有各製程之反射型光罩基底之製造方法，即，與上述同樣地對附多層反射膜之基板30進行缺陷檢查之後，於保護膜32上形成吸收體膜41(圖13(b))。其次，進行吸收體膜41之缺陷檢查，或不進行該缺陷檢查而於吸收體膜41上形成硬遮罩膜61(圖13(c))，於該硬遮罩膜61形成基準標記13(圖13(d))。其後，以上述基準標記13為基準而進行反射型光罩基底40之缺陷檢查。
於上述步驟中，當以形成於上述硬遮罩膜61之基準標記13為基準而進行缺陷檢查時，於檢測基準標記13而對比度不充分之情形下，亦可根據形成於上述硬遮罩膜61之基準標記13，亦在位於該硬遮罩膜61下方之吸收體膜41形成基準標記13(圖13(e))，且以該基準標記13為基準而進行反射型光罩基底40之缺陷檢查。
或者，與上述同樣地對附多層反射膜之基板30進行缺陷檢查之後，於保護膜32上形成吸收體膜41(圖14(b))。其次，於吸收體膜41上形成基準標記13(圖14(c))。其次，以基準標記13為基準而進行吸收體膜41之缺陷檢查，或不進行該缺陷檢查而於吸收體膜41上形成硬遮罩膜61(圖14(d))。其後，亦可以上述基準標記13為基準而進行反射型光罩基底40之缺陷檢查。
再者，於圖13及圖14中，以括號表示有「缺陷檢查」之部位係指上述「進行吸收體膜41之缺陷檢查，或不進行該缺陷檢查」。
又，於圖13或圖14所示之實施形態中，對於附多層反射膜之基板30之缺陷檢查亦係進行整面檢查，但當以基準標記13為基準而進行反射型光罩基底40之缺陷檢查時，較佳為以上述方式進行部分檢查。
[反射型光罩]
本發明亦提供使上述構成之反射型光罩基底之上述吸收體膜圖案化的反射型光罩之製造方法。
即，使上述反射型光罩基底40之吸收體膜41圖案化而形成吸收體膜圖案41a，藉此製作反射型光罩50(參照圖10(d)、圖12(d))。
作為使反射型光罩基底之成為轉印圖案之上述吸收體膜圖案化之方法，光微影法最佳。再者，於使用包含上述蝕刻遮罩膜之構成之反射型光罩基底而製造反射型光罩之情形時，亦可最終除去蝕刻遮罩膜，但即使殘存，只要不對作為反射型光罩之功能產生影響，則亦可不特別地將其除去。
使上述構成之反射型光罩基底40之吸收體膜41圖案化而獲得之反射型光罩50，可獲得藉由基於附多層反射膜之基板30或反射型光罩基底40之缺陷資訊之描繪資料之補正、修正而減少了缺陷之反射型光罩。
實施例
以下，根據實施例，更具體地對本發明之實施形態進行說明。
(實施例1)
準備如下SiO2-TiO2系之玻璃基板(大小為約152.0mm×約152.0mm，厚度約為6.35mm)，該SiO2-TiO2系之玻璃基板係使用雙面研磨裝 置，藉由氧化鈰研磨粒或矽酸膠研磨粒而階段性地進行研磨，且利用低濃度之矽氟酸對基板表面進行表面處理所得者。所獲得之玻璃基板之表面粗糙度以均方根粗糙度(RMS)計為0.25nm(由原子力顯微鏡進行測定。測定區域為1μm×1μm)。
利用平坦度測定裝置(TROPEL公司製造之UltraFlat)對該玻璃基板之表背兩面之表面形狀(表面形態、平坦度)進行測定(測定區域為148mm×148mm)，結果，玻璃基板表面及背面之平坦度約為290nm。
其次，對玻璃基板表面實施局部表面加工而調整表面形狀。
對所獲得之玻璃基板表面之表面形狀(表面形態、平坦度)與表面粗糙度進行之後，於142mm×142mm之測定區域中，表背面之平坦度為80nm，其為100nm以下，因此良好。
其次，使用B摻雜Si靶材，且使用Ar氣體與He氣體之混合氣體作為濺鍍氣體，藉由DC(Direct Current，直流)磁控濺鍍而形成100nm之Si基底層之後，對Si膜施加熱能而進行應力減小處理。
其後，關於Si基底層表面，為了維持表面形狀且減小表面粗糙度，進行使用有單面研磨裝置之精密研磨。
對所獲得之Si基底層表面之表面形狀(表面形態、平坦度)與表面粗糙度進行測定之後，於142mm×142mm之測定區域中，平坦度為80nm，其為100nm以下，因此良好。又，於1μm×1μm之測定區域中，表面粗糙度以均方根粗糙度RMS計為0.08nm，其極其良好。由於具有RMS為0.1nm以下之極高之平滑性，故而高感度之缺陷檢查裝置中之背景雜訊減少，於偽缺陷檢測抑制之方面亦有效果。
又，於1μm×1μm之測定區域中，最大高度(Rmax)為0.60nm， Rmax/RMS為7.5，表面粗糙度之不均小且良好。
其次，使用離子束濺鍍裝置，以Si膜(膜厚：4.2nm)與Mo膜(膜厚：2.8nm)為一個週期，於Si基底層上積層40個週期，最後形成Si膜(膜厚：4nm)，進而於其上形成包含RuNb之保護膜(膜厚：2.5nm)，從而獲得附多層反射膜之基板。
其次，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)，以基板主表面之中心為基準，對附多層反射膜之基板表面進行缺陷檢查。於該缺陷檢查中，獲取以上述基板主表面之中心為基準之凸出、凹陷之缺陷位置資訊、與缺陷尺寸資訊，且製成缺陷映射。
又，藉由EUV反射率計而對該附多層反射膜之基板之保護膜表面之反射率進行評價之後，基底層表面粗糙度不均受到抑制，藉此，該反射率為64%±0.2%，其良好。
