KR20100037799A - 극자외선 블랭크 마스크 제작 시 기준 마크를 삽입하고, 마스크 패턴 전 기준 마크를 오픈함으로써, 마스크 패턴 시결함을 피해가는 반사형 포토마스크 제작방법 - Google Patents
극자외선 블랭크 마스크 제작 시 기준 마크를 삽입하고, 마스크 패턴 전 기준 마크를 오픈함으로써, 마스크 패턴 시결함을 피해가는 반사형 포토마스크 제작방법 Download PDFInfo
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Abstract
극자외선(EUV) 광원을 사용하는 반사형 포토마스크에 관한 것으로서, 반사형 포토마스크 제작 공정은, 포토마스크의 원판이 되는 블랭크 마스크를 제작하는 공정과 블랭크 마스크 상면에 패턴을 형성하여 포토마스크를 완성하는 공정으로 구분되고, 블랭크 마스크의 제작이 완료된 상태에서는 마스크 라이터가 전자 빔을 이용해서 얼라인 할 때, 얼라인 마크의 윤곽이 쉽게 인식되지 않기 때문에, 블랭크 마스크 제작단계 특히, 몰리브덴층과 실리콘층의 다층 반사막 제작단계에서 미리 기준 마크를 삽입하고, 기준 마크와 결함의 상대위치를 먼저 파악해 둔 뒤, 블랭크 마스크 완성 후 마스크 패턴 형성 전에 미리 기준 마크를 열어둠으로써, 전자 빔을 이용한 마스크 패턴 형성시 기준 마크와 결함의 상대적 위치정보를 토대로 쉽고 정확하게 얼라인을 할 수 있는 반사형 포토마스크 제작방법에 관한 것이다.
반사형 마스크, 극자외선, 다층 반사막, 결함, 블랭크 마스크
Description
본 발명은 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하기 위하여, 극자외선(EUV) 리소그래피 노광 기술을 이용한 반사형 포토마스크 제작방법에 관한 것으로, 특히, 반사형 블랭크 마스크의 다층 반사막 제작시 패턴 형성과 관련이 없는 영역에 기준이 되는 마크를 미리 삽입하고, 마스크 패턴 형성 이전에 기준 마크를 열어줌으로써, 마스크 패턴 형성시 다층 반사막 사이의 결함을 쉽게 인식하고 피해갈 수 있는 반사형 포토마스크 제작방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정의 포토리소그래피 공정에 있어서, 고집적화를 위하여 디자인 룰이 축소됨에 따라, 현재의 기술보다도 높은 해상도를 갖는 노광기술이 요구되고 있다. 따라서, 이와 같은 포토리소그래피 공정으로 구현할 수 있는 패턴의 임계 치수(Critical Demension)는 노광 공정에서 어떤 파장의 광원을 사용하느냐에 크게 의존된다. 이것은 노광 공정을 통해 구현할 수 있는 레지스트 패턴의 폭에 따라 실제 패턴의 임계 치수가 결정되기 때문이다.
예를 들어, 기존에는 G-line(λ=436㎚) 또는 I-line(λ=365㎚)의 광원을 이용한 노광 공정이 수행되었으나, 근래에 들어서는, 상기 광원보다 더 짧은 파장의 KrF(λ=248㎚)를 광원으로 이용한 노광 기술이 개발되고, 아울러, 상기 KrF 보다 더 짧은 파장의 ArF(λ=193㎚)를 광원으로 이용한 노광 공정이 개발되고 있다.
그러나, 이마저도 sub-30㎚ 이하의 패턴을 형성하는 데는 여전히 어려움이 있고, 따라서, 더 짧은 파장을 광원으로 하는 노광 기술과 상기 노광 기술을 기초로 하는 포토마스크 제작방법에 관한 개발이 절실히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 미세 패턴을 형성하는 단파장의 노광 기술에 따른 반사형 포토마스크 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 반사형 포토마스크를 제작하기 위하여, 원판이 되는 블랭크 마스크 상에 결함을 추출할 수 있는 블랭크 마스크 제작방법과, 블랭크 마스크 제작 후 결함을 인식하고 이를 회피할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 블랭크 마스크 제작시, 패턴이 형성될 영역 이외의 주변 영역에 상기 패턴 영역의 기준이 되는 기준 마크를 삽입하고, 상기 기준 마크를 기준으로 하여 상기 블랭크 마스크의 패턴 영역 상에 존재하는 결함의 위치정보를 추출하며, 상기 블랭크 마스크 제작이 완료된 후에, 상기 블랭크 마스크 상에 패턴 형성시 상기 기준 마크를 인식할 수 있도록, 패턴 형성 이전에 상기 주변 영역의 일부를 제거하고, 상기 기준 마크와 추출된 위치정보를 참고하여, 상기 블랭크 마스크의 패턴 영역을 완성한다.
상기 블랭크 마스크 상에 패턴을 형성하는 것은, 추출된 결함의 위치정보를 토대로 결함을 회피해가면서 전자 빔 쓰기(Mask E-beam writing)를 수행하는 것이 다.
상기 블랭크 마스크는, 100㎚ 파장 이하의 EUV 광원을 사용함으로써, 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 반사형 마스크가 사용된다.
상기 기준 마크를 삽입하는 것은, 투명기판 상에 다층 반사막의 증착이 완료된 이후에 실시되고, 상기 결함은 다층 구조가 반복하여 적층되는 과정에서 상기 다층 구조 사이에 발생된다.
상기 다층 반사막은, 몰리브덴과 실리콘이 40번 이상 반복되는 다층 구조이다.
상기 결함의 위치정보가 추출된 후에, 상기 반사막 상에 실리콘층인 캡핑막을 증착하고, 상기 캡핑막 상에 금속층인 흡수막을 증착한다.
상기 기준 마크를 삽입하는 것은, 레이저나 집속 이온빔을 이용하여 보조 가스 식각 함으로써, 상기 반사막의 일부를 제거하고, 제거된 부분에 기준 마크를 삽입한다.
상기 패턴 형성 이전에 상기 주변 영역의 일부를 제거하는 것은, 상기 기준 마크의 가장자리를 정확하게 확정할 수 있도록, 상기 기준 마크가 삽입된 주변 영역의 상기 흡수막, 캡핑막, 반사막을 노광(Photo) 및 식각(Ehch)하여 오픈한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 극자외선 반사형 마스크를 이용함으로써, 미세 패턴 형성이 용이해지 는 작용효과가 기대된다.
둘째, 반사형 블랭크 마스크를 제작할 때, 다층 반사막 사이에 흔히 발생하는 결함의 위치 정보를 삽입된 기준 마크에 의하여 쉽게 추출할 수 있는 작용효과가 기대된다.
셋째, 블랭크 마스크 제작 후, 패턴 형성 전에 기준 마크를 블랭크 마스크로부터 드러냄으로써, 결함의 위치 정보를 토대로 결함을 피해가면서 전자빔 쓰기를 정확하게 얼라인 할 수 있는 작용효과가 기대된다.
넷째, 마스크 얼라인의 경우 기준 마크를 인식하기 위하여, 별도의 광학 얼라인 시스템을 추가할 필요가 없기 때문에 경제적인 작용효과가 기대된다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 극자외선 반사형 포토마스크 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 웨이퍼 상에 더 복잡하고 미세한 패턴을 정밀하게 형성하기 위하여, 본 발명의 리소그래피 노광 기술에서는 248㎚ 파장의 KrF 광원 혹은 193㎚ 파장의 ArF 광원 대신에, 100㎚ 이하의 파장 더 구체적으로는 13.4㎚ 파장의 극자외선(Extreme Ultra Violet: EUV) 광원을 사용하는 것으로 한다.