其次，使用DC磁控濺鍍裝置，於上述附多層反射膜之基板之保護膜上，形成包含TaBN膜(膜厚：56nm)與TaBO膜(膜厚：14nm)之積層膜之吸收體膜，又，於背面形成CrN導電膜(膜厚：20nm)而獲得EUV反射型光罩基底。
其次，於上述吸收體膜表面之特定部位，依照以下之表面形狀而形成剖面形狀為凹形狀之基準標記。使用聚焦離子束形成基準標記。此時之條件設為加速電壓50kV、離子束電流值20pA。形成基準標記之後進行清洗。
再者，於本實施例中，作為基準標記，以成為如圖2所示之配置關係之方式而形成上述主標記與輔助標記。主標記13a係大小為5μm×5μm之矩形，深度為完全除去吸收體膜所得之深度，因此，該深度設為約70 nm。又，輔助標記13b、13c均係大小為1μm×200μm之矩形，深度為完全除去吸收體膜所得之深度，因此，該深度設為約70nm。
藉由原子力顯微鏡(AFM，atomic force microscope)對基準標記之剖面形狀進行觀察之後，該剖面形狀為良好之剖面形狀，其側壁之傾斜角度為87度，且吸收體膜表面與側壁之間之脊線部之曲率半徑約為120nm。
又，已確認形成於吸收體膜之上述基準標記之對比度高達0.020，可利用電子束描繪裝置或基底檢查裝置而精度良好地被檢測，而且缺陷檢測位置之偏差亦為81nm，可再現性良好地被檢測。
關於所獲得之EUV反射型光罩基底，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)進行缺陷檢查。該缺陷檢查以上述基準標記為基準而獲取凸出、凹陷之缺陷位置資訊與缺陷尺寸資訊。
此處，根據藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測之缺陷的一致之複數個缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，進行以形成於吸收體膜之基準標記為基準之座標轉換，藉此，獲取以形成於吸收體膜之基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷檢查資料、與以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
如此，獲得使反射型光罩基底、與上述缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊相對應之附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底。
再者，對於藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷中的至少一部分之缺陷，特定出其位置而進行上述反射型光罩基底之缺陷檢查(部分檢查)，藉此，與進行整面檢查之情形相比較，可大幅度地縮短檢查時間。
其次，使用該附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底而製作EUV反射型光罩。
首先，於EUV反射型光罩基底上，藉由旋塗法而塗佈電子束描繪用光阻，進行烘焙而形成光阻膜。
其次，根據EUV反射型光罩基底之缺陷資訊而與預先設計之光罩圖案資料進行對照，修正為對於使用有曝光裝置之圖案轉印無影響之光罩圖案資料，或於判斷為對圖案轉印存在影響之情形時，例如以將缺陷隱藏於圖案下方之方式，修正為追加有修正圖案資料之光罩圖案資料，或對於修正圖案資料亦無法應對之缺陷，修正為可減少製作光罩之後的缺陷修正負荷之光罩圖案資料，根據該修正之後之光罩圖案資料，藉由電子束而對上述光阻膜描繪光罩圖案且進行顯影，從而形成光阻圖案。於本實施例中，可高精度地管理上述基準標記與缺陷之相對位置關係，因此，可高精度地進行光罩圖案資料之修正。
將該光阻圖案作為掩膜，對於吸收體膜，藉由氟系氣體(CF4氣體)而蝕刻除去TaBO膜，藉由氯系氣體(Cl2氣體)而蝕刻除去TaBN膜，從而於保護膜上形成吸收體膜圖案。
進而，利用熱硫酸除去殘留於吸收體膜圖案上之光阻圖案，獲得EUV反射型光罩。
藉由光罩缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)對上述獲得之EUV反射型光罩進行檢查之後，並未於多層反射膜上確認凸缺陷。
當將以上述方式獲得之反射型光罩放置於曝光裝置，且將圖案轉印至形成有光阻膜之半導體基板上時，亦無由反射型光罩引起之轉印圖案之 缺陷，可進行良好之圖案轉印。
(實施例2)
除了藉由光微影法而形成上述實施例1中之基準標記以外，與實施例1同樣地製作反射型光罩基底。再者，基準標記之形成位置、基準標記之表面形狀及剖面形狀與實施例1相同。
即，與實施例1同樣地，於如下EUV反射型光罩基底上，藉由旋塗法而塗佈電子束描繪用光阻，進行烘焙而形成光阻膜，該EUV反射型光罩基底於基板上形成有基底層、多層反射膜、保護膜及吸收體膜。
其次，藉由電子束而對上述光阻膜描繪基準標記之圖案且進行顯影，從而形成光阻圖案。
將該光阻圖案作為掩膜，進行吸收體膜之乾式蝕刻，於吸收體膜形成基準標記。
藉由原子力顯微鏡(AFM)對所形成之基準標記之剖面形狀進行觀察之後，側壁之傾斜角度為89度，與使用實施例1之聚焦離子束相比較，形成了側壁之垂直性更良好之形狀之基準標記。
與實施例1同樣地，根據藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷的一致之複數個缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，進行以形成於吸收體膜之基準標記為基準之座標轉換，藉此，獲取以形成於吸收體膜之基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷檢查資料、與以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
如此，獲得使反射型光罩基底、與上述缺陷位置資訊、缺陷尺寸資 訊相對應之附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底。
其次，與實施例1同樣地，使用該附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底而製作EUV反射型光罩。
藉由光罩缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)對所獲得之EUV反射型光罩進行檢查之後，並未於多層反射膜上確認凸缺陷。
當將以上述方式獲得之反射型光罩放置於曝光裝置，且將圖案轉印至形成有光阻膜之半導體基板上時，亦無由反射型光罩引起之轉印圖案之缺陷，可進行良好之圖案轉印。
(參考例)
除了不於吸收體膜形成上述實施例1中之基準標記，而於多層反射膜形成上述實施例1中之基準標記以外，與實施例1同樣地製作附多層反射膜之基板及反射型光罩基底。
對於在與實施例1相同之基板上形成有基底層、多層反射膜及保護膜之附多層反射膜之基板中的具有上述保護膜之多層反射膜，於特定部位，依照以下之表面形狀而形成有剖面形狀為凹形狀之基準標記。使用聚焦離子束形成基準標記。此時之條件設為加速電壓50kV、離子束電流值20pA。形成基準標記之後進行清洗。
於本參考例中，作為基準標記，以成為如圖2所示之配置關係之方式而形成與實施例1相同之主標記與輔助標記。主標記13a係大小為5μm×5μm之矩形，深度為完全除去多層反射膜所得之深度，因此，該深度設為約280nm。又，輔助標記13b、13c均係大小為1μm×200μm之矩形，深度為完全除去多層反射膜所得之深度，因此，該深度設為約280nm。
藉由原子力顯微鏡(AFM)對基準標記之剖面形狀進行觀察之後，側 壁之傾斜角度為85度，與上述實施例相比較，側壁之垂直性已下降。
又，已確認形成於多層反射膜之上述基準標記之對比度高達0.025，可利用基底檢查裝置而精度良好地被檢測，而且缺陷檢測位置之偏差亦為83nm，可再現性良好地被檢測。
關於所獲得之附多層反射膜之基板，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)進行缺陷檢查。
缺陷檢查之結果係已檢測出多個缺陷，因此，再次反覆進行清洗與缺陷檢查。認為檢測出多個缺陷之原因在於：於多層反射膜形成基準標記之過程中，產生了多個異物缺陷。
藉由上述再次之缺陷檢查，以上述基準標記為基準而獲取凸出、凹陷之缺陷位置資訊與缺陷尺寸資訊。
又，藉由EUV反射率計而對形成有該基準標記之附多層反射膜之基板的保護膜表面之反射率進行評價之後，反射率為62%，其稍低於形成基準標記之前之保護膜表面之反射率。
其次，於形成有上述基準標記之附多層反射膜之基板上，形成與實施例1相同之吸收體膜，從而獲得反射型光罩基底。
關於所獲得之反射型光罩基底，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)進行缺陷檢查。於該缺陷檢查中，以上述基準標記為基準而獲取凸出、凹陷之缺陷位置資訊與缺陷尺寸資訊。
如此，獲得使反射型光罩基底、與上述缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊相對應之附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底。
其次，使用該附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底，與實施例1同樣地製作EUV反射型光罩。
再者，於圖案描繪步驟中，根據EUV反射型光罩基底之缺陷資訊而與預先設計之光罩圖案資料進行對照，修正為對於使用有曝光裝置之圖案轉印無影響之光罩圖案資料，或於判斷為對圖案轉印存在影響之情形時，例如以將缺陷隱藏於圖案下方之方式，修正為追加有修正圖案資料之光罩圖案資料，或對於修正圖案資料亦無法應對之缺陷，修正為可減少製作光罩之後的缺陷修正負荷之光罩圖案資料，根據該修正之後之光罩圖案資料，藉由電子束而對光阻膜描繪光罩圖案且進行顯影，從而形成光阻圖案。
藉由光罩缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)對所獲得之EUV反射型光罩進行檢查之後，於多層反射膜上亦確認有多個凸缺陷。
推測其原因在於：於上述多層反射膜形成基準標記之過程中所產生之異物缺陷之一部分未因其後之清洗被除去，而是殘留於多層反射膜上；或於光罩製造時之電子束描繪步驟中，使用因表面形成有吸收體膜而導致標記形狀發生了變化之基準標記進行對準，因此，由標記形狀之變化產生之對準誤差產生了影響。