이때, 극자외선(EUV) 광원을 사용하는 노광장치는, KrF 광원 혹은 ArF 광원을 사용하는 노광장치와 구별되는 점이 있다. 극자외선(EUV) 영역에서는 대부분의 물질이 큰 광 흡수성을 갖기 때문에, 기존의 투과형 포토마스크를 사용할 수 없다. 따라서, 극자외선(EUV) 광원을 사용하는 노광 기술에서는 반사형 포토마스크를 사용하게 된다.
상기 극자외선(EUV) 광원을 사용하는 노광장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 레이저로부터 극자외선(EUV) 광원을 발생하는 제1노광장치(Illuminator: 110)와, 포토마스크(M)와 웨이퍼(W)를 정렬하여 포토마스크(M)에 반사된 극자외선(EUV) 광을 웨이퍼(W)로 입사하는 제2노광장치(Main chamber: 120)로 구성된다.
상기 제1노광장치(110)는, 레이저 광원을 방출하는 레이저 생성부(도시되지 않음)와, 극자외선(EUV) 광원을 발생하는 극자외선 생성부(112)로 구성된다. 상기 제2노광장치(120)는, 포토마스크(M)가 이동가능하게 설치되는 마스크 안착부(122)와, 포토마스크(M)에서 반사된 극자외선(EUV) 광을 재반사하는 미러부(124)와, 웨이퍼(W)가 이동가능하게 설치되는 웨이퍼 안착부(126)로 구성된다.
따라서, 레이저는 극자외선 생성부(112)로 들어가 광 렌즈(c1)를 통해 플라즈마 소스를 형성함으로써, 극자외선(EUV) 광원이 발생한다. 이와 같이 발생 된 극자외선(EUV) 광은 여러 단계의 광 렌즈(c2, c3)를 통과하고 반사된 후, 필터링되어 마스크 안착부(122)로 입사된다.
상기 마스크 안착부(122)에는 포토마스크(M)가 이동 가능하게 설치되고, 정렬된 포토마스크(M)에 입사된 극자외선(EUV) 광은 포토마스크(M)에 의해 반사되며, 포토마스크(M)로부터 반사된 극자외선(EUV) 광은 다시 미러부(124)로 들어가 여러 단계의 미러(m1, m2, m3, m4)에 반사되고, 웨이퍼 안착부(126)로 들어간다.
상기 제1노광장치(110)를 이용하여, 노광이 이루어지면, 반사형 포토마스크에 입사되는 극자외선(EUV) 광은 한편으로 후술할 흡수막 패턴이 형성된 부분에서 흡수되고, 다른 한편으로 흡수막 패턴이 형성되지 않는 부분에서 반사되며, 상기 반사된 극자외선(EUV) 광은 제2노광장치(120)를 통해서 웨이퍼(W) 상에 전사된다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 의한 상기 반사형 포토마스크(M)를 제작하기 위해 사전에 준비되는 반사형 블랭크 마스크(200)의 구성을 나타내고 있다. 상기 반사형 블랭크 마스크에 전자 빔 쓰기(E-beam writing)를 통해 패턴을 형성함으로써, 포토마스크(M)가 완성된다.
상기 블랭크 마스크(200)는, 기본적으로 투명기판(210)과, 상기 투명기판 상부에 극자외선(EUV) 광을 반사하는 반사막(220)과, 상기 반사막 상부에 형성된 캡핑막(230)과, 상기 캡핑막 상부에 극자외선(EUV) 광을 흡수하는 흡수막(240)으로 구성된다.
이때, 반사막(220)은 비교적 높은 굴절률을 가지는 몰리브덴 물질과, 비교적 낮은 굴절률을 가지는 실리콘 물질이 수㎚ 두께로 반복하여 적층됨으로써, 다층 구조를 이룬다. 즉, 반사막(220)은 대략 3㎚의 몰리브덴층과, 대략 4㎚의 실리콘층이 한 쌍을 이루면서 41 쌍 정도로 적층되는 구조이다. 따라서, 다층 반사막(220)은 13.4㎚의 극자외선(EUV) 광에 대하여 높은 반사율을 가지게 된다.