(實施例3)
本實施例製作如下反射型光罩基底，該反射型光罩基底將實施例1、2中之吸收體膜設為包含材料不同之積層膜之相位偏移膜。
與上述實施例1同樣地製作附多層反射膜之基板，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)，以基板主表面之中心為基準，對附多層反射膜之基板表面進行缺陷檢查。於該缺陷檢查中，獲取以上述基板主表面之中心為基準之凸出、凹陷之缺陷位置資訊、與缺陷尺寸 資訊，且製成缺陷映射。
其次，使用DC磁控濺鍍裝置，於上述附多層反射膜之基板之保護膜上，形成包含TaN膜(膜厚：27nm)與CrCON膜(膜厚25nm)之積層膜之相位偏移膜，又，於背面形成CrN導電膜(膜厚：20nm)而獲得EUV反射型光罩基底。
再者，設定構成上述已形成之相位偏移膜之TaN膜、CrCON膜之折射率n、消光係數k、膜厚，使得於作為反射型光罩時，形成於保護膜上之相位偏移膜圖案中之反射率為2%(波長為13.5nm)，且相位偏移膜圖案與保護膜露出部之反射光之相位差為180度。
其次，與實施例2同樣地，藉由光微影法而於包含積層膜之相位偏移膜形成基準標記。再者，基準標記之形成位置、基準標記之表面形狀及剖面形狀與實施例2相同。
首先，於上述EUV反射型光罩基底上，藉由旋塗法而塗佈電子束描繪用光阻，進行烘焙而形成光阻膜。
其次，藉由電子束而對上述光阻膜描繪基準標記之圖案且進行顯影，從而形成光阻圖案。
將該光阻圖案作為掩膜，藉由Cl2氣體與O2氣體之混合氣體而進行CrCON膜之乾式蝕刻，其後，藉由Cl2氣體而進行TaN膜之乾式蝕刻，藉此，於相位偏移膜形成基準標記。
藉由原子力顯微鏡(AFM)對所形成之基準標記之剖面形狀進行觀察之後，側壁之傾斜角度為88度，形成了良好形狀之基準標記。
與實施例1同樣地，根據藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與以上述基準標記為基準之藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢 測出之缺陷的一致之複數個缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，進行以形成於相位偏移膜之基準標記為基準之座標轉換，藉此，獲取以形成於相位偏移膜之基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷檢查資料、與以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
如此，獲得使反射型光罩基底、與上述缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊相對應之附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底。
其次，與實施例1同樣地，使用該附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底而製作EUV反射型光罩。
藉由光罩缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)對所獲得之EUV反射型光罩進行檢查之後，並未於多層反射膜上確認凸缺陷。
當將以上述方式獲得之反射型光罩放置於曝光裝置，且將圖案轉印至形成有光阻膜之半導體基板上時，亦無由反射型光罩引起之轉印圖案之缺陷，可進行良好之圖案轉印。
(實施例4)
製作於上述實施例3之相位偏移膜上形成有硬遮罩膜之反射型光罩基底。
與上述實施例1同樣地製作附多層反射膜之基板，利用基底缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)，以基板主表面之中心為基準，對附多層反射膜之基板表面進行缺陷檢查。於該缺陷檢查中，獲取以上述基板主表面之中心為基準之凸出、凹陷之缺陷位置資訊、與缺陷尺寸資訊，且製作缺陷映射。
其次，使用DC磁控濺鍍裝置，於上述附多層反射膜之基板之保護膜 上，形成包含TaN膜(膜厚：5nm)與CrCON膜(膜厚46nm)之積層膜之相位偏移膜，使用RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍裝置而於上述相位偏移膜上形成SiO2膜(膜厚：5nm)。又，於背面形成CrN導電膜(膜厚：20nm)而獲得EUV反射型光罩基底。
再者，設定構成上述已形成之相位偏移膜之TaN膜、CrCON膜之折射率n、消光係數k、膜厚，使得於作為反射型光罩時，形成於保護膜上之相位偏移膜圖案中之反射率為26%(波長13.5nm)，且相位偏移膜圖案與保護膜露出部之反射光之相位差為180度。
其次，與實施例3同樣地，藉由光微影法而於包含積層膜之相位偏移膜、硬遮罩膜之上部形成基準標記。再者，基準標記之形成位置、基準標記之表面形狀及剖面形狀與實施例3相同。
於上述EUV反射型光罩基底上，藉由旋塗法而塗佈電子束描繪用光阻，進行烘焙而形成光阻膜。