하지만, 상기 실리콘층과 몰리브덴층이 반복된 적층 구조를 이루기 때문에, 반사막(220)의 증착시 실리콘층과 몰리브덴층 사이에 결함(defect)이 발생한다. 상기 반사막 사이의 결함으로 인하여, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이 퍼(W) 전사시 패턴 불량을 야기하게 된다. 도 3은, 결함이 반사막의 하부에 발생할 때 나타나는 페이즈 결함(Phase defect)을 보여주고 있다. 도 4는, 결함이 반사막의 상부에 발생할 때 나타나는 엠플러튜드 결함(Amplitude defect)을 보여주고 있다.
상기 결함(defect)을 시정하기 위하여, 결함이 있는 다층 반사막 부분을 도구(tool)를 이용하여 파괴하여 수정할 수 있다. 그 다음 흡수층과 레지스트를 추가적으로 증착하고, 마스크 라이터(Mask writer)를 이용하여 전자 빔 쓰기(E-beam writing)를 할 때, 정렬(alignment)한 상태에서 상기 결함을 피해 공정을 수행하면 된다.
그러나, 상기 마스크 라이터는, 전자 빔(E-beam)를 이용하여 마스크 정렬을 수행하기 때문에, 기준 마크(fiducial mark)를 인식할 수 없는 한계가 있다. 따라서, 기준 마크를 인식하기 위해서는 마스크 라이터 내부에 별도의 광학 정렬 시스템(Optical alignment system)을 마련해야 하는 부담이 있다. 상기 시스템을 마련하기 위해서는 가격 상승을 초래하기도 하지만, 시스템 자체의 에러가 발생하게 되면 오히려 결함이 더욱 가중된다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 별도의 광학 정렬 시스템을 사용하지 않고, 마스크 라이터의 전자 빔(E-beam)을 이용해서도 기준 마크(fiducial mark)를 인식할 수 있도록 함으로써, 전자 빔 쓰기에서 정렬 문제를 쉽게 해결할 수 있다.
예컨대, 반사형 포토마스크 제작 공정은, 원판이 되는 블랭크 마스크를 제작하는 블랭크 마스크 제작 공정과 블랭크 마스크 상면에 패턴을 형성하는 마스크 패 턴 공정으로 구성된다. 상기 블랭크 마스크의 제작이 완료된 상태에서는 마스크 라이터가 전자 빔을 이용해서 마스크 얼라인 할 때, 상기 결함과 기준 마크가 정확하게 인식되지 않기 때문에, 블랭크 마스크 제작단계에서, 기준 마크와 결함의 상대위치를 먼저 파악한 뒤에, 블랭크 마스크가 완성되고 상면에 패턴을 형성할 때, 미리 기준 마크를 열어둠으로써, 기준 마크와 결함의 상대적 위치정보를 토대로 쉽고 정확하게 얼라인을 할 수 있다.
먼저 블랭크 마스크 제작 공정에서는, 기준 마크를 마스크 패턴과 관련이 없는 주변 영역에 삽입하는 것을 특징으로 한다. 다음 제작된 마스크 사용 공정에서는, 마스크 패턴닝 이전에 기준 마크가 삽입된 주변 영역을 열어 기준 마크를 인식할 수 있는 상태에 둠으로써, 기준 마크를 기준으로 본격적인 마스크 패턴닝을 수행하는 것이 또 다른 특징이다.
첫째, 도 5 내지 도 9를 참조하여, 블랭크 마스크 제작 공정에서 기준 마크를 삽입하는 것을 살펴본다.
도 5에 도시된 바와 같이, 실리콘(Si) 혹은 글라스(Glass)의 투명기판(210)을 준비한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 이온빔 스퍼터링 장치를 이용하여 투명기판(210) 상면에 몰리브덴층과 실리콘층을 41번 교대로 적층한다. 즉, 몰리브덴층은 이온빔 발생장치에 몰리브덴 타켓을 장착하고 아르곤 가스를 사용하여 스퍼터링함으로서 적층하고, 실리콘층은 이온빔 발생장치에 실리콘 타켓을 장착하고 아르곤 가스를 사용하여 스퍼터링 함으로서 적층한다.
고 반사율을 확보하기 위하여 상술한 바와 같이 반사막을 몰리브덴과 실리콘 의 다층 구조로 반복하여 증착하다 보니, 다층 구조 사이에 결함(defect)의 발생이 불가피하고, 이를 회피해야 한다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 다층 반사막의 증착 후에 레이저 기타 집속 이온빔(Focused ion beam: FIB) 장치와 보조 가스 식각(Gas assist etching: GAE) 방법을 이용하여 마스크 패턴 영역 이외의 주변 영역 일부를 제거하고, 거기에 기준 마크(fiducial mark)를 삽입한다.
상기 기준 마크를 기준으로 검사를 수행해서 블랭크 마스크 상에 존재하는 결함의 위치 정보를 추출한다. 위치 정보가 파악된 후에는, 이온빔 스퍼터링 장치를 이용하여 실리콘층인 캡핑막(230)을 증착한다. 다음, 이온빔 발생장치에 아르곤 가스를 이용하고, 보조 이온빔 발생장치에 질소 혹은 헬륨 가스를 이용하여 구리, 알루미늄, 티타늄 등과 같이 금속층인 흡수막(240)을 증착한다. 마지막으로, 흡수막(240) 상에 레지스트(250)를 도포하여, 반사형 블랭크 마스크(200)를 완성한다.
둘째, 도 10 및 도 11을 참조하여, 블랭크 마스크 패턴 공정에서 기준 마크를 인식하는 것을 살펴본다.
마스크 전자 빔 쓰기(Mask E-beam writeing)에서는 상기 추출된 결함의 위치 정보를 토대로 결함을 피해가면서 패턴 공정을 수행해야 하는데, 전술한 바와 같이 전자 빔은 레지스트(250)를 투과할 수 있으나, 캡핑막(230)과 흡수막(240) 증착시 스므딩(smoothing) 효과에 의하여 깊게 투과할 수 없는 문제가 있다. 따라서, 기준 마크의 가장자리를 정확하게 확정할 수 없기 때문에, 정렬이 불가능한 한계가 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는 기준 마크를 정확하게 인식하여 정렬할 수 있도록, 기준 마크를 블랭크 마스크에서 드러내는 공정을 수행한다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 패턴 영역에 마스크 전자 빔 쓰기를 하기 이전에 기준 마크가 삽입된 주변 영역을 노광(Photo) 및 식각(Ehch)하여 오픈한다.
이와 같이, 기준 마크의 패턴을 정확하게 인식할 수 있게 됨으로써, 마스크 전자 빔 쓰기 시 정확한 정렬이 가능하고, 상기 기준 마크를 기준으로 다층 반사막의 결함을 피해갈 수 있기 때문에, 블랭크 마스크(200) 상에 패턴 형성이 용이해진다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하기 위하여, 극자외선(EUV) 리소그래피 노광 기술을 이용한 반사형 포토마스크 제작방법에 있어서, 블랭크 마스크의 다층 반사막 제작시 기준 마크를 미리 삽입하고, 마스크 상에 패턴 형성 이전에 기준 마크를 열어줌으로써, 마스크 패턴 형성시 다층 반사막 사이의 결함을 쉽게 인식하고 피해갈 수 있는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 극자외선 광원을 사용하는 노광장치의 사시도.
도 2는 본 발명에 의한 반사형 블랭크 마스크의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 결함이 다층 반사막의 하부에 발생할 때 나타나는 페이즈 결함(Phase defect)을 보여주는 단면도.
도 4는 결함이 다층 반사막의 상부에 발생할 때 나타나는 엠플러튜드 결함(Amplitude defect)을 보여주는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조방법에서 유리기판의 구성을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조방법에서 다층 반사막이 증착된 구성을 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조방법에서 기준 마크를 삽입하는 구성을 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조방법에서 캡핑막과 흡수막이 각각 증착된 구성을 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명에 의한 블랭크 마스크 제조방법에서 레지스트가 도포된 구성을 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명에 의한 마스크 패턴 형성방법에서 기준 마크의 주변 영역이 노광 된 구성을 나타내는 단면도.