其次，藉由電子束而對上述光阻膜描繪基準標記之圖案且進行顯影，從而形成光阻圖案。
將該光阻圖案作為掩膜，藉由CF4氣體而進行SiO2膜之乾式蝕刻，其後，藉由Cl2氣體與O2氣體之混合氣體而進行CrCON膜之乾式蝕刻，藉由Cl2氣體而進行TaN膜之乾式蝕刻，藉此，於硬遮罩膜、相位偏移膜之積層膜形成基準標記。
藉由原子力顯微鏡(AFM)對所形成之基準標記之剖面形狀進行觀察之後，側壁之傾斜角度為87度，形成了良好形狀之基準標記。
與實施例1同樣地，根據藉由附多層反射膜之基板之缺陷檢查所檢測出之缺陷與藉由反射型光罩基底之缺陷檢查所檢測出之缺陷的一致之複數 個缺陷，對照附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料、與反射型光罩基底之缺陷檢查資料，進行以形成於吸收體膜之基準標記為基準之座標轉換，藉此，獲取以形成於吸收體膜之基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷檢查資料、與以上述基準標記為基準之附多層反射膜之基板之缺陷檢查資料。
如此，獲得使反射型光罩基底、與上述缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊相對應之附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底。
其次，與實施例1同樣地，使用該附缺陷資訊之EUV反射型光罩基底而製作EUV反射型光罩。再者，藉由CF4氣體而進行乾式蝕刻，將殘留於相位偏移膜圖案上之包含SiO2膜之硬遮罩膜除去。
藉由光罩缺陷檢查裝置(KLA-Tencor公司製造之Teron600系列)對所獲得之EUV反射型光罩進行檢查之後，並未於多層反射膜上確認凸缺陷。
當將以上述方式獲得之反射型光罩放置於曝光裝置，且將圖案轉印至形成有光阻膜之半導體基板上時，亦無由反射型光罩引起之轉印圖案之缺陷，可進行良好之圖案轉印。
再者，於上述實施例中，列舉藉由聚焦離子束或光微影法而形成基準標記之例子進行了說明，但並不限定於此。如上述說明所述，除了上述方法以外，亦可藉由利用雷射光等之凹部形成過程、使鑽石針掃描之後之加工痕、由微小壓頭產生之壓痕、由壓印法產生之壓紋等而形成上述基準標記。
又，於上述實施例中，列舉與附多層反射膜之基板、反射型光罩基底一併形成有基底層之例子而進行了說明，但不限於此。亦可為未形成有基底層之附多層反射膜之基板、反射型光罩基底。
11‧‧‧玻璃基板
13‧‧‧基準標記
21‧‧‧基底層
30‧‧‧附多層反射膜之基板
31‧‧‧多層反射膜
32‧‧‧保護膜
40‧‧‧反射型光罩基底
41‧‧‧吸收體膜
41a‧‧‧吸收體膜圖案
42‧‧‧背面導電膜
50‧‧‧反射型光罩

Claims (8)

  1. 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有積層膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板利用缺陷檢查裝置進行缺陷檢查，獲取上述多層反射膜之第1缺陷資訊；於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述積層膜；於上述積層膜之上部形成基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；形成上述基準標記後，利用與上述缺陷檢查裝置不同之座標測量器特定出形成有上述基準標記之形成位置；以及對上述多層反射膜之上述第1缺陷資訊進行座標轉換，成為以上述基準標記作為基準之上述多層反射膜之第2缺陷資訊。
  2. 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：該反射型光罩基底係於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜，該反射型光罩基底之製造方法包含如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板利用缺陷檢查裝置進行缺陷檢查，獲取上述多層反射膜之第1缺陷資訊； 於上述附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上形成上述吸收體膜；於上述吸收體膜形成基準標記，從而形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底形成有該基準標記；形成上述基準標記後，利用與上述缺陷檢查裝置不同之座標測量器特定出形成有上述基準標記之形成位置；以及對上述多層反射膜之上述第1缺陷資訊進行座標轉換，成為以上述基準標記作為基準之上述多層反射膜之第2缺陷資訊。
  3. 如請求項1之反射型光罩基底之製造方法，其中上述積層膜為包含積層構造之吸收體膜。
  4. 如請求項1之反射型光罩基底之製造方法，其中上述積層膜包含吸收體膜與形成於該吸收體膜上之硬遮罩膜。
  5. 如請求項4之反射型光罩基底之製造方法，其中上述基準標記係形成於上述硬遮罩膜。
  6. 如請求項4或5之反射型光罩基底之製造方法，其中上述基準標記係形成於上述吸收體膜。
  7. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：於藉由如請求項1或2之反射型光罩基底之製造方法而獲得之反射型光罩基底上形成光阻膜，根據 上述缺陷資訊而與預先設計之光罩圖案資料進行對照，藉此對上述光阻膜進行光罩圖案之描繪及顯影。
  8. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：將藉由如請求項1或2之反射型光罩基底之製造方法獲得之反射型光罩基底的上述積層膜或上述吸收體膜圖案化，形成積層膜圖案或吸收體膜圖案。
TW107117547A 2013-02-22 2014-02-21 反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法 TWI705484B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013033408 2013-02-22
JP2013-033408 2013-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201909239A TW201909239A (zh) 2019-03-01
TWI705484B true TWI705484B (zh) 2020-09-21

Family

ID=51391311

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103105958A TWI628695B (zh) 2013-02-22 2014-02-21 Method for manufacturing reflective mask base and method for manufacturing reflective mask
TW107117547A TWI705484B (zh) 2013-02-22 2014-02-21 反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103105958A TWI628695B (zh) 2013-02-22 2014-02-21 Method for manufacturing reflective mask base and method for manufacturing reflective mask

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10067419B2 (zh)
JP (1) JP6357143B2 (zh)
KR (2) KR102219307B1 (zh)
TW (2) TWI628695B (zh)
WO (1) WO2014129527A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10067419B2 (en) * 2013-02-22 2018-09-04 Hoya Corporation Method for manufacturing reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask
JP6499440B2 (ja) * 2014-12-24 2019-04-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP6792901B2 (ja) * 2016-03-31 2020-12-02 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
US10908496B2 (en) 2016-04-25 2021-02-02 Asml Netherlands B.V. Membrane for EUV lithography
US9870612B2 (en) * 2016-06-06 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for repairing a mask
KR20180072036A (ko) * 2016-12-20 2018-06-29 삼성전자주식회사 마스크 처리 장치 및 방법
US11086209B2 (en) 2017-04-27 2021-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV lithography mask with a porous reflective multilayer structure
DE102017212848A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren und Vorrichtung zum Kompensieren von Defekten eines Maskenrohlings