도 11은 본 발명에 의한 마스크 패턴 형성방법에서 기준 마크를 드러내기 위 하여 식각 된 구성을 나타내는 단면도.
**도면의 주요구성에 대한 부호의 설명**
100: 노광장치 110: 제1노광장치
112: 극자외선 생성부 120: 제2노광장치
122: 마스크 안착부 124: 미러부
126: 웨이퍼 안착부
200: 블랭크 마스크 210: 투명기판
220: 반사막 230: 캡핑막
240: 흡수막 250: 레지스트
Claims (8)
- 블랭크 마스크 제작시, 패턴이 형성될 영역 이외의 주변 영역에 상기 패턴 영역을 참고할 수 있는 기준 마크를 삽입하고,상기 기준 마크를 기준으로 하여 상기 블랭크 마스크의 패턴 영역 상에 존재하는 결함의 위치정보를 추출하며,상기 블랭크 마스크 제작이 완료된 후, 패턴 형성 전, 상기 블랭크 마스크 상에 패턴 형성시 상기 기준 마크를 인식할 수 있도록, 상기 주변 영역의 일부를 제거하며,상기 기준 마크와 추출된 위치정보를 참고하여, 상기 블랭크 마스크의 패턴 영역을 완성하는 것을 포함하는 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 블랭크 마스크 상에 패턴을 형성하는 것은,추출된 결함의 위치정보를 토대로 결함을 회피해가면서 전자 빔 쓰기(Mask E-beam writing)를 수행하는 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 블랭크 마스크는, 100㎚ 파장 이하의 EUV 광원을 사용함으로써, 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하는 반사형 마스크가 사용되는 반사형 포토마스크 제작방 법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기준 마크를 삽입하는 것은,투명기판 상에 다층 반사막의 증착이 완료된 이후에 실시되고,상기 결함은 다층 구조가 반복하여 적층되는 과정에서 상기 다층 구조 사이에 발생되는 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 다층 반사막은, 몰리브덴과 실리콘이 40번 이상 반복되는 다층 구조인 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 결함의 위치정보가 추출된 후에,상기 반사막 상에 실리콘층인 캡핑막을 증착하고,상기 캡핑막 상에 금속층인 흡수막을 증착하는 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 기준 마크를 삽입하는 것은,레이저나 집속 이온빔을 이용하여 보조 가스 식각 함으로써, 상기 반사막의 일부를 제거하고, 제거된 부분에 기준 마크를 삽입하는 반사형 포토마스크 제작방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 패턴 형성 이전에 상기 주변 영역의 일부를 제거하는 것은,상기 기준 마크의 가장자리를 정확하게 확정할 수 있도록, 상기 기준 마크가 삽입된 주변 영역의 상기 흡수막, 캡핑막, 반사막을 노광(Photo) 및 식각(Ehch)하여 오픈하는 반사형 포토마스크 제작방법.
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| KR1020080097082A KR20100037799A (ko) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 극자외선 블랭크 마스크 제작 시 기준 마크를 삽입하고, 마스크 패턴 전 기준 마크를 오픈함으로써, 마스크 패턴 시결함을 피해가는 반사형 포토마스크 제작방법 |
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| KR20100037799A true KR20100037799A (ko) | 2010-04-12 |
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ID=42214862
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20100037799A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140121812A (ko) * | 2012-02-10 | 2014-10-16 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
| US10613432B2 (en) | 2016-12-20 | 2020-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask treating apparatus |
-
2008
- 2008-10-02 KR KR1020080097082A patent/KR20100037799A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20140121812A (ko) * | 2012-02-10 | 2014-10-16 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
| KR20210010669A (ko) * | 2012-02-10 | 2021-01-27 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 마스크 블랭크 및 그들의 제조방법, 반사형 마스크 그리고 마스크 |
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