TWI667530B (zh) * 2017-09-28 2019-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 Inspection method and inspection device
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
US10416061B2 (en) * 2017-12-08 2019-09-17 Fca Us Llc Blank washer inspection system
JPWO2019225737A1 (ja) 2018-05-25 2021-06-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP7447812B2 (ja) * 2019-01-21 2024-03-12 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、および反射型マスクブランクの製造方法
JP7018162B2 (ja) * 2019-02-28 2022-02-09 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP6678269B2 (ja) * 2019-03-15 2020-04-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP7310472B2 (ja) 2019-09-13 2023-07-19 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
US20220308438A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Hoya Corporation Method for manufacturing multilayered-reflective-film-provided substrate, reflective mask blank and method for manufacturing the same, and method for manufacturing reflective mask
CN113674250B (zh) * 2021-08-25 2023-10-20 长鑫存储技术有限公司 光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200849332A (en) * 2007-04-17 2008-12-16 Asahi Glass Co Ltd EUV mask blank
TW201107873A (en) * 2009-03-26 2011-03-01 Hoya Corp Multilayer-reflective-film coated substrate for a reflective mask and reflective mask blank and methods of manufacturing the same
TW201243487A (en) * 2011-01-26 2012-11-01 Asahi Glass Co Ltd Method for manufacturing photomask

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6627362B2 (en) * 2001-10-30 2003-09-30 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
JP2003248299A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Toshiba Corp マスク基板およびその製造方法
JP2003151902A (ja) * 2002-11-18 2003-05-23 Canon Inc 露光装置とこれによる半導体デバイス
US7212282B2 (en) * 2004-02-20 2007-05-01 The Regents Of The University Of California Method for characterizing mask defects using image reconstruction from X-ray diffraction patterns
KR101100003B1 (ko) 2004-03-09 2011-12-28 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 생산 시스템
JP2008129914A (ja) 2006-11-22 2008-06-05 Toshiba Corp ソフトウェア検証用モデル生成装置、及びソフトウェア検証用モデル生成方法
JP5039495B2 (ja) 2007-10-04 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法
JP2009251412A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
JP2012038786A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Dainippon Printing Co Ltd 擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法
JP2012059984A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Nuflare Technology Inc マスク検査装置及び露光用マスク製造装置
JP5846785B2 (ja) * 2011-07-08 2016-01-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 投影露光方法、投影露光装置、およびマスクパターンの転写方法
KR101993322B1 (ko) * 2011-09-28 2019-06-26 호야 가부시키가이샤 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법
JP6460617B2 (ja) * 2012-02-10 2019-01-30 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP6111243B2 (ja) * 2012-03-28 2017-04-05 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US10067419B2 (en) * 2013-02-22 2018-09-04 Hoya Corporation Method for manufacturing reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200849332A (en) * 2007-04-17 2008-12-16 Asahi Glass Co Ltd EUV mask blank
TW201107873A (en) * 2009-03-26 2011-03-01 Hoya Corp Multilayer-reflective-film coated substrate for a reflective mask and reflective mask blank and methods of manufacturing the same
TW201243487A (en) * 2011-01-26 2012-11-01 Asahi Glass Co Ltd Method for manufacturing photomask

Also Published As

Publication number Publication date
KR102330533B1 (ko) 2021-11-24
US10067419B2 (en) 2018-09-04
WO2014129527A1 (ja) 2014-08-28
KR102219307B1 (ko) 2021-02-23
JPWO2014129527A1 (ja) 2017-02-02
KR20150120419A (ko) 2015-10-27
US20160004153A1 (en) 2016-01-07
TW201440120A (zh) 2014-10-16
TW201909239A (zh) 2019-03-01
US11131921B2 (en) 2021-09-28
TWI628695B (zh) 2018-07-01
KR20210021141A (ko) 2021-02-24
JP6357143B2 (ja) 2018-07-11
US20180348628A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI705484B (zh) 反射型光罩基底之製造方法及反射型光罩之製造方法
JP6460617B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
TWI743100B (zh) 反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
JP6460619B2 (ja) 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
TW201928503A (zh) 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
JP6713251B2 (ja) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法
JP6561099B2 (ja) 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法
TWI808103B (zh) 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